榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動器，該系列驅(qū)動器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護功能，專為驅(qū)動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40496 
Microchip近日宣布推出一款創(chuàng)新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動器，該驅(qū)動器采用了Augmented Switching?專利技術(shù)，進一步擴展了其mSiC解決方案系列，為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 GaN-on-silicon器件的橫向FET結(jié)構(gòu)有助于功率器件和信號器件的單片集成，集成GaN功率ic開始在商業(yè)上出現(xiàn)【2】、【3】。這種集成有望降低尺寸和成本，同時提高可靠性和性能。 本文舉例說明了集成FET和柵極驅(qū)動器IC的優(yōu)勢。該IC主要用作間接飛行時間應(yīng)用
2024-03-05 14:29:42479 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計與基準(zhǔn)IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
納芯微近期推出了一款全新的NSD3604/8-Q1系列多通道半橋柵極驅(qū)動芯片，這款產(chǎn)品具有出色的性能和廣泛的應(yīng)用場景。
2024-01-15 15:14:21457 必易微新推出的柵極驅(qū)動器 KP85402，專為家用電器和工業(yè)新能源等應(yīng)用場景而設(shè)計。這款產(chǎn)品旨在為客戶提供一個高可靠性、低成本的解決方案，以滿足各種柵極驅(qū)動需求。
2024-01-08 15:33:25390 關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動回路/電容器
通過SiC門驅(qū)動回路優(yōu)化設(shè)計提升性能和強化保護功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
非對稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動 - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動器供電變得空前簡單。
2023-12-21 11:46:42334 SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護
2023-12-14 11:37:10287 BTD25350雙通道隔離，原方帶死區(qū)時間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合充電樁中后級LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列雙通道隔離型門極驅(qū)動器，峰值輸出電流可達10A
2023-11-30 09:42:59
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應(yīng)用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:05:31
5 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 GaN和SiC的使用數(shù)量正在急劇增加，但是并非所有柵極驅(qū)動器都適合使用這些技術(shù)，ADI針對這些GaN和SiC產(chǎn)品提供了豐富柵極驅(qū)動器，并將柵極驅(qū)動器分為三類：第一類是簡單柵極驅(qū)動器；第二類是監(jiān)控柵極驅(qū)動器；第三類是可編程柵極驅(qū)動器
2023-11-17 18:45:01326 
SiC驅(qū)動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動器模塊可以用于電動車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
川土微電子CA-IS3215/6-Q1適用于SiC/IGBT 的具有主動保護功能、高 CMTI、15A 拉/灌電流的單通道增強隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布！
2023-11-15 09:49:43573 
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動器IC。該器件可實現(xiàn)納秒 (ns) 級的柵極驅(qū)動速度，因此非常適合高速 GaN 功率器件開關(guān)。 通過對氮化鎵技術(shù)的全面
2023-11-14 15:04:58438 列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動 為了補
2023-11-02 19:10:01361 
新廠房已經(jīng)竣工，并舉行了竣工儀式。 竣工儀式剪影 RWEM此前主要生產(chǎn)二極管和LED等小信號產(chǎn)品，新廠房建成后計劃生產(chǎn)隔離柵極驅(qū)動器（模擬IC的重點產(chǎn)品之一）。 隔離柵極驅(qū)動器是用來對IGBT和SiC等功率半導(dǎo)體進行合宜驅(qū)動的IC，在實現(xiàn)電動汽車和工業(yè)設(shè)備的節(jié)能化及小型化方面發(fā)揮著重要作用，預(yù)計未
2023-10-25 15:45:02191 
~采用業(yè)界先進的納秒量級柵極驅(qū)動技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進一步節(jié)能~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動GaN器件的柵極驅(qū)動器IC
2023-10-25 15:45:02192 
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 
igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 ~采用業(yè)界先進的納秒量級柵極驅(qū)動技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進一步節(jié)能~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動GaN器件的柵極驅(qū)動器IC
2023-10-19 15:39:38214 
額外的電路通常比專用
SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計通常選擇專用的
SiC 核心
驅(qū)動器，這會考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)
柵極驅(qū)動器，但你必須用額外的電路來補充它，通常這就是權(quán)衡?！?/div>
2023-10-09 14:21:40423 
驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護操作自動恢復(fù)的功能。該器件主要用來實現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
下的虛假開關(guān)。對于這兩個通道，該器件可以提供高達4A的強大柵極控制信號，其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓撲的快速換向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 
MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導(dǎo)致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34807 
。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動器IC，采用5x5mm2QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤，并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件
2023-07-31 22:55:20466 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT
2023-07-31 17:55:56430 比鄰驅(qū)動?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。
2023-07-25 16:26:141580 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2101高壓柵極驅(qū)動器IC.pdf》資料免費下載
2023-07-24 15:55:430 通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題：驅(qū)動電壓低，容易誤啟動；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動器，不僅增加了設(shè)計復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。
2023-07-23 15:08:36442 
比鄰驅(qū)動(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。
2023-07-21 16:18:243392 
供應(yīng)ID2006SEC-R1 200V高低側(cè)柵極驅(qū)動IC，提供id2006芯片規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、半橋功率逆變器、全橋功率逆變器、任意互補驅(qū)動轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:31:284 則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
柵極驅(qū)動芯片可根據(jù)功能分為多種類型，如單路、雙路、多路等。因此，在選型時需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進行選擇。
2023-07-14 14:59:402457 
