順絡(luò)功率電感的直流電阻(DCR)對電源效率的影響主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面 : 一、DCR與功率損耗的量化關(guān)系 功率損耗計(jì)算公式為?P=I2?RDCR?,其中?I?為電流,RDCR??為直流電阻。在1A
2025-12-25 16:37:58
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RS系列精密電流電阻器/直流電流分流器:設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南 作為電子工程師,在設(shè)計(jì)電路時(shí),選擇合適的電流電阻器和分流器至關(guān)重要。今天我們就來詳細(xì)探討一下RS系列精密電流電阻器/直流電流分流器,了解其特性
2025-12-23 11:00:03
163 的6ED2231S12T,一款具備集成自舉二極管和過流保護(hù)(OCP)功能的1200V三相柵極驅(qū)動器。 文件下載: 6ED2231S12T.pdf 產(chǎn)品概述 6ED2231S12T采用英飛凌的薄膜SOI
2025-12-20 14:25:02
657 浪涌抑制電路,其核心任務(wù)是“抑制瞬時(shí)沖擊,而后盡可能不影響正常通路”。
目前業(yè)界主流方案有二:
1.固定電阻+繼電器方案:采用水泥電阻作為限流元件。
2.智能電阻+繼電器方案:采用PTC熱敏電阻作為限流
2025-12-17 08:44:51
(1)Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí),柵極使用的電壓;
(2)Vth具有負(fù)溫度系數(shù),選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。
(3)不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同,需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動
2025-12-16 06:02:32
我們需要一個(gè)用電容自舉來實(shí)現(xiàn)的升壓電路,電路額定電流0.85A,有高手請聯(lián)系我
2025-12-08 16:14:46
。
主流芯片選型與關(guān)鍵參數(shù)
芯片型號
類型
耐壓/供電
輸出能力
核心特性
適用場景
IR2130(英飛凌)
三相柵極驅(qū)動器
母線≤600V;VCC 10–20V
源0.25A/灌0.5A
自舉浮動通道
2025-12-08 03:54:37
是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度,降低其導(dǎo)通和截止過程中的產(chǎn)生損耗,柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好,最好為0。
但我們卻經(jīng)常會看到關(guān)于MOSFET的電路中,柵極前串聯(lián)著一
2025-12-02 06:00:31
貼片電阻的阻抗(即交流電路中的綜合阻抗,包含電阻、電感與電容的復(fù)合效應(yīng))受多種因素影響,這些因素可分為材料特性、幾何結(jié)構(gòu)、封裝設(shè)計(jì)、環(huán)境條件及制造工藝五大類。以下是具體分析: 一、材料特性:阻抗
2025-11-27 15:46:26
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Vishay/Techno TRC厚膜電阻器/電容器網(wǎng)絡(luò)采用厚膜電阻器和用于線路端子的NP0或X7R電容器。電阻器特性包括0.20W額定功率、±150ppm/°C溫度系數(shù)、10Ω至1M電阻范圍以及
2025-11-13 10:08:31
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薄膜電阻與陶瓷電容在性能上各有優(yōu)勢,薄膜電阻以高精度、低溫漂、低噪聲見長,適用于精密測量與高頻電路;陶瓷電容則以高頻特性、微型化與高可靠性為核心優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于電源管理與射頻電路。以下是對兩者的詳細(xì)
2025-11-04 16:33:30
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功率和大功率應(yīng)用,例如工業(yè)應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動器逆變器。該器件通過專用柵極電阻器實(shí)現(xiàn)獨(dú)立優(yōu)化的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2025-10-25 09:48:34
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4x5mm QFN封裝,具有獨(dú)立的大電流灌/拉柵極驅(qū)動引腳、集成LDO、欠壓、自舉二極管、智能關(guān)斷過流保護(hù)、過熱、故障和關(guān)斷引腳以及待機(jī)等特性。
2025-10-17 11:18:22
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DRV8701是一款單H橋柵極驅(qū)動器,使用四個(gè)外部N溝道MOSFET 旨在驅(qū)動 12V 至 24V 雙向有刷直流電機(jī)。
PH/EN (DRV8701E) 或 PWM (DRV8701P) 接口
2025-10-17 10:36:33
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STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動器。高側(cè)驅(qū)動器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)600V的電壓軌,并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30
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DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。該
2025-10-14 15:30:54
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DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動器,每個(gè)驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓,而 GVDD 驅(qū)動低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20
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DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45
