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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星電子推出業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存——Flashbolt HBM DRAM

三星電子推出業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存——Flashbolt HBM DRAM

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三星投產(chǎn)2.4Gbps的HBM2存儲(chǔ)芯片:號(hào)稱是業(yè)界最快的DRAM

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業(yè)界首集成了HBM2 DRAM以及FPGA和SoC的異構(gòu)SiP器件公開

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SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲(chǔ)器

雖然封裝不易,但 HBM 存儲(chǔ)器依舊會(huì)被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器,而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322

三星推出HBM2存儲(chǔ)芯片,適用于高性能計(jì)算系統(tǒng)

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第HBM2(HBM2E)存儲(chǔ)芯片。
2020-02-05 13:49:114064

三星新發(fā)布HBM2E存儲(chǔ)芯片,其代號(hào)Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號(hào)為“Flashbolt”的HBM2E存儲(chǔ)芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個(gè)封裝可實(shí)現(xiàn)16GB容量。
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Rambus宣布一套完整的HBM2E控制器+PHY物理層方案 可幫助企業(yè)輕松用上HBM2E

最近,JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)正式公布了HBM技術(shù)第版存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)HBM2E,針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對于一些大企業(yè),集成這些技術(shù)可以說不費(fèi)吹灰之力,但不是誰都有這個(gè)實(shí)力。
2020-03-08 19:43:564565

出貨100萬 三星業(yè)界首EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

HBM2e顯存到底有什么優(yōu)勢

相比GDDR顯存,HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先,前不久JEDEC又推出HBM2e規(guī)范,三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503

SK海力士量產(chǎn)超高速DRAMHBM2E’ 人工智能迎來新春天

全高清(FHD)電影(每部3.7GB),是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接,其容量達(dá)到了16GB,是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19870

海力士成功量產(chǎn)HBM2E存儲(chǔ),適用于新一代AI系統(tǒng)的存儲(chǔ)器解決方案

7月2日消息,據(jù)外媒報(bào)道,SK 海力士宣布,其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2EDRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275

AI高帶寬內(nèi)存的芯片離不開國產(chǎn)先進(jìn)技術(shù)的支持

顯卡的顯存這一路走來都是GDDR,但是這兩年HBM成了大明星,最新的HBM2E顯存也在去年8月首次提出規(guī)格。 由于三星等公司的努力,HBM在過去幾年來逐漸展現(xiàn)穩(wěn)步成長。例如三星上半年發(fā)布了稱為
2020-08-19 14:38:051440

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器已投入量產(chǎn)

Flashbolt內(nèi)存搭載在HBM2E上的內(nèi)存供應(yīng)商,能達(dá)到3.2Gbps的速度(超標(biāo)能達(dá)到4.2Gbps)。這反而使得三星成為英
2020-09-10 14:39:012830

HBM2E性能提升到4Gbps的方法

為了給人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬,HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計(jì)者的兩個(gè)首選方案。
2020-10-26 15:41:133266

三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能

HBM2 內(nèi)存技術(shù),而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能,這也是業(yè)界第一個(gè)高帶寬內(nèi)存HBM)集成人工智能(AI)處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
2021-02-18 09:12:322714

三星推出集成AI處理器的HBM2內(nèi)存

三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591

Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴(kuò)展其高性能內(nèi)存子系統(tǒng)產(chǎn)品

三星電子設(shè)計(jì)平臺(tái)開發(fā)副總裁Jongshin Shin說:“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí)與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。
2021-05-25 10:12:593004

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

為 AI 黃金時(shí)段做好準(zhǔn)備的高帶寬內(nèi)存HBM2e 與 GDDR6

SoC 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學(xué)習(xí)計(jì)算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存2 代增強(qiáng)型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應(yīng)用程序,每種應(yīng)用程序都有其自身的優(yōu)點(diǎn),但
2022-07-30 11:53:503296

