的2Gbps，HBM2E將這一速度提升到了3.2Gbps，并且單堆棧12 Die能夠達(dá)到24GB的容量，理論最大帶寬410GB/s。同時，按照設(shè)計規(guī)范，對于支持四堆棧的圖形芯片來說，總帶寬高達(dá)1.64TB/s
2021-08-23 10:03:28
2441 近年來，隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一，以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角，成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:176429 
HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進(jìn)封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進(jìn)行堆疊，并與GPU一同進(jìn)行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:1311509 
出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 ? 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-01 15:59:415404 帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿，但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng)，近日，新思科
2021-10-12 09:33:074576 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
人工智能的蓬勃發(fā)展促使產(chǎn)業(yè)對AI基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高的性能要求，先進(jìn)計算處理單元，尤其是ASIC或GPU，為了在機器學(xué)習(xí)、HPC提供穩(wěn)定的算力表現(xiàn)，傳統(tǒng)的內(nèi)存系統(tǒng)已經(jīng)不太能滿足日益增加的帶寬
2022-03-29 07:35:004629 為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191910 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:004808 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共
2023-10-25 18:25:244378 
和單芯片高達(dá)512 Gbit的容量，帶寬提升16倍，密度提升10倍，顯著突破了傳統(tǒng)HBM的局限性。 ? ? 關(guān)鍵特性和優(yōu)勢包括，可擴展性，使GPU和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸更快，從而實現(xiàn)更高效的AI擴展；高性能，解鎖未開發(fā)的GPU能力以提升AI工作負(fù)載；可持續(xù)性，通過整合AI基礎(chǔ)設(shè)施減少電力和硬件需求
2025-08-16 07:51:004697 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬）近日，SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器（HBM4）的開發(fā)，并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ? 據(jù)悉，SK
2025-09-17 09:29:085968 了雙通道設(shè)計，訪問粒度和GDDR5一樣是32Byte。3.GDDR6和DDR4/5的比較GDDR一直以來是針對圖形顯示卡所優(yōu)化的一種DDR內(nèi)存。因為顯卡處理圖像數(shù)據(jù)，特別是3D圖像數(shù)據(jù)對顯存帶寬的要求更高
2021-12-21 08:00:00
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps。 值得注意的是，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511840 Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)，最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限，因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能，7nm是一項非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:002315 見識過HBM的玩家對該技術(shù)肯定印象深刻，那么未來它又該如何發(fā)展呢？HPE（惠普企業(yè)級）公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點，在他看來DDR內(nèi)存要走到盡頭了（DDR is Over），特別是一些需求高帶寬的場合中。
2018-03-22 08:54:485402 
高帶寬存儲器（High Bandwidth Memory，HBM）是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合，像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備（如路由器、交換器）等。
2018-11-10 10:27:4935395 出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中，內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素，這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù)，去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中，已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù)，通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:375224 算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上，卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制，主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿，但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前，Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:341959 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363848 點擊藍(lán)字關(guān)注我們 從高性能計算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用，對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量，除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認(rèn)為是一種“慢而寬
2021-11-01 14:30:509532 
不太能滿足日益增加的帶寬了。與此同時，在我們報道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中，HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來越普遍，為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了支持。
2022-03-31 11:42:233592 SoC 設(shè)計人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學(xué)習(xí)計算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應(yīng)用程序，每種應(yīng)用程序都有其自身的優(yōu)點，但
2022-07-30 11:53:503296 盡管業(yè)界對包括摩爾定律、內(nèi)存墻差異等傳統(tǒng)原則的有效性爭議不斷，但半導(dǎo)體領(lǐng)域仍普遍認(rèn)為，多年來內(nèi)存行業(yè)的價值主張在很大程度上始終以系統(tǒng)級需求為導(dǎo)向，已經(jīng)突破了系統(tǒng)性能的當(dāng)前極限。
2022-08-04 15:19:431103 HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的每個裸片的最大容量為2GB，每個堆棧可以放置12層裸片，從而可實現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標(biāo)準(zhǔn)是允許的，但我們尚未看到市場上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:346794 在超級計算機以令人驚訝的速度不斷超越，實現(xiàn)升級的背后，存儲芯片的性能持續(xù)提升，不斷突破閾值，為其提供了有力支持。越來越多的超級計算機也在服務(wù)器上使用高帶寬存儲器（HBM，High Bandwidth Memory），通過堆疊內(nèi)存芯片。
2022-09-01 15:12:54949 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219 在FPGA上對傳統(tǒng)內(nèi)存進(jìn)行基準(zhǔn)測試。先前的工作[20]，[22]，[23]，[47]試圖通過使用高級語言（例如OpenCL）在FPGA上對傳統(tǒng)存儲器（例如DDR3）進(jìn)行基準(zhǔn)測試。相反，我們在最先進(jìn)的FPGA上對HBM進(jìn)行基準(zhǔn)測試。
2022-12-19 16:29:462344 需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價格上漲了五倍?！?? 據(jù)了解，目前SK海力士在HBM市場處于領(lǐng)先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲器）是高價值、高性能存儲器，垂直互連
2023-02-15 15:14:446124 
憑借Rambus GDDR6 PHY所實現(xiàn)的新一級性能，設(shè)計人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負(fù)載提供所需的帶寬。和我們領(lǐng)先的HBM3內(nèi)存接口一樣，這項最新成就表明了我們不斷致力于開發(fā)最先進(jìn)的內(nèi)存性能，以滿足生成式AI等先進(jìn)計算應(yīng)用的需求。