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瞬態(tài)過壓支持,支持大功率電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。采用高效的自舉架構(gòu),最大限度地減少柵極驅(qū)動器的功率損耗和自熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持 100% PWM 占空比控制。
2025-10-13 15:57:16
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DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。GVDD用于為低側(cè)MOSFET生成柵極驅(qū)動電壓。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá)750mA的峰值源電流和1.5A的灌電流。
2025-10-13 15:53:14
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90V MOSFET 瞬態(tài)過壓支持。采用高效的自舉架構(gòu),最大限度地減少柵極驅(qū)動器的功率損耗和自熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持 100% PWM 占空比控制。
2025-10-13 15:35:23
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DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動器。這些器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動器,每個(gè)驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓,并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07
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該DRV8334是一款用于三相BLDC應(yīng)用的集成智能柵極驅(qū)動器。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動器,每個(gè)驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。該DRV8334使用集成自舉二極管和GVDD
2025-10-12 17:05:45
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使用自舉電路增強(qiáng)高側(cè)MOSFET。包括一個(gè)涓流電荷泵,以支持 100% 占空比。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 1A 源極和 2A 灌電流的峰值柵極驅(qū)動電流。DRV8329-Q1 可以使用單個(gè)電源供電,并支持 4.5 至 60V 的寬輸入電源范圍。
2025-10-11 15:45:46
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DRV816x 器件是半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。柵極驅(qū)動電壓由GVDD電源引腳產(chǎn)生,集成自舉電路用于驅(qū)動高壓側(cè)FET,漏極高達(dá)102V。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá)
2025-10-11 14:46:30
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DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓
2025-10-11 14:38:25
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。DRV3233-Q1 使用集成自舉二極管和 GVDD 電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持可配置的峰值柵極驅(qū)動電流,從 0.8mA 到 1A 源極和 2A 灌電流。DRV3233-Q1 可以
2025-10-11 13:53:05
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DRV816x 器件是半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET。柵極驅(qū)動電壓由GVDD電源引腳產(chǎn)生,集成自舉電路用于驅(qū)動高壓側(cè)FET,漏極高達(dá)102V。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá)
2025-10-11 11:22:38
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。DRV8363-Q1使用外部12V電源和用于高端MOSFET的集成自舉二極管產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持可配置的峰值柵極驅(qū)動電流,從 16mA 到 1A 源極和 2A 灌電流。DRV8363-Q1 可以
2025-10-11 09:40:32
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Texas Instruments DRV8770 100V有刷直流柵極驅(qū)動器搭載有兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動器,每個(gè)都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成的自舉二極管和外部電容器為高側(cè)MOSFET
2025-09-28 09:53:04
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。
二、關(guān)鍵功能優(yōu)勢
簡化設(shè)計(jì):外圍電路僅需電感、電容、反饋電阻及可選限流電阻,集成使能控制功能,通過電平信號實(shí)現(xiàn)芯片啟停,精簡元器件并降低成本。
動態(tài)性能:采用自舉供電設(shè)計(jì),優(yōu)化動態(tài)負(fù)載波動應(yīng)對能力
2025-09-27 11:16:06
PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動電路中,MOSFET作為功率開關(guān)器件,其柵極與源極之間存在等效電容(Ciss=Cgd+Cgs),柵極電阻(Rg)的主要作用包括:1.
