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什么是源極型和漏極型?

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2025-11-10 16:12:40305

選型手冊:MOT4025G 互補增強 MOSFET

、電氣參數(shù)、應(yīng)用場景等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:互補增強MOSFET(N溝道+P溝道)耐壓規(guī)格:耐壓(\(V_{DS}\))均為40V導通電阻
2025-11-04 16:33:13496

MOT3910J 雙 N 溝道增強 MOSFET 技術(shù)解析

均有要求的場景,在小型化布局中實現(xiàn)雙路功率控制。二、核心參數(shù)與技術(shù)價值電壓電流特性:電壓(VDS)最大30V,柵電壓(VGS)最大20V;連續(xù)電流(ID
2025-10-24 11:14:37282

中科微電ZK60G270GN溝道增強功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)

產(chǎn)品概述極低的導通電阻 RDS (ON)低反向轉(zhuǎn)移電容(Crss)100% 雪崩測試驗證提升的電壓變化率(dv/dt)承受能力產(chǎn)品參數(shù)表參數(shù)數(shù)值單位擊穿電壓(V_DSS)60V(伏特)柵
2025-10-22 17:55:440

ZK30N100T N溝道增強功率MOSFET技術(shù)手冊

、設(shè)計與應(yīng)用提供全面技術(shù)支撐。擊穿電壓(VDSS) ? ? 30V典型柵極閾值電壓(V GS(th)_Typ) ? ? ?1.5V柵電壓 10V 時電流(ID)????90A柵電壓 10V 時典型導通電阻(RDS(
2025-10-16 16:23:010

中科微電mos管ZK30N100G 30V 90A

、設(shè)計與應(yīng)用提供全面技術(shù)支撐。電壓 30V柵電壓 ±20V連續(xù)電流 90A連續(xù)電流 55A脈沖電流 360A單脈沖雪崩能量 90mJ功耗 90W結(jié)到殼
2025-10-15 17:54:450

肖特基二管怎么用+原理

肖特基二管與普通硅二管(PN結(jié)二管)最核心的結(jié)構(gòu)差異,就在于它沒有P+外延層(或P半導體層),取而代之的是金屬-半導體結(jié)(肖特基結(jié))。 圖表1 肖特基二管的結(jié)構(gòu)差異 1.更低的正向壓降
2025-09-22 16:40:132424

電機的數(shù)什么意思?2,4,6,8的區(qū)別是什么?

前兩天有一個客戶問我,電機的數(shù)是什么意思,不同數(shù)的區(qū)別是什么,雖然我是做無刷驅(qū)動方案的,但是這方面我也可以給大家科普一下。首先,電機的數(shù)指的是電機中磁極或繞組的數(shù)目。常見的電機數(shù)有2、4
2025-08-22 18:07:138783

HC13N10調(diào)光方案應(yīng)用NMOS

NMOS 管,即 N 金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制半導體器件。其核心結(jié)構(gòu)由(S)、(D)、柵極(G)及 N 溝道組成。當柵極電壓高于閾值時,溝道導通,電子從
2025-07-24 16:25:56

POE交換機方案MOS管HC13N10

NMOS 管,即 N 金屬 - 氧化物 - 半導體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制半導體器件。其核心結(jié)構(gòu)由(S)、(D)、柵極(G)及 N 溝道組成。當柵極電壓高于閾值時,溝道導通,電子
2025-07-23 17:27:58

鎖存霍爾IC的定義和典型應(yīng)用實例

霍爾IC是一種能夠進行高/低電平數(shù)字信號輸出的傳感器,交替檢測S和N磁場的霍爾IC被稱為鎖存霍爾IC。
2025-07-10 14:23:471555

浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文結(jié)構(gòu)

本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計方面的進展,重點關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用,以及開爾文連接結(jié)構(gòu)對高頻應(yīng)用效率的優(yōu)化效果。同時分析了
2025-07-08 10:28:25553

CYW20704 的 UART 4 針(TX/RX/CTS/RTS)是什么形式(推拉或開路)嗎?

你知道 CYW20704 的 UART 4 針(TX/RX/CTS/RTS)是什么形式(推拉或開路)嗎?
2025-07-04 07:34:55

mos管的和柵極短接

當MOS管的與柵極意外短接時,可能導致電路失控,產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問題。因此,必須嚴格遵守MOS管的操作規(guī)范,避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936

天合光能至尊N御組件斬獲RETC“全面最佳表現(xiàn)獎”

近日,VDE集團旗下權(quán)威第三方測試機構(gòu)RETC(Renewable Energy Test Center)發(fā)布2025年度光伏組件指數(shù)報告(PVMI),天合光能至尊N御組件憑借高可靠性、卓越
2025-06-18 10:36:401205

動CDK-R-400電動修磨機技術(shù)說明書

廣州動CDK-R-400電動修磨機技術(shù)說明書
2025-06-11 17:22:260

高性能隔離驅(qū)動器 BTD5350x:開啟高效功率控制新維度

高性能隔離驅(qū)動器 BTD5350x:開啟高效功率控制新維度 在新能源與電力電子領(lǐng)域快速發(fā)展的今天,功率器件的高效驅(qū)動與可靠隔離成為系統(tǒng)設(shè)計的核心挑戰(zhàn)?;景雽w推出的BTD5350x 單通道
2025-06-10 09:00:57628

如何為電路選型?MDDNPN與PNP三管的應(yīng)用區(qū)別與選用要點

在電子電路設(shè)計中,三管是一種應(yīng)用極其廣泛的基礎(chǔ)器件。根據(jù)結(jié)構(gòu)和極性,MDD三管主要分為NPN和PNP兩類。雖然它們的功能本質(zhì)相同——控制電流放大或開關(guān)——但在實際電路中,NPN與PNP三
2025-06-09 13:56:45