2023-05-17 14:22:361488 在這個技術(shù)革命的時代，人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù)，其中高帶寬內(nèi)存 （HBM） 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:337121 
HBM2E（高帶寬內(nèi)存）是一種高性能 3D 堆疊 DRAM，用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率，但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)（如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器）結(jié)構(gòu)復(fù)雜，驗證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:381416 
HBM（高帶寬內(nèi)存）于 2013 年推出，是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構(gòu)。如其名稱所述，HBM最重要的是帶寬更高，盡管HBM的內(nèi)存都以相對較低的數(shù)據(jù)速率運行，但其通道數(shù)更多。例如，以3.6
2023-05-29 09:34:571276 
據(jù)韓媒報道，韓國三星電子公司正在加緊努力，更深入地滲透到HBM3市場，由于其在整個內(nèi)存芯片市場中所占的份額很小，因此相對于其他高性能芯片來說，該公司一直忽視了這一領(lǐng)域。
2023-06-27 17:13:031257 HBM技術(shù)之下，DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">3D，可以在很小的物理空間里實現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時與低功耗，因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:331805 
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達(dá)首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
熱點新聞 1、三星計劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道，英偉達(dá)正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱，這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:021360 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:401471 科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速率超過9.2Gb/s，比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:211539 
在此之前，英偉達(dá)將大部分gpu的高級成套產(chǎn)品委托給tsmc。半導(dǎo)體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產(chǎn)英偉達(dá)h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:181663 容量HBM3 Gen2內(nèi)存樣品，其帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。美光的HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍，據(jù)稱
2023-08-07 17:38:071470 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676 HBM3E內(nèi)存（也可以說是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商，三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378 來源：EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子（GUC）宣布，公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證，該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該平臺在臺積電2023北美技術(shù)研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:501188 
，skjmnft同時已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局，每個堆棧為24 GB，采用1β 技術(shù)生產(chǎn)，具備出色的性能。Multiable萬達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 據(jù)預(yù)測，進(jìn)入今年以來一直萎靡不振的三星電子半導(dǎo)體業(yè)績明年將迅速恢復(fù)。部分人預(yù)測，三星電子明年下半年的hbm市場占有率將超過sk海力士。
2023-11-14 11:50:571254 NVIDIA H200的一大特點就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士)，單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點)，同時帶寬多達(dá)4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:132330 
英偉達(dá)的圖形處理器（gpu）是高附加值產(chǎn)品，特別是high end h100車型的售價為每個6000萬韓元（約4.65萬美元）。英偉達(dá)將在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮潛在的游戲鏈條作用。hbm3營銷的領(lǐng)先者sk海力士自去年以后獨家向英偉達(dá)供應(yīng)hbm3，領(lǐng)先于三星電子。
2023-11-29 14:37:001418 為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率，支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn) 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13579 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布 Rambus HBM3 內(nèi)存控制器 IP 現(xiàn)在可提供高達(dá) 9.6
2023-12-07 14:16:061362 數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加，HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近，內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:482458 
英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:501622 據(jù)最新傳聞，英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進(jìn)一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預(yù)計至2024年，HBM供應(yīng)緊缺問題將愈發(fā)嚴(yán)重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產(chǎn)品HBM3E的量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:241697 AMD于去年宣布旗下兩款I(lǐng)nstinct MI300加速器，包括基于GPU的MI300X以及基于APU架構(gòu)的MI300A， both配備192GB/128GB的HBM3內(nèi)存，還流傳著一款純粹的CPU架構(gòu)產(chǎn)品MI300C。
2024-02-23 14:36:351826 目前，只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達(dá)到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率，內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:421391 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存（HBM3E）產(chǎn)品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品，其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊，并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計。另外，該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:051327 除了GPU，另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù)，能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲，這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2024-02-29 09:43:051030 AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā)，且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加，經(jīng)測算，預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元，增速超過50%。
2024-03-01 11:02:536003 
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:411886 
