2025 年12月16日，國(guó)產(chǎn) FPGA 自主創(chuàng)新引領(lǐng)者智多晶正式發(fā)布Seal 5000系列新品 ——SA5T-200 FPGA 芯片。作為深耕 FPGA 領(lǐng)域十余年的實(shí)力企業(yè)，智多晶此次推出的重磅
2025-12-24 17:37:21
795 提升。 該太陽(yáng)能電池效率新紀(jì)錄的實(shí)現(xiàn)得益于超薄氧化硅隧道層與摻雜多晶硅鈍化接觸技術(shù)的應(yīng)用。公司表示，新型鈍化材料與金屬化工藝升級(jí)為此次太陽(yáng)能電池效率新紀(jì)錄提供了技術(shù)支持。 今年1月，晶科能源的鈣鈦礦-硅串聯(lián)太陽(yáng)能電池效率曾達(dá)到33.84%。公司預(yù)計(jì)
2025-12-22 17:24:35404 12月15日，北汽集團(tuán)旗下極狐阿爾法S（L3版）正式獲批工業(yè)和信息化部自動(dòng)駕駛車型產(chǎn)品準(zhǔn)入許可，即將在北京市限定區(qū)域內(nèi)開展L3級(jí)有條件自動(dòng)駕駛上路通行試點(diǎn)。這標(biāo)志著我國(guó)自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展逐步走向量產(chǎn)應(yīng)用階段，也是北汽集團(tuán)在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域從技術(shù)驗(yàn)證階段邁向量產(chǎn)應(yīng)用階段的重要里程碑。
2025-12-18 15:00:09424 國(guó)產(chǎn) FPGA 崛起正當(dāng)時(shí)；當(dāng)國(guó)外壟斷占據(jù)93%市場(chǎng)份額，當(dāng)國(guó)產(chǎn)替代成為產(chǎn)業(yè)必答題，一場(chǎng)打破 “卡脖” 困境的技術(shù)盛會(huì)即將重磅來襲！ 2025 年 12 月 16 日，國(guó)產(chǎn) FPGA 領(lǐng)軍企業(yè)智多晶
2025-12-15 14:44:2137264 為了幫助出口企業(yè)快速理解全球電池準(zhǔn)入體系，從北美UL，到歐洲CE，再到亞洲的PSE、BIS，安可捷推出《電池國(guó)際出口通關(guān)指南》系列文章，將從法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)、認(rèn)證、風(fēng)險(xiǎn)、測(cè)試與未來趨勢(shì)六大維度，構(gòu)建一個(gè)
2025-11-28 10:10:52302 
一、澳洲市場(chǎng)準(zhǔn)入：三大合規(guī)支柱出口澳大利亞電氣電子類產(chǎn)品，需滿足以下三大合規(guī)要求：要求內(nèi)容是否強(qiáng)制1.安全認(rèn)證（SAA）符合AS/NZS安全標(biāo)準(zhǔn)，由認(rèn)可機(jī)構(gòu)測(cè)試認(rèn)證強(qiáng)制2.電磁兼容（EMC）不干
2025-11-24 09:26:50425 
12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長(zhǎng)與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20326 智多晶EDA工具HqFpga（簡(jiǎn)稱HQ），是自主研發(fā)的一款系統(tǒng)級(jí)的設(shè)計(jì)套件，集成了Hqui主界面、工程界面、以及內(nèi)嵌的HqInsight調(diào)試工具、IP Creator IP生成工具、布局圖、熱力
2025-11-08 10:15:313423 
在商業(yè)航天時(shí)代，如何讓衛(wèi)星、火箭等航天器在嚴(yán)酷的太空環(huán)境中穩(wěn)定工作，同時(shí)有效控制成本，是整個(gè)行業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)。近日，智多晶的SA5Z-50 FPGA器件傳來好消息，其成功通過了一項(xiàng)關(guān)鍵的“單粒子效應(yīng)”測(cè)試，為解決這一挑戰(zhàn)提供了新的選擇。
2025-11-02 16:49:101976 1.晶圓制備（WaferPreparation）核心目標(biāo)：從高純度多晶硅出發(fā)，通過提純、單晶生長(zhǎng)和精密加工獲得高度平整的圓形硅片（晶圓）。具體包括直拉法或區(qū)熔法拉制單晶錠，切片后進(jìn)行研磨、拋光處理
2025-10-28 11:47:59740 
（RED）》為聯(lián)網(wǎng)車輛的安全準(zhǔn)入設(shè)置了更高門檻；與此同時(shí)，中國(guó)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)GB 44495與GB 44496的實(shí)施在即，也成為所有希望進(jìn)入這一全球最大汽車市場(chǎng)的玩家必須跨越的合規(guī)關(guān)卡。 在技術(shù)前沿，軟件定義汽車（SDV）與人工智能的深度融合
2025-10-27 17:23:36488 
口）協(xié)議，正是保障這一傳輸過程高效、穩(wěn)定的關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。今天，我們就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司的 CPRI 協(xié)議演示方案，看看這項(xiàng)技術(shù)如何為無(wú)線通信賦能。
2025-10-22 09:13:23742 
微測(cè)輻射熱計(jì)（Microbolometer）是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器，通過探測(cè)物體輻射的紅外線實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料（如氧化釩、多晶硅）的電阻隨溫度變化的特性，將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56791 
隨著新能源汽車充電設(shè)施的快速普及，各國(guó)政府紛紛出臺(tái)嚴(yán)格的安全規(guī)范，明確要求充電樁必須配備可靠的剩余電流檢測(cè)與保護(hù)功能，以確保公共安全并防范火災(zāi)風(fēng)險(xiǎn)。這一法規(guī)性要求，已成為充電樁產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的基本準(zhǔn)入條件。
2025-10-18 09:52:18943 
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
在全球數(shù)字化與互聯(lián)化的浪潮下，網(wǎng)絡(luò)安全不再僅僅是技術(shù)議題，而已成為影響企業(yè)全球化戰(zhàn)略布局的關(guān)鍵因素。隨著各國(guó)法規(guī)體系的相繼落地，網(wǎng)絡(luò)安全逐漸演變?yōu)楫a(chǎn)品全球準(zhǔn)入與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的“新門檻”。為幫助企業(yè)把握
