MOSFET（場效應(yīng)晶體管）廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路，特別是在高效電力電子和開關(guān)電源設(shè)計中。其高速開關(guān)特性使其在很多高頻應(yīng)用中成為理想的選擇。然而，在某些應(yīng)用中，由于MOSFET開關(guān)速度不足，可能導(dǎo)致
2026-01-04 10:54:34
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- FPF2007 是一系列負(fù)載開關(guān)，旨在為可能遇到大電流情況的系統(tǒng)和負(fù)載提供全面保護(hù)。這些器件內(nèi)置一個 0.7Ω 的電流受限 P 溝道 MOSFET，可在 1.8 - 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)工
2025-12-30 16:30:1776 （1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負(fù)載能力，超過這個值可能會因為超負(fù)荷導(dǎo)致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數(shù)選擇時，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電子壓縮機(jī)和加熱與冷卻系統(tǒng)等應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領(lǐng)先的第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)，為硬開關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 在現(xiàn)代電子設(shè)備的核心部件中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）無疑是當(dāng)之無愧的“開關(guān)大師”。從智能手機(jī)的芯片到新能源汽車的動力控制系統(tǒng)，從光伏逆變器到工業(yè)機(jī)器人，MOSFET以其高效
2025-11-27 15:48:15516 
安森美 NCP402045集成驅(qū)動器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動器、高側(cè)MOSFET、 和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直流-直流降壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具有快速開關(guān)
2025-11-24 11:49:35416 
傾佳電子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件與功率模塊規(guī)格書深度解析與應(yīng)用指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-11-24 09:00:23493 
890mA（最大值），非常適合用于便攜式電子設(shè)備、DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)電路。開關(guān)速度快和柵極電荷低，有助于降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率，使這些MOSFET成為空間受限、功耗敏感設(shè)計的可靠選擇。
2025-11-22 09:36:01826 
功率MOSFET管應(yīng)用問題匯總
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比
2025-11-19 06:35:56
STMicroelectronics STELPD01電子負(fù)載開關(guān)是用于電源軌保護(hù)應(yīng)用的集成電子電源開關(guān)。它可以精確檢測過流和過壓情況并作出反應(yīng)。發(fā)生過載情況時，該器件進(jìn)入開路狀態(tài)，從電源斷開負(fù)載
2025-10-31 09:49:13347 
，能量利用率可達(dá)95%以上。其優(yōu)勢在于高效能量循環(huán)利用，但依賴電網(wǎng)兼容性設(shè)計。 2. MOSFET耗能型功率負(fù)載 以功率MOSFET為核心，通過調(diào)節(jié)柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)，動態(tài)調(diào)整等效阻抗。采用PWM調(diào)制和數(shù)字反饋技術(shù)（如FPGA/DSP控制器），支持μs級動態(tài)
2025-10-23 10:09:26445 
）MOSFET分立器件產(chǎn)品組合具有強(qiáng)大的競爭力和先進(jìn)的技術(shù)特性，能夠全面滿足高功率密度、高開關(guān)頻率以及高可靠性電源應(yīng)用的需求。該系列產(chǎn)品矩陣涵蓋 650?V、 750?V、 1200?V 和 1400
2025-10-21 10:12:15390 
在前面的內(nèi)容中，我們了解了負(fù)載開關(guān)IC的基本定義、獨特優(yōu)點、實用功能及其操作，今天作為【負(fù)載開關(guān)IC】系列的最后一篇內(nèi)容，芝子將帶著大家了解一下負(fù)載開關(guān)IC數(shù)據(jù)表中相關(guān)術(shù)語和功率損耗計算方法。
2025-10-15 16:54:501406 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅
2025-10-11 15:32:03
37 傾佳電子商用電磁加熱技術(shù)革命：基本半導(dǎo)體34mm SiC MOSFET模塊加速取代傳統(tǒng)IGBT模塊 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子
2025-10-11 10:56:371137 
傾佳電子SiC廚房革命：B3M042140Z MOSFET取代RC-IGBT在電磁爐應(yīng)用中的技術(shù)與商業(yè)分析 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力
2025-10-11 10:55:212710 
TPS22991I是一款小型、低 RON、單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控壓擺率。該器件包含一個N溝道MOSFET，可在1.0V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持3A的最大連續(xù)電流。該開關(guān)由開和關(guān)輸入控制，能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-09-25 11:07:23601 