2025-09-27 10:17:54
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使用內(nèi)部電荷泵生成正確的柵極驅(qū)動電壓,并通過自舉電路增強(qiáng)高側(cè)MOSFET。包括涓流電荷泵,支持100%占空比。該柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá)1A拉電流和2A灌電流的峰值柵極驅(qū)動電流。DRV8328采用單電源供電,支持4.5V至60V寬輸入電源電壓范圍。
2025-09-22 13:58:18
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Texas Instruments DRV8300U三相柵極驅(qū)動器設(shè)有三個(gè)半橋柵極驅(qū)動器,電壓為100V,每個(gè)均可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自舉二極管和外部
2025-09-11 14:17:23
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峰值灌電流的柵極驅(qū)動電流,以及90V MOSFET瞬態(tài)過壓支持來支持大功率電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。高效自舉架構(gòu)可最大限度地降低功率損耗和柵極驅(qū)動器的自發(fā)熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持100% PWM占空比控制。
2025-09-11 13:56:55
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自舉操作的二極管,無需外部二極管。該器件包括一個(gè)電流分流放大器(用于低側(cè)電流測量)、80mA LDO、死區(qū)時(shí)間控制引腳、VDS過流電平引腳以及柵極驅(qū)動器關(guān)閉引腳。該評估模塊包括開關(guān)、電位器和電阻器,用于評估DRV8329器件的型號A (6x PWM) 和型號B (3x PWM) 的這些設(shè)置和可配置性。
2025-09-11 09:20:29
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正確的柵極驅(qū)動電壓,并使用自舉電路增強(qiáng)高側(cè)MOSFET。此外,還包括一個(gè)涓流電荷泵,具有100%占空比。
2025-09-08 10:38:54
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16V超級電容充電需兼顧恒流、恒壓與參數(shù)匹配,注重限流、均衡與溫度補(bǔ)償,提升性能與壽命。
2025-09-02 09:26:00
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側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵生成正確的柵極驅(qū)動電壓,并通過自舉電路增強(qiáng)高側(cè)MOSFET。包括涓流電荷泵,支持100%占空比。該柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá)1A拉電流和2A灌電流的峰值柵極驅(qū)動電流。MCT8329A采用單電源供電,支持4.5V至60V寬輸入電源電壓范圍。
2025-08-28 10:55:18
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會將信號放大并輸出到整流器中。整流器將信號轉(zhuǎn)換為直流電壓,并通過濾波器進(jìn)行濾波,以消除噪聲和雜波。最終,輸出的直流電壓用于為整個(gè)電路提供電源。
三、自舉式供電電路芯片的應(yīng)用
自舉式供電電路芯片
2025-08-25 11:13:14
Texas Instruments LM2105半橋柵極驅(qū)動器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成的自舉二極管無需使用外部分立式二極管,從而節(jié)省電路板空間并降低系統(tǒng)成本。
2025-08-21 09:35:57
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太誘貼片電容的漏電流與絕緣電阻呈 反比關(guān)系 ,即絕緣電阻越大,漏電流越小;絕緣電阻越小,漏電流越嚴(yán)重,甚至可能引發(fā)擊穿。以下是對這一關(guān)系的詳細(xì)解釋: 漏電流與絕緣電阻的定義 漏電流 :指通過電容器介
2025-08-12 14:48:13
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Texas Instrument LM2005半橋柵極驅(qū)動器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。集成自舉二極管無需外部分立二極管,從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-08-08 14:36:11
1001 
MOSFET。DRV8334使用集成自舉二極管和GVDD電荷泵生成合適的柵極驅(qū)動電壓。此智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持從0.7mA至高達(dá)1A(拉電流)和2A(灌電流)的可配置峰值柵極驅(qū)動電流。DRV8334可以采用單
2025-08-04 15:46:54
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中性點(diǎn)接地電阻柜是柴油發(fā)電機(jī)組關(guān)鍵配套設(shè)備,通過限流電阻將接地故障電流限制在5–1000A安全區(qū)間,抑制暫態(tài)過電壓,保護(hù)定子繞組與電纜;內(nèi)置真空接觸器實(shí)現(xiàn)“誰運(yùn)行誰接地”,多臺機(jī)組互鎖防環(huán)流;選配
2025-07-25 10:24:13
1019 在交流電路中使用的 “阻抗 ”和 “直流電阻 ”有什么區(qū)別?
