負(fù)載LED和BUZZERLED的問(wèn)題主要在于在漏電流的情況下，它會(huì)微亮，而且只需要很短的時(shí)間就能導(dǎo)通，因此會(huì)導(dǎo)致很多的問(wèn)題。如圖所示，高邊驅(qū)動(dòng)LED（可能并不是主負(fù)載，
2009-11-21 13:55:07
3184 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:591850 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:433267 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 首先什么是高低邊開(kāi)關(guān)？ 關(guān)于高低邊開(kāi)關(guān)在汽車中應(yīng)用非常廣泛，例如車燈控制、氣囊驅(qū)動(dòng)、繼電器控制等，代表性的廠家有ST、英飛凌等，高低邊開(kāi)關(guān)即高低邊驅(qū)動(dòng)，其中高邊或者低邊均相對(duì)于負(fù)載來(lái)說(shuō)，如圖1負(fù)載在
2022-12-09 14:13:3219850 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 2022年2月14日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體最新的智能驅(qū)動(dòng)高邊開(kāi)關(guān)IPS2050H和IPS2050H-32可設(shè)置兩個(gè)限流值，適用于啟動(dòng)電流很大的容性負(fù)載。
2022-02-14 15:06:421261 
? 2023 年 7 月 5 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體發(fā)布一個(gè)八路輸出高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品具有電流隔離和保護(hù)診斷功能，導(dǎo)通電阻RDS(on)低于 260mΩ ，可提高應(yīng)用的耐變性、能效、可靠性
2023-07-07 15:17:49933 
了保護(hù)功能的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，迎來(lái)了樂(lè)觀的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)。 高邊開(kāi)關(guān)也叫高邊驅(qū)動(dòng)（HSD），位于電源和負(fù)載之間，主要作用是調(diào)整功率、驅(qū)動(dòng)負(fù)載。與高邊開(kāi)關(guān)相對(duì)應(yīng)的還有低邊開(kāi)關(guān)，也就是低邊驅(qū)動(dòng)（LSD），位于負(fù)載和地之間，設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單
2024-06-03 07:20:006899 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，類比半導(dǎo)體宣布推出全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD80012，單通道內(nèi)阻低至1.2mΩ。HD80012還內(nèi)置電池反接保護(hù)和輸入電源過(guò)壓保護(hù)電路，無(wú)需外圍增加TVS和防反二極管
2025-07-06 05:46:005655 （on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無(wú)鉛產(chǎn)品●表面安裝包。HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道MOS管
2021-03-11 11:14:52
MOSFET提供高電流時(shí)，它就會(huì)變熱。散熱不良也會(huì)因極端溫度而損壞MOSFET。電池故障雪崩失敗dV/dt故障電機(jī)阻塞或卡住快速加速或減速功耗過(guò)大過(guò)電流負(fù)載短路卡有異物主要特點(diǎn)P溝道MOSFET的主要特點(diǎn)包括
2022-09-27 08:00:00
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
反激式轉(zhuǎn)換器。在同步整流器應(yīng)用以及以太網(wǎng)供電（PoE）輸入整流器中，低側(cè)開(kāi)關(guān)也被用來(lái)代替二極管作為整流器。P溝道MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N
2021-04-09 09:20:10
出線圈電流，一般再使用其信息。圖4表示使用了這種方法的斜率波形。圖4與“電壓模式”項(xiàng)的圖2相同，Vc > Vslope時(shí)導(dǎo)通高邊開(kāi)關(guān)進(jìn)行控制。導(dǎo)通時(shí)，會(huì)產(chǎn)生符合線圈電流IL的DC成分和Rs積的偏置
2018-12-03 14:32:13
概述：FPF1006是一款負(fù)載管理產(chǎn)品它內(nèi)部采用低導(dǎo)通闡值電壓-Vgs(th)及低導(dǎo)通電阻Rds(on)的P溝道功率MOSFET，并采用導(dǎo)通斜率上升控制，可減小沖擊電流，F(xiàn)PF1006內(nèi)部有75-120Ω下拉電
2021-04-06 09:56:02
輸入電壓和最大負(fù)載電流。負(fù)載開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻是導(dǎo)通FET 的特性，將用于計(jì)算負(fù)載開(kāi)關(guān)的功耗。導(dǎo)通FET 既可以是N 溝道FET，也可以是P 溝道FET，這將決定負(fù)載開(kāi)關(guān)的架構(gòu)。2. 柵極驅(qū)動(dòng)器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