Texas Instruments TPS22992x負(fù)載開關(guān)是一款具有8.7m Ω功率MOSFET的單通道負(fù)載開關(guān)，設(shè)計用于在高達(dá)5.5V、6A的應(yīng)用中最大化功率密度?？膳渲蒙仙龝r間為電源排序提供了靈活性，并最大限度減少了高電容負(fù)載下的浪涌電流。
2025-09-24 15:07:33868 
觸點），可直接驅(qū)動繼電器或PLC輸入。 霍爾開關(guān) ：多為集電極開路（OC）或推挽輸出，需確認(rèn)負(fù)載電路是否匹配。 解決方案 ：若驅(qū)動高電壓/大電流負(fù)載，需外接繼電器或MOSFET；若與PLC連接，需確認(rèn)輸入電壓范圍（如24V DC）是否與霍爾開關(guān)
2025-09-23 10:57:40502 
在之前的課程里，我們已經(jīng)了解了負(fù)載開關(guān)IC的一些實用功能，這些知識為我們在實際設(shè)計中運用負(fù)載開關(guān)IC提供了思路。今天，芝子將帶著大家更進(jìn)一步，詳細(xì)探討負(fù)載開關(guān)IC的具體功能操作！
2025-09-19 17:57:583097 
Texas Instruments TPS22998單通道負(fù)載開關(guān)具有可配置上升時間，從而可更大限度地降低浪涌電流。該器件包含一個可在0.2V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運行的N溝道 MOSFET，并且支持10A的最大連續(xù)電流。
2025-09-16 14:46:44684 
Texas Instruments TPS7H2201-SP單通道負(fù)載開關(guān)具有可配置上升時間，可最大限度地降低反向電流和浪涌電流保護(hù)。該器件包含一個可在1.5V至7V輸入電壓范圍內(nèi)運行的P溝道
2025-09-15 10:59:57760 
Texas Instruments TPS22811EVM負(fù)載開關(guān)評估模塊 (EVM) 支持對TPS22811負(fù)載開關(guān)進(jìn)行參考電路評估。TPS22811器件是一款2.7V至16V、10A負(fù)載開關(guān)
2025-09-12 09:48:20681 
Texas Instruments TPS7H2221EVM負(fù)載開關(guān)評估模塊 (EVM) 演示了TPS7H2221-SEP負(fù)載開關(guān)的并聯(lián)運行。TPS7H2221-SEP是一款壓擺率可控的小型單通道
2025-09-11 10:33:27653 
Texas Instruments TPS22963/64負(fù)載開關(guān)是一款具有受控接通功能的小型超低R~ON~負(fù)載開關(guān)。該器件采用低R~DSON~ N溝道MOSFET，可以在1V至5.5V的輸入電壓
2025-09-10 11:06:20612 
新品CoolSiCMOSFET1200V分立器件TO247-4引腳IMZA封裝第二代CoolSiCMOSFETG21200V/53mΩ，TO247-4引腳IMZA封裝，確保安裝兼容性并可輕松替換現(xiàn)有
2025-09-08 17:06:34931 
Texas Instruments TPS22996雙通道負(fù)載開關(guān)是一款雙通道負(fù)載開關(guān)，具有受控接通功能。該器件包含兩個N溝道MOSFET，每通道支持最大4A的連續(xù)電流，可在0.6V至5.5V的輸入
2025-09-06 17:34:511162 
Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開關(guān)包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49637 
Texas Instruments TPS22995H-Q1汽車負(fù)載開關(guān)集成了19mΩ N溝道MOSFET，可在0.8V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)工作，最大連續(xù)電流為3A。TPS22995H-Q1由開
2025-09-02 11:15:52728 
PC5010是一款單通道、低邊 MOSFET 驅(qū)動器。能夠為容性負(fù)載提供大峰值電流，可在米勒平臺區(qū)域提供7A峰值電流，有助于降低MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的米勒效應(yīng)時間。PC5010具有分立的上下管驅(qū)動輸出，允許用戶靈活控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷延遲時間
2025-09-01 16:42:370 傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢和邏輯 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要
2025-09-01 09:50:372523 
產(chǎn)品描述:(替代NCP81074)PC5010是一款單通道、低邊 MOSFET 驅(qū)動器。能夠為容性負(fù)載提供大峰值電流，可在米勒平臺區(qū)域提供7A峰值電流，有助于降低MOSFET開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的米勒效應(yīng)
2025-08-30 17:31:31
Texas Instruments TPS22997負(fù)載開關(guān)是一款單通道開關(guān)，可提供可配置的上升時間來盡量減小浪涌電流。該負(fù)載開關(guān)可在0.1V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運行，具有10A 的最大持續(xù)電流
2025-08-28 15:29:32951 
一款高性能、高性價比的單通道低邊門極驅(qū)動器——SiLM27512EM-DG，專為高效驅(qū)動MOSFET和IGBT等功率開關(guān)而設(shè)計，特別適合對開關(guān)速度和驅(qū)動能力有要求的應(yīng)用場景，是替代傳統(tǒng)分立NPN
2025-08-19 08:18:42
革新電源設(shè)計：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET，賦能高效高密度電源系統(tǒng) ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務(wù)器及通信電源升級 引言：功率器件的代際革命 在
2025-08-15 09:52:38609 
儲能電池包 BMS的主開關(guān)，是充放電回路的 “安全守門人”，直接關(guān)系到電池系統(tǒng)的運行安全與壽命。寬電壓波動、大快充電流、感性負(fù)載尖峰等等挑戰(zhàn)，對MOSFET 的耐壓、電流承載、雪崩能量提出了極高
