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EV集團(tuán)推出用于擴(kuò)展“深度摩爾”和前端處理的新一代熔融晶圓鍵合技術(shù)

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2025-06-06 18:30:15

昆侖海岸推出新一代物聯(lián)網(wǎng)遠(yuǎn)程控制器系列產(chǎn)品

在工業(yè)4.0與數(shù)字經(jīng)濟(jì)深度融合的今天,北京昆侖海岸科技股份有限公司憑借三十余載技術(shù)積淀,推出新一代物聯(lián)網(wǎng)遠(yuǎn)程控制器系列產(chǎn)品,為計(jì)量領(lǐng)域智能化轉(zhuǎn)型注入強(qiáng)勁動(dòng)能。
2025-06-06 16:14:51831

什么是級扇出封裝技術(shù)

級扇出封裝(FO-WLP)通過環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)擴(kuò)展芯片有效面積,突破了扇入型封裝的I/O密度限制,但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級增長。
2025-06-05 16:25:572143

什么是貼膜

貼膜是指將片經(jīng)過減薄處理(Wafer)固定在層特殊的膠膜上,這層膜通常為藍(lán)色,業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的切割(劃片)工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591179

混合市場空間巨大,這些設(shè)備有機(jī)會(huì)迎來爆發(fā)

屬直接的先進(jìn)封裝技術(shù),其核心目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)芯片間高密度、低電阻的垂直互聯(lián)。 ? 在工藝過程中,需要經(jīng)過對準(zhǔn)和、后處理等幾個(gè)流程。在對表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)和清洗之后,通過光學(xué)或電子束對準(zhǔn)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)亞微米級(通常 ?
2025-06-03 09:02:182691

減薄工藝分為哪幾步

“減薄”,也叫 Back Grinding(BG),是將(Wafer)背面研磨至目標(biāo)厚度的工藝步驟。這個(gè)過程通常發(fā)生在芯片完成前端電路制造、被切割前(即仍然整體時(shí)),是連接芯片制造和封裝之間的橋梁。
2025-05-30 10:38:521656

wafer厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測量的設(shè)備

和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測,可減少其對芯片性能的影響。 WD4000幾何量測系統(tǒng)適用于、圖案、、貼膜、超薄等復(fù)雜結(jié)構(gòu)的量
2025-05-28 16:12:46

提高 TTV 質(zhì)量的方法

關(guān)鍵詞:;TTV 質(zhì)量;預(yù)處理;工藝;檢測機(jī)制 、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而,過程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致總厚度偏差(TTV
2025-05-26 09:24:36850

芯片晶堆疊過程中的邊緣缺陷修整

使用直接來垂直堆疊芯片,可以將信號延遲降到可忽略的水平,從而實(shí)現(xiàn)更小、更薄的封裝,同時(shí)有助于提高內(nèi)存/處理器的速度并降低功耗。目前,堆疊和芯片到混合的實(shí)施競爭異常激烈,這被
2025-05-22 11:24:181405

用于切割 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

摘要:本文針對切割過程中 TTV(總厚度偏差)控制難題,提出用于切割 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。詳細(xì)介紹該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作原理及其在控制 TTV 方面的技術(shù)優(yōu)勢,為提升切割質(zhì)量
2025-05-21 11:00:27407

降低 TTV 的磨片加工方法

;TTV;磨片加工;研磨;拋光 、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,的總厚度偏差(TTV)對芯片性能、良品率有著直接影響。高精度的 TTV 控制是實(shí)現(xiàn)高性能芯片制造的關(guān)鍵前提。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷向更高精度發(fā)展,傳統(tǒng)磨片加工方法在 TTV 控制上
2025-05-20 17:51:391024