2025-09-22 15:48:39583 天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個(gè)9）以上，且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí)，就能形成單晶硅；若晶面取向不同，則會(huì)形成多晶硅（Polysilicon）。
2025-09-17 16:13:57987 
# 突破雙門檻！卓爾凡UL認(rèn)證變壓器破解墨西哥市場(chǎng)準(zhǔn)入難題 ? ? z卓爾凡變壓器廠家方小姐139-2926-3356 ? > 墨西哥工業(yè)電網(wǎng)的480V電壓與中國(guó)設(shè)備的380V需求之間存在巨大鴻溝
2025-09-16 10:31:27682 
第二十六屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)（CIOE）在深圳圓滿落幕，匯聚全球光電產(chǎn)業(yè)精英。西安智多晶微電子有限公司積極融入這一行業(yè)盛會(huì)，與業(yè)界同仁共話發(fā)展新機(jī)遇。
2025-09-15 10:10:15645 大家好呀！今天我們來聊聊一個(gè)非常實(shí)用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制，MIPI都是非常常見的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它，你的視頻項(xiàng)目開發(fā)效率將大大提升！
2025-09-11 09:37:25897 近日，在深圳（福田）會(huì)展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國(guó)際電子展，吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂，共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與未來技術(shù)走向。在這場(chǎng)科技盛宴中，智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力，成為展會(huì)焦點(diǎn)，吸引了眾多專業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25973 隨著全球網(wǎng)絡(luò)安全監(jiān)管政策不斷趨嚴(yán)，尤其是歐盟無(wú)線電設(shè)備指令（RED）的網(wǎng)絡(luò)安全要求已于2025年8月1日正式強(qiáng)制實(shí)施，網(wǎng)絡(luò)安全已經(jīng)成為全球產(chǎn)品市場(chǎng)準(zhǔn)入的關(guān)鍵門檻之一。如何在復(fù)雜多變的國(guó)際法規(guī)環(huán)境中實(shí)現(xiàn)合規(guī)和突破，是出海企業(yè)共同關(guān)心的核心議題。
2025-08-28 15:50:00541 能力和7A的漏極電流承受能力，采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，提供可靠的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V，適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06
極耐壓能力和7A的漏極電流能力，適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53
耐壓能力和5A的漏極電流能力。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較高的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為1000mΩ @ VGS=10V），為要求高電
2025-08-27 11:49:57
和11A的漏極電流能力，專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21
的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）技術(shù)制造，具有穩(wěn)定的性能和較高的開關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
2025-08-27 10:44:37
工程師朋友們注意啦！今天要給大家安利一項(xiàng)FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR（LVDS Local Clock Receiving）技術(shù)，使用本地PLL產(chǎn)生高速時(shí)鐘，通過相位跟蹤，對(duì)接收的LVDS信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤，實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
2025-08-25 09:17:21658 
為了滿足用戶對(duì)SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級(jí)，本次升級(jí)相比1.0版本主要帶來了以下的變化。
2025-08-16 15:32:401115 
在圖像與視頻處理領(lǐng)域，靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案，基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件，通過
2025-08-07 13:57:535648 
有機(jī)硅三防漆是以有機(jī)硅聚合物為核心基礎(chǔ)材料，輔以填料、交聯(lián)劑、催化劑及溶劑配制而成的特種防護(hù)涂層。其設(shè)計(jì)目標(biāo)明確：為印刷電路板及其他電子元器件提供抵御濕氣、鹽霧、霉菌、灰塵、化學(xué)腐蝕及極端溫度等環(huán)境
2025-07-24 16:04:34697 
率下降。為此，研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種基于激光反射率的光學(xué)傳感器，能夠在真空環(huán)境下實(shí)時(shí)測(cè)量氧化膜（SiO?）、氮化膜（Si?N?）和多晶硅（p-Si）的厚度。FlexF
2025-07-22 09:54:561644 
要了解可控硅光耦，首先我們需要認(rèn)識(shí)可控硅器件?？煽?b class="flag-6" style="color: red">硅(SiliconControlledRectifier)簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在
