SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:41
6584 。 ? 過往，三星和SK海力士在HBM內(nèi)存領域占據(jù)領先地位。目前，各大內(nèi)存廠商在HBM2E層面已經(jīng)開始鋪貨。就以SK海力士的節(jié)點來看，2020年
2021-08-23 10:03:282441 近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關鍵焦點領域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:176429 
3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務器等等應用領域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:564442 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中，但很明顯沒個幾年時間是出不來的。 ? GPU 市場的顯存選擇 ? 我們再開看看目前GPU市場對于顯存的選擇，AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達則在
2022-12-02 01:16:003484 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）日前，韓媒報道SK海力士副總裁Kang Wook-sung透露，SK海力士HBM2E正用于Waymo自動駕駛汽車，并強調(diào)SK海力士是Waymo自動駕駛汽車這項先進內(nèi)存
2024-08-23 00:10:007956 產(chǎn)品組合 ? 圖1：Rambus HBM4控制器 ? 中國北京，2024年11月13日 —— 作為業(yè)界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出業(yè)界首款HBM4內(nèi)存控制器IP，憑借廣泛的生態(tài)系統(tǒng)支持，擴展了其在HBM IP領域
2024-11-13 15:36:401109 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近日據(jù)韓媒報道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲采購通用HBM4芯片，是為了強化超級電腦
2024-11-28 00:22:003283
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
更積極，繼Altera之后賽靈思也宣布了集成HBM 2做內(nèi)存的FPGA新品，而且用了8GB容量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">HBM顯存雖然首發(fā)于AMD顯卡上，不過HBM 2這一代FPGA廠商比GPU廠商更積極 AMD
2016-12-07 15:54:22
據(jù)市場分析，GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚，三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:002585 Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天公開業(yè)界第一款異構系統(tǒng)級封裝（SiP，System-in-Package）器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器（HBM2）以及高性能
2018-08-16 11:15:001622 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:454645 最近，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式公布了HBM技術第三版存儲標準HBM2E，針腳帶寬、總容量繼續(xù)大幅提升。對于一些大企業(yè)，集成這些技術可以說不費吹灰之力，但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:564565 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評估，并將為在高端PC、移動終端、企業(yè)級服務器等等應用領域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848 相比GDDR顯存，HBM技術的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領先，前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范，三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:319503 全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。
2020-07-03 08:42:19870 7月2日消息，據(jù)外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規(guī)模批量生產(chǎn)新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:333275 顯卡的顯存這一路走來都是GDDR，但是這兩年HBM成了大明星，最新的HBM2E顯存也在去年8月首次提出規(guī)格。 由于三星等公司的努力，HBM在過去幾年來逐漸展現(xiàn)穩(wěn)步成長。例如三星上半年發(fā)布了稱為
2020-08-19 14:38:051440 Flashbolt內(nèi)存搭載在HBM2E上的內(nèi)存供應商，能達到3.2Gbps的速度（超標能達到4.2Gbps）。這反而使得三星成為英
2020-09-10 14:39:012830 為了給人工智能和機器學習等新興應用提供足夠的內(nèi)存帶寬，HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設計者的兩個首選方案。
2020-10-26 15:41:133266 
和 HBM2 內(nèi)存技術，而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能，這也是業(yè)界第一個高帶寬內(nèi)存（HBM）集成人工智能（AI）處理能力的芯片。 三星關于 HBM
2021-02-18 09:12:322714 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:462591 三星電子設計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領先的內(nèi)存接口設計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術結合在一起。
2021-05-25 10:12:593004 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 SoC 設計人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學習計算元素相關的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應用程序，每種應用程序都有其自身的優(yōu)點，但
2022-07-30 11:53:503296 在雷打不動的GDDR6和GDDR6X上。 雖然三星已經(jīng)表示GDDR7已經(jīng)在研發(fā)中，但很明顯沒個幾年時間是出不來的。 GPU市場的顯存選擇 我們再看看目前GPU市場對于顯存的選擇，AMD在消費級、工作站級、半定制級的GPU上都選擇了GDDR6，而在高端的數(shù)據(jù)中心加速器上選擇了HBM2E；英偉達則在部分
2022-12-02 07:15:031989 HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器）結構復雜，驗證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416 
據(jù)韓媒報道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領域。
2023-06-27 17:13:031257 HBM技術之下，DRAM芯片從2D轉變?yōu)?D，可以在很小的物理空間里實現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:331805 