擴展結(jié)構(gòu)概述

擴展結(jié)構(gòu)(Source/Drain Extension,SDE)在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE(擴展結(jié)構(gòu))引入了一個淺的擴展區(qū),以連接溝道和區(qū)域。結(jié)深的微縮
2025-05-27 12:01:13969

MAX7321 I2C端口擴展器,具有8路開路I/O技術(shù)手冊

MAX7321 2線串行接口外設(shè)具有8個開路I/O口,可選擇內(nèi)部上拉和瞬態(tài)檢測功能。每個端口均可以配置成邏輯輸入和開路輸出端口。端口具有+6V過壓保護,與電源電壓無關(guān)。 器件連續(xù)監(jiān)視
2025-05-23 11:41:16783

CCG5的VBUS_C_CTRL引腳預(yù)計是開路輸出,但在這種情況下,電流有多大?

CCG5 的 VBUS_C_CTRL 引腳預(yù)計是開路輸出,但在這種情況下,電流有多大?
2025-05-22 07:06:23

結(jié)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析

結(jié)場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)是在同一塊 N半導體上制作兩個高摻雜的P區(qū),并將它們連接在一起,所引出的電極稱為柵極(G),N半導體兩端分別引出兩個電極,分別稱為(D)和(S),如圖 1.11所示。
2025-05-14 17:19:202621

管放大電路的三種基本組態(tài)的學習課件免費下載

  本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是雙管放大電路的三種基本組態(tài)的學習課件免費下載包括了:共集電極放大電路,共基極放大電路,三種基本組態(tài)的比較   輸入信號ui 和輸出信號uo 的公共端是集電極。   又稱為射極輸出器或電壓跟隨器,   可以接有集電極電阻。
2025-04-11 16:39:2427

智能微斷(智慧空開)C和D如何選型?

型號,其中C和D是家庭和工業(yè)領(lǐng)域最常見的兩種。市面上的空開和保有的標有C,有的標有D,這究竟有何區(qū)別和用途呢?感興趣的朋友不妨來看看吧! 一、定義與含義 ? ?C智慧空開: C代表電流(Current)保護,主要用于家庭電路及照明系統(tǒng)。它設(shè)計的瞬間脫扣電流
2025-04-11 13:27:336630

LT8619SS共N溝道增強功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8619SS共N溝道增強功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-25 18:22:240

HMC920LP5E有源偏置控制器,采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC920LP5E是一款有源偏置控制器,可生成調(diào)節(jié)電壓并主動調(diào)節(jié)外部放大器的柵極電壓,實現(xiàn)恒定偏置電流。 該器件可用來偏置任何工作在A類的增強和耗盡放大器,電壓(VDRAIN)范圍為3V至15V,電流(IDRAIN)最高500mA,提供完整的偏置解決方案。
2025-03-21 15:26:49828

高性能N溝道MOSFET是開關(guān)、放大和驅(qū)動領(lǐng)域的最優(yōu)選擇

N溝道MOSFET通過控制柵電壓來控制間電子通路的導通與截止。當柵電壓高于閾值電壓時,柵極下方會形成N導電溝道,電子在電場作用下流向,實現(xiàn)電流導通,且改變柵電壓可調(diào)節(jié)溝道寬窄和電流。
2025-03-14 14:09:541115

穩(wěn)壓二管和TVS管和快恢復(fù)二管介紹

。 ②穩(wěn)定電流IE ③動態(tài)電阻rZ ; ④最大耗散功率 PZM ⑤最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin ⑥溫度系數(shù)at,溫度越高,穩(wěn)壓誤差越大D.用途 ①對進行鉗位
2025-03-13 13:39:27

如何檢測三管的三個

可以用萬用表來初步確定三管的好壞及類型 (NPN 還是 PNP ),并辨別出e(發(fā)射)、b(基極)、c(集電極)三個電極。
2025-03-08 16:40:28

管種類及應(yīng)用

管、開關(guān)二管、快速恢復(fù)二管等;接構(gòu)類型來分,又可分為半導體結(jié)管,金屬半導體接觸二管等;按照封裝形式則可分為常規(guī)封裝二管、特殊封裝二管等。下面以用途為例,介紹不同種類二管的特性。
2025-03-08 16:39:09

LT8810SSY共N溝道增強功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8810SSY共N溝道增強功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 09:35:150

管反接有電壓嗎?二管在電子電路中有哪些應(yīng)用?

使用,但有些時候需要用到專用限幅二管,如保護儀表時。 (3)穩(wěn)壓電路在穩(wěn)壓電路中通常需要使用齊納二管,它是一種利用特殊工藝制造的面結(jié)硅把半導體二管,這種特殊二管雜質(zhì)濃度比較高,空間電荷區(qū)內(nèi)的電荷
2025-02-12 16:42:10

整流二管工作原理 整流二管選型指南

一、整流二管工作原理 整流二管是一種具有單向?qū)щ娦缘陌雽w器件,其核心在于PN結(jié)的特殊性質(zhì)。整流二管的工作原理主要基于PN結(jié)在外加電壓作用下的導電特性。 1. PN結(jié)的形成與特性 PN結(jié)是由P
2025-01-31 10:57:002895

FinFet Process Flow-是怎樣形成的

本文介紹了FinFet Process Flow-是怎樣形成的。 在FinFET制造工藝中,當完成偽柵極結(jié)構(gòu)后,接下來的關(guān)鍵步驟是形成(Source/Drain)。這一階段對于確保器件
2025-01-17 11:00:482772

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