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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>美光新10納米DRAM已量產(chǎn) 攻移動設備市場

美光新10納米DRAM已量產(chǎn) 攻移動設備市場

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10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、加速追趕三星

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聯(lián)電聲明反擊訴訟戰(zhàn)與設計架構(gòu)完全不同

為聲明全文: 聯(lián)華電子是國際公認、中國***起家的半導體公司。38年來,在全球的供應鏈上,已經(jīng)成為不可或缺的一員,先進量產(chǎn)技術達14納米。對比之下,公司爭執(zhí)所涉及的DRAM技術,是32納米
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計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應當前市場的狀況,將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預測的20%增長,而NAND閃存預計增長35%,也低于之前預計的35-40%增長率。
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南亞科啟動自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā) 將擴大辦理超過100人以上的研發(fā)人才招募

今年以來DRAM價格持續(xù)下跌,DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利,南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整,提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外,南亞科取得的1x/1y納米制程技術授權(quán)選擇權(quán),并啟動自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254592

英特爾預計10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨 并預期2021年7納米制程可望進入量產(chǎn)階段

就在臺積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外(EUV)技術的7納米技術進入量產(chǎn)階段后,半導體龍頭英特爾也確定開始進入10納米時代,預計采用10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨。同時,英特爾將加速支援EUV技術的7納米制程研發(fā),預期2021年可望進入量產(chǎn)階段,首款代表性產(chǎn)品將是Xe架構(gòu)繪圖芯片。
2019-05-14 16:32:463963

多家DRAM廠商開始評估采用EUV技術量產(chǎn)

繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導入極紫外(EUV)微影技術后,同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術生產(chǎn)1z納米DRAM,SK海力士及預期會在1α納米或1β納米評估導入EUV技術。
2019-06-18 17:20:313118

存儲市場惡化 同步減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash

對存儲市場前景透露悲觀氣氛
2019-06-27 10:22:593500

科技正式宣布將采用第3代10納米級制程生產(chǎn)新一代DRAM

根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導指出,日前系存儲器大廠科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223762

正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存

日前公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364

推出內(nèi)容量最高的單片式的LPDDR4X DRAM

科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了為當前和下一代移動設備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101

將要開辟汽車存儲器的新市場

科技是全球最大的半導體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一,其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。科技先進的產(chǎn)品廣泛應用于移動、計算機、服務、汽車、網(wǎng)絡、安防、工業(yè)、消費類以及醫(yī)療等領域,在這些多樣化的終端應用提供針對性的解決方案。
2019-10-18 17:53:42711

業(yè)績與存儲芯片市場供需關系大

據(jù)鉅亨網(wǎng)報道,專門生產(chǎn) DRAM 和 NAND 的可謂最具周期性的科技業(yè)務,其財務業(yè)績會隨著存儲芯片市場供需關系而大幅波動。
2019-12-20 11:40:063947

大多DRAM廠商DDR5相應產(chǎn)品發(fā)售,DDR5能成為市場的主流嗎

目前,DRAM廠商三星電子、SK海力士、科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應產(chǎn)品。科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5,將搭載于即將上市的小米10智能手機之上。
2020-03-01 18:56:433479

低功耗DDR5 DRAM 芯片,挖掘移動設備5G潛能

內(nèi)存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機搭載的低功耗 DDR5(LPDDR5)DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51962

低功耗DDR5 DRAM芯片助力5G網(wǎng)絡

內(nèi)存和存儲解決方案領先供應商科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布,摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機搭載的低功耗DDR5 DRAM芯片,為用戶帶來完整的5G功能體驗。
2020-04-27 16:00:001254

量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片 功耗可降低15%

的工藝節(jié)點都不使用明確的數(shù)字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先進,或者說1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm。 的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片,尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40%,同時還能讓功耗降低15%
2021-01-27 17:28:332298