2025-07-21 14:35:33
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電子元器件主題:電阻元件\電感元件\電容元件由于電子元器件的制造技術(shù)發(fā)展很快,品種規(guī)格也極為繁多,我們無法一一詳述。本課時(shí)只是介紹一些常用的電阻、電容和電感元件的主要特點(diǎn)、性能、參數(shù)指標(biāo)和型號命名
2025-07-17 15:37:12
10 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()低電阻、低電容、塑料封裝 PIN 二極管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有低電阻、低電容、塑料封裝 PIN 二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,低電阻、低電容
2025-07-16 18:34:23

本文介紹了2.7V法拉電容的充電方法和注意事項(xiàng)。充電前需確認(rèn)電容參數(shù)和選擇限流方式,充電過程中需監(jiān)控并控制電壓,多電容并聯(lián)充電需并聯(lián)均壓電阻以避免電壓不平衡。充電時(shí)應(yīng)嚴(yán)格控制電壓不超過2.7V,避免過壓。
2025-07-04 09:28:00
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電容器和電阻器是電子電路中兩種基礎(chǔ)且重要的元件,它們在功能、工作原理和應(yīng)用場景上有顯著區(qū)別。以下是詳細(xì)對比: 一、電容器(Capacitor) 1. 定義與結(jié)構(gòu) 電容器是一種能夠存儲電荷的元件,由
2025-07-03 09:47:01
3373 構(gòu)造上,又分為固定電容器和可變電容器.電容器對直流電阻力無窮大,即電容器具有隔直流作用.電容器對交流電的阻力受交流電頻率影響,即相同容量的電容器對不同頻率的交流電呈現(xiàn)不同的容抗.為開么會出現(xiàn)這些現(xiàn)象呢
2025-06-27 15:14:27
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性,提出R=√(L/(C·k))公式作為起點(diǎn),但實(shí)際設(shè)計(jì)中還需考慮驅(qū)動芯片的輸出阻抗。
2025-06-27 09:13:00
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頻率)
0.6A灌電流能力 :在100nF負(fù)載下實(shí)現(xiàn)<100ns下降時(shí)間(對比同類0.3A器件提速2倍)
對比分立方案的工程優(yōu)勢
設(shè)計(jì)痛點(diǎn)
KP85302解決方案
優(yōu)勢
自舉二極管選型困難
集成
2025-06-25 08:34:07
在電學(xué)領(lǐng)域中,直流電阻與交流電阻是描述導(dǎo)體對電流阻礙作用的兩個(gè)核心概念。盡管兩者均以歐姆為單位,但其物理本質(zhì)、測量方法及應(yīng)用場景存在顯著差異。本文將從定義、影響因素、測量技術(shù)及工程應(yīng)用四個(gè)維度展開
2025-06-16 11:35:03
1780 國巨NR系列電感的直流電阻對電源效率有直接影響,直流電阻的增加會導(dǎo)致電源效率降低,具體分析如下: 直流電阻增加導(dǎo)致熱損耗增大 根據(jù)焦耳定律(P=I2R),當(dāng)電流通過電感時(shí),電感的直流電阻會產(chǎn)生熱損耗
2025-06-03 15:24:30
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介.紙介,電解電容器等.在構(gòu)造上,又分為固定電容器和可變電容器.電容器對直流電阻力無窮大,即電容器具有隔直流作用.電容器對交流電的阻力受交流電頻率影響,即相同容量的電容器對不同頻率的交流電呈現(xiàn)
2025-05-26 15:52:47
信號電平,單個(gè)外部電阻器可設(shè)置開關(guān)轉(zhuǎn)換 死區(qū)時(shí)間通過緊密匹配的導(dǎo)通延遲電路。提供高壓二極管進(jìn)行充電 高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器。強(qiáng)大的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)在高 速度,同時(shí)功耗低,并提供干凈的輸出轉(zhuǎn)換。欠壓鎖定 當(dāng)?shù)蛡?cè)或自舉的高側(cè)電源電壓 低于運(yùn)行閾值。LM5105 采用熱增強(qiáng)型 WSON 塑料 包。
