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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星DRAM穩(wěn)固,國(guó)產(chǎn)DRAM未來要走的路還有很長(zhǎng)

三星DRAM穩(wěn)固,國(guó)產(chǎn)DRAM未來要走的路還有很長(zhǎng)

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三星半導(dǎo)體工廠停電 DRAM和NAND生產(chǎn)或延誤

畿道華城的三星華城半導(dǎo)體工廠停電約1分鐘。 由于這次事故,三星電子停止了其位于韓國(guó)華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產(chǎn)線,該公司目前這些產(chǎn)線正在檢修中。 預(yù)計(jì)損失將小于三星平澤半導(dǎo)體工廠在2018年的損失。在平澤半導(dǎo)體工廠停電期間,三星
2020-01-02 10:45:156202

三星晶圓廠停電不會(huì)影響第一季度DRAM價(jià)格

早在2019年12月31日,韓國(guó)華城三星的Line 13工廠停電并因此導(dǎo)致生產(chǎn)中斷后,人們擔(dān)心這種中斷將對(duì)更廣泛的DRAM市場(chǎng)造成什么影響。但是,整個(gè)行業(yè)似乎完全忽略了這一事件。根據(jù)
2020-01-10 14:08:054241

DRAM廠商在制造工藝方面追趕三星

據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告,隨著 DRAM 價(jià)格降到了極低水平,如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程,可能面臨重大虧損,三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程。 三星
2011-08-25 09:05:571422

三星轉(zhuǎn)產(chǎn)成 標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)回溫

市場(chǎng)傳出,DRAM龍頭三星半導(dǎo)體計(jì)劃減產(chǎn)成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM,產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)行動(dòng)式記憶體(Mobile DRAM),以因應(yīng)蘋果新機(jī)出貨,同時(shí)通知OEM廠8月起不再調(diào)降標(biāo)準(zhǔn)型DRAM售價(jià)。法人預(yù)期,盤跌近七個(gè)月的DRAM價(jià)格可望止跌回升,華亞科、南亞科及華邦電等DRAM族群營(yíng)運(yùn)可望再起。
2015-08-03 07:55:21594

DRAM市場(chǎng)或?qū)⑹O?b class="flag-6" style="color: red">三星一家獨(dú)霸天下?

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)整合,外界本以為大廠能和平共存,坐享更高獲利,沒想到三星電子趁著對(duì)手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米不順之際,增產(chǎn)搶市占,意圖趕盡殺絕。Bernstein Research悲觀預(yù)測(cè),三星下手太狠,DRAM恐怕只剩三星一家獨(dú)活
2016-04-13 10:42:16986

三星獨(dú)霸2016第二季DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)

據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange消息,三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的銷售額同比增長(zhǎng)19.4%至24.18億美元,全球市場(chǎng)占有率升至61.5%,創(chuàng)下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨(dú)統(tǒng)計(jì)以來的歷史最高紀(jì)錄。
2016-08-18 10:05:401258

三星或緊急召回內(nèi)存模組 PC DRAM價(jià)格將再度飆高

三星近來狀況頻傳,在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后,近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心存儲(chǔ)模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回,由于三星于 PC DRAM 市占過半,這次良率出問題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外,也會(huì)讓價(jià)格已上揚(yáng)的 PC DRAM 價(jià)格再度飆高。
2017-03-02 07:10:49809

三星18nm召回影響 DRAM合約價(jià)飆

業(yè)界消息指出,記憶體大廠三星電子自2月中旬起,陸續(xù)召回部分序號(hào)的18奈米制程DRAM模組,原因在于這些18奈米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)幕當(dāng)機(jī)。
2017-03-06 09:18:321044

三星18nm DRAM緊急召回 下游廠商面臨缺貨危機(jī)

業(yè)界消息指出,存儲(chǔ)器大廠三星電子自2月中旬起,陸續(xù)召回部分序號(hào)的18納米制程DRAM模組,原因在于這些18納米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過半,據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬條,業(yè)界認(rèn)為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜,合約價(jià)將再見飆漲走勢(shì)。
2017-03-06 09:34:281126

