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SK海力士開發(fā)出下一代智能內存芯片技術PIM

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SK海力士開發(fā)出238層NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時事熱點行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網官方發(fā)布于 2022-08-03 11:11:04

SK海力士將在中國投資8億美元提高內存芯片產能

據外媒報道,韓國SK海力士周四宣布,將在韓國和中國投資3.16萬億韓元(約合27億美元)以提高存儲芯片產能,抓住行業(yè)內需求增長的機遇。作為全球第二大存儲芯片制造商,SK海力士表示,將投資2.2萬億
2016-12-23 09:38:001056

SK 海力士發(fā)布全球最高密度移動 8GB DRAM

SK 海力士發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士內存芯片密度是全球最高,功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941

SK海力士計劃在中國設立合資工廠,擴展芯片代工業(yè)務

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清華大學與SK海力士聯(lián)合成立智能存儲計算芯片聯(lián)合研究中心

近日,清華大學-SK海力士智能存儲計算芯片聯(lián)合研究中心揭牌儀式在工字廳舉行。SK海力士總裁鄭泰圣,北京市教委科研處副處長李善廷,清華大學副校長、未來芯片技術高精尖創(chuàng)新中心主任尤政出席揭牌儀式。清華大學科研院副院長、未來芯片技術高精尖創(chuàng)新中心副主任鄧寧主持儀式。
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SK海力士內存芯片的需求旺盛,營業(yè)利潤增長近兩倍

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2018-06-25 09:58:001252

一代立體堆疊閃存方案有什么優(yōu)勢?美光,SK海力士,長江存儲等都在使用

今年的閃存技術峰會,美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案,SK海力士稱之為“4D NAND”,長江存儲稱之為Xtacking,美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:287883

SK海力士發(fā)布標準DDR5 DRAM內存顆粒 并擁有最多32個Bank

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SK海力士著手DDR6的研發(fā) DRAM技術次實現突破

據外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六DDR內存即DDR6的研發(fā),預期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098

內存芯片價格低迷不振,SK海力士宣布減產

內存芯片價格低迷不振,SK海力士季營業(yè)利潤大減69%,并創(chuàng)下2016年第三季以來的單季獲利新低。
2019-04-29 15:26:453047

SK海力士跨向1ynm內存時代 提高DRAM內存芯片產能

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2019-05-14 10:40:003315

DRAM內存芯片價格不斷下跌 海力士推遲無錫新廠投產計劃

據外媒報道,由于DRAM內存芯片價格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內存芯片工廠的投產計劃。
2019-06-21 11:33:154426

受中美貿易和DRAM跌價影響 SK海力士將放緩投產計劃

據報道,由于中美貿易摩擦愈演愈烈,韓國內存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國工廠的投產計劃。
2019-06-24 17:21:583526

SK海力士收益下降,但仍看好市場前景

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SK海力士聲明部分媒體在存儲器規(guī)格和AMD下一代GPU有不實報道

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爆英特爾擬出售內存芯片業(yè)務,接盤者或將是SK海力士

據外媒最新消息稱,Intel可能出售內存芯片業(yè)務,而接盤者是SK海力士,價格是100億美元。
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2024-03-20 10:42:252163

剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士聯(lián)手TEMC開發(fā)氖氣回收技術,年度節(jié)省400億韓元

SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進行純化處理,最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:591038

SK海力士簽署先進芯片封裝協(xié)議

來源:Silicon Semiconductor 為下一代HBM建造先進封裝設施,同時與普渡大學合作研發(fā)。 SK海力士將在美國印第安納州西拉斐特投資約38.7億美元,為人工智能產品建設先進的封裝制造
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SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士將進步提升存儲器產品性能,實現新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元新建存儲芯片產能

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元(約146億美元)在韓國新建存儲芯片產能,以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。
2024-04-29 11:19:071376

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設家新的DRAM工廠。這決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982

SK海力士明年HBM產能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士HBM4E存儲器提前年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前年量產其第七高帶寬存儲器HBM4E。這消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士創(chuàng)新下一代HBM,融入計算與通信功能

SK海力士正引領半導體行業(yè)進入新時代,開發(fā)種融合計算與通信功能的下一代HBM(高帶寬內存)。這創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場中的領先地位,同時進步拉大與后來者的差距。
2024-05-29 14:11:401164

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術于DRAM生產

SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6(1c工藝,約10nm)DRAM的生產中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
2024-05-30 11:02:581506