采用TOPSwitch的TNY268p控制芯片,當(dāng)負(fù)載加大時(shí)，開(kāi)關(guān)電源處于工作和不工作的狀態(tài)，反饋5V一會(huì)是穩(wěn)住的，一會(huì)就直接為0，變壓器原邊繞組和其他路負(fù)載輸出也一樣，而且副邊加的負(fù)載也并不大
2014-01-07 12:55:51
本帖最后由 daxinba 于 2021-11-24 22:14 編輯
我設(shè)計(jì)了一個(gè)測(cè)試電路，其中有一個(gè)用來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS開(kāi)關(guān)的芯片UCC21530（用于高邊驅(qū)動(dòng)），兩路輸出都用來(lái)作高邊驅(qū)動(dòng)，接上
2021-11-16 16:06:40
在工業(yè)控制及汽車電子行業(yè)中電磁閥、功率繼電器等帶電感線圈的負(fù)載大量使用。為了安全及便于維修，這類負(fù)載往往一端通過(guò)開(kāi)關(guān)接在電源正極上，一端接在電源負(fù)極上，這種開(kāi)關(guān)接在負(fù)載高側(cè)，稱之為高側(cè)開(kāi)關(guān)，如
2022-03-01 22:23:42
鎖定保護(hù)（UVLO）和帶自動(dòng)重啟功能的過(guò)溫保護(hù)（OTP）。
特性
? 無(wú)需副邊反饋電路的實(shí)時(shí)電流控制
? 線性和負(fù)載調(diào)整率<2%
? 通用輸入電壓上的高功率因數(shù)(=0.9)
? 臨界導(dǎo)
2023-10-20 15:46:09
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
的兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻，這意味著導(dǎo)通功耗會(huì)更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
PMOS高邊開(kāi)關(guān)控制電路如下圖：
輸入側(cè)使用15KW整流模塊，輸出側(cè)固定8歐姆負(fù)載電阻。
整流模塊設(shè)置為40V/5A，模塊空載情況下輸出為100V/0A。此時(shí)PMOS可以正常開(kāi)關(guān)，波形紅色為VGS
2024-02-05 15:54:27
二極管的方向判斷：它的判斷規(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。4、簡(jiǎn)單的判斷方法上面方法不太好記，一個(gè)簡(jiǎn)單的識(shí)別方法是：（想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線是連通的）不論N溝道還是P溝道
2019-09-11 07:30:00
產(chǎn)品描述:(替代UCC29002)PC5502是一款先進(jìn)、高性能、低成本的負(fù)載均流控制芯片，可以實(shí)現(xiàn)多個(gè)獨(dú)立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務(wù)器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中，也
2025-07-31 10:20:44
首先什么是高低邊開(kāi)關(guān)？關(guān)于高低邊開(kāi)關(guān)在汽車中應(yīng)用非常廣泛，例如車燈控制、氣囊驅(qū)動(dòng)、繼電器控制等，代表性的廠家有ST、英飛凌等，高低邊開(kāi)關(guān)即高低邊驅(qū)動(dòng)，其中高邊或者低邊均相對(duì)于負(fù)載來(lái)說(shuō)，如圖1負(fù)載在
2022-12-22 18:48:54
高邊開(kāi)關(guān)的熱分析
首先定義一下高邊開(kāi)關(guān):[high side switch]HSD，剛開(kāi)始接觸這個(gè)東西覺(jué)得不太明白，其實(shí)就是一個(gè)帶Logic驅(qū)動(dòng)的Mosfet?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高邊開(kāi)關(guān)的作用在于
2009-11-21 10:53:111450 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器，用于HB LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器，高壓應(yīng)用中可工作在較高的開(kāi)關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:042216 
Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴(kuò)
2010-03-26 11:38:56973 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301776 Vishay宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141737 Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款IHLP?小尺寸、高電流電感器- IHLP-3232CZ-01