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進(jìn)展再次證明了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:281608 這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:502320 的CPU/GPU內(nèi)存芯片因為AI而全面爆發(fā)，多家存儲企業(yè)的產(chǎn)能都已經(jīng)跟不上。HBM英文全稱High Bandwidth Memory，翻譯過來即是高帶寬內(nèi)存，HBM具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸的優(yōu)勢。不但能夠減少組件占用空間和外部存儲器要求；而且能夠提供更快
2024-03-18 18:42:5511587 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進(jìn)一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存，黃仁勛在會上直接認(rèn)可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑，并以驚人的6.4 Gb/s的速率運行，實現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬，為高性能計算提供了強大的支持。
2024-03-30 14:34:103381 
TC鍵合機作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備，近年來廣泛應(yīng)用于HBM3E和HBM3的垂直堆疊工藝中，提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069 慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤，三星已被競爭對手SK海力士超越；位于第三位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破，成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044 HBM全稱為High Bandwidth Memory，直接翻譯即是高帶寬內(nèi)存，是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片。
2024-04-20 15:27:153212 
三星方面表示，預(yù)計今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存，而AMD則計劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s，產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程，預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978 近日，三星和SK海力士宣布，將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563 近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達(dá)測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達(dá)標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 然而，全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷，其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額，是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商，且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。
2024-05-28 09:40:311726 美光近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 在科技界的密切關(guān)注下，三星電子與英偉達(dá)之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據(jù)韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達(dá)的HBM3e（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測試，標(biāo)志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 進(jìn)入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內(nèi)存（新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品）已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠(yuǎn)，強調(diào)目前質(zhì)量測試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來重要動態(tài)，SK海力士社長金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講，分享了公司在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的最新進(jìn)展與未來展望。金柱善社長
2024-09-05 16:31:361645 美光科技近期宣布，其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付，標(biāo)志著AI計算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 近日，三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲，對其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報道，三星已將2025年底的產(chǎn)能預(yù)估下調(diào)至每月17萬片晶圓，這一調(diào)整反映了半導(dǎo)體行業(yè)當(dāng)前緊張的供需關(guān)系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554 領(lǐng)域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而，對于三星電子來說，向英偉達(dá)供應(yīng)HBM不僅是一個重要的商業(yè)機會，更是展示其技術(shù)實力和
2024-11-04 10:39:39786 隨著生成式AI技術(shù)的迅猛發(fā)展和大模型參數(shù)量的急劇增加，對高帶寬、高容量存儲的需求日益迫切，這直接推動了高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的快速增長，并對HBM的性能提出了更為嚴(yán)苛的要求。近日，韓國SK集團(tuán)
2024-11-05 14:13:031482 在高性能圖形處理領(lǐng)域，內(nèi)存技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。本文介紹兩種主要的圖形內(nèi)存技術(shù)：高帶寬內(nèi)存（HBM）和圖形雙倍數(shù)據(jù)速率（GDDR），它們在架構(gòu)、性能特性和應(yīng)用場景上各有千秋。通過對比分析，本文旨在為讀者提供對這兩種技術(shù)的深入理解，幫助在不同的應(yīng)用需求中做出更明智的選擇。
2024-11-15 10:47:596059 
近日，SK海力士和三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉，特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后，選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:441524 近日，據(jù)報道，全球知名半導(dǎo)體公司美光科技發(fā)布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4，第四代高帶寬內(nèi)存)和HBM4E項目的最新研發(fā)進(jìn)展。 據(jù)悉，美光科技的下一代HBM4內(nèi)存將采用
2024-12-23 14:20:391377 領(lǐng)域邁出了重要一步。16-Hi HBM3E內(nèi)存以其高帶寬、低功耗的特性，在數(shù)據(jù)中心、人工智能、機器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，市場對高性能內(nèi)存的需求日益增加，美光的加入無疑將加劇市場競爭，推動整個行業(yè)的進(jìn)步。 據(jù)了解，美光此次
2025-01-17 14:14:12914 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 在這樣的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)應(yīng)運而生，以其獨特的3D堆疊架構(gòu)和TSV（硅通孔）技術(shù)，為內(nèi)存芯片行業(yè)帶來了前所未有的創(chuàng)新。
2025-03-22 10:14:143678 
需求。Cadence HBM4 解決方案符合 JEDEC 的內(nèi)存規(guī)范 JESD270-4，與前一代 HBM3E IP 產(chǎn)品相比，內(nèi)存帶寬翻了一番。Cadence HBM4 PHY 和控制器 IP 現(xiàn)已
2025-05-26 10:45:261307 在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代，人工智能、大數(shù)據(jù)分析、云計算以及高端圖形處理等領(lǐng)域?qū)Ω咚?、?b class="flag-6" style="color: red">帶寬存儲的需求呈現(xiàn)出爆炸式增長。這種背景下，高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory，HBM）技術(shù)
2025-07-24 17:31:16632 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）據(jù)報道，繼英偉達(dá)之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:313695 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）根據(jù)韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時，美光已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此，高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534
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