RFID技術(shù)在半導(dǎo)體卡塞盒中的應(yīng)用方案

RFID技術(shù)在半導(dǎo)體卡塞盒中的應(yīng)用方案。 、產(chǎn)生背景 行業(yè)痛點(diǎn) 卡塞盒是用于運(yùn)輸、存儲(chǔ)與保護(hù),但其傳統(tǒng)的管理方式存在著以下痛點(diǎn): 信息滯后: 無法同步的批次、工藝信息等信息,流轉(zhuǎn)路徑跟蹤滯后,影響生產(chǎn)節(jié)奏。
2025-05-20 14:57:31627

減薄對后續(xù)劃切的影響

完成后,才會(huì)進(jìn)入封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行減薄處理。為什么要減薄封裝階段對進(jìn)行減薄主要基于多重考量。從劃片工藝角度,較厚硬度較高,在傳統(tǒng)機(jī)械切割時(shí)易出現(xiàn)劃片不均、
2025-05-16 16:58:441109

扇出型級封裝技術(shù)的工藝流程

常規(guī)IC封裝需經(jīng)過將與IC封裝基板焊接,再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過程。與之不同,WLP基于IC,借助PCB制造技術(shù),在上構(gòu)建類似IC封裝基板的結(jié)構(gòu),塑封后可直接安裝在普通PCB
2025-05-14 11:08:162420

簡單認(rèn)識(shí)減薄技術(shù)

在半導(dǎo)體制造流程中,前端工藝階段需保持定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形,并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格的原始厚度存在差異:4英寸厚度約為520微米,6
2025-05-09 13:55:511975

級封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢

片級封裝(WLP),也稱為級封裝,是種直接在上完成大部分或全部封裝測試程序,再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問世以來,已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù),深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362067

提供半導(dǎo)體工藝可靠性測試-WLR可靠性測試

隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。級可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝上施加加速應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21

引線鍵合替代技術(shù)有哪些

電氣性能制約隨著片外數(shù)據(jù)傳輸速率持續(xù)提升及節(jié)距不斷縮小,引線鍵合技術(shù)暴露出電感與串?dāng)_兩大核心問題。高頻信號傳輸時(shí),引線電感產(chǎn)生的感抗會(huì)阻礙信號快速通過,而相鄰引線間的串?dāng)_則造成信號干擾,這些問題嚴(yán)重限制了其在高速電子系統(tǒng)中的應(yīng)用場景。
2025-04-23 11:48:35867

倒裝芯片技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過程

本文介紹了倒裝芯片技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過程以及詳細(xì)工藝等。
2025-04-22 09:38:372466

混合技術(shù)將最早用于HBM4E

客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度?;旌?b class="flag-6" style="color: red">鍵就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM,還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩(音譯)表示,“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域,
2025-04-17 00:05:001060

科能源推出新一代藍(lán)鯨SunTera G3 6.25MWh電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

近日,ESIE2025第十三屆儲(chǔ)能國際峰會(huì)暨儲(chǔ)能展在北京盛大開幕。作為全球光儲(chǔ)體化領(lǐng)域的領(lǐng)軍者,科能源攜旗下光伏與儲(chǔ)能智慧能源解決方案亮相展會(huì)現(xiàn)場,并重磅推出新一代藍(lán)鯨SunTera G3
2025-04-11 15:21:191064

芯片封裝中的四種方式:技術(shù)演進(jìn)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

芯片封裝作為半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié),承擔(dān)著物理保護(hù)、電氣互連和散熱等關(guān)鍵功能。其中,技術(shù)作為連接裸芯片與外部材料的橋梁,直接影響芯片的性能與可靠性。當(dāng)前,芯片封裝領(lǐng)域存在引線鍵合、倒裝芯片、載帶
2025-04-11 14:02:252627

芯片封裝的四種技術(shù)

芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能,這其中的技術(shù)(Bonding)就是將芯片固定于基板上。
2025-04-10 10:15:382838

新一代光纖涂覆機(jī)

新一代光纖涂覆機(jī)系列:國產(chǎn)! 2025年,濰坊華纖光電科技將推出五大類全光纖涂覆機(jī),標(biāo)志著國產(chǎn)光纖涂覆機(jī)技術(shù)邁入水平。以下是該系列產(chǎn)品的詳細(xì)介紹: 五大類光纖涂覆機(jī) 單套模組光纖涂覆機(jī) 特點(diǎn):可替代
2025-04-03 09:13:01