2011-08-10 09:09:572312 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:402991 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計(jì)---Sfernice P13L，這種電位計(jì)的壽命長(zhǎng)達(dá)2百萬(wàn)次，全I(xiàn)P67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作
2011-11-05 01:11:001113 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出可編程開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)4MHz的新款5A器件---SiP12108，擴(kuò)大其microBUCK?集成式同步降壓穩(wěn)壓器系列。
2013-12-23 09:19:371445 Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結(jié)實(shí)耐用的塑料外殼，可用于助聽(tīng)器和工業(yè)高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25937 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱雙片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT
2014-02-10 15:16:511504 開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)ic LNK308P離線式小功率原邊反饋控制芯片規(guī)格書(shū)
2015-11-30 15:40:50
39 SM7515P 18V0.3A原邊控制開(kāi)關(guān)電源芯片方案，SM7515P是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源的高性能的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片，在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒流輸出，精度小于±5%，無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償，并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦，TL431以及變壓器輔助繞組等元件，降低成本。
2016-06-08 17:29:369 SM7505P 12V500mA原邊反饋小功率開(kāi)關(guān)電源控制芯片方案，SM7505是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源的高性能原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)芯片，在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3%，并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和TL431等元件，降低成本。
2016-07-04 17:57:5045 的電源電壓僅為高邊柵極驅(qū)動(dòng)器。雖然P溝道器件的柵極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單起見(jiàn)，一個(gè)可行的選擇，其相關(guān)的成本和更高的性能限制了應(yīng)用程序的數(shù)量。通常，P溝道FET用于Buck穩(wěn)壓器輸出電流小于4安培，左右。然而，許多1.8伏通過(guò)3.3伏邏輯系統(tǒng)的需求往往在
2017-07-02 09:18:5120 的電源電壓僅為高邊柵極驅(qū)動(dòng)器。雖然P溝道器件的柵極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單起見(jiàn)，一個(gè)可行的選擇，其相關(guān)的成本和更高的性能限制了應(yīng)用程序的數(shù)量。通常，P溝道FET用于Buck穩(wěn)壓器輸出電流小于4安培，左右。然而，許多1.8伏通過(guò)3.3伏邏輯系統(tǒng)的需求往往在
2017-07-04 15:46:2016 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動(dòng)性是空穴的三倍。盡管沒(méi)有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523171 
最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 綜上所述，我們介紹了智能高邊開(kāi)關(guān)的檢查清單，以及對(duì)應(yīng)這些檢查點(diǎn)的設(shè)計(jì)推薦及應(yīng)用提示。希望以上內(nèi)容能夠?qū)Υ蠹沂褂?b class="flag-6" style="color: red">高邊開(kāi)關(guān)進(jìn)行方案設(shè)計(jì)時(shí)有所幫助。
2019-09-23 10:54:476272 
在不斷縮小的車身控制模塊當(dāng)中，比如中央車身控制模塊 (BCM) 中正在容納越來(lái)越多的功能（如，車外和車內(nèi)照明、繼電器控制和多種舒適功能）需要精確設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。來(lái)支持高集成度并且具備滿足廣泛需求的可擴(kuò)展性和靈活性的產(chǎn)品。因此智能高邊開(kāi)關(guān)更適合驅(qū)動(dòng)車燈負(fù)載。