2025-05-21 17:31:17
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(LM5100) 或 TTL 輸入閾值 (LM5101) 獨(dú)立控制。提供了一個(gè)集成的高壓二極管,用于為高壓側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。穩(wěn)健的電平轉(zhuǎn)換器以高速運(yùn)行,同時(shí)功耗低,并提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動器
2025-05-21 17:04:58
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通過編程電阻器獨(dú)立延遲。提供了一個(gè)集成的高壓二極管,用于為高壓側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。穩(wěn)健的電平轉(zhuǎn)換器以高速運(yùn)行,同時(shí)功耗低,并提供從控制邏輯到高端柵極驅(qū)動器的干凈電平轉(zhuǎn)換。低側(cè)和高側(cè)電源軌均提供欠壓鎖定功能。該器件采用標(biāo)準(zhǔn) VSSOP 10 引腳和 WSON 10 引腳封裝。
2025-05-21 16:59:12
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的每次變化都以自適應(yīng)方式進(jìn)行控制,以防止擊穿 問題。除了自適應(yīng)過渡時(shí)序之外,還可以添加額外的延遲時(shí)間, 與外部設(shè)置電阻器成比例。提供集成高壓二極管 對高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換器高速
2025-05-21 16:47:51
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Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下,并確保在高 dV/dt 相節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換時(shí)沒有擊穿電流。由內(nèi)部二極管充電的自舉電容器允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
2025-05-21 09:58:00
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和 4A 灌電流驅(qū)動功能。較低柵極驅(qū)動器的 0.4-Ω 阻抗將功率 MOSFET 的柵極保持在其閾值以下,并確保在高 dV/dt 相節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換時(shí)沒有擊穿電流。自舉電容器由內(nèi)部二極管充電,允許在半橋配置中使用 N 溝道 MOSFET。
2025-05-20 15:21:29
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由 TTL 輸入閾值獨(dú)立控制。集成的高壓二極管是 用于為高側(cè)柵極驅(qū)動自舉電容器充電。堅(jiān)固的電平轉(zhuǎn)換器在 高速,低功耗,并提供來自控制邏輯的干凈電平轉(zhuǎn)換 到高端柵極驅(qū)動器。低側(cè)和 高側(cè)電源軌。
2025-05-20 14:05:04
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LM2105 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管,從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-05-16 13:37:52