打破海外壟斷,青禾元:引領(lǐng)半導(dǎo)體新紀(jì)元

全新的半導(dǎo)體技術(shù)賽道。 美國DARPA微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker曾指出,半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入由不同材料組合制造器件的時(shí)代,而技術(shù)正是實(shí)現(xiàn)這目標(biāo)的關(guān)鍵途徑。 作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體合集成技術(shù)企業(yè),青禾元在2025 SEM
2025-04-01 16:37:24669

面向臨時(shí)/解TBDB的ERS光子解技術(shù)

,半導(dǎo)體制造商傾向于采用厚度小于 100 μm的薄。然而,越薄就越容易破損,為此,行業(yè)開發(fā)了各種臨時(shí)和解 (TBDB) 技術(shù),利用專用膠將器件臨時(shí)固定在剛性載板上,以提升制造過程的穩(wěn)定性和良率。 現(xiàn)有解方法的局限
2025-03-28 20:13:59790

芯片封裝技術(shù)工藝流程以及優(yōu)缺點(diǎn)介紹

芯片封裝是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),承擔(dān)著為芯片提供物理保護(hù)、電氣互連和散熱的功能,這其中的技術(shù)就是將裸芯片與外部材料連接起來的方法。可以通俗的理解為接合,對應(yīng)的英語表達(dá)是Bonding,音譯
2025-03-22 09:45:315448

EV集團(tuán)推出面向300毫米的下一代GEMINI?全自動(dòng)生產(chǎn)系統(tǒng),推動(dòng)MEMS制造升級

方案提供服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者EV集團(tuán)(EV Group,簡稱EVG)今日發(fā)布下一代GEMINI?自動(dòng)化系統(tǒng),專為300毫米(12英寸)量產(chǎn)設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)的核心升級為全新開發(fā)的高精度強(qiáng)力模塊,在滿足全球
2025-03-20 09:07:58889

文詳解清洗技術(shù)

本文介紹了清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
2025-03-18 16:43:051684

全球首臺(tái)雙模式設(shè)備問世,中國半導(dǎo)體封裝再破"卡脖子"難題

領(lǐng)域。 ? 官方介紹,該產(chǎn)品采用體化設(shè)備架構(gòu),將C2W和W2W兩種技術(shù)路線從“非此即彼”變?yōu)椤皡f(xié)同進(jìn)化”。SAB 82CWW系列具備以下特點(diǎn):雙模工藝集成;兼容8寸和12寸;超強(qiáng)芯片處理能力;兼容不同的對準(zhǔn)方式、創(chuàng)新的方式,實(shí)現(xiàn)高良率;高精度、高效率;智能化偏移補(bǔ)償
2025-03-14 00:13:003254

金絲的主要過程和關(guān)鍵參數(shù)

金絲主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下,熱壓所需溫度在300℃以上,而在引入超聲作用后,熱超聲鍵合所需溫度可降至200℃以下。如此
2025-03-12 15:28:383656

青禾元發(fā)布全球首臺(tái)獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合設(shè)備

2025年3月11日,香港——中國半導(dǎo)體合集成技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)青禾元半導(dǎo)體科技(集團(tuán))有限責(zé)任公司(簡稱“青禾元”)宣布,正式推出全球首臺(tái)C2WW2W雙模式混合設(shè)備SAB8210CWW上
2025-03-12 13:43:561036

全球首臺(tái),獨(dú)立研發(fā)!新一代C2W&W2W混合設(shè)備即將震撼發(fā)布!