2019-09-23 11:02:527354 因?yàn)?Vbb ≥ VOUT，MOSFET 本征二極管反向偏壓,因此不導(dǎo)通。此時(shí)，如果微處理器斷開(kāi)高邊開(kāi)關(guān),沒(méi)有電流經(jīng)MOSFET 流向任何方向。如果微處理器閉合高邊開(kāi)關(guān)，電流則從電池流經(jīng)(傳統(tǒng)意義上)MOSFET,然后到達(dá)負(fù)載。
2019-09-23 11:28:3111561 
Maxim八通道高邊開(kāi)關(guān)/驅(qū)動(dòng)器可對(duì)任意感性負(fù)載安全消磁，大幅提升工業(yè)4.0應(yīng)用體驗(yàn) 。 Maxim針對(duì)工業(yè)4.0應(yīng)用聯(lián)合硅天下科技推出MAX14913八通道高邊開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，幫助工業(yè)控制器設(shè)計(jì)者
2020-07-11 10:18:221311 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開(kāi)關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 意法半導(dǎo)體發(fā)布了IPS1025H和IPS1025H-32單通道可編程高邊開(kāi)關(guān)。這兩款開(kāi)關(guān)內(nèi)置欠壓保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)功能，能夠智能驅(qū)動(dòng)高啟動(dòng)電流的容性負(fù)責(zé)、阻性負(fù)責(zé)或感性負(fù)載。
2022-05-27 17:20:193635 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:214033 本應(yīng)用筆記解釋了如何在高邊工業(yè)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中選擇與MAX14922配合使用的合適的外部n溝道MOSFET。
2022-12-15 20:11:442956 
顯示如何使用高邊開(kāi)關(guān)連接/斷開(kāi)電池與負(fù)載以降低功耗的應(yīng)用程序。通過(guò)在電路中使用運(yùn)算放大器，可提供短路保護(hù)。
2023-02-13 16:01:112288 
本項(xiàng)目是一個(gè)電機(jī)電源控制板，主要功能是控制4個(gè)200W的大功率直流電機(jī)的供電電源，電機(jī)供電電源24V，4個(gè)電機(jī)的工作電流大約30A左右。由于是在電源正極對(duì)電機(jī)負(fù)載進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，所以最適合的就是選擇P
2022-05-06 17:04:402483 
限流開(kāi)關(guān)在系統(tǒng)控制中幾乎無(wú)處不在。它們?yōu)檎{(diào)節(jié)輸送到負(fù)載電路的電流提供了一種安全的方法。開(kāi)關(guān)允許負(fù)載電流增加到編程的限值，但不會(huì)增加。本應(yīng)用筆記舉例說(shuō)明了使用MAX890L、限流、高邊P溝道開(kāi)關(guān)和MAX5160數(shù)字電位器實(shí)現(xiàn)數(shù)字可編程限流開(kāi)關(guān)。
2023-06-25 14:18:401533 
相對(duì)于外部負(fù)載，將半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)配置在上側(cè)電路（電源側(cè)）的叫作高邊驅(qū)動(dòng)，配置在下側(cè)電路（GND側(cè)）的叫作低邊驅(qū)動(dòng)。 【高邊驅(qū)動(dòng)/低邊驅(qū)動(dòng)】 高邊開(kāi)關(guān)與低邊開(kāi)關(guān)的區(qū)分使用 相對(duì)于外部負(fù)載，IPD有適用于上
2023-07-05 17:05:317462 
2023 年 7 月 5 日，意法半導(dǎo)體發(fā)布一個(gè)八路輸出高邊開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品具有電流隔離和保護(hù)診斷功能，導(dǎo)通電阻RDS(on)低于 260mΩ ，可提高應(yīng)用的耐變性、能效、可靠性和故障恢復(fù)能力
2023-07-11 08:40:091132 
場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:1714757 解一下什么是溝道。溝道是在半導(dǎo)體材料中形成的電子流的通道。通過(guò)在材料中創(chuàng)建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的功能。在常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:426066 高邊開(kāi)關(guān)，顧名思義，就是放在高側(cè)的開(kāi)關(guān)，置于電源和負(fù)載之間，通過(guò)控制功率MOSFET的開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)控制高側(cè)負(fù)載的通斷。
2023-12-27 18:15:362588 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對(duì)N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:1515366 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 在H橋電路中，高邊和低邊的概念描述了開(kāi)關(guān)器件相對(duì)于負(fù)載或地的連接方式。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)通常用于描述開(kāi)關(guān)器件（如晶體管、MOSFET等）在電路中的位置以及它們?nèi)绾?b class="flag-6" style="color: red">控制電流流向。