三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲(chǔ)器好景恐難延續(xù)

之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876

三星量產(chǎn)全新LPDDR5 DRAM芯片 支持5G和AI功能

,該公司今天宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)12GigabitLPDDR5DRAM芯片,旨在在未來智能手機(jī)中支持5G和AI功能。 三星此舉非常重要,尤其是該公司在為其他移動(dòng)設(shè)備制造商提供內(nèi)存方面扮演著重要角色。三星DRAM不僅可以在自家Galaxy系列手機(jī)和平板電腦中找到,也
2019-07-20 08:16:001343

三星宣布推出業(yè)界首款EUV DRAM,首批交付100萬個(gè)

3月25日消息 三星電子(Samsung Electronics)宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估,并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-26 09:12:564442

DRAM主要廠商新品梳理

DRAM市場(chǎng),三星、SK海力士、美光占據(jù)主導(dǎo)地位,國(guó)產(chǎn)DRAM也在加速發(fā)展,代表性企業(yè)有合肥長(zhǎng)鑫與紫光存儲(chǔ),但技術(shù)方面與頭部廠商仍有較多大的差距。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)2020年二季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收數(shù)據(jù)
2020-10-24 07:36:009478

三星1z納米EUV制程DRAM完成量產(chǎn)

韓國(guó)三星近期積極將極紫外(EUV)曝光技術(shù)應(yīng)用在采用1z納米制程的DRAM記憶體生產(chǎn)上,并且完成了量產(chǎn)。而根據(jù)半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)《TechInsights》拆解了分別采用EUV曝光技術(shù)和ArF-i曝光
2021-02-22 10:31:363352

三星電子加速DRAM產(chǎn)能擴(kuò)張 年度DRAM投片量增加到7萬片

三星電子近期調(diào)整了今年的DRAM投資計(jì)劃。據(jù)悉,該公司位于韓國(guó)平澤的P2工廠第一季度12英寸晶圓的投片量從3萬/月提升至4萬/月,年度DRAM投片量即將從6萬片增加到7萬片。
2021-03-03 09:36:443186

質(zhì)疑對(duì)手技術(shù)進(jìn)展真實(shí)性,三星將公開10納米級(jí)制程DRAM電路線寬

5月7日消息?由于質(zhì)疑競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)進(jìn)展,三星決定公開自家DRAM產(chǎn)品的電路線寬,以顯示三星在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo),三星準(zhǔn)備打破DRAM業(yè)界傳統(tǒng),將公布自家DRAM產(chǎn)品電路
2021-05-07 10:25:352126

三星成功開發(fā)LPDDR5X DRAM,將擴(kuò)大超高速數(shù)據(jù)服務(wù)市場(chǎng)

三星成功開發(fā)LPDDR5X DRAM三星的14納米LPDDR5X在“速度、容量和省電”特性方面大幅提升,針對(duì)5G、AI、元宇宙等爆發(fā)式增長(zhǎng)的未來尖端產(chǎn)業(yè)提供優(yōu)秀的解決方案。
2021-11-09 10:23:472188

三星/SK海力士DRAM大幅擴(kuò)產(chǎn),恢復(fù)至削減前水平,存儲(chǔ)新周期開啟

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia的研究報(bào)告,隨著全球需求復(fù)蘇,韓國(guó)內(nèi)存芯片制造商三星電子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圓投入,有效結(jié)束減產(chǎn)。 ? Omdia在報(bào)告中指
2024-04-12 00:05:006369

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

`這幾年以來,國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存,以期打破壟斷,尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言,三星占了全球80%的份額,成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前,三星一反常態(tài),放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09

三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱,三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01

三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線

對(duì)DRAM價(jià)格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味,而更多人擔(dān)心,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也許在未來幾年會(huì)有一個(gè)大的翻轉(zhuǎn),已經(jīng)主導(dǎo)需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),會(huì)不會(huì)在MRAM等新技術(shù)出現(xiàn)后
2018-12-25 14:31:36

