SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內存傳明年開始量產,韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導指出,海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設計,位在利川(Icheon)的 M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 09:06:35
1594 討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露,SK海力士已經完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲芯片的開發(fā)。 ? 與消費類設備中使用的DRAM相比,汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:01
7589 4月16日消息 據悉,SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司(Bosch)洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據稱,SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內存芯片的開發(fā)。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:47
2906 SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
2155 
北京時間 12 月 18 日,Qualcomm 美國高通宣布推出下一代物聯(lián)網(IoT)專用調制解調器,面向資產追蹤器、健康監(jiān)測儀、安全系統(tǒng)、智慧城市傳感器、智能計量儀以及可穿戴追蹤器等物聯(lián)網
2021-07-23 08:16:37
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2021-04-27 16:10:09
據彭博社報道,有傳聞稱蘋果公司目前正致力于開發(fā)下一代無線充電技術,將可允許iPhone和iPad用戶遠距離充電。報道稱,有熟知內情的消息人士透露:“蘋果公司正在與美國和亞洲伙伴展開合作以開發(fā)新的無線
2016-02-01 14:26:15
,回收一切內存芯片:不管你是NOR flash還是NAND FLASH;不管你是DDR還是LPDDR;不管你是TSOP, 還是BGA,還是LGA;不管你是MCP還是EMMC,我們均可回收,只要你有貨,我
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大家好, 在Ultrascale FPGA中,使用單片和下一代堆疊硅互連(SSI)技術編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連(SSI)技術”是什么意思?謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
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2021-01-29 17:52:55
據外媒報道,韓國SK海力士周四宣布,將在韓國和中國投資3.16萬億韓元(約合27億美元)以提高存儲芯片產能,抓住行業(yè)內需求增長的機遇。作為全球第二大存儲芯片制造商,SK海力士表示,將投資2.2萬億
2016-12-23 09:38:00
1056 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM,將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM,容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言,SK 海力士新內存芯片密度是全球最高,功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12
941
受益于DRMA和NAND市場需求,SK海力士在存儲領域的地位大幅提升。據報道,SK海力士將會考慮在中國涉足芯片代工業(yè)務,設立一家合資工廠,為沒有半導體制造工廠的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:48
1711 近日,清華大學-SK海力士智能存儲計算芯片聯(lián)合研究中心揭牌儀式在工字廳舉行。SK海力士總裁鄭泰圣,北京市教委科研處副處長李善廷,清華大學副校長、未來芯片技術高精尖創(chuàng)新中心主任尤政出席揭牌儀式。清華大學科研院副院長、未來芯片技術高精尖創(chuàng)新中心副主任鄧寧主持儀式。
2018-11-02 17:07:19
3035 1月25日消息,本周四,韓國SK海力士(SK Hynix)表示,由于內存芯片的需求旺盛,盡管韓元更加堅挺,2017年第四季度的營業(yè)利潤依然增長近兩倍,達到歷史最高水平,超過市場預期。
2018-06-25 09:58:00
1252 今年的閃存技術峰會,美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案,SK海力士稱之為“4D NAND”,長江存儲稱之為Xtacking,美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:28
7883 SK海力士官方宣布,公司已經研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內存顆粒,且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:49
5462 據外媒消息,第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發(fā),預期速率12Gb/s,也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56
1098 內存芯片價格低迷不振,SK海力士第一季營業(yè)利潤大減69%,并創(chuàng)下2016年第三季以來的單季獲利新低。
2019-04-29 15:26:45
3047 SK海力士近日宣布,將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內存芯片產能的同時,今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內存芯片,并為下代內存做好準備。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:00