2025-08-12 16:52:041523 Texas Instruments TPS2295x-Q1單通道負(fù)載開關(guān)具有受控導(dǎo)通功能。該器件包含一個N溝道MOSFET，可支持最大5A的連續(xù)電流，并在0.7V至5.7V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。
2025-08-12 09:45:59603 
Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)是一款單通道負(fù)載開關(guān)，旨在實現(xiàn)快速導(dǎo)通時間和較低的浪涌電流。該負(fù)載開關(guān)具有N溝道MOSFET，可在0.1V至V~BIAS~ -1V
2025-08-08 09:51:111000 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()具有反向阻斷功能的 3A 轉(zhuǎn)換速率控制負(fù)載開關(guān)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有具有反向阻斷功能的 3A 轉(zhuǎn)換速率控制負(fù)載開關(guān)的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，具有
2025-07-24 18:30:48
Texas Instruments TPS22991低R~ON~ 單通道負(fù)載開關(guān)具有受控的轉(zhuǎn)換速度。該器件支持3A最大連續(xù)電流，并包含一個可在1.0V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)工作的N溝道MOSFET。該開關(guān)由可連接低壓控制信號的開/關(guān)輸入控制。
2025-07-17 10:57:40652 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素開關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通（開）和關(guān)斷（關(guān)）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時間（tr）、下降時間（tf）和開關(guān)時間（ts）來描述。開關(guān)速度越快，MOSFET
2025-07-01 14:12:12660 
英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業(yè)界領(lǐng)先的抗寄生導(dǎo)通能力和成熟的柵極氧化層技術(shù)，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關(guān)拓?fù)渲袑崿F(xiàn)卓越性能。
2025-06-20 14:44:26970 氧化物半導(dǎo)體 FET)主要被用于線性或開關(guān)電源應(yīng)用。
他們?yōu)槭裁匆l(fā)明功率MOSFET？
當(dāng)把雙極型三極管按照比例提高到功率應(yīng)用的時候，它顯露出一些惱人的局限性。確實，你仍然可以在洗衣機(jī)、空調(diào)機(jī)
2025-06-03 15:39:43
TPS206x 配電開關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。該器件集成了 70mΩ N 溝道 MOSFET 功率開關(guān)，適用于需要在單個封裝中集成多個功率開關(guān)的配電系統(tǒng)。每個開關(guān)都由一個邏輯使能輸入
2025-05-27 14:54:57639 
DC-DC開關(guān)電源電路特性：· 輸入和輸出電壓感應(yīng)提供欠壓和過壓保護(hù)，變壓器初級電流感應(yīng)提供過載和短路保護(hù)?！?全橋MOSFET驅(qū)動器用于驅(qū)動主全橋MOSFET，半橋MOSFET驅(qū)動器用于實現(xiàn)同步
2025-05-23 15:09:58
功率器件與拓?fù)鋬?yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關(guān)損耗高，限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）器件可顯著降低損耗：
SiC MOSFET導(dǎo)通電阻低（僅為硅
2025-05-21 14:38:45
摩托羅拉車載對講，開關(guān)電源模塊保險絲燒壞，在更換保險絲和MOS管后輸出電壓正常，連接對講臺負(fù)載后斷電，檢查PFC芯片的電流反饋電阻阻值沒有問題，所有的濾波電容也沒有問題，不知從何下手了
2025-05-14 16:54:02
TPS22941/2/3/4/5 負(fù)載開關(guān)為系統(tǒng)和負(fù)載提供保護(hù) 大電流條件。這些器件包含一個 0.4 Ω 限流 P 溝道 MOSFET，該 MOSFET 可以 在 1.62 V 至 5.5 V
2025-05-14 10:28:44453 
TPS22960 是一款具有受控導(dǎo)通功能的小型低 rON 雙通道負(fù)載開關(guān)。這些器件包含兩個 P 溝道 MOSFET，可在 1.62V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。每個開關(guān)都由開/關(guān)輸入
2025-05-14 09:43:07546 
TPS22946 是一款超低功耗負(fù)載開關(guān)，可為系統(tǒng)和 大電流條件下的負(fù)載。該器件包含一個 300mΩ 限流 P 溝道 MOSFET 可在 1.62 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開關(guān)由
2025-05-14 09:20:01636 
TPS22941/2/3/4/5 負(fù)載開關(guān)為系統(tǒng)和負(fù)載提供保護(hù) 大電流條件。這些器件包含一個 0.4 Ω 限流 P 溝道 MOSFET，該 MOSFET 可以 在 1.62 V 至 5.5 V
2025-05-13 18:00:08654 
TPS22903 和 TPS22904 超小，低 r~上~單通道 帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET，可在 輸入電壓范圍為 1.1 V 至 3.6 V。開關(guān)由開和關(guān)輸入
2025-05-13 16:11:461043 
TPS22934 是一個小的低導(dǎo)通電阻 （r ~上~ ） 帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個 P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。
該開關(guān)由具有
2025-05-13 15:26:43589 
TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 至 3.6 V。集成電荷泵對 NMOS 開關(guān)