宣布“uMCP5”量產(chǎn),首次將LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存二合一

繼今年3月首次公開之后,今天宣布,全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準備。
2020-10-21 09:36:213652

率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存,小米10首發(fā)

,LPDDR5有望對下一代便攜電子設備(手機、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升。 率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存,小米10首發(fā) 今年2月,內(nèi)存大廠率先宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM芯片,并同時宣布首發(fā)于小米
2020-10-27 11:40:032918

科技量產(chǎn)全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封裝產(chǎn)品

北京時間10月27日消息,內(nèi)存和存儲解決方案供應商Micron Technology(科技)宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5)DRAM的通用閃存存儲(UFS)多芯片封裝產(chǎn)品
2020-10-27 15:17:473518

EUV工藝拉響戰(zhàn)局 計劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

,進一步擴大先進技術的量產(chǎn)規(guī)模。 圖源: 2021 年 A5 廠建設計劃主要彰顯了DRAM 未來發(fā)
2021-02-27 12:09:393676

推出 1α DRAM 制程技術:內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術將內(nèi)存密度提升了 40%。 計劃于今年將 1α 節(jié)點全面導入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應用領域——為包括移動設備和智能車輛在內(nèi)的各種應用提供更強的性能。 的 1α 技術節(jié)點使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

今天宣布,已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

市場DRAM的需求將有增無減,供需緊張的情況將延續(xù)好幾年

產(chǎn)品價格上漲,市場DRAM的需求程度將有增無減,供需緊張的情況將延續(xù)好幾年。 指出,光在中國臺灣地區(qū)的DRAM開始量產(chǎn)采用全球最先進制程技術1α(1-alpha)生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品,首批產(chǎn)品是為著重運算需求之客戶提供DDR4、和適用消費性PC的Crucial DRAM產(chǎn)品,此一里程碑會更鞏
2021-01-28 15:54:452392

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術

的 1α 技術節(jié)點使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來或?qū)⒌采w所有類型的DRAM
2021-01-29 15:03:442841

出貨全球最先進的1β技術節(jié)點DRAM

有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,其采用全球最先進技術節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證,并做好了量產(chǎn)準備。率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術,其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096

正式出貨全球最先進的 1β技術節(jié)點DRAM

β DRAM 產(chǎn)品開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證,并做好了量產(chǎn)準備。率先在低功耗 LPDDR5X 移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術,其最高速率可達每秒 8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升,將為市場帶來巨大收益。除了移動應用,基于 1β 節(jié)點的
2022-11-02 11:50:511703

出貨全球最先進的1β技術節(jié)點DRAM

β DRAM產(chǎn)品開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證,并做好了量產(chǎn)準備。率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術,其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能
2022-11-02 17:27:481537

發(fā)布基于1-alpha技術制造的LPDDR5X芯片

推出了最新的DRAM芯片,其采用了1-beta制造技術,大幅提高了芯片的能效和內(nèi)存密度。稱計劃在明年開始量產(chǎn)這種芯片。
2022-11-03 10:49:011189

科技在日本廣島開始量產(chǎn)尖端存儲器DRAM

最新消息,據(jù)日本共同社報道,科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本光存儲器公司”,已于16日在該市廣島工廠啟動最尖端DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)的量產(chǎn)。 據(jù)悉,量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1
2022-11-28 10:40:521736

【行業(yè)資訊】推出先進的1β技術節(jié)點DRAM

內(nèi)存與存儲解決方案領先供應商科技(Micron Technology Inc.)宣布,其采用全球最先進技術節(jié)點的1βDRAM產(chǎn)品開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證,并做好了量產(chǎn)準備。
2023-02-01 16:13:053032

反超SK海力士,躍居第二大DRAM供應商

在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國芯片制造商科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:061184

宣布減產(chǎn)至30%!