FPGA DRAM數(shù)據(jù)錯(cuò)位

通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)DRAM刷新數(shù)據(jù)有延遲,這個(gè)是任何資料都沒有寫到的,我通過奇偶間隔刷新方式解決了,但連續(xù)刷新數(shù)據(jù)超過54個(gè)時(shí)鐘整個(gè)DRAM就會(huì)出現(xiàn)整體錯(cuò)位情況,請(qǐng)問DRAM還有什么特性我不知道會(huì)導(dǎo)致此現(xiàn)象?
2018-11-07 23:57:30

IC Insights:DRAM市場(chǎng)即將放緩 國(guó)產(chǎn)品牌穩(wěn)步挺近

市場(chǎng)的35%。明年,至少兩家中國(guó)集成電路供應(yīng)商(睿力集成電路和晉華集成電路)將成功進(jìn)入DRAM市場(chǎng)。盡管國(guó)產(chǎn)廠商的產(chǎn)能和制造流程最初不會(huì)與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵,但看看中國(guó)的初創(chuàng)企業(yè)表現(xiàn)如何,將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17

全球10大DRAM廠商排名

***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品,2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能,因此未來***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30

回收三星ic 收購(gòu)三星ic

年收購(gòu)電子芯片,收購(gòu)電子IC,收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片,收購(gòu)內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25

DRAM原理 - 1.存儲(chǔ)單元陣列#DRAM

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DRAM原理 - 7.地址映射#DRAM原理

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三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代

三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代 三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮,積極導(dǎo)入40納米制程,第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3,預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55645

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱,30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010

三星大批量生產(chǎn)移動(dòng)4GB DRAM內(nèi)存芯片

3月25日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。
2011-03-25 10:45:301048

三星電子開發(fā)新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)

關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后,不到九個(gè)月又成功開發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132597

移動(dòng)DRAM芯片供應(yīng)緊俏 三星考慮購(gòu)入SK存儲(chǔ)芯片

19日,據(jù)外媒報(bào),三星移動(dòng)業(yè)務(wù)部表示,三星將考慮從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士購(gòu)入移動(dòng)存儲(chǔ)芯片,以確保Galaxy S系列重要機(jī)型芯片供應(yīng)。而從移動(dòng)芯片穩(wěn)步增長(zhǎng)趨勢(shì),反映DRAM供應(yīng)市場(chǎng)緊俏前景。
2013-04-22 09:58:481060

三星、SK海力士及美光全力防堵DRAM技術(shù)流入大陸

全球DRAM三星、SK海力士(SK Hynix)及美光,近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(zhǎng)鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員,全力防堵DRAM技術(shù)流入中國(guó)大陸,讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國(guó)大陸踢到鐵板,也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員,遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040

DRAM內(nèi)存今年繼續(xù)缺貨、漲價(jià):三星成主要推手

用戶,金士頓表態(tài)稱今年DRAM內(nèi)存還會(huì)面臨缺貨窘境,價(jià)格也會(huì)繼續(xù)上漲。據(jù)了解,DRAM漲價(jià)的主要推手是三星公司。
2017-01-16 10:40:24836

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商,自己一家就占據(jù)了47.5%的份額,遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此,三星DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家,去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704

三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點(diǎn)

三星不僅是智能手機(jī)市場(chǎng)的老大,更重要的是三星還掌握了產(chǎn)業(yè)鏈至關(guān)重要的DRAM內(nèi)存、NAND閃存及OLED屏幕,這大部件上三星遙遙領(lǐng)先其他對(duì)手,手機(jī)OLED面板上更是占據(jù)95%以上的份額。
2017-04-20 10:47:021878