由青禾集團(tuán)獨(dú)立研發(fā)的全球首臺(tái)C2W&W2W雙模式混合設(shè)備——SAB 82CWW系列即將重磅登場!這是場顛覆傳統(tǒng)的技術(shù)革命,次“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”的雙重進(jìn)化! ? 隨著半導(dǎo)體
2025-03-06 14:42:58509

文詳解共技術(shù)

技術(shù)主要分為直接和帶有中間層的。直接如硅硅,陽極條件高,如高溫、高壓等。而帶有中間層的,所需的溫度更低,壓力也更小。帶金屬的中間層技術(shù)主要包括共、焊料、熱壓和反應(yīng)等。本文主要對共進(jìn)行介紹。
2025-03-04 17:10:522627

什么是金屬共

金屬共是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過低溫相變而實(shí)現(xiàn)的,后的金屬化合物熔點(diǎn)高于溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:411921

銅線IMC生長分析

銅引線鍵合由于在價(jià)格、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等方面的優(yōu)勢有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic compounds, IMC) 的過量生長將增大接觸電阻和降低強(qiáng)度, 從而影響器件的性能和可靠性。
2025-03-01 15:00:092398

閃存沖擊400層+,混合技術(shù)傳來消息

將兩片已經(jīng)加工完畢的直接合在起。這項(xiàng)技術(shù)通過直接將兩片晶貼合,省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接,從而縮短了電氣路徑,提高了性能和散熱能力,同時(shí)優(yōu)化了生產(chǎn)效率,是目前混合中最常用的技術(shù)。 ? 據(jù)ZDNet報(bào)道,三星之前在NAND生產(chǎn)中使用COP(外圍
2025-02-27 01:56:001037

意法半導(dǎo)體推出新一代專有硅光技術(shù)

意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出新一代專有硅光技術(shù),為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來性能更高的光互連解決方案。隨著AI計(jì)算需求的指數(shù)級增長,計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體
2025-02-20 17:17:511419

混合中的銅連接:或成摩爾定律救星

混合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸,芯片制造商正在爭奪每納米的空間。但在未來5年里,項(xiàng)涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項(xiàng)技術(shù)被稱為“混合”,可以
2025-02-09 09:21:431230

種新型RDL PoP扇出級封裝工藝芯片到技術(shù)

可以應(yīng)用于多種封裝平臺(tái),包括PoP、系統(tǒng)級封裝(SiP)和芯片尺寸封裝( CSP)。這些優(yōu)勢來源于種稱為再分布層(Redistribution Layer, RDL)的先進(jìn)互連技術(shù)。
2025-01-22 14:57:524507

芯片制造的關(guān)鍵步:技術(shù)全攻略

在芯片制造領(lǐng)域,技術(shù)項(xiàng)至關(guān)重要的工藝,它直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性以及生產(chǎn)成本。本文將深入探討芯片制造技術(shù)中的技術(shù),包括其基本概念、分類、工藝流程、應(yīng)用實(shí)例以及未來發(fā)展趨勢。
2025-01-11 16:51:564228

全自動(dòng)清洗機(jī)是如何工作的

都說清洗機(jī)是用于清洗的,既然說是全自動(dòng)的。我們更加好奇的點(diǎn)定是如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)清洗呢?效果怎么樣呢?好多疑問。我們先來給大家介紹這個(gè)根本問題,就是全自動(dòng)清洗機(jī)的工作是如何實(shí)現(xiàn)
2025-01-10 10:09:191113

的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要,其中對 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于測量過程中,而的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10639

Garmin佳明和高通推出新一代數(shù)字座艙解決方案

Garmin佳明和高通技術(shù)公司在2025年國際消費(fèi)電子展(CES 2025)上宣布,雙方將擴(kuò)展在汽車技術(shù)領(lǐng)域的合作,推出新一代數(shù)字座艙解決方案Garmin Unified Cabin 2025,可基于單個(gè)Garmin控制模組提供可擴(kuò)展的域控制器功能。
2025-01-07 10:38:571274

什么是引線鍵合(WireBonding)

(WireBonding)線種使用細(xì)金屬線,利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊,實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下,引線和基板間會(huì)發(fā)
2025-01-06 12:24:101964

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