美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來(lái)改善
2019-08-20 10:22:36
8531 據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，隨著 DRAM 價(jià)格降到了極低水平，如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程。 三星第三季
2011-08-25 09:05:571422 
昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582650 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過(guò)20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:482245 著稱，三星為了趕超臺(tái)積電選擇直接跳過(guò)20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET工藝，臺(tái)積電雖然首先開發(fā)出16nm工藝不過(guò)由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進(jìn)行改進(jìn)引入FinFET工藝，就此三星成功實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先。
2017-03-02 01:04:492107 業(yè)界消息指出，存儲(chǔ)器大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號(hào)的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過(guò)半，據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬(wàn)條，業(yè)界認(rèn)為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價(jià)將再見(jiàn)飆漲走勢(shì)。
2017-03-06 09:34:281126 
我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒(méi)有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 三星官方宣布，已經(jīng)開始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 3月25日消息 三星電子（Samsung Electronics）宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:564442 1月12日晚間，三星舉辦了全球線上發(fā)布會(huì)，正式發(fā)布了 5nm 芯片 Exynos 2100。Exynos 2100 是三星首款集成 5G 的移動(dòng)芯片組，基于 5nm EUV 工藝。與采用 7nm 工藝的前代產(chǎn)品相比，Exynos 2100 功耗降低 20%，整體性能提高了 10%。
2021-01-13 11:06:103591 英特爾首座全自動(dòng)化300 mm晶圓高量產(chǎn)廠。45 nm芯片的即將量產(chǎn)意味著32 nm/22 nm工藝將提到議事日程上，英特爾將于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM與特許
2019-07-01 07:22:23
`這幾年以來(lái)，國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
2015年發(fā)生的iPhone 6芯片門事件，每個(gè)蘋果(Apple)產(chǎn)品的消費(fèi)者一拿到手機(jī)時(shí)，都迫不及待地想要知道自己的手機(jī)采用的是臺(tái)積電(TSMC，16nm)或是三星(SAMSUNG，14nm)的芯片
2018-06-14 14:25:19
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
為什么說(shuō)三星16nm MCU的關(guān)鍵在于MRAM技術(shù)，一半是進(jìn)入20nm以下領(lǐng)域，除了eMRAM暫無(wú)他法。另一半則在于，三星在MRAM技術(shù)上的布局由來(lái)已久，而以eMRAM搶下MCU代工訂單的圖謀，也有
2023-03-21 15:03:00
與DDR2供給吃緊帶動(dòng)整體平均售價(jià)上揚(yáng)。而在整體DRAM廠DRAM營(yíng)收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達(dá)24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨(dú)立出來(lái)
2008-05-26 14:43:30
和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺(tái)積電（16nm制程工藝）和三星（14nm
2016-07-21 17:07:54
臺(tái)灣媒體DigiTimes的一條報(bào)道讓三星市值蒸發(fā)了100億美元。該報(bào)道稱蘋果將停止使用來(lái)自三星的DRAM內(nèi)存芯片，并準(zhǔn)備讓爾必達(dá)成為DRAM內(nèi)存供應(yīng)商。這條消息在被《路透社》引用之后，三星
2012-05-18 09:17:11999 南韓媒體朝鮮日?qǐng)?bào)、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501305 017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們?cè)趺礃舆m應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:212411 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營(yíng)，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過(guò)
2016-05-30 11:53:531179 ，拉開了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝
2017-02-11 02:21:11563 
三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704 近日有韓國(guó)媒體透露，為了爭(zhēng)奪2018年的蘋果A系列芯片訂單，三星已經(jīng)在加速7nm工藝的開發(fā)進(jìn)程。而且，三星還對(duì)自己的工藝和日后的搶單行動(dòng)非常有信心。這個(gè)時(shí)候，蘋果A10芯片供應(yīng)商臺(tái)積電就有話要說(shuō)了。臺(tái)積電日前向媒體透露，其第一代7nm工藝所生產(chǎn)的芯片良品率已經(jīng)高達(dá)76%。
2017-03-20 09:26:01881 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 據(jù)報(bào)道，全球第二大手機(jī)芯片企業(yè)聯(lián)發(fā)科在近日確定減少對(duì)臺(tái)積電6月至8月約三分之一的訂單，在當(dāng)前的環(huán)境下是一個(gè)合適的選擇，轉(zhuǎn)而采用16nm FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應(yīng)對(duì)高通等芯片企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)。
2017-05-02 09:59:011005 今年安卓陣營(yíng)的旗艦手機(jī)芯片當(dāng)屬高通驍龍835莫屬，驍龍835是首批量產(chǎn)的10nm手機(jī)芯片，并且還集成了下行速率高達(dá)1Gbps的基帶；目前在售搭載驍龍835的手機(jī)還較少，三星S8與小米6是較早采用驍龍
2017-05-16 11:40:481982 根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日前有內(nèi)部人士表示，三星已經(jīng)開始計(jì)劃在2019年使用6nm工藝制造移動(dòng)芯片，而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產(chǎn)線的投資。據(jù)悉，三星計(jì)劃在今年安裝兩款全新的光刻機(jī)，并且計(jì)劃在2018年繼續(xù)追加投資7臺(tái)，這樣就將為未來(lái)制造工藝的提升提供了支持，同時(shí)還能大幅提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
2017-06-28 10:40:551203 5月底的時(shí)候，三星在舉辦了新聞發(fā)布會(huì)，公布了旗下最新的工藝制程路線圖，在新的路線圖中，三星希望能夠在2020年推進(jìn)4nm工藝制程。