DRAM漲價(jià)潮引發(fā)中國(guó)發(fā)改委關(guān)注 國(guó)產(chǎn)才是真出路

乎離DRAM價(jià)格穩(wěn)定還有一段距離。據(jù)媒體報(bào)道,三星和SK海力士已經(jīng)向客戶發(fā)出了漲價(jià)通知,明年一季度DRAM將會(huì)繼續(xù)漲8%,并且這個(gè)現(xiàn)狀會(huì)在明年下半年再有好轉(zhuǎn),那就意味著上半年,DRAM依然是漲價(jià)為主旋律。
2017-12-21 10:29:236555

DRAM未來漲勢(shì)將取決于這3個(gè)關(guān)鍵要素

有研究表明未來DRAM漲勢(shì)還將不斷向上提升,據(jù)悉三星將于2018年第1季價(jià)格再上調(diào)3%至5%。服務(wù)器市場(chǎng)仍是DRAM漲勢(shì)最大的成長(zhǎng)來源。
2017-12-21 13:34:59913

“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強(qiáng)

三星DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱為世界最賺錢的公司之一,三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145

2018年用繪圖DRAM市場(chǎng)銷量上揚(yáng) 三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場(chǎng)分析,GPU業(yè)者對(duì)繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會(huì)持續(xù)上揚(yáng),三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952

DRAM價(jià)格居高不下,發(fā)改委約談三星

,因而引來政府關(guān)注,將可能使今年第一季的 DRAM 價(jià)格受到抑制。而目前三星是全球最大的存儲(chǔ)器芯片廠商,有近 48% 的全球市占率。
2018-07-02 18:31:00956

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道,三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128

三星第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:251102

三星或?qū)⒂肊UV設(shè)備進(jìn)行DRAM研發(fā)生產(chǎn)

三星電子(Samsung Electronics)啟動(dòng)采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā),雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM,不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943

三星推遲擴(kuò)產(chǎn)DRAM,多方受益

全球記憶體龍頭三星原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計(jì)劃,決定延至今年底,為DRAM價(jià)格形成有力支撐。
2018-08-21 09:16:003449

三星DRAM內(nèi)存投資降低20%,維持高價(jià)位

日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%,其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%,三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià),砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:394310

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,下半年DRAM漲勢(shì)恐止歇

全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,業(yè)界認(rèn)為,由于建廠時(shí)間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。
2018-10-25 15:59:261447

三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機(jī)會(huì)藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星未來1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上,也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國(guó)另一家
2018-10-29 17:03:244026

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評(píng)論: 0 | 來自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫,三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533

智能音箱普遍 但智能語音技術(shù)未來還有很長(zhǎng)要走

在某個(gè)非用語音不可的事物被發(fā)明之前,智能語音助手只能將在線內(nèi)容讀給你聽。而這樣的語音技術(shù)并不能被稱之為智能語音,它也只不過是內(nèi)容的復(fù)讀機(jī)罷了。整體而言,在人工智能爆發(fā)的當(dāng)下,智能語音技術(shù)并沒有我們想象的那么成功,未來還有很長(zhǎng)要走。
2018-12-17 11:11:471368

從服務(wù)業(yè)來看 機(jī)器人要想取代人類還有很長(zhǎng)要走

近兩年人工智能取得突破,讓人們對(duì)機(jī)器人取代人類有所擔(dān)憂,不過就服務(wù)業(yè)來看,機(jī)器人要想取代人類還有很長(zhǎng)要走。
2019-01-17 09:10:091066

三星將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動(dòng)式DRAM

三星電子14日表示,將批量生產(chǎn)史上最大容量的移動(dòng)式DRAM“12GB LPDDR4X”(Low Power Double Data Rate 4X)。
2019-03-18 16:52:13950

三星宣布將量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對(duì)未來智能手機(jī),優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:473256

新能源汽車還有很長(zhǎng)要走 寶馬的市場(chǎng)地位無法動(dòng)搖

都說現(xiàn)如今已經(jīng)是新能源汽車的市場(chǎng)了,但就保有量來看,還是燃油車為主,新能源為輔、新能源汽車確實(shí)已成未來發(fā)展的趨勢(shì),但還是處于賽道的起點(diǎn)位置,各方面的技術(shù)還不太過硬,二手車市場(chǎng)更是一片混亂,所以只能說新能源汽車還有很長(zhǎng)要走
2019-11-19 16:51:31448