2025-07-15 10:12:52963 
TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能，成為n型硅電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴(kuò)散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案：PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝，正面：PECVD沉積
2025-07-14 09:03:211133 
在CES?Asia?2025同期舉辦的“大模型前沿與應(yīng)用落地”論壇上，降低大模型應(yīng)用成本與門檻的議題引發(fā)了熱烈討論。當(dāng)前，盡管大模型展現(xiàn)出強(qiáng)大的潛力，在多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了創(chuàng)新性應(yīng)用，但過高的應(yīng)用成本與技術(shù)
2025-07-11 09:33:06347 在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly-Si） 。這種由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性，成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112964 
雙面TOPCon電池（DS-TOPCon）雖具有高開路電壓（>728mV），但前表面全區(qū)域多晶硅poly-Si層導(dǎo)致嚴(yán)重光寄生吸收——200nm厚度即可損失>1mA/cm2電流。傳統(tǒng)方案
2025-07-07 11:00:121977 的市場(chǎng)準(zhǔn)入壁壘——其中，UL認(rèn)證是北美市場(chǎng)公認(rèn)的“安全通行證”。UL認(rèn)證：北美儲(chǔ)能市場(chǎng)的“準(zhǔn)入硬通貨”北美市場(chǎng)對(duì)電氣設(shè)備安全要求極其嚴(yán)格。作為全球權(quán)威的安全認(rèn)證機(jī)構(gòu)，UL
2025-07-04 11:32:021274 
在國(guó)產(chǎn) FPGA 加速突破、邁向高性能、高可靠的新階段，智多晶隆重推出新一代 SA5T-200 系列 FPGA 器件。該系列面向高算力、高清視頻、高速通信等關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景，集成豐富硬核資源、兼容主流
2025-07-02 09:13:082251 近日，“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)”在武漢成功舉辦。本次交流會(huì)以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題，智多晶專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在會(huì)上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項(xiàng)新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072533 在當(dāng)今數(shù)字化世界中，視頻數(shù)據(jù)的高速傳輸對(duì)于眾多電子設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景至關(guān)重要。智多晶微電子有限公司推出的 VBO_TX IP（基于 V-by-One HS Standard_Ver 1.4 版本協(xié)議技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)）為這一需求提供了一種高性能、低功耗的解決方案。
2025-07-01 09:46:03849 
TOPCon技術(shù)通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅（n?-poly-Si）層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸，理論效率可達(dá)28.7%。然而，poly-Si層厚度存在矛盾：過厚層（>100nm）增加寄生吸收損失，過薄層（
2025-06-27 09:02:152880 隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)作為當(dāng)前太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能，在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而，多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性，導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08940 隨著TOPCon太陽(yáng)能電池市占率突破50%，其雙面銀漿消耗量（12–15mg/W）導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點(diǎn)，通過材料配方革新與工藝優(yōu)化，解決鋁/多晶硅界面過度合金化問題。研究
2025-06-18 09:02:591144 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 日前，硅基流動(dòng)宣布完成數(shù)億元A輪融資，阿里云領(lǐng)投，創(chuàng)新工場(chǎng)等跟投。硅基流動(dòng)創(chuàng)始人袁進(jìn)輝稱，這輪融資將用于加大研發(fā)投入、擴(kuò)展海內(nèi)外市場(chǎng)。 ? 硅基流動(dòng)成立于2023年，定位
2025-06-17 00:07:004712 在FPGA設(shè)計(jì)中，PLL（鎖相環(huán)）模塊作為核心時(shí)鐘管理單元，通過靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能，為系統(tǒng)提供多路高精度時(shí)鐘信號(hào)。它不僅解決了時(shí)序同步問題，還能有效消除時(shí)鐘偏移，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng)，幫助工程師規(guī)避常見設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
2025-06-13 16:37:441354 