3315 據外媒報道,由于DRAM內存芯片價格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計劃推遲位于中國無錫的全球最先進內存芯片工廠的投產計劃。
2019-06-21 11:33:15
4426 據報道,由于中美貿易摩擦愈演愈烈,韓國內存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國工廠的投產計劃。
2019-06-24 17:21:58
3526 SK海力士已經發(fā)現內存和NAND芯片供過于求的跡象,但日韓貿易爭端正在威脅和影響到制造芯片所需的市場環(huán)境。
2019-07-27 09:32:15
3711 海力士則是宣布成功開發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash,并已經進入量產階段。不過,雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品,但是堆疊技術的發(fā)展至今仍未到達極限。所以,SK
2019-08-15 09:05:12
3089 根據消息報道,SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內存條,速度達到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:13
4795 根據TPU的報道,SK 海力士展示了LPDDR5原型內存解決方案,旨在為下一代5G智能手機和超便攜電腦提供更快的訪問速度。SK海力士表示,新款的LPDDR4X已經將速度提高到4667MHz,LPDDR5將進一步提高,頻率從5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:12
4525 據國外媒體報道,韓國半導體巨頭SK海力士今日發(fā)表聲明稱,部分媒體對公司存儲器規(guī)格和AMD下一代GPU報道不實。
2020-02-26 21:57:09
2868 據外媒最新消息稱,Intel可能出售內存芯片業(yè)務,而接盤者是SK海力士,價格是100億美元。
2020-10-20 09:23:00
1797 據路透社當地時間19日報道援引知情人士稱,英特爾正準備將NAND芯片業(yè)務,以近100億美元的價格,出售給SK海力士。若交易達成,將使得SK海力士超越日本Kioxia,成為NAND內存市場的全球第二大廠商,并進一步縮小與行業(yè)領頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:14
2309 以存儲業(yè)務起家的英特爾,現在要把內存芯片業(yè)務賣掉了。
買家和價格也已敲定:韓國SK海力士 (SK Hynix),90億美元。 這也是今年繼英偉達收購Arm、AMD收購賽靈思之后,芯片行業(yè)又一次的大整合。
2020-10-21 09:39:03
3105 
ASML公司的EUV光刻機全球獨一份,現在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上,臺積電、三星用它生產CPU、GPU等芯片。馬上內存芯片也要跟進了,SK海力士宣布明年底量產EUV工藝內存。
2020-10-30 10:54:21
2202 1月31日消息,據國外媒體報道,周五,芯片制造商SK海力士表示,由于服務器和移動行業(yè)的增長,預計今年內存芯片需求強勁。
2021-02-01 09:13:33
1826 31億美元)建成了這座芯片工廠,工廠長336米,寬163米,高105米,相當于一座37層公寓的高度,是SK海力士目前最大的芯片工廠。
2021-02-02 15:00:15
2767 。 據報道,SK海力士與ASML公司簽訂了一個超級大單,未來5年內將斥資4.8萬億韓元,約合43.4億美元購買EUV光刻機。 SK海力士在一份監(jiān)管文件中稱,這筆交易是為了實現下一代工藝芯片量產的目標。 ASML及SK海力士都沒有透露這么多資金到底購買了多少臺EUV光刻機,不過從之
2021-02-25 09:30:23
2709 SK海力士今天宣布,已經開始量產18GB LPDDR5移動版內存,存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:54
3203 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內存芯片,可以實現24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數據,相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
2672 近日,SK海力士公司CEO近期表示SK海力士將計劃升級中國無錫工廠的大規(guī)模生產設施,應對美中貿易緊張局勢以便更有效地生產內存芯片,但是這一舉動則遭到了美國的強烈反對。
2021-11-24 16:41:32
2494 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:25
2219 2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司', www.skhynix.com )今日宣布成功開發(fā)出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:31
2118 被壓制,消費電子市場更是暴雷不斷,SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導致存儲芯片需求減少;疊加芯片價格大幅下滑導致。 內存芯片行業(yè)面臨著嚴重供需失衡,而鑒
2023-02-01 16:52:12
3954 
2023年1月上市的sk海力士LPDDR5T的帶寬為9.6gbps,超過了lpddr5x的8.5gbps,在目前的移動平臺中速度最快。隨著2026年左右新一代lpddr6內存正式上市,預計LPDDR5T將成為2023年到2025年最強大的移動平臺。
2023-08-11 09:47:52
1641 SK海力士提供優(yōu)質的產品和服務。從DDR4世代跨越到DDR5世代,瀾起科技與SK海力士合作的產品涵蓋DDR4、DDR5內存接口芯片及DDR5內存模組配套芯片。 隨著人工智能、機器學習等異構計算飛速發(fā)展,CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起,吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:37
2065 12月27日消息,根據韓媒報道,SK海力士近日研發(fā)出了可重復使用的 CMP拋光墊技術,不僅可以降低成本,而且可以增強 ESG(環(huán)境、社會、治理)管理。
2023-12-27 13:48:50
1383 
1月9日,康寧官微宣布與天馬微電子 (Tianma) 展開新的合作,利用康寧LivingHinge技術推出下一代車載顯示屏。