三星GDDR6W面世,直接對標(biāo)HBM2E的顯存

在雷打不動(dòng)的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中,但很明顯沒個(gè)幾年時(shí)間是出不來的。 GPU市場的顯存選擇 我們再看看目前GPU市場對于顯存的選擇,AMD在消費(fèi)級(jí)、工作站級(jí)、半定制級(jí)的GPU上都選擇了GDDR6,而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E;英偉達(dá)則在部分
2022-12-02 07:15:031989

HBM性能驗(yàn)證變得簡單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,驗(yàn)證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416

三星加速進(jìn)軍HBM

據(jù)韓媒報(bào)道,韓國三星電子公司正在加緊努力,更深入地滲透到HBM3市場,由于其在整個(gè)內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小,因此相對于其他高性能芯片來說,該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:031257

HBM內(nèi)存:韓國人的游戲

HBM技術(shù)之下,DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D,可以在很小的物理空間里實(shí)現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時(shí)與低功耗,因而HBM業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:331805

競逐HBM,三星競爭力在下降?

7月5日,在三星每周舉行的員工內(nèi)部溝通活動(dòng)期間,三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示,“三星高帶寬內(nèi)存 (HBM) 產(chǎn)品的市場份額仍超過 50%”,他駁斥了有關(guān)該公司內(nèi)存競爭力正在下降的擔(dān)憂。
2023-07-10 10:56:031421

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲(chǔ)半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計(jì)劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計(jì)劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進(jìn)的1β工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:071470

三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%

有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉,hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來,提高數(shù)據(jù)處理速度,因此,現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以儲(chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

? ? 據(jù)了解,HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個(gè)DRAM,能夠提升數(shù)據(jù)處理速度,HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第
2023-10-10 10:25:461636

Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈,擴(kuò)大客戶群和市場份額

美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預(yù)計(jì)至2024年,HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴(yán)重。對此,三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3,并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星發(fā)布首12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達(dá)1280GB/s,容量達(dá)36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們在人人工智能時(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877

三星電子成功發(fā)布其首12層堆疊HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583

三星發(fā)布首12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首12層堆疊的高帶寬內(nèi)存HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820

三星電子推出36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。
2024-03-08 10:10:511277

三星電子擬設(shè)立HBM開發(fā)辦公室

三星電子近期計(jì)劃設(shè)立專門的HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)開發(fā)辦公室,旨在進(jìn)一步強(qiáng)化其在HBM領(lǐng)域的競爭力。目前,關(guān)于新設(shè)辦公室的具體團(tuán)隊(duì)規(guī)模尚未明確,但業(yè)界普遍預(yù)期,現(xiàn)有的HBM工作組將得到升級(jí)和擴(kuò)充,以適應(yīng)更高層次的研發(fā)需求。
2024-03-13 18:08:361541

三星否認(rèn)MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)

實(shí)現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種鍵合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充間隙;后者則為熱壓粘連NCF(非導(dǎo)電薄膜)至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:211394

英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存,計(jì)劃采購

 提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E內(nèi)存,黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406

英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片

英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計(jì)劃從后者采購高帶寬存儲(chǔ)(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時(shí),三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287

NVIDIA預(yù)定購三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989

三星獨(dú)家供貨英偉達(dá)12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露,英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:061180

三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044

三星與AMD達(dá)成HBM3E采購大單,總金額達(dá)4萬億韓元

三星方面表示,預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存,而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s,產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì),力爭奪回HBM市場領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā),而月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199

三星電子組建HBM4團(tuán)隊(duì),旨在縮短開發(fā)周期,提升競爭力

據(jù)此,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化,而今年月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專攻下一代技術(shù)——HBM4。
2024-05-11 18:01:151993

SK海力士、三星電子HBM內(nèi)存供應(yīng)充足,明年HBM4將量產(chǎn)

這類內(nèi)存的售價(jià)遠(yuǎn)高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工藝的良率問題,對晶圓的消費(fèi)量更是達(dá)到普通內(nèi)存2-3 倍。因此,內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量以應(yīng)對日益增長的市場需求。
2024-05-14 17:15:191047

三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863

三星HBM3E尚無法通過英偉達(dá)認(rèn)證

三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作,以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而,業(yè)界傳出消息,因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問題,導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
2024-05-17 11:10:13918