近日，西安高新區(qū)正式公示2025年第一批"硬科技創(chuàng)新人才"入選名單。西安智多晶微電子有限公司董事長(zhǎng)賈弘翊、副總經(jīng)理王黎明憑借在國(guó)產(chǎn)FPGA芯片領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化貢獻(xiàn)，雙雙榮登榜單。此次兩位人才同時(shí)入選，充分體現(xiàn)了智多晶在硬科技創(chuàng)新領(lǐng)域的深厚積累與領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2025-06-10 10:07:261930 在 AI 賦能工程設(shè)計(jì)的時(shí)代浪潮中，智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計(jì)工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型，并推出 FPGA 設(shè)計(jì)專屬 AI 助手——晶小助！這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手，為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗(yàn)。
2025-06-06 17:06:391283 西安智多晶微電子有限公司自主研發(fā)的 Seal 5000、Sealion 2000 系列 FPGA/CPLD 芯片經(jīng)過工業(yè)和信息化部電子第五研究所評(píng)估認(rèn)證，通過了自主可控等級(jí)評(píng)定。此次認(rèn)證的器件包括
2025-06-06 09:30:201347 源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電阻，并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外，它避免了
2025-05-28 17:30:042349 
圖1.多晶硅太陽(yáng)能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源，例如太陽(yáng)能，預(yù)計(jì)將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽(yáng)光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能，硅太陽(yáng)能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41601 
直拉硅單晶生長(zhǎng)的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶硅的過程，沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高，幾乎不會(huì)導(dǎo)電，沒有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值，因此通過人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入，我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253 
eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點(diǎn)，常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信，是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:561213 
源互補(bǔ)，能量永續(xù) 1.太陽(yáng)能板（光伏組件） 核心作用：將光能轉(zhuǎn)化為電能，是主要供能單元。 主流配置：材質(zhì)：多晶硅 / 單晶硅（轉(zhuǎn)換效率 18%-22%，單晶硅更高），表面覆蓋低鐵超白鋼化玻璃（透光率＞91.5%），抗沖擊強(qiáng)度達(dá) 24mm 冰雹
2025-04-28 09:57:281740 FIFO_Generator是智多晶設(shè)計(jì)的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本，相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時(shí)鐘級(jí)數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:241568 
此前，4月15日-4月17日，2025慕尼黑上海電子展（electronica China 2025）在上海新國(guó)際博覽中心盛大開幕，智多晶應(yīng)約而來，攜經(jīng)典FPGA解決方案驚艷亮相，成為展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)備受矚目的焦點(diǎn)。
2025-04-22 18:11:201066 在我的這個(gè)電路圖里，可控硅一直處于開啟狀態(tài)，沒有給單片機(jī)信號(hào)，試著換一下可控硅的方向，也沒有效果。請(qǐng)各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問題了。
2025-04-21 15:46:54
在FPGA設(shè)計(jì)領(lǐng)域，西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角，為工程師們提供了強(qiáng)大的工具，助力他們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天，就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗，探尋其獨(dú)特魅力。
2025-04-18 11:52:441667 
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311 
一、導(dǎo)熱硅脂是什么？ 導(dǎo)熱硅脂（Thermal Paste），俗稱散熱膏或?qū)岣?，是一種用于填充電子元件（如CPU、GPU）與散熱器之間微小空隙的高效導(dǎo)熱材料。其主要成分為硅油基材與導(dǎo)熱填料（如金屬
2025-04-14 14:58:20
PVD沉積n型多晶硅層，結(jié)合自對(duì)準(zhǔn)分離，顯著簡(jiǎn)化了工藝流程。SABC太陽(yáng)能電池是一種先進(jìn)的背接觸（BC）太陽(yáng)能電池技術(shù)，其核心特點(diǎn)是通過自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電池背面的正
2025-04-14 09:03:171286 在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃興起的當(dāng)下，嵌入式設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)通信能力如同為其插上了騰飛的翅膀，使其能夠自由穿梭于信息的浩瀚海洋。而 LWIP，宛如一位身姿矯健的輕騎兵，在資源有限的嵌入式系統(tǒng)中飛馳，輕松完成各種復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)通信任務(wù)。西安智多晶微電子有限公司的LWIP網(wǎng)絡(luò)通信系統(tǒng)，賦予嵌入式設(shè)備強(qiáng)大的網(wǎng)絡(luò)通信能力。