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動，而放電則會使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計公司——思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動——TPM2351x系列, 因其突出的產(chǎn)品優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅(qū)動中。
2023-07-14 10:52:54453 
、更高效的系統(tǒng)設(shè)計。 開 發(fā) 背 景 全球清潔能源市場要求汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計師更高效地產(chǎn)生、儲存和使用能源，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）能夠在系統(tǒng)級提供明顯的效率優(yōu)勢，但往往也伴隨著一些巨大的集成挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器的實現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動器和
2023-07-13 16:05:02416 
傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器的實現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動器和單獨的隔離電源，在系統(tǒng)組裝時，驅(qū)動器、電源和FET之間的連接可能會帶來不必要的噪聲，并產(chǎn)生電磁干擾（EMI），從而降低系統(tǒng)性能。而要減輕這些影響可能會帶來更多設(shè)計復(fù)雜性，增大項目進度時間和成本，以及解決方案的體積和重量。
2023-07-13 09:47:40361 PT5619 在 同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅(qū)動器 ，特別適合于 三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動 。
2023-07-11 16:12:24434 
在本文中，我們將重點介紹實時可變柵極驅(qū)動強度的技術(shù)優(yōu)勢，這項新功能可讓設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動汽車行駛里程）和 SiC 過沖（影響可靠性）。
2023-07-10 09:28:53236 
經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動器 IC 輸出級和封裝的多項創(chuàng)新
2023-07-08 14:48:48317 
在本文中，我們將重點介紹實時可變柵極驅(qū)動強度的技術(shù)優(yōu)勢，這項新功能可讓設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動汽車行駛里程）和 SiC過沖（影響可靠性）。
2023-07-04 10:34:17358 
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應(yīng)對較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男?。例如?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377 
GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
輸入。本文將為您介紹柵極驅(qū)動電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器的技術(shù)概念，以及由Murata推出的隔離柵極驅(qū)動電源產(chǎn)品系列的功能特性。
2023-06-08 14:03:09362 高壓DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求的氮化鎵（GaN）功率開關(guān)等最新技術(shù)，使得功率密度可以達到100 W/inch3。PFC和DC-DC的數(shù)字控制與出色的柵極驅(qū)動解決方案一樣，對于提高能效和增強魯棒性至關(guān)重要
2023-06-07 15:16:56561 
1200 V 絕緣體上硅（SOI）三相柵極驅(qū)動器之后，現(xiàn)又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，進一步擴展其產(chǎn)品組合。該驅(qū)動器 IC系列的半橋配置補充了現(xiàn)有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
2023-05-22 17:36:411063 
在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅(qū)動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動，更需認真關(guān)注細節(jié)，因為其電壓和電流的轉(zhuǎn)換速率通常比硅快得多。遵循指定 PCB 設(shè)計指南，可以幫助減少這些常見隱患并消除實驗室或現(xiàn)場故障。
2023-05-20 16:57:571001 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。
2023-05-17 10:21:391473 
柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526240 
MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IG
2023-05-12 15:46:12
配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 S
2023-05-12 15:34:44
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 S
2023-05-12 15:16:27
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MO
2023-05-12 14:59:16
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MO
2023-05-12 14:53:49
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC M
2023-05-12 14:47:58
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 14:35:49
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 14:29:40
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 14:11:46
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 12:44:42
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSF
2023-05-12 11:54:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 S
2023-05-11 20:45:39
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級
2023-05-11 20:38:23
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC
2023-05-11 20:28:32
JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢
2023-05-11 19:01:57
首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進的位置，從而達到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386439 
器，可提供6A峰值灌電流、5A峰值拉電流驅(qū)動。這些器件支持高速切換，結(jié)合器件的低傳輸延時、超低脈寬失真等優(yōu)勢，使其成為MOSFET、IGBT、SiC等大功率晶體管驅(qū)動的理想選擇，最高工作頻率可達5MHz，適用于各種逆變器、隔離電源、電機驅(qū)動等應(yīng)用。 所有器件采用川土特有的電容隔離技術(shù)，在內(nèi)部集成數(shù)字隔離
2023-04-24 18:31:401791 
TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動器應(yīng)用而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。它能夠驅(qū)動由四個高達40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個可調(diào)節(jié)的電荷泵來產(chǎn)生柵極驅(qū)動功率，峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時，TMI8723可以通過引腳VDS設(shè)置過電流點的值。
2023-04-20 15:00:311 簡單來說，柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
2023-04-18 13:52:56699 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02813 柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動器電路的設(shè)計和性能變得越來越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 電機控制器整體重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度為34kW/kg，SiC用在車用逆變器上，可以使開關(guān)損耗降低75％（芯片溫度為150°C）。在相同封裝下，全SiC模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229 ，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我們將與
2023-03-29 15:06:13
柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動器電路的設(shè)計和性能變得越來越重要。
2023-03-23 16:48:48535 
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