三星HBM芯片遇阻英偉達(dá)測試

近日,三星電子最新的高帶寬內(nèi)存HBM)芯片在英偉達(dá)測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露,芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo),影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108

三星電子否認(rèn)HBM產(chǎn)品未達(dá)標(biāo),多家合作公司保證質(zhì)量

針對媒體報(bào)道三星電子高帶寬存儲(chǔ)(HBM)產(chǎn)品未達(dá)英偉達(dá)品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的傳聞,三星予以明確否認(rèn)。該報(bào)道列舉了散熱及功耗等問題,并稱三星HBM產(chǎn)品尚未經(jīng)過英偉達(dá)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試環(huán)節(jié)。
2024-05-27 09:51:14789

三星電子HBM芯片供貨測試正順利開展

三星電子近日宣布,其高帶寬內(nèi)存HBM)產(chǎn)品正在與全球多家合作伙伴進(jìn)行順利的供應(yīng)測試。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)努力與投入取得了積極成果。
2024-05-27 10:42:201062

SK海力士力挫三星,穩(wěn)坐HBM行業(yè)領(lǐng)軍地位

值得注意的是,早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星,與英偉達(dá)共同研發(fā)了HBMHBM2系列產(chǎn)品,然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡,導(dǎo)致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932

英偉達(dá)否認(rèn)三星HBM未通過測試

英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM(高帶寬內(nèi)存)的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示,英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM內(nèi)存,并否認(rèn)了三星HBM未通過英偉達(dá)任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101

三星將于今年內(nèi)推出3D HBM芯片封裝服務(wù)

近日,據(jù)韓國媒體報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存HBM)的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時(shí)也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實(shí)。
2024-06-19 14:35:501643

三星與海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術(shù)

在科技日新月異的今天,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其技術(shù)革新一直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

三星電子突破瓶頸,HBM3e內(nèi)存芯片獲英偉達(dá)質(zhì)量認(rèn)證

在科技界的密切關(guān)注下,三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報(bào)道,三星電子已成功通過英偉達(dá)的HBM3e(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試,標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151

三星HBM3E質(zhì)量認(rèn)證進(jìn)展:官方否認(rèn),測試仍在進(jìn)行

近日,韓國媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注,稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的質(zhì)量認(rèn)證,即Qualtest PRA(產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)),并預(yù)示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118

三星否認(rèn)HBM3E通過英偉達(dá)測試傳聞

近期,有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測試,并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程,以滿足市場對高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:181268

三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過英偉達(dá)測試

韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道,聲稱三星電子HBM3e芯片已成功通過英偉達(dá)的產(chǎn)品測試,預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對此消息進(jìn)行了否認(rèn),表示并未收到官方確認(rèn)。
2024-07-05 16:09:581392

三星電子重組架構(gòu),加速HBM技術(shù)創(chuàng)新

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,三星電子再次展現(xiàn)了其作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的前瞻視野與戰(zhàn)略布局。據(jù)韓國媒體最新報(bào)道,三星電子已正式啟動(dòng)了組織重組計(jì)劃,旨在通過整合與優(yōu)化資源,構(gòu)建一個(gè)全新的高帶寬內(nèi)存HBM)開發(fā)團(tuán)隊(duì)。此舉標(biāo)志著三星電子在加速推進(jìn)HBM技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新與突破的堅(jiān)定決心。
2024-07-08 11:54:061043

三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型

近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào),其高頻寬內(nèi)存HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的嚴(yán)格認(rèn)證,標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?;a(chǎn)階段,預(yù)計(jì)在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401

今日看點(diǎn)丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)

1. 三星HBM3e 先進(jìn)芯片今年量產(chǎn),營收貢獻(xiàn)將增長至60% ? 三星電子公司計(jì)劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻(xiàn)。三星電子表示,該公司預(yù)計(jì)其
2024-08-01 11:08:111376

