英偉達(dá)GPU直流供電架構(gòu)與基本半導(dǎo)體SiC MOSFET在AI服務(wù)器PSU中的應(yīng)用價(jià)值分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)
2026-01-05 06:38:10
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采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用小型封裝（圖中未明確具體型號(hào)，推測(cè)為SOP類小封裝），適配低壓小型電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-31 17:30:401613 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451192 2025ANALYTICS數(shù)據(jù)賦能AI領(lǐng)芯程數(shù)據(jù)智驅(qū)芯制造，績(jī)卓領(lǐng)航芯征程普迪飛半導(dǎo)體技術(shù)（上海）有限公司2025年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁入智能化、先進(jìn)化發(fā)展新階段，普迪飛（PDFSolutions
2025-12-31 17:07:233414 
隨著新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)與電池管理（BMS）對(duì)高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導(dǎo)體技術(shù)正面臨新一輪革新。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，龍騰半導(dǎo)體正式推出
2025-12-29 10:18:56619 
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售培訓(xùn)手冊(cè)：電源拓?fù)渑c解析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-24 06:54:12347 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:18:11195 
智能手環(huán)追求極致輕薄與持久續(xù)航，每一毫瓦的功耗與每一毫米的空間都至關(guān)重要。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出專為可穿戴設(shè)備優(yōu)化的MDD2312(N溝道)與MDD2333(P溝道)MOSFET配對(duì)方案，為智能手環(huán)的“電力心臟”注入高效、可靠的芯動(dòng)力。
2025-12-22 17:17:07859 推出的 Hyper Cool Edge Connectors（SFF - TA - 1037 PMM Connector），為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等多個(gè)領(lǐng)域提供了強(qiáng)大的連接支持。下面就來(lái)詳細(xì)了解一下這款
2025-12-10 14:15:06268 威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
高壓MOSFET作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開(kāi)關(guān)的核心優(yōu)勢(shì)，已成為工業(yè)電源、新能源儲(chǔ)能、汽車(chē)電動(dòng)化等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換的“關(guān)鍵引擎”。意法半導(dǎo)體深耕高壓MOSFET技術(shù)研發(fā)，以全系列產(chǎn)品與創(chuàng)新方案，為多領(lǐng)域發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-12-03 09:57:022196 
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 15:22:39873 
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-21 08:26:15328 的保障，半導(dǎo)體器件的測(cè)試也愈發(fā)重要。 對(duì)于半導(dǎo)體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過(guò)這些器件的測(cè)試有共性也有差異，因此在實(shí)際的測(cè)試時(shí)測(cè)試項(xiàng)目也有通用項(xiàng)目和特殊項(xiàng)目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢
2025-11-11 13:31:171556 
專業(yè)車(chē)載系統(tǒng)半導(dǎo)體無(wú)晶圓企業(yè)Telechips正式推出集成半導(dǎo)體芯片與內(nèi)存的系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP，System-in-Package）模塊產(chǎn)品，加速車(chē)載半導(dǎo)體市場(chǎng)的革新。Telechips計(jì)劃超越單一芯片供應(yīng)模式，通過(guò)提供軟硬件結(jié)合的高附加值解決方案，同時(shí)為客戶實(shí)現(xiàn)成本降低、開(kāi)發(fā)周期縮短與品質(zhì)提升。
2025-11-05 16:05:23324 一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
近日，工業(yè)和信息化部正式公布第七批國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)名單， 華大半導(dǎo)體旗下飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的突出技術(shù)創(chuàng)新能力、深厚產(chǎn)業(yè)積累與廣闊市場(chǎng)前景成功入選
2025-10-27 15:44:58460 自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133873 
半導(dǎo)體封裝形式介紹 摘 要 ：半導(dǎo)體器件有許多封裝型式，從 DIP 、SOP 、QFP 、PGA 、BGA 到 CSP 再到 SIP，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，這些都是前人根據(jù)當(dāng)時(shí)的組裝技術(shù)和市場(chǎng)需求
2025-10-21 16:56:30862 
傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）提供的碳化硅（SiC
2025-10-21 10:12:15390 
在2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)(灣芯展)上，云天勵(lì)飛以“算力積木”為核心理念，攜全棧AI推理產(chǎn)品體系重磅亮相，集中展示了從芯片到模組再到整機(jī)的完整布局，全面呈現(xiàn)在AI推理領(lǐng)域的最新成果與產(chǎn)業(yè)化能力。
2025-10-16 17:45:15870 近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國(guó)首款采用頂部散熱技術(shù)的功率MOSFET，更以"熱傳導(dǎo)
2025-10-11 19:43:0019690 
堅(jiān)實(shí)的質(zhì)量基礎(chǔ)。
二、全面檢測(cè)，護(hù)航產(chǎn)品品質(zhì)
從產(chǎn)品研發(fā)、來(lái)料檢驗(yàn)；從晶圓測(cè)試、封裝測(cè)試；再到成品出廠前的最終檢驗(yàn)測(cè)試，BW-4022A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)可貫穿應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的全流程。不僅
2025-10-10 10:35:17
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22499 
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511272 
BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計(jì)指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-19 17:34:561103 
半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷向更緊湊、更高效封裝解決方案的轉(zhuǎn)型。隨著移動(dòng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用對(duì)更小、更薄且具有增強(qiáng)電氣可靠性的封裝提出需求，研究人員將注意力轉(zhuǎn)向3D封裝技術(shù)。雖然硅基板傳統(tǒng)上主導(dǎo)著半導(dǎo)體制造，但玻璃基板正在成為先進(jìn)電子組件的引人注目的替代方案，特別是在移動(dòng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中。