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LM2005 是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。集成的自舉二極管無需外部分立二極管,從而節(jié)省了電路板空間并降低了系統(tǒng)成本。
2025-05-16 10:44:09
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各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié),如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng),容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效,因此發(fā)這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論,也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。
MOSFET柵極電路
2025-05-06 17:13:58
在晶體的振蕩電路中一般會設(shè)計(jì)兩個(gè)電阻,一個(gè)是跨接在晶振兩端,叫做反饋電阻Rf;一個(gè)接在IC的輸出端,叫做限流電阻RD;同晶體相連旁接的電容稱之為負(fù)載匹配電容,通過調(diào)整容值的大小可以改變振蕩電路的頻率,而這些波形頻率測試就可以觀察的到。
2025-04-22 16:50:08
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當(dāng)你拆開一臺手機(jī)或電腦的主板,密密麻麻的貼片元件中,會發(fā)現(xiàn)一個(gè)有趣的現(xiàn)象:芝麻大小的貼片電阻上印著數(shù)字或字母,而同樣體積的貼片陶瓷電容卻“光禿禿”一片。為什么兩者在標(biāo)識上差異如此明顯?這背后不僅是
2025-04-22 11:29:03
1、濾波電容
濾波電容接在直流電壓的正負(fù)極之間,以濾除直流電源中不需要的交流成分,使直流電平滑,通常采用大容量的電解電容,也可以在電路中同時(shí)并接其它類型的小容量電容以濾除高頻交流電。
2、退
2025-04-22 11:12:16
電容的作用是什么?先來了解一下基本概念:
自舉電容其核心的作用就是通過
電容充放電過程,把低側(cè)電壓與電源疊加形成更高的驅(qū)動電壓,主要用于控制高側(cè)功率器件(比如MOS管)的
柵極,使之順利導(dǎo)通??赡軐τ谝恍?/div>
2025-04-22 10:57:20
器件,避免產(chǎn)生不良的寄生電容和電感,導(dǎo)致過大噪聲、過沖、響鈴振蕩和接地反彈。
圖1. 典型開關(guān)調(diào)節(jié)器(顯示交流和直流電流路徑)
諸如DH、DL、BST和SW之類的開關(guān)電流路徑離開控制器后需妥善安排
2025-04-22 09:46:39
TFT& LCD是采用薄膜晶體管技術(shù)的液晶觸摸顯示器,它本身并不決定是電阻屏還是電容屏。電阻屏和電容屏指的是不同的觸摸技術(shù),電容屏在現(xiàn)代設(shè)備中更為常見。
2025-04-14 13:35:22
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10nH左右,取決于需要接地的頻率。采用電容濾波設(shè)計(jì)需要考慮參數(shù): ESR、ESL、耐壓值、諧振頻率。橋式整流電路的濾波電容取值在工程設(shè)計(jì)中,一般由兩個(gè)切入點(diǎn)來計(jì)算:一是根據(jù)電容由整流電源充電與對負(fù)載電阻
2025-04-07 15:40:39
構(gòu)造上,又分為固定電容器和可變電容器.電容器對直流電阻力無窮大,即電容器具有隔直流作用.電容器對交流電的阻力受交流電頻率影響,即相同容量的電容器對不同頻率的交流電呈現(xiàn)不同的容抗.為開么會出現(xiàn)這些現(xiàn)象呢
2025-04-01 13:55:30
分裂電抗器 分裂電抗器是限流電抗器的一種,又稱雙臂限流電抗器。它與普通的限流電抗器一樣,是一個(gè)空心或無或無導(dǎo)磁材料的感抗線圈。在配電系統(tǒng)中安裝此種電抗器,可以限制該系統(tǒng)回路發(fā)生故障時(shí)的短路電流,從而降低斷路器的開
2025-03-26 09:19:37
1412 圖說明:①、考慮PCB板尺寸沒有要求,可能需要手工焊接,電阻選用常用0603封裝的;②、R23與R24為反饋電阻,選用精度為1%的;③、電阻功耗都比較小,沒有選擇更大封裝的尺寸。 二、電容1、選型依據(jù)容