DRAM價(jià)格上漲,三星和SK海力士營(yíng)收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價(jià)格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營(yíng)收。
2019-12-18 16:36:543205

三星EUV技術(shù)成功應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

據(jù)ZDnet報(bào)道,三星宣布,已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
2020-03-25 16:24:393360

出貨100萬 三星業(yè)界首款EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經(jīng)出貨100萬業(yè)界首款10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經(jīng)完成了全球客戶評(píng)估,并將為在高端PC、移動(dòng)終端、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

三星成首家在DRAM生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的存儲(chǔ)器供應(yīng)商

韓國(guó)三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個(gè)極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級(jí)DDR4 DRAM模組,將為高端PC和移動(dòng)設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。 三星
2020-04-03 15:47:511320

三星與SK海力士同步看好DRAM后市 預(yù)測(cè)后期不排除出現(xiàn)短缺

韓國(guó)記憶體兩大廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)同步看好動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)后市,激勵(lì)DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電(2344)股價(jià)走揚(yáng)。 三星預(yù)期,受惠5G需求
2021-02-01 12:43:001296

三星穩(wěn)坐DRAM市場(chǎng)頭名:利潤(rùn)率41%

據(jù)韓聯(lián)社援引 TrendForce 的數(shù)據(jù),三星目前仍是 NAND 閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,按收入計(jì)算,其在全球 DRAM 市場(chǎng)中的份額在 7-9 月期間占 41.3%,相比上一季度下降了 2.2 個(gè)
2020-11-22 10:22:012037

三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足

三星正利用這一時(shí)期擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),三星計(jì)劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴(kuò)大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

三星威脅龍頭Sony市場(chǎng)地位,將用DRAM廠生產(chǎn)CIS

DIGITIMES消息,據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)引述業(yè)界消息,受5G手機(jī)、自駕車、機(jī)器人等市場(chǎng)快速發(fā)展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示,三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 17:24:022900

三星將用DRAM廠生產(chǎn)CIS

DIGITIMES消息,據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)引述業(yè)界消息,受5G手機(jī)、自駕車、機(jī)器人等市場(chǎng)快速發(fā)展影響,CIS需求跟著激增,三星傳決定2021年增加CIS產(chǎn)量。 消息表示,三星電子將于2021年將一座DRAM
2020-12-18 18:24:312918

全球DRAM大廠涉嫌聯(lián)合操縱DRAM內(nèi)存價(jià)格被起訴

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),全球DRAM大廠韓國(guó)三星、SK海力士及美國(guó)美光(Micron)因涉嫌聯(lián)合操縱DRAM內(nèi)存價(jià)格,于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月3日遭美國(guó)律師事務(wù)所以損害消費(fèi)者權(quán)益為由起訴。 NEWS1等韓媒報(bào)導(dǎo)稱
2021-05-19 18:00:372541

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報(bào)道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244

三星首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開發(fā)成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產(chǎn),以優(yōu)異的性能和更高的能效,推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國(guó)深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發(fā)出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星DRAM間接減產(chǎn)9%,占全球DRAM產(chǎn)量4%

三星獲利在市場(chǎng)共識(shí)下,應(yīng) 2023 年第一季財(cái)報(bào)發(fā)表(4 月)就結(jié)束跌勢(shì)。因看到 DRAM 供需動(dòng)態(tài)改善,整體 DRAM 走跌周期因庫(kù)存下降與價(jià)格下跌放緩等,第二季獲利走跌逐漸趨緩。
2023-02-21 10:15:04644

國(guó)內(nèi)首個(gè)類ChatGPT模型MOSS還有很長(zhǎng)要走

MOSS官網(wǎng)發(fā)布公告稱,MOSS還是一個(gè)非常不成熟的模型,距離ChatGPT還有很長(zhǎng)要走。
2023-02-28 10:30:40412