2024-01-10 09:37:07
1778 SK海力士近日宣布,將進一步擴大高帶寬內存生產設施的投資,以滿足高性能AI產品市場的不斷增長需求。
2024-01-29 16:54:44
1387 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠,專注于生產高帶寬內存(HBM)芯片。這一舉措旨在與英偉達(NVIDIA)的AI GPU進行深度整合,共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29
1946 據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商SK海力士正與芯片代工巨頭臺積電緊密合作,共同構建一個強大的AI芯片聯(lián)盟。這一戰(zhàn)略舉措旨在匯聚雙方在下一代人工智能半導體封裝領域的卓越技術,以此鞏固兩家公司在全球AI芯片市場的領導地位。
2024-02-18 11:26:26
1609 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00
1306 長達半年的嚴格性能評估。據此,SK海力士計劃在今年3月開始量產這款高頻寬記憶體,以供應給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:21
1656 SK海力士正積極應對AI開發(fā)中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:44
1798 SK海力士,作為全球知名的半導體公司,近期在中國業(yè)務方面進行了重大的戰(zhàn)略調整。據相關報道,SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務布局,計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司,并將其業(yè)務重心全面轉移到無錫。這一決策的背后,反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25
2163 在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08
1225 SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進行純化處理,最后回流至 SK 海力士使用。
2024-04-02 14:25:59
1038 來源:Silicon Semiconductor 為下一代HBM建造先進封裝設施,同時與普渡大學合作研發(fā)。 SK海力士將在美國印第安納州西拉斐特投資約38.7億美元,為人工智能產品建設先進的封裝制造
2024-04-16 11:17:05
658 SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士將進一步提升存儲器產品性能,實現新的突破。
2024-04-19 09:28:04
1153 HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協(xié)議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19
1392 SK海力士計劃斥資約20萬億韓元(約146億美元)在韓國新建存儲芯片產能,以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。
2024-04-29 11:19:07
1376 SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02
982 SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39
927 今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(On-Device)AI應用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產品的推出,標志著SK海力士在閃存技術領域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:30
1175 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13
1484 近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46
1055 SK海力士正引領半導體行業(yè)進入新時代,開發(fā)了一種融合計算與通信功能的下一代HBM(高帶寬內存)。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場中的領先地位,同時進一步拉大與后來者的差距。
2024-05-29 14:11:40
1164 瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22
1511 SK海力士在半導體領域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
2024-05-30 11:02:58
1506 近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:34
2156 在人工智能(AI)技術日新月異的今天,存儲設備的性能對于端側AI應用的重要性愈發(fā)凸顯。為了滿足這一需求,全球領先的半導體公司SK海力士近日宣布,成功開發(fā)出了一款專為端側AI優(yōu)化的高性能固態(tài)硬盤
2024-07-01 14:58:40
1222 在半導體技術的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術的重大革新。據韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術,這一變革預示著HBM制造領域的新篇章。
2024-07-12 09:29:56
1545 科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中,英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內存(HBM)技術的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內存。這一合作不僅標志著半導體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數據處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。
2024-07-15 17:28:05
1574 在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業(yè)將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:19