三星HBM技術(shù)逆襲:NVIDIA認(rèn)證助力業(yè)績飆升

在8月1日公布的最新財(cái)報(bào)中,三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示,三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%,營業(yè)利潤更是達(dá)到了6.45萬億韓元,這一成績顯著超出市場預(yù)期,標(biāo)志著三星HBM市場的強(qiáng)勢逆襲。
2024-08-01 14:42:471111

三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即,營收貢獻(xiàn)將飆升

三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053

三星電子HBM3E芯片測試進(jìn)展引發(fā)市場關(guān)注

8月7日,市場上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達(dá)(Nvidia)測試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子對此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子官方表示:“我們無法證實(shí)與我
2024-08-07 15:23:26968

三星否認(rèn)HBM3E芯片通過英偉達(dá)測試

近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161

三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計(jì)明年底量產(chǎn)

三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實(shí)現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準(zhǔn)備。
2024-08-22 17:19:071465

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)

進(jìn)入八月,市場傳言四起,韓國存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn),強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635

TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨

9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程,并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí),三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作,預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772

三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速AI GPU市場布局

近日,知名市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404

三星預(yù)測HBM需求至2025年翻倍增長

三星電子近期發(fā)布預(yù)測,指出全球HBM(高帶寬內(nèi)存)需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算,到2025年,全球HBM需求量將躍升至250億GB,較今年預(yù)測的120億GB實(shí)現(xiàn)翻番,這主要得益于人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展對高性能內(nèi)存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023

三星電子調(diào)整HBM內(nèi)存產(chǎn)能規(guī)劃,應(yīng)對英偉達(dá)供應(yīng)延遲

近日,三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲,對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道,三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬片晶圓,這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554

三星或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">HBM產(chǎn)能目標(biāo)下調(diào)至每月17萬顆

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存HBM)最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整,下調(diào)幅度超過10%,從原先計(jì)劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變動(dòng)主要?dú)w因于向主要客戶的量產(chǎn)供應(yīng)遭遇延遲,導(dǎo)致三星對其尖端的HBM設(shè)備投資計(jì)劃采取了更為保守的策略。
2024-10-14 16:00:021304

三星發(fā)布業(yè)界首24Gb GDDR7 DRAM

近日,存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子宣布了一項(xiàng)重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達(dá)到了業(yè)界最高水平,更在速度上實(shí)現(xiàn)了顯著提升,成為下一代AI計(jì)算應(yīng)用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431425

三星或重新設(shè)計(jì)1a DRAM以提升HBM質(zhì)量

 三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問題,該公司在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,為了提升在HBM領(lǐng)域的競爭力,三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371

三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路

近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255

三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM

領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉,SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而,對于三星電子來說,向英偉達(dá)供應(yīng)HBM不僅是一個(gè)重要的商業(yè)機(jī)會(huì),更是展示其技術(shù)實(shí)力和
2024-11-04 10:39:39786

三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠,專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)

近日,三星電子計(jì)劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上,再建一座半導(dǎo)體封裝工廠,專注于HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ)器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉,三星電子將以租賃
2024-11-13 11:36:161756

Rambus推出業(yè)界首HBM4控制器IP

Rambus Inc.,業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,近日宣布了一項(xiàng)重大突破:推出業(yè)界首HBM4(High Bandwidth Memory 4,高帶寬內(nèi)存4代)內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:041413

三星電子計(jì)劃新建封裝工廠,擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存

三星電子計(jì)劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。
2024-11-14 16:44:351203

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星AI內(nèi)存芯片

近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程,旨在盡快將三星內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于三星HBM3E內(nèi)存
2024-11-25 14:34:171028

三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片

三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會(huì)議中,透露了其高帶寬內(nèi)存HBM)的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉,該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106

三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì),力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國媒體報(bào)道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343

三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤,商討HBM3E供應(yīng)

其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測,三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲,這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979

Cadence推出HBM4 12.8Gbps IP內(nèi)存系統(tǒng)解決方案

需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4,與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比,內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
2025-05-26 10:45:261307

突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)

成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出,三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù),這一舉措無疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景:HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632

HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道,三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí),美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534

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