2025-05-13 14:18:56578 
TPS22920x 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開關(guān) 具有受控導(dǎo)通功能，以減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可以 在 0.75 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，開關(guān)電流高達(dá)
2025-05-13 13:45:41490 
TPS22929D是一個小型的、低的r~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET，可在 1.4 V 至 5.5 伏。該開關(guān)由開/關(guān)輸入 （ON） 控制，該輸入能夠
2025-05-13 10:25:30599 
TPS22908 是一個小而低的 R~上~帶受控轉(zhuǎn)數(shù)的負(fù)載開關(guān) 上。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET，可在 1 V 至 3.6 的輸入電壓范圍內(nèi)工作 V.該開關(guān)由開/關(guān)輸入 （ON） 控制，該輸入能夠直接與 低壓控制信號。
2025-05-13 09:51:35590 
TPS22965x 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，可提供可配置的上升時間 最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個可在輸入上工作的 N 溝道 MOSFET 電壓范圍為 0.8 V 至 5.7 V，可支持 6
2025-05-13 09:34:41719 
TPS22930 是一個小而低的 R~上~帶受控開啟的負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET，可在 1.4 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開關(guān)由開/關(guān)輸入 （ON） 控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。TPS22930 為 active high enable。
2025-05-12 17:55:35620 
TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開關(guān) 受控打開。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，開關(guān)電流高達(dá) 3
2025-05-12 15:58:13547 
TPS22963/64 是一款小型、超低的 R~上~負(fù)載開關(guān) 受控打開。該設(shè)備包含低 R~DSON 系列~N 溝道 MOSFET 可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，開關(guān)電流高達(dá) 3
2025-05-12 15:38:06621 
TPS22969 是一個小的、超低的 R ~上~ 、單通道負(fù)載 開關(guān)與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V，可支持 6 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-12 14:19:03797 
TPS22962 是一個小型、超低的 R ~上~ 、單通道負(fù)載 開關(guān)與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V，支持最大 10 A 的連續(xù)電流。
2025-05-12 13:53:51706 
TPS22959 是一個小的、超低的 R ~上~ 、單通道負(fù)載 開關(guān)與受控打開。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V，支持最大 15 A 的連續(xù)電流。
2025-05-12 13:49:10544 
TPS22914/15 是一個小而低的 R ~上~ ，具有受控轉(zhuǎn)換速率的單通道負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 1.05 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 2 A 的最大連續(xù)電流。該開關(guān)由開和關(guān)輸入控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-12 11:32:27567 
TPS22914/15 是一個小而低的 R ~上~ ，具有受控轉(zhuǎn)換速率的單通道負(fù)載開關(guān)。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 1.05 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 2 A 的最大連續(xù)電流。該開關(guān)由開和關(guān)輸入控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-12 10:33:02905 
一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持
10 A 的最大連續(xù)電流。寬輸入電壓范圍和高電流能力使這些器件可用于多種設(shè)計和終端設(shè)備。3.9mΩ 導(dǎo)通電阻可最大限度地減少負(fù)載開關(guān)兩端的壓降和負(fù)載開關(guān)的功率損耗。
2025-05-10 10:42:12753 
TPS22971 是一款節(jié)省空間的單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控和可調(diào)的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率以及集成的電源良好指示器。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.65 V 至 3.6 V 的低輸入電壓范圍內(nèi)
2025-05-10 09:40:59577 
TPS22970 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開關(guān)，具有受控導(dǎo)通功能，可減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.65 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，脈沖開關(guān)電流高達(dá)
2025-05-10 09:34:50594 