1366 在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正積極探索前沿技術,以推動高帶寬內存(HBM)的進一步演進。據最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產品的生產中,這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:47
1889 在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次引領行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續(xù)深耕,也預示著HBM內存技術即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:53
1329 全球知名的內存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一項重大投資決策,計劃斥資約9.4萬億韓元(折合美元約為68億)在韓國龍仁市興建其國內首座芯片制造基地。這一舉措標志著SK海力士在強化其全球競爭力、特別是針對人工智能(AI)芯片市場布局上的重要一步。
2024-07-27 13:48:58
1410 全球領先的內存芯片制造商SK海力士宣布了一項重大投資決策,計劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68億)在韓國龍仁市興建其國內首座專注于AI芯片生產的超級工廠。此項目標志著SK海力士在應對未來科技趨勢、特別是人工智能領域快速增長需求方面邁出了堅實步伐。
2024-07-29 11:28:54
1088 據最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業(yè)務后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:40
2332 SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩,向全球業(yè)界展示其在存儲器技術領域的最新進展與對人工智能(AI)未來的深邃洞察。此次參展,SK海力士不僅將全面呈現其存儲器產品的技術革新,更將焦點對準了下一代AI存儲器技術的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:39
1110 全球領先的半導體制造商SK 海力士近日宣布了一項重大突破,正式推出了全球性能巔峰的新一代顯存產品——GDDR7。這款專為圖形處理優(yōu)化設計的顯存,憑借其前所未有的高速與卓越性能,再次彰顯了SK 海力士在技術創(chuàng)新領域的領先地位。
2024-08-07 11:20:35
1350 SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:15
1255 SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄,為全球人工智能領域的發(fā)展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:41
878 的eSSD也隨之成為AI芯片不可或缺的核心部分,與HBM(高帶寬內存)芯片并駕齊驅。在數據存儲市場上,eSSD以其卓越的性能和能效比,正逐步取代傳統(tǒng)的HDD硬盤。 Solidigm,作為SK海力士旗下的NAND閃存開發(fā)子公司,憑借其領先的技術實力,已開發(fā)出業(yè)界最高
2024-10-25 10:19:08
1110 韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00
1707 近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一代高帶寬內存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:48
1202 日,英偉達(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應商南韓SK集團會長崔泰源透露,英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:09
2108 和卓越的研發(fā)能力,已經提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產品。這一舉措不僅展現了SK海力士的技術實力,更凸顯了其對市場趨
2024-11-05 15:01:20
1231 限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術研發(fā)和生產有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品,該產品在容量和層數上均達到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:18
1277 據外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結盟,共同致力于推動LPDDR6的存內計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:50
1350 韓國存儲芯片巨頭SK海力士于近日宣布,為鞏固其在人工智能(AI)內存領域的領先地位,公司決定在年度組織調整中新增兩個專門部門,專注于下一代AI芯片的開發(fā)與量產。 據悉,這兩個新部門將由新任命的首席
2024-12-06 10:56:46
1145 堅實基礎。 SK海力士的這一舉措,無疑將在全球半導體市場中掀起波瀾。16Hi HBM3E內存作為業(yè)界領先的技術產品,其量產將有望推動整個半導體存儲行業(yè)的發(fā)展和進步。通過加速量產準備工作,SK海力士不僅展現了其在技術創(chuàng)新方面的實力,也彰顯了其對于市場需求變化
2024-12-26 14:46:24
1050 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1667 隨著人工智能(AI)工作負載和高性能計算(HPC)應用對數據傳輸速度與低延遲的需求持續(xù)激增,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布推出下一代Switchtec Gen 6 PCIe交換芯片。
2025-10-18 11:12:10
1317 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:31
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