2017-06-30 14:24:041044 隨著智能手機(jī)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0049700 三星在DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:004079 5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:004661 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102 DRAM芯片組成。三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級(jí)16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái)，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 傳三星電子（Samsung Electronics）啟動(dòng)采用極紫外光（EUV）微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā)，雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM，不過(guò)也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943
隨著技術(shù)的發(fā)展，今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，下一代將在2020年進(jìn)入5nm工藝，2022年進(jìn)入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV
2018-08-20 17:41:491479 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能，同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 三星電子發(fā)布了其第一款5G基帶處理器Exynos Modem 5100，據(jù)稱這是世界上首款完全兼容3GPP Release 15的5G基帶芯片。這款基于10nm工藝的基帶芯片能夠在單芯片上支持5G及傳統(tǒng)移動(dòng)服務(wù)（全網(wǎng)通）。
2018-08-29 16:27:374671 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 繼Exynos 9820后，三星電子今天（1月3日）發(fā)布第二款采用8nm工藝打造的SoC芯片產(chǎn)品。
2019-01-04 14:24:244205 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級(jí)（1y-nm）8Gb DDR4以來(lái)僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說(shuō)明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 三星的3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么？
2019-05-17 15:38:5412185 
近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 舉個(gè)例子，臺(tái)積電一貫以來(lái)在研發(fā)先進(jìn)工藝上出了名保守。在研發(fā)16nm工藝的時(shí)候它就先在2014年量產(chǎn)了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產(chǎn)
2019-09-04 11:45:584703 去年10月，三星芯片工廠正式開始使用其7LPP（7nm低功耗+）制造工藝生產(chǎn)芯片，此后并未放緩其制造技術(shù)的發(fā)展。該公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP（6nm低功耗+）技術(shù)開始批量生產(chǎn)芯片
2019-08-06 15:43:164128 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。
2019-09-12 10:44:033454 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。
2019-09-27 17:23:291500 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601 根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。
2020-02-21 09:00:352667 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 三星電子（Samsung Electronics）今天宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)業(yè)界首款10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估，并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848 近日，DigiTimes在一份報(bào)告中稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492452 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230 中關(guān)村在線消息：在先進(jìn)的芯片制造領(lǐng)域，放眼世界，只剩下臺(tái)積電，英特爾和三星。目前，臺(tái)積電與三星在 7nm 以下的競(jìng)爭(zhēng)引起了廣泛關(guān)注。根據(jù) DigiTimes 的報(bào)告，三星將直接跳過(guò) 4nm 先進(jìn)工藝
2020-07-08 16:07:212550 
大多數(shù)讀者應(yīng)該知道Intel 的處理器、TSMC生產(chǎn)的SoC（System on Chip）等邏輯半導(dǎo)體的相關(guān)工藝，也明白到這些規(guī)則只不過(guò)對(duì)產(chǎn)品的命名罷了。那么，DRAM中提到的1X（18nm）、1Y（17nm）、1Z（16nm）等又都意味著什么？
2020-07-22 14:33:124742 
EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)（1z）工藝打造，請(qǐng)注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 的工藝節(jié)點(diǎn)都不使用明確的數(shù)字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先進(jìn)，或者說(shuō)1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40％，同時(shí)還能讓功耗降低15％
2021-01-27 17:28:332298 臺(tái)積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會(huì)跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 09:52:512513 2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過(guò)，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896 
美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機(jī)標(biāo)配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達(dá)40％，同時(shí)還能讓功耗降低15％，能讓5G手機(jī)性能更好、機(jī)身更輕薄、續(xù)航更持久。