2024-05-11 17:23:265569 穩(wěn)先微在國(guó)產(chǎn)高邊開(kāi)關(guān)領(lǐng)域現(xiàn)推出DFN5x6-14L的車規(guī)級(jí)單通道高邊智能開(kāi)關(guān)WS7010AF。WS7010AF用于驅(qū)動(dòng)12V汽車接地負(fù)載，具有12mΩ低導(dǎo)通阻抗，具備配置閉鎖功能的過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)、動(dòng)態(tài)
2024-07-08 14:46:471831 
隨著新能源汽車市場(chǎng)的擴(kuò)大，汽車驅(qū)動(dòng)芯片尤其是高邊開(kāi)關(guān)深受大批汽車制造商的青睞，以高邊開(kāi)關(guān)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的、不穩(wěn)定的繼電器與保險(xiǎn)絲，幫助軟件定義汽車，控制汽車的電機(jī)系統(tǒng)、LED燈光、揚(yáng)聲器等關(guān)鍵負(fù)載，發(fā)揮先進(jìn)的保護(hù)與診斷功能。
2024-08-19 09:54:571433 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用TI高邊開(kāi)關(guān)控制器實(shí)現(xiàn)電池反向保護(hù).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-06 11:24:501 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高邊開(kāi)關(guān)主板評(píng)估模塊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-04 15:31:140 ~ = +125°C時(shí)，具有165mΩ (最大)低導(dǎo)通電阻。驅(qū)動(dòng)電阻負(fù)載時(shí)，高邊開(kāi)關(guān)的輸入至輸出傳輸延遲為2μs (最大)。推挽式操作的PWM/PPO控制中，開(kāi)關(guān)頻率達(dá)100kHz，可驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)電纜?？蓪⒍鄠€(gè)高邊開(kāi)關(guān)并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)較高驅(qū)動(dòng)電流。器件具有較寬的10V至36V電源輸入范圍。
2025-05-21 14:12:19830 
隨著汽車電氣化水平及安全要求的提升，高邊開(kāi)關(guān)已成為車身控制等關(guān)鍵系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。高邊開(kāi)關(guān)可實(shí)現(xiàn)車內(nèi)負(fù)載的驅(qū)動(dòng)與開(kāi)關(guān)、保護(hù)與診斷，憑借其高可靠、低功耗、小型化、靈活易用等特點(diǎn)，逐漸替代傳統(tǒng)
2025-05-28 17:59:231172 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）正式發(fā)布第二代車規(guī)級(jí)高邊開(kāi)關(guān) (HSD) SC77450CQ，基于國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的垂直溝道 BCD 集成工藝和全國(guó)產(chǎn)化封測(cè)供應(yīng)鏈，在 N 型襯底單晶圓上實(shí)現(xiàn)了
2025-08-05 15:17:141221 
中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-06 14:35:45245 
在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中，穩(wěn)定、可靠的功率開(kāi)關(guān)控制是保障設(shè)備連續(xù)運(yùn)行的重要基礎(chǔ)。高邊驅(qū)動(dòng)IC作為關(guān)鍵功率開(kāi)關(guān)元件，廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、電磁閥驅(qū)動(dòng)、加熱模塊以及照明系統(tǒng)等高邊接地負(fù)載場(chǎng)景。隨著工業(yè)4.0
2025-11-12 16:14:40296 威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)
2025-11-26 15:18:29293 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:50:07171 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:39:03236 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P
2025-12-24 13:01:21133 
威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-26 12:01:16110 
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