2025-04-10 16:27:021802 
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994 
嵌入式開發(fā)的門檻，往往被培訓(xùn)機(jī)構(gòu)和表象所掩蓋。許多人誤以為 “用 C 語(yǔ)言寫個(gè)跑在 ARM 上的程序” 就是嵌入式，實(shí)則連皮毛都未觸及。真正的嵌入式開發(fā)是硬件與軟件深度融合的系統(tǒng)性工程，需跨越三重壁壘
2025-04-09 11:06:40772 
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡(jiǎn)稱Poly）是由無(wú)數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間，晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607 
XSTC_8B10B IP(XSTC:XiST Transmission Channel)是智多晶開發(fā)的一個(gè)靈活的，輕量級(jí)的高速串行通信的IP。IP在具備SerDes（單通道或多通道）高速串行收發(fā)器之間構(gòu)建出接口簡(jiǎn)單，低成本，輕量化的高速率數(shù)據(jù)通信通道。
2025-04-03 16:30:011250 
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364 
隨著即將出臺(tái)的 EU RED 3（3）def 和 EN 18031 法規(guī)，修復(fù)已知的漏洞至關(guān)重要。對(duì)于基于 i.MX 6ULL 的系統(tǒng)，在實(shí)踐中如何做到這一點(diǎn)？
我們目前
2025-04-01 08:28:59
808W，成為全球首塊功率突破800W門檻的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸光伏組件產(chǎn)品，創(chuàng)造了新的世界紀(jì)錄，在鈣鈦礦/晶體硅疊層技術(shù)領(lǐng)域具有劃時(shí)代意義。
2025-03-24 17:14:28943 今年，隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024年本）》的推行，光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)：多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%，新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840 在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域，F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于各類信號(hào)處理場(chǎng)景。今天，就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010 
近日，工信部聯(lián)合市場(chǎng)監(jiān)管總局發(fā)布了《關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)品準(zhǔn)入、召回及軟件在線升級(jí)管理的通知》，目的是規(guī)范智能網(wǎng)聯(lián)汽車行業(yè)，提升產(chǎn)品質(zhì)量和安全，降低智能網(wǎng)聯(lián)汽車的網(wǎng)絡(luò)安全、數(shù)據(jù)安全和功能安全
2025-03-20 16:04:07830 
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來，為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率，通過控制模具中熔體凝固過程的溫度，創(chuàng)造定向散熱條件，從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126 不同材料的刻蝕速率比，達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價(jià)值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件，使目標(biāo)材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實(shí)現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809 本文介紹了硅的導(dǎo)熱系數(shù)的特性與影響導(dǎo)熱系數(shù)的因素。
2025-03-12 15:27:253554 
硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無(wú)可爭(zhēng)議，然而，隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小，硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn)，本文分述如下：1.硅集成電路的優(yōu)勢(shì)與地位;2.硅材料對(duì)CPU性能的影響;3.硅材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:491384 
隨著全球能源需求的增長(zhǎng)，開發(fā)高效率太陽(yáng)能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝，用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽(yáng)能電池，并通過優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291195 硅片，作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ)，源自高純度的硅材料。這一過程中，多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子，隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟，這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片，業(yè)界通常稱之為晶圓，其中8英寸和12英寸規(guī)格在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239 
本文介紹了硅光芯片的發(fā)展歷史，詳細(xì)介紹了硅光通信技術(shù)的原理和幾個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元。