稱,2023 年的行業(yè)需求預測目前較低,但整個行業(yè)供應量的大幅減少開始穩(wěn)定市場。去年 11 月份,宣布將存儲芯片減產(chǎn) 2 成。財報內(nèi)容顯示,專注于庫存管理和控制供應,近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進一步減少至近 30%,預計減產(chǎn)將持續(xù)到 2024 年。
2023-06-30 15:01:321047

商務部部長會見CEO:歡迎繼續(xù)扎根中國市場

目前,公司在西安擁有DRAM產(chǎn)品包裝及模塊制造工廠,在上海運營尖端ssd和移動nand產(chǎn)品的設計中心。公司還在中國經(jīng)營著三家客戶研究所
2023-11-03 14:28:021197

HBM市場火爆!與SK海力士今年供貨告罄

指出,專為AI、超級計算機設計的HBM3E預計2024年初量產(chǎn),有望于2024會計年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營收。Mehrotra對分析師表示,“2024年1~12月,HBM預估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:151036

科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會上,詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復雜。
2024-03-05 16:18:241316

計劃部署納米印刷技術,降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術,從而進一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場演講,介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

科技攜手三星打造Galaxy S24系列,開啟移動AI體驗時代

Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布,三星 Galaxy S24 系列的部分設備搭載低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存存儲,為全球手機用戶帶來強大的人工智能(AI)體驗。
2024-03-15 16:59:211061

SK海力士、三星電子年內(nèi)啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

三星近期在Memcon 2024行業(yè)會議中聲稱,計劃于今年底以前實現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另據(jù)行業(yè)消息人士透露,SK海力士確定在第三季度實現(xiàn)1c納米DRAM內(nèi)存的商業(yè)化生產(chǎn)。
2024-04-09 16:53:051425

232層QLC NAND芯片量產(chǎn)并出貨,推出SSD新品

科技近期宣布,其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著光在NAND技術領域再次取得了顯著進步,鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。
2024-04-29 10:36:341553

232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

科技近日宣布了重大技術突破,其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應用于Crucial英睿達固態(tài)硬盤(SSD)中。此外,還推出了2500 NVMeTM SSD,該產(chǎn)品面向企業(yè)級存儲客戶大規(guī)模生產(chǎn),并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099

將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027年底或?qū)⒖⒐?/a>

科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠

近日,科技宣布,將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產(chǎn)工廠,預計最早于2027年底正式投入運營。該項目的總投資預估在6000億至8000億日元之間,體現(xiàn)了對于日本市場及全球半導體產(chǎn)業(yè)的堅定信心。
2024-05-31 11:48:231570

日本廣島DRAM新廠預計2027年量產(chǎn)

全球知名的DRAM大廠,早在去年就宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據(jù)悉,計劃斥資6,000至8,000億日元,在廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項目預計將在2026年初破土動工,最快有望在2027年底前完成廠房建設、機臺設備安裝,并正式投入營運。
2024-06-14 09:53:101341

量產(chǎn)第九代NAND閃存技術產(chǎn)品

全球領先的存儲解決方案提供商科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術的固態(tài)硬盤(SSD)正式進入量產(chǎn)出貨階段,標志著成為業(yè)界首家達成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術的推出,不僅彰顯了光在制程技術和設計創(chuàng)新領域的卓越實力,更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標桿。
2024-08-01 16:38:461251

科技將于2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能(AI)技術的廣泛應用,從云服務器到消費設備,AI需求正呈現(xiàn)爆炸式增長。科技,作為全球領先的半導體制造商,積極應對這一趨勢。
2024-10-29 17:03:051171

科技計劃大規(guī)模擴大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,近期將具體落實對現(xiàn)有DRAM工廠進行改造的投資計劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561311

宣布 1γ DRAM 開始出貨:引領內(nèi)存技術突破,滿足未來計算需求

率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設計的 1γ(1-gamma)第六代(10 納米級)DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品。得益于此前在 1α(1-alpha)和 1
2025-02-26 13:58:15533

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