2025-03-22 15:14:09
芯片簡介
SS6200 是一款經(jīng)過優(yōu)化的單相 MOSFET 柵極驅(qū)動器,可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)功率MOSFET的柵極。
集成的自舉二極管減少了外部元件數(shù)量。具有較寬的工作電壓范圍,可以優(yōu)化高側(cè)或低側(cè)
2025-03-17 16:10:59
加濕器作為日常生活中常見的家用電器,廣泛應(yīng)用于家庭、辦公室和商業(yè)場所,以調(diào)節(jié)室內(nèi)濕度,提供舒適的空氣環(huán)境。隨著智能化技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)代加濕器往往采用電子控制系統(tǒng),而這些系統(tǒng)的核心在于主板上的電容和電阻
2025-03-13 09:47:45
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電腦主板是計(jì)算機(jī)的重要組成部分,它連接著CPU、內(nèi)存、顯卡等所有關(guān)鍵硬件,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),主板上需要配備許多電子元件,其中電容和電阻是基礎(chǔ)而又關(guān)鍵的元件。電容和電阻不僅
2025-03-13 09:35:16
1890 電阻 電抗 阻抗 電導(dǎo) 電納 導(dǎo)納之間的關(guān)系 電阻——?dú)W姆定律定義的參數(shù):電壓與電流之比,單位歐姆
電抗——交流電流通過電感或者電容壓降時(shí),電壓與電流之比,虛數(shù)表示,單位歐姆
阻抗——電阻與電抗
2025-03-12 14:24:01
接通瞬間,輸入電壓經(jīng)整流橋(D1~D4)和限流電阻R1對電容器C充電,限制浪涌電流。
當(dāng)電容器C充電到約80%額定電壓時(shí),逆變器正常工作。經(jīng)主變壓器輔助繞組產(chǎn)生晶閘管的觸發(fā)信號,使晶閘管導(dǎo)通并短路限流電阻
2025-03-10 17:11:29
有關(guān)二極管選取一般從一下幾點(diǎn)著手一、根據(jù)二極管應(yīng)用的開關(guān)速度來選取不同類型的二極管二、根據(jù)輸出的電流來選取二極管的電流范圍三、通過計(jì)算來確定二極管的反向電壓,來選取二極管電壓四、根據(jù)損耗來選取二極管
2025-03-04 14:02:49
0 隨著新能源汽車技術(shù)的不斷成熟,電源管理系統(tǒng)作為保障整車性能和安全的重要模塊,其設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)越來越受到關(guān)注。在這一系統(tǒng)中,電容和電阻作為兩種基本但關(guān)鍵的電子元件,扮演著至關(guān)重要的角色。本文將詳細(xì)解析電容
2025-03-03 14:54:03
1223 電容刷新電荷所需時(shí)間的限制,二是當(dāng)開關(guān)器件的源極接負(fù)電壓時(shí),會發(fā)生嚴(yán)重的問題。本文分析了最流行的自舉電路解決方案;包括寄生參數(shù),自舉電阻和電容對浮動電源充電的影響。
2. 高速柵極驅(qū)動電路
2.1
2025-03-03 11:52:44
詳細(xì)探討了運(yùn)放反相放大電路與積分電路中反饋電阻和電容的作用。在反相放大電路中,電容主要用于穩(wěn)定電路,減少高頻干擾,而電阻是主要的放大元件。在積分電路中,電容起主導(dǎo)作用,電阻則提供直流反饋路徑,防止因失調(diào)電壓導(dǎo)致的飽和狀態(tài)。通過仿真和理論分析,闡述了電阻電容如何影響電路性能和穩(wěn)定性。
2025-03-01 14:55:16
6093 
如上圖所示,安規(guī) Y 電容在我們的隔離電源的應(yīng)用。 隔離電源在初次級上加 Y 電容是為了給次級的共模電流提供一 個(gè)回路到初級,減少共模電流對輸出的影響。有時(shí)候 Y 電容串接 在大電解電容的正和或者是
2025-02-27 15:13:46
4 Y電容的應(yīng)用與選取(可下載)完整技術(shù)文章,點(diǎn)擊鏈接可下載:Y電容的應(yīng)用與選取.docx.pdf上傳完成如上圖所示,安規(guī) Y 電容在我們的隔離電源的應(yīng)用。隔離電源在初次級上加 Y 電容是為了給次級的共