三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%

有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉,hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來,提高數(shù)據(jù)處理速度,因此,現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以儲(chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:321571

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬個(gè)dram和1萬個(gè)nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540

單芯片超過 100Gb,三星表示將挑戰(zhàn)業(yè)界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會(huì)議上表示:“從2023年5月開始批量生產(chǎn)了12納米級(jí)dram,目前正在開發(fā)的11納米級(jí)dram將提供業(yè)界最高密度?!绷硗?,三星正在準(zhǔn)備10納米dram的新的3d構(gòu)架,并計(jì)劃為一個(gè)芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星將于明年量產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產(chǎn)LPDDR5T DRAM芯片。三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計(jì)劃等。當(dāng)投資者詢問三星今后將開發(fā)的技術(shù)時(shí),管理人員公開了有關(guān)LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星與美光擬提DRAM價(jià)格,以求盈利回暖

部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知,要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上,且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià),故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%,不及3D TLC NAND約10%;
2024-01-03 10:46:211562

三星與美光第一季DRAM價(jià)格漲幅15%~20%

近期,全球DRAM市場(chǎng)風(fēng)云再起。兩大巨頭三星和SK海力士紛紛宣布增加設(shè)備投資和產(chǎn)能,這一舉動(dòng)無疑將對(duì)整個(gè)市場(chǎng)帶來深遠(yuǎn)的影響。而現(xiàn)在,最新消息表明,DRAM價(jià)格有望在2024年第一季度迎來新一輪的上漲,漲幅預(yù)計(jì)達(dá)到15%至20%。
2024-01-03 14:35:201372

DRAM價(jià)格飆升,三星和美光計(jì)劃Q1漲幅高達(dá)20%

根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息,隨著自2023年下半年以來NAND Flash價(jià)格一攀升,三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格,漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。 業(yè)內(nèi)分析師指出
2024-01-03 18:14:161738

三星/SK海力士已開始訂購(gòu)DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動(dòng)大規(guī)模HBM設(shè)備采購(gòu);此外,三星和SK海力士計(jì)劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對(duì)DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲(chǔ)器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225

三星在硅谷建立3D DRAM研發(fā)實(shí)驗(yàn)室

三星電子,全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商,近日宣布在美國(guó)設(shè)立新的研究實(shí)驗(yàn)室,專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室將隸屬于總部位于美國(guó)硅谷的Device Solutions America (DSA),負(fù)責(zé)三星在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306

三星2025年后將首家進(jìn)入3D DRAM內(nèi)存時(shí)代

在Memcon 2024上,三星披露了兩款全新的3D DRAM內(nèi)存技術(shù)——垂直通道晶體管和堆棧DRAM。垂直通道晶體管通過降低器件面積占用,實(shí)現(xiàn)性能提升;
2024-04-01 15:43:081209

三星推出專為人工智能應(yīng)用優(yōu)化的10.7Gbps LPDDR5X DRAM

近日,三星宣布已開發(fā)出其首款支持高達(dá)10.7吉比特每秒(Gbps)的LPDDR5X DRAM
2024-04-17 14:58:251241

在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時(shí)代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?

在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時(shí)代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新?
2024-05-09 18:46:35924

三星、SK海力士對(duì)DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲,這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

三星電子研發(fā)16層3D DRAM芯片及垂直堆疊單元晶體管

在今年的IEEE IMW 2024活動(dòng)中,三星DRAM業(yè)務(wù)的資深副總裁Lee指出,已有多家科技巨頭如三星成功制造出16層3D DRAM,其中美光更是發(fā)展至8層水平。
2024-05-22 15:02:201617

三星已成功開發(fā)16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動(dòng)上,三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個(gè)重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時(shí),他透露,競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光也已將其3D DRAM技術(shù)擴(kuò)展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路

近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出,三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11923

三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì),力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511343

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