2021-01-31 10:16:422399 這還要從三星正式推出8nm制程說(shuō)起。2017年5月，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國(guó)圣克拉拉舉行的三星代工論壇上，公布了其未來(lái)幾年的制程工藝路線圖，其中，8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月，三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證，具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:299987 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過(guò)12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過(guò)類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 （FinFET）的進(jìn)階，4D（GAA）技術(shù)被認(rèn)為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù)，相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。 另外，每一個(gè)新工藝新制程的成本和良品率，都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069 根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱，三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝，并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片，以追趕臺(tái)積電。
2022-07-04 09:34:041906 在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域，三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭，不過(guò)在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片，在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周，三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示，這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102257 “32Gb DDR5 IC目前正在一個(gè)新的under-14
nm工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)，并計(jì)劃在明年初
推出，”
三星 DRAM 規(guī)劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和
三星網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上表示（見(jiàn)
三星在下圖中的演示）?！盎?32Gb 的 UDIMM
將于明年年底
或 2024 年初上市?！?/div>
2022-08-22 10:21:192938 三星確實(shí)也在緊追臺(tái)積電的步伐，去年也量產(chǎn)了4nm芯片，高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產(chǎn)。
2022-09-21 11:54:421196 據(jù)報(bào)道，將于2023年下半年推出的iPhone15系列將搭載蘋果A17仿生芯片，本芯片將有臺(tái)積電代工，采用3nm工藝。據(jù)了解，目前唯一能與臺(tái)積電在先進(jìn)技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)的是三星電子，然而三星在3nm工藝制程上落后臺(tái)積電，三星第二代3nm工藝最快要到2024年，因此蘋果A17將由臺(tái)積電代工。
2022-10-10 15:20:563517 （nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm級(jí)
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:541342 
外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:071259 英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門IFS后，將向三方開放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:582168 三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問(wèn)三星今后將開發(fā)的技術(shù)時(shí)，管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330 據(jù)分析師預(yù)測(cè)，DRAM行業(yè)將于2030年前縮減工藝至10nm以下，然而當(dāng)前的設(shè)計(jì)已無(wú)法在此基礎(chǔ)上進(jìn)行延伸，故而業(yè)內(nèi)開始尋求如3D DRAM等新型存儲(chǔ)器解決方案。
2024-04-03 15:48:251077 在近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上，三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑：三星已與其他公司合作，成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時(shí)，他透露，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398 近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 在半導(dǎo)體技術(shù)的競(jìng)技場(chǎng)上，三星正全力沖刺，準(zhǔn)備在2027年推出一系列令人矚目的創(chuàng)新。近日，三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來(lái)幾年的技術(shù)路線圖，其中包括備受矚目的1.4nm制程工藝、芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)和硅光子技術(shù)。
2024-06-21 09:30:47861 據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道，三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)線將于明年6月正式投入運(yùn)營(yíng)。這一舉措標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201 和20nm的研發(fā)工作。預(yù)計(jì)21nm的DRAM產(chǎn)品將于今年年底推出，而20nm的產(chǎn)品則有望在明年中前后上市。此外，公司還表示將持續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)，以保持技術(shù)領(lǐng)先。
2024-11-12 14:27:051737 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071411 據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002 問(wèn)題，在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí)，從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過(guò)，三星通過(guò)相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì)，但有業(yè)內(nèi)人士透露，三星的目標(biāo)是提升1b DRAM的性能和良率。據(jù)了解，三星啟動(dòng)了名為“D1b - p”的開發(fā)項(xiàng)目，重點(diǎn)關(guān)注提高電源效率和散熱性能。
2025-01-23 10:04:151361 DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重挑戰(zhàn)，已決定在2024年底對(duì)現(xiàn)有的1b nm工藝進(jìn)行改進(jìn)，并從頭開始設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。然而，三星電子現(xiàn)在對(duì)此表示否認(rèn)，強(qiáng)調(diào)其并未有重新設(shè)計(jì)1b DRAM的計(jì)劃。 盡管三星電子否認(rèn)了重新設(shè)計(jì)的傳聞，但不可否認(rèn)的是，其12nm級(jí)DRAM產(chǎn)品確實(shí)面
2025-01-23 15:05:11923 自蘋果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來(lái)，臺(tái)積電成功在2020年率先成為5nm工藝量產(chǎn)出貨的代工廠。但同樣擁有頂尖工藝的三星也不甘落后，先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100三款芯片。盡管力求后發(fā)制人，但三星的5nm之路依舊并非一帆風(fēng)順。
2021-01-20 03:53:004130 已全部加載完成
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