7月5日，在三星每周三舉行的員工內(nèi)部溝通活動期間，三星電子負責半導體業(yè)務的 DS 部門總裁 Kyung Kye-hyun 表示，“三星高帶寬內(nèi)存 (HBM) 產(chǎn)品的市場份額仍超過 50%”，他駁斥了有關該公司內(nèi)存競爭力正在下降的擔憂。
2023-07-10 10:56:031421 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508 來源：半導體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2，帶寬超過1.2TB/s，并通過先進的1β工藝節(jié)點實現(xiàn)“卓越功效”。 美光科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:071470 有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571 ? ? 據(jù)了解，HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直連接多個DRAM，能夠提升數(shù)據(jù)處理速度，HBM DRAM產(chǎn)品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三
2023-10-10 10:25:461636 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年，HBM供應緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230 數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580 “隨著AI行業(yè)對大容量
HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品
HBM3E 12H應運而生，”
三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的
HBM核心技術、以及創(chuàng)新堆疊技術的成果展示?！?/div>
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導體技術領域的持續(xù)創(chuàng)新能力，也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 三星電子近期計劃設立專門的HBM（高帶寬存儲器）開發(fā)辦公室，旨在進一步強化其在HBM領域的競爭力。目前，關于新設辦公室的具體團隊規(guī)模尚未明確，但業(yè)界普遍預期，現(xiàn)有的HBM工作組將得到升級和擴充，以適應更高層次的研發(fā)需求。
2024-03-13 18:08:361541 實現(xiàn)HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊，市場主要采用兩種鍵合作程： SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM，后填塑模具填充間隙；后者則為熱壓粘連NCF（非導電薄膜）至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:211394 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領頭羊SK海力士，后者已率先實現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:041287 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據(jù)最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:061180 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤，三星已被競爭對手SK海力士超越；位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破，成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044 三星方面表示，預計今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計劃于下半年開始生產(chǎn)相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達36GB。
2024-04-24 14:44:381196 具體而言，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199 據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
2024-05-11 18:01:151993 這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量以應對日益增長的市場需求。
2024-05-14 17:15:191047 業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863 三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進一步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13918 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 針對媒體報道三星電子高帶寬存儲（HBM）產(chǎn)品未達英偉達品質(zhì)標準的傳聞，三星予以明確否認。該報道列舉了散熱及功耗等問題，并稱三星的HBM產(chǎn)品尚未經(jīng)過英偉達嚴謹?shù)臏y試環(huán)節(jié)。
2024-05-27 09:51:14789 三星電子近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品正在與全球多家合作伙伴進行順利的供應測試。這一進展標志著三星在半導體領域的持續(xù)努力與投入取得了積極成果。
2024-05-27 10:42:201062 值得注意的是，早年對HBM技術表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場反應冷淡，導致持續(xù)虧損。
2024-05-29 15:50:00932 英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM（高帶寬內(nèi)存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM內(nèi)存，并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101 近日，據(jù)韓國媒體報道，全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的，同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643 在科技日新月異的今天，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）作為計算機系統(tǒng)中的關鍵組件，其技術革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 在科技界的密切關注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，標志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 近日，韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關注，稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過了GPU巨頭英偉達（NVIDIA）的質(zhì)量認證，即Qualtest PRA（產(chǎn)品準備批準），并預示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，并預計很快將啟動量產(chǎn)流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認。