2025-09-17 15:51:41808 
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
9月10日，SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳舉行。云天勵(lì)飛受邀出席同期舉辦的“端側(cè)AI芯片新架構(gòu)與新應(yīng)用專題研討會(huì)”并發(fā)表主題演講。
2025-09-12 14:31:131567 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車(chē)MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專為車(chē)身控制、信息娛樂(lè)、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度調(diào)整與技術(shù)革新的關(guān)鍵時(shí)期，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策支持與市場(chǎng)需求的雙重驅(qū)動(dòng)下，加速向自主可控方向邁進(jìn)。作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈后道核心環(huán)節(jié)的封裝測(cè)試領(lǐng)域，其技術(shù)水平直接影響芯片
2025-09-11 11:06:01752 
9月10日，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)全鏈條技術(shù)展示與交流核心平臺(tái)——SEMI-e深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨2025集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展在深圳成功召開(kāi)。作為國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成力量，本次展覽，兆芯展示了開(kāi)先、開(kāi)勝
2025-09-11 10:49:281424 Semiconductor）深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3
2025-08-25 18:07:22836 
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，芯片制造技術(shù)不斷向著更高的集成度、更小的尺寸和更高的性能邁進(jìn)。在這一過(guò)程中，封裝技術(shù)的創(chuàng)新成為了推動(dòng)芯片性能提升的關(guān)鍵因素之一。TGV（玻璃通孔）技術(shù)作為一種新興的封裝技術(shù)
2025-08-13 17:20:141570 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
半導(dǎo)體傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝的分類及特點(diǎn)
2025-07-30 11:50:181057 
深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
近日，總投資超200億元的長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬(wàn)輛新能源汽車(chē)制造需求，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16941 目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外，書(shū)中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來(lái)的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。
本書(shū)可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
在半導(dǎo)體制造的封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，溫度控制的精度與穩(wěn)定性直接影響芯片的可靠性、性能及成品率。半導(dǎo)體深冷機(jī)（Chiller）作為核心溫控設(shè)備，通過(guò)高精度、多場(chǎng)景的溫控能力，為封裝測(cè)試工藝提供了關(guān)鍵保障。一
2025-07-09 16:12:29550 
在科技飛速發(fā)展的今天，每一次電子設(shè)備性能的躍升，都離不開(kāi)半導(dǎo)體技術(shù)的突破。仁懋電子推出的TOLT封裝產(chǎn)品，以顛覆傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)和卓越性能，成為大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的“破局者”，為工業(yè)、新能源、消費(fèi)等多個(gè)領(lǐng)域
2025-07-02 17:49:082033 
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
取代傳統(tǒng)硅基器件。基本半導(dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)與先進(jìn)工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹(shù)立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn)：重新定義功率器件性能邊界 超低導(dǎo)通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強(qiáng)化散熱路徑，在18V驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)10mΩ典型導(dǎo)通
2025-06-16 15:20:29711 
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能，成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54829 
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。
2025-06-09 09:57:38858 漢思膠水在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用概覽漢思膠水在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)價(jià)值，其產(chǎn)品體系覆蓋底部填充、固晶粘接、圍壩填充、芯片包封等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，并通過(guò)材料創(chuàng)新與工藝適配性設(shè)計(jì)，為
2025-05-23 10:46:58850 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
華太半導(dǎo)體（Hottek-semi）最新推出輸入電壓范圍:4.5V-60V，頻率：150KHz/1.2MHz，SOT23-6封裝，高耐壓DC-DC降壓芯片，HT2459(異步)，HT2481
2025-05-19 17:49:43
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過(guò)程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351533 近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車(chē)用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等
2025-05-09 11:45:401018 
半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼、外觀檢查、成品測(cè)試和包裝出庫(kù)，涵蓋了前段（FOL）、中段（EOL）、電鍍（plating）、后段（EOL）以及終測(cè)（final test）等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-05-08 15:15:064322 
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740 
4月，作為國(guó)內(nèi)深耕于IGBT、MOS管的廠家代表，飛虹半導(dǎo)體成功參加了第104屆中國(guó)電子展（深圳）以及慕尼黑上海電子展，兩大行業(yè)盛會(huì)圓滿落幕。
2025-04-29 11:39:30881 在科技產(chǎn)業(yè)不斷演進(jìn)的宏大敘事中，馬斯克再度成為焦點(diǎn)人物，這次，他將目光投向了半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域。隨著 SpaceX 計(jì)劃自建 700X700 毫米的面板級(jí)封裝產(chǎn)線的消息傳出，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)都為