2025-02-26 17:31:391982 
n-TOPCon太陽(yáng)能電池因其獨(dú)特的超薄二氧化硅（SiOx）層和n+多晶硅（poly-Si）層而受到關(guān)注，這種設(shè)計(jì)有助于實(shí)現(xiàn)低復(fù)合電流密度（J0）和降低接觸電阻（ρc）。激光增強(qiáng)接觸優(yōu)化（LECO
2025-02-26 09:02:581965 在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域，導(dǎo)熱硅膠片和導(dǎo)熱硅脂是兩種常用材料。如何根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇？以下從性能、場(chǎng)景和操作維度進(jìn)行對(duì)比分析。 一、核心差異對(duì)比?特性?導(dǎo)熱硅膠片?導(dǎo)熱硅脂
?形態(tài)固體片狀（厚度
2025-02-24 14:38:13
的重要性日益凸顯，它不僅改變了傳統(tǒng)能源的生產(chǎn)和消費(fèi)方式，更為應(yīng)對(duì)氣候變化提供了切實(shí)可行的技術(shù)路徑。 一、技術(shù)突破 光伏發(fā)電技術(shù)的核心在于光電轉(zhuǎn)換效率的提升。近年來，單晶硅、多晶硅電池效率持續(xù)突破，PERC、TOPCon等新
2025-02-13 10:50:15670 
為應(yīng)對(duì)即將出臺(tái)的汽車行業(yè)法規(guī)，伊狄達(dá)汽車技術(shù)服務(wù)公司推出全新制動(dòng)器顆粒物排放測(cè)量設(shè)施，搭配最先進(jìn)技術(shù)，進(jìn)一步提升相關(guān)試驗(yàn)?zāi)芰?。這次設(shè)施更新恰逢其時(shí)，因?yàn)槠囆袠I(yè)正在為“歐七標(biāo)準(zhǔn)”（Euro 7
2025-02-13 10:16:37763 據(jù)SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）近日發(fā)布的硅片行業(yè)年終分析報(bào)告顯示，2024年全球硅晶圓出貨量預(yù)計(jì)將出現(xiàn)2.7%的同比下降，總量達(dá)到122.66億平方英寸（MSI）。與此同時(shí)，硅晶圓的銷售額也呈現(xiàn)出下滑趨勢(shì)，同比下降6.5%，預(yù)計(jì)總額約為115億美元。
2025-02-12 17:16:27890 本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299 
，如何實(shí)現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)？ 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊(duì)采用 MPCVD技術(shù)，在真空環(huán)境中通過微波激發(fā)氣體（氫氣、甲烷、氮?dú)猓屘荚釉?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底上“生長(zhǎng)”成金剛石。 關(guān)鍵突破： 甲烷濃度：降低甲烷比例（從
2025-02-07 10:47:441892 解鎖晶硅切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑
晶硅切割液中，潤(rùn)濕劑對(duì)切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤(rùn)濕劑作為廠家直銷產(chǎn)品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯，品質(zhì)有保障，供貨穩(wěn)定。
你們用的那種類型？歡迎交流
2025-02-07 10:06:58
Poly-SEs技術(shù)通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層，有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻，同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽(yáng)能電池中，Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200 最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:141479 
上時(shí)，光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，這些電子和空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng)，從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是硅，根據(jù)硅材料的不同，可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅光伏電池。單晶硅光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001141 本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268 
過去一年中，智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難，共同促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中，我們?cè)诟鼜V闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年，智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長(zhǎng)，
2025-01-21 17:15:431152 OpenAI在人工智能領(lǐng)域的探索與創(chuàng)新從未停歇，為開發(fā)者們帶來了一個(gè)又一個(gè)驚喜。近日，OpenAI開發(fā)者體驗(yàn)負(fù)責(zé)人傳來好消息，表示公司即將向廣大開發(fā)者推出全新的o3-mini模型。 這一消息的發(fā)布
2025-01-18 11:23:561205 模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長(zhǎng)度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5
2025-01-08 08:51:53
硅電容是一種采用了硅作為材料，通過半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容，和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482187 
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