2024-07-05 15:08:181268 韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產(chǎn)品測試，預示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了否認，表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:581392 在半導體技術日新月異的今天，三星電子再次展現(xiàn)了其作為行業(yè)領導者的前瞻視野與戰(zhàn)略布局。據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子已正式啟動了組織重組計劃，旨在通過整合與優(yōu)化資源，構建一個全新的高帶寬內(nèi)存（HBM）開發(fā)團隊。此舉標志著三星電子在加速推進HBM技術領域創(chuàng)新與突破的堅定決心。
2024-07-08 11:54:061043 近日，三星電子在半導體領域再傳捷報，其高頻寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產(chǎn)品即將進入規(guī)?；a(chǎn)階段，預計在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401 1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產(chǎn)，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產(chǎn)其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示，該公司預計其
2024-08-01 11:08:111376 在8月1日公布的最新財報中，三星電子再次展示了其在高帶寬內(nèi)存（HBM）領域的強勁表現(xiàn)。數(shù)據(jù)顯示，三星第二季度HBM銷售額同比大幅增長超過50%，營業(yè)利潤更是達到了6.45萬億韓元，這一成績顯著超出市場預期，標志著三星在HBM市場的強勢逆襲。
2024-08-01 14:42:471111 三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。據(jù)三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達（Nvidia）測試的消息引起了廣泛關注。然而，三星電子對此事態(tài)的反應卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示：“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021161 三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準備。
2024-08-22 17:19:071465 進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產(chǎn)品主要面向英偉達H200系列應用。同時，三星電子還積極推進Blackwell系列的驗證工作，預示著更先進技術的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 近日，知名市場研究機構TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認
2024-09-05 17:15:281404 三星電子近期發(fā)布預測，指出全球HBM（高帶寬內(nèi)存）需求正迎來爆發(fā)式增長。據(jù)三星估算，到2025年，全球HBM需求量將躍升至250億GB，較今年預測的120億GB實現(xiàn)翻番，這主要得益于人工智能技術的迅猛發(fā)展對高性能內(nèi)存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:291023 近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預估下調(diào)至每月17萬片晶圓，這一調(diào)整反映了半導體行業(yè)當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子已對其2025年底的高帶寬內(nèi)存（HBM）最大產(chǎn)能目標進行了調(diào)整，下調(diào)幅度超過10%，從原先計劃的每月20萬顆減至17萬顆。這一變動主要歸因于向主要客戶的量產(chǎn)供應遭遇延遲，導致三星對其尖端的HBM設備投資計劃采取了更為保守的策略。
2024-10-14 16:00:021304 近日，存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破：成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了業(yè)界最高水平，更在速度上實現(xiàn)了顯著提升，成為下一代AI計算應用的理想解決方案。
2024-10-18 16:58:431425 三星電子正面臨嚴峻挑戰(zhàn)，特別是在其半導體業(yè)務領域。除了代工業(yè)務停滯的問題，該公司在高帶寬存儲器（HBM）市場的競爭力也引發(fā)了廣泛關注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為了提升在HBM領域的競爭力，三星可能會著手重新設計部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產(chǎn)供應的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而，對于三星電子來說，向英偉達供應HBM不僅是一個重要的商業(yè)機會，更是展示其技術實力和
2024-11-04 10:39:39786 近日，三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設施基礎上，再建一座半導體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，三星電子將以租賃
2024-11-13 11:36:161756 Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導體IP供應商，近日宣布了一項重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，高帶寬內(nèi)存4代）內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:041413 三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠，以擴大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設施，進一步提升三星電子在半導體領域的生產(chǎn)能力。
2024-11-14 16:44:351203 近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認證工作的焦點在于三星的HBM3E內(nèi)存
2024-11-25 14:34:171028 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 據(jù)韓國媒體報道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設計進行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343 其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認證工作已接近尾聲，這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4，與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比，內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
2025-05-26 10:45:261307 成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業(yè)的領軍企業(yè)，一直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出，三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術，這一舉措無疑將在存儲芯片領域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達供應HBM3內(nèi)存。同時，美光已經(jīng)為英偉達供應HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 
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