TPS22919 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 1.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 1.5 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-09 14:37:11744 
TPS22998 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，可提供可配置的上升時間，以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.2 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 10 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-08 14:25:49704 
TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān)，集成了N-channel MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
2025-05-07 17:52:38664 
TPS22991 是一款小型、低 RON 、單通道負(fù)載開關(guān)，具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 1.0V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持 3A 的最大連續(xù)電流。該開關(guān)由開和關(guān)輸入控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-06 17:19:44865 
0? 引言SiC-MOSFET 開關(guān)模塊（簡稱“SiC 模塊”）由于其高開關(guān)速度、高耐壓、低損耗的特點特別適合于高頻、大功率的應(yīng)用場合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 開關(guān)速度更快
2025-04-23 11:25:54
為什么adc芯片不寫輸入時鐘范圍，實際使用中應(yīng)該怎么給？什么時候與處理器同源？
2025-04-15 06:10:05
做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前英飛凌的新一代IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321135 DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷
2025-03-08 10:27:46
就可以減少由于漏極與源極之間的電容導(dǎo)致的開關(guān)損益。這就是所謂的ZVS .4） 當(dāng)輸出負(fù)載減少或者輸入電壓增大的時候， MOSFET 的Ton會減少并且開關(guān)頻率增加。這就會導(dǎo)致嚴(yán)重的開關(guān)損失以及間歇性開關(guān)和噪音問題。 相關(guān)圖形請參看以下：
2025-03-07 15:25:45
碳化硅（SiC）MOSFET全面取代超結(jié)（SJ）MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然性 性能優(yōu)勢顯著 高頻高效 ：SiC
2025-03-02 11:57:01899 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
DLPC6401什么時候可以只用Nand Flash或者EEPROM單獨對DLP進(jìn)行配置？
2025-02-28 07:47:59
V0*Np/Ns開始共振。當(dāng)Vds達(dá)到最小值時，準(zhǔn)諧振開關(guān)開啟MOSFET。這樣就可以減少由于漏極與源極之間的電容導(dǎo)致的開關(guān)損益。這就是所謂的ZVS .4） 當(dāng)輸出負(fù)載減少或者輸入電壓增大的時候
2025-02-26 16:40:48
本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
負(fù)載供電》，將討論使用高側(cè)開關(guān)控制器解決驅(qū)動容性負(fù)載挑戰(zhàn)的各種方法。 ? 引言 車輛架構(gòu)從域向區(qū)域的轉(zhuǎn)變顯著改變了汽車的配電方式，基于半導(dǎo)體開關(guān)的解決方案（請參閱圖 1）正在取代傳統(tǒng)的熔斷型保險絲用于線束保護(hù)。這些解決方案具有諸多優(yōu)
2025-02-22 13:46:211678 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPS4001負(fù)載開關(guān)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-11 14:21:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPS4069負(fù)載開關(guān)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-11 14:18:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPS4053負(fù)載開關(guān)宣傳冊.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:59:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NEVB-NPS1000負(fù)載開關(guān)評估板.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:38:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NPS1000負(fù)載開關(guān)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-08 14:24:410
當(dāng)CLKSEL置1時，如何采集數(shù)據(jù)？意思是怎么知道什么時候是最高位？什么時候是最低位？
2025-02-06 06:51:18
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042
請問一下大家：
1、ADS1115的Config Register 在什么時候配置比較好，因為我需要采集雙通道AD
2、寫入的時候是不是要先寫ADDR，然后Pointer Reg指向Config
2025-01-10 10:30:38
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工商網(wǎng)監(jiān)
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