2025-04-27 14:01:18560 在半導(dǎo)體技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，封裝作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)產(chǎn)品的性能、可靠性和成本起著決定性作用。索尼FCB - EV9520L機(jī)芯與SDI編碼板的結(jié)合，正是半導(dǎo)體封裝技術(shù)協(xié)同創(chuàng)新的生動(dòng)體現(xiàn)
2025-04-23 16:33:19699 納微半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹(shù)脂灌封技術(shù)及納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境，重點(diǎn)確?？煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39980 ——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測(cè)試封裝，一目了然。 全書(shū)共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來(lái)安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布與納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合
2025-04-09 09:30:43736 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
飛兆半導(dǎo)體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產(chǎn)品族）。這些產(chǎn)品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 ? 欠壓鎖定? 內(nèi)部熱關(guān)斷? 小尺寸封裝：SOP8, DFN2x2-8L? 這些都是 Pb-Free Devices
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率能半導(dǎo)體代理，支持
2025-03-17 16:10:59
在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程中，技術(shù)創(chuàng)新始終是推動(dòng)行業(yè)前進(jìn)的核心動(dòng)力。深圳瑞沃微半導(dǎo)體憑借其先進(jìn)封裝技術(shù)，用強(qiáng)大的實(shí)力和創(chuàng)新理念，立志將半導(dǎo)體行業(yè)邁向新的高度。 回溯半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展軌跡，摩爾定律無(wú)疑是一個(gè)重要的里程碑
2025-03-17 11:33:30779 
新款封裝采用先進(jìn)的頂部散熱（GTPAK?）和海鷗腳（GLPAK?）封裝技術(shù)，可滿足更高性能要求，并適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境條件。 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷(xiāo)售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商
2025-03-13 13:51:461305 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)工藝在電子產(chǎn)業(yè)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。封裝工藝不僅保護(hù)著脆弱的半導(dǎo)體芯片，還確保了芯片與外界電路的有效連接。在半導(dǎo)體封裝過(guò)程中，各種氣體被廣泛應(yīng)用于不同的工序
2025-03-11 11:12:002219 
芯片簡(jiǎn)介
SS6208 將半橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器（高邊+ 低邊）集成到 3mm*3mm 8-pins DFN 的封裝中。
與分立元件解決方案相比，SS6208 集成解決 方案大大減少了分立
2025-03-07 09:27:56
芯和半導(dǎo)體科技（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯和半導(dǎo)體”）將于3月13日參加在重慶舉辦的重慶半導(dǎo)體制造與先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇。作為國(guó)內(nèi)Chiplet先進(jìn)封裝EDA的代表，芯和半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁代文亮博士將發(fā)表題為《集成系統(tǒng)EDA賦能加速先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)仿真》的主題演講。
2025-03-05 15:01:191182 作為專精特新企業(yè)，華芯智造在半導(dǎo)體封裝測(cè)試領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位。
2025-03-04 17:40:33817 
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門(mén)推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域，成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用，著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封裝技術(shù)——熱沉材料的選擇及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化、熱沉與半導(dǎo)體激光器陣列之間的焊接技術(shù)、半導(dǎo)體激光器陣列的冷卻技術(shù)、與光纖的耦合技術(shù)等。
2025-03-03 14:56:191800 
優(yōu)恩半導(dǎo)體(UNSEMI)推出的多功能電源保護(hù)模塊，專為工業(yè)電源在應(yīng)用中可能會(huì)遇到的各種復(fù)雜問(wèn)題而設(shè)計(jì)。
2025-02-19 14:42:01995 
在半導(dǎo)體行業(yè)中，封裝技術(shù)對(duì)于功率芯片的性能發(fā)揮起著至關(guān)重要的作用。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，特別是在大功率場(chǎng)合下，傳統(tǒng)的封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足日益增長(zhǎng)的性能需求。因此，Cu Clip封裝技術(shù)作為一種新興
2025-02-19 11:32:474753 
來(lái)源：南通州 ? 2月9日上午，制局半導(dǎo)體先進(jìn)封裝模組制造項(xiàng)目開(kāi)工儀式在南通高新區(qū)舉行。市委常委、區(qū)委書(shū)記、南通高新區(qū)黨工委書(shū)記張建華出席并宣布項(xiàng)目開(kāi)工。區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)吳瑕主持開(kāi)工儀式。區(qū)委副書(shū)記
2025-02-12 10:48:50955 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，封裝是連接芯片與外界電路的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而互連工藝則是封裝中的核心技術(shù)之一。它負(fù)責(zé)將芯片的輸入輸出端口（I/O端口）與封裝基板或外部電路連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)的傳輸與交互。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝中的互連工藝，包括其主要分類、技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)。
2025-02-10 11:35:451462 
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151133 半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 ▍全球最大數(shù)字智能化LED芯片廠加碼化合物半導(dǎo)體 來(lái)源：LEDinside等網(wǎng)絡(luò)資料 近日，兆馳集團(tuán)二十周年盛典暨全球戰(zhàn)略合作伙伴生態(tài)峰會(huì)在江西隆重召開(kāi)，在盛典上，兆馳集團(tuán)明確了未來(lái)10到20年
2025-01-23 11:49:081624 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271022
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