2025-02-26 17:33:57
1 當(dāng)你拆開一臺手機(jī)或電腦的主板,密密麻麻的貼片元件中,會發(fā)現(xiàn)一個(gè)有趣的現(xiàn)象:芝麻大小的貼片電阻上印著數(shù)字或字母,而同樣體積的貼片陶瓷電容卻“光禿禿”一片。為什么兩者在標(biāo)識上差異如此明顯?這背后不僅是
2025-02-19 13:48:18
3047 4.3英寸工業(yè)工控智能串口屏電阻電容觸摸
2025-02-18 14:55:39
856 
目錄
1
阻抗的基本概念
2
阻抗的計(jì)算
3
阻抗和電路元素
4
高級的阻抗概念
阻抗是表示交流電路中電流流動難易程度的重要值。具有以復(fù)數(shù)形式表示的特殊性質(zhì),會受到電阻、電感、電容等因素的多重
2025-02-14 16:44:49
用于 GaN 功率開關(guān)的高壓和高速半橋柵極驅(qū)動器產(chǎn)品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強(qiáng)型 GaN 的新型高壓半橋柵極驅(qū)動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:16
0 直流電阻測試儀的原理是通過施加一定電壓,測量電路中的電流,從而計(jì)算出電路中的電阻值。
即歐姆定律,即電流通過電阻時(shí),電阻與電流之間的關(guān)系為R=V/I,其中R為電阻值,V為電壓,I為電流。
那
2025-02-06 15:44:23
DAC0832的典型接法幾點(diǎn)正確性的懷疑:
1.Iout2直接接地。電路輸出端子直接接地違背常理,那樣會燒壞片子。
2.LM336就這樣簡單的接下可以產(chǎn)生2.5v參考,不現(xiàn)實(shí)。需要接電源和限流電阻
2025-02-05 09:21:06
在電子電路中,電阻器和電容器是兩種非常重要的被動元件。它們在電路設(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用,但它們的工作原理和應(yīng)用場景卻有很大的不同。 電阻器 電阻器是一種限制電流流動的元件,其基本功能是將電能轉(zhuǎn)化為熱能
2025-02-05 09:19:29
2203 最大開關(guān)頻率是柵極驅(qū)動芯片的重要性能指標(biāo),其表現(xiàn)會受到驅(qū)動芯片的封裝、負(fù)載條件、散熱等多方面因素的制約。此外,如果半橋驅(qū)動集成了自舉二極管,功耗的計(jì)算方式也會有所不同。本應(yīng)用手冊以NSD1026V為例,詳細(xì)說明了柵極驅(qū)動芯片在不同條件下最大開關(guān)頻率的估算方法及相關(guān)注意事項(xiàng)。
2025-01-24 09:12:23
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村田貼片電阻電容的報(bào)價(jià)因產(chǎn)品型號、規(guī)格、采購數(shù)量以及供應(yīng)商的不同而有所差異。以下是根據(jù)當(dāng)前市場情況,對村田貼片電阻電容報(bào)價(jià)的一個(gè)大致概述: 一、報(bào)價(jià)范圍 村田貼片電阻電容的報(bào)價(jià)范圍廣泛,從幾分錢到
2025-01-20 16:16:53
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*附件:直流電壓下電容的充放電.pdf
2025-01-17 11:25:33
該ADC0804中, 6腳處需不需要接一個(gè)限流電阻呢? 是接好, 還是不接好呢? 請大家指教, 多謝!
2025-01-16 08:12:51
? 一、引言 直流電阻箱,能夠調(diào)節(jié)產(chǎn)生寬范圍的精密電阻值,既可用以檢定各等級電阻計(jì)量器具,又能在電路調(diào)試中應(yīng)用為可變電阻,廣泛應(yīng)用于計(jì)量校準(zhǔn)、生產(chǎn)測試、教學(xué)實(shí)驗(yàn)等至關(guān)重要的測量測試場合。在長期
2025-01-09 09:39:22
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已全部加載完成
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