TLB成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342156

SK海力士開發(fā)出用于端側AI PC的高性能固態(tài)硬盤PCB01

在人工智能(AI)技術日新月異的今天,存儲設備的性能對于端側AI應用的重要性愈發(fā)凸顯。為了滿足這需求,全球領先的半導體公司SK海力士近日宣布,成功開發(fā)出款專為端側AI優(yōu)化的高性能固態(tài)硬盤
2024-07-01 14:58:401222

三星、SK海力士探索激光解鍵合技術

在半導體技術的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術的重大革新。據韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術探索之旅,其核心在于引入種旨在防止晶圓翹曲的新技術,這變革預示著HBM制造領域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545

英偉達、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產HBM4內存,能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內存(HBM)技術的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內存。這合作不僅標志著半導體行業(yè)的次重要聯(lián)手,也為未來數據處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。
2024-07-15 17:28:051574

SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:191366

SK海力士探索無焊劑鍵合技術,引領HBM4創(chuàng)新生產

在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進步演進。據最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內存

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續(xù)深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531329

SK海力士計劃斥資68億打造芯片制造基地

全球知名的內存芯片制造商SK海力士于周五宣布了項重大投資決策,計劃斥資約9.4萬億韓元(折合美元約為68億)在韓國龍仁市興建其國內首座芯片制造基地。這舉措標志著SK海力士在強化其全球競爭力、特別是針對人工智能(AI)芯片市場布局上的重要步。
2024-07-27 13:48:581410

SK海力士斥資68億美元打造全球AI芯片生產基地

全球領先的內存芯片制造商SK海力士宣布了項重大投資決策,計劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68億)在韓國龍仁市興建其國內首座專注于AI芯片生產的超級工廠。此項目標志著SK海力士在應對未來科技趨勢、特別是人工智能領域快速增長需求方面邁出了堅實步伐。
2024-07-29 11:28:541088

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據最新消息,SK海力士正醞釀項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士即將亮相FMS 2024,展示AI存儲器技術新突破

SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅將全面呈現其存儲器產品的技術革新,更將焦點對準了下一代AI存儲器技術的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110

SK海力士GDDR7顯存性能飆升60%

全球領先的半導體制造商SK 海力士近日宣布了項重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設計的顯存,憑借其前所未有的高速與卓越性能,再次彰顯了SK 海力士技術創(chuàng)新領域的領先地位。
2024-08-07 11:20:351350

SK海力士開發(fā)出第六10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士開始先進人工智能芯片生產

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄,為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41878

特斯拉或向SK海力士下1萬億韓元eSSD訂單

的eSSD也隨之成為AI芯片不可或缺的核心部分,與HBM(高帶寬內存)芯片并駕齊驅。在數據存儲市場上,eSSD以其卓越的性能和能效比,正逐步取代傳統(tǒng)的HDD硬盤。 Solidigm,作為SK海力士旗下的NAND閃存開發(fā)子公司,憑借其領先的技術實力,已開發(fā)出業(yè)界最高
2024-10-25 10:19:081110

英偉達加速推進HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英偉達向SK海力士提出提前供應HBM4芯片要求

近日,韓國SK集團會長透露了項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:481202

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

和卓越的研發(fā)能力,已經提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產品。這舉措不僅展現了SK海力士技術實力,更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士調整生產策略,聚焦高端存儲技術

限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品,該產品在容量和層數上均達到了業(yè)界最高水平。這成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

三星與SK海力士攜手推進LPDDR6-PIM產品標準化

據外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結盟,共同致力于推動LPDDR6的存內計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:501350

SK海力士新設AI芯片開發(fā)與量產部門

韓國存儲芯片巨頭SK海力士于近日宣布,為鞏固其在人工智能(AI)內存領域的領先地位,公司決定在年度組織調整中新增兩個專門部門,專注于下一代AI芯片開發(fā)與量產。 據悉,這兩個新部門將由新任命的首席
2024-12-06 10:56:461145

SK海力士加速16Hi HBM3E內存量產準備

堅實基礎。 SK海力士的這舉措,無疑將在全球半導體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內存作為業(yè)界領先的技術產品,其量產將有望推動整個半導體存儲行業(yè)的發(fā)展和進步。通過加速量產準備工作,SK海力士不僅展現了其在技術創(chuàng)新方面的實力,也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:241050

SK海力士HBM技術的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

Microchip推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交換芯片

隨著人工智能(AI)工作負載和高性能計算(HPC)應用對數據傳輸速度與低延遲的需求持續(xù)激增,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交換芯片。
2025-10-18 11:12:101317

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

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