：利用高頻聲波在液體中產(chǎn)生空化效應(yīng)，形成微小氣泡并破裂時釋放沖擊力，剝離附著在晶圓表面的顆粒污染物。例如，40kHz低頻超聲波適用于去除微米級顆粒，而1MHz以上兆聲波可清除納米級顆粒且避免損傷表面。 機械力輔助 ：采用旋轉(zhuǎn)噴
2025-11-18 11:06:19
200 晶圓去除污染物的措施是一個多步驟、多技術(shù)的系統(tǒng)工程，旨在確保半導(dǎo)體制造過程中晶圓表面的潔凈度達(dá)到原子級水平。以下是詳細(xì)的解決方案：物理清除技術(shù)超聲波輔助清洗利用高頻聲波（通常為兆赫茲范圍）在清洗液
2025-10-09 13:46:43472 
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
WD4000晶圓BOW值彎曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-09-18 14:03:57
WD4000晶圓三維形貌膜厚測量系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓
2025-09-11 16:41:24
MEMS晶圓級電鍍是一種在微機電系統(tǒng)制造過程中，整個硅晶圓表面通過電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級和圖形化特性：它能在同一時間對晶圓上的成千上萬個器件結(jié)構(gòu)進行批量加工，極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性，是實現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術(shù)之一。
2025-09-01 16:07:282073 
EFEM（設(shè)備前端模塊）晶圓搬運系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其主要作用是在超凈環(huán)境下實現(xiàn)晶圓的安全、精準(zhǔn)傳輸。這類系統(tǒng)不僅需要維持極高的潔凈度標(biāo)準(zhǔn)，還必須確保晶圓傳輸?shù)木_性和穩(wěn)定性
2025-08-26 09:57:19813 WD4000晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
WD4000晶圓顯微形貌測量系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
在晶圓加工流程中，早期檢測宏觀缺陷是提升良率與推動工藝改進的核心環(huán)節(jié)，這一需求正驅(qū)動檢測技術(shù)與晶圓測試圖分析領(lǐng)域的創(chuàng)新。宏觀缺陷早期檢測的重要性與挑戰(zhàn)在晶圓層面，一個宏觀缺陷可能影響多個芯片，甚至在
2025-08-19 13:48:231116 
經(jīng)世智能半導(dǎo)體行業(yè)晶圓盒轉(zhuǎn)運復(fù)合機器人，復(fù)合機器人在半導(dǎo)體行業(yè)主要應(yīng)用于晶圓盒轉(zhuǎn)運、機臺上下料等環(huán)節(jié)，通過“AGV移動底盤+協(xié)作機械臂+視覺系統(tǒng)"一體化控制方案實現(xiàn)高效自動化
2025-08-13 16:07:341851 
WD4000晶圓膜厚測量系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測量
2025-08-12 15:47:19
晶棒需要經(jīng)過一系列加工，才能形成符合半導(dǎo)體制造要求的硅襯底，即晶圓。加工的基本流程為：滾磨、切斷、切片、硅片退火、倒角、研磨、拋光，以及清洗與包裝等。
2025-08-12 10:43:434162 
隨著芯片制程邁入3nm時代，晶圓傳輸過程微振動控制成為新挑戰(zhàn)。創(chuàng)新方案將EFEM機械臂與壓電抑振平臺結(jié)合： 傳統(tǒng)流程： 晶圓拾取 → 機械臂傳輸 → 振動誤差累積 → 放置精度±30μm 壓電平臺預(yù)
2025-08-10 15:17:051118 半導(dǎo)體制造國產(chǎn)化浪潮中，晶圓傳輸效率直接制約產(chǎn)線吞吐量。傳統(tǒng)機械臂傳輸存在振動大、精度低的缺陷，而直線電機驅(qū)動的EFEM（設(shè)備前端模塊）憑借高速平滑運動，將晶圓交接時間縮短至0.8秒內(nèi)，同時定位精度提升至微米級，成為12英寸晶圓廠優(yōu)選方案。
2025-08-06 14:43:38697 在半導(dǎo)體制造的前道工藝中，晶圓傳輸?shù)男屎涂煽啃灾苯佑绊懮a(chǎn)良率與設(shè)備利用率。EFEM（設(shè)備前端模塊）作為晶圓廠與工藝設(shè)備之間的智能接口，承擔(dān)著晶圓潔凈傳輸、精準(zhǔn)定位與高效調(diào)度的核心任務(wù)。其性能的優(yōu)劣，很大程度上取決于內(nèi)部運動控制核心——直線電機平臺的精度與穩(wěn)定性。這正是我們深耕13年的領(lǐng)域。
2025-08-05 16:40:431119 WD4000晶圓三維顯微形貌測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2025-08-04 13:59:53
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機械性質(zhì)。這些改進對于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:232023 
摘要
本論文圍繞超薄晶圓切割工藝，探討切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測模型的協(xié)同構(gòu)建，闡述兩者協(xié)同在保障晶圓切割質(zhì)量、提升 TTV 均勻性方面的重要意義，為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的工藝優(yōu)化提供理論
2025-07-31 10:27:48372 
WD4000晶圓THK膜厚厚度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2025-07-25 10:53:07
方式可分為： 機械夾持：通過物理接觸固定晶圓邊緣。 真空吸附：利用真空力吸附晶圓背面。 靜電吸附：通過靜電力固定晶圓（較少使用，因可能引入電荷損傷）。 2. 機械夾持設(shè)計 （1）邊緣夾持 原理： 使用可開合的機械臂（如爪狀結(jié)構(gòu)）夾
2025-07-23 14:25:43928 不同晶圓尺寸的清洗工藝存在顯著差異，主要源于其表面積、厚度、機械強度、污染特性及應(yīng)用場景的不同。以下是針對不同晶圓尺寸（如2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸等）的清洗區(qū)別及關(guān)鍵要點：一、晶圓
2025-07-22 16:51:191332 
一、引言
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中，易因單次切割深度過大引發(fā)應(yīng)力集中、振動等問題，導(dǎo)致晶圓
2025-07-11 09:59:15471 WD4000晶圓厚度THK幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-07-10 13:42:33
一、引言
晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，切割過程中的振動會影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度，而進給參數(shù)的設(shè)置對振動產(chǎn)生及切割效率有著重要影響。將振動監(jiān)測系統(tǒng)與進給參數(shù)協(xié)同優(yōu)化，能有效提升晶圓切割質(zhì)量。但
2025-07-10 09:39:05364 性的影響機制，并提出有效抑制方法，是提升晶圓加工精度、推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵所在。
二、振動 - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對晶圓厚度均勻性的影響
2.1 振動引發(fā)
2025-07-08 09:33:33591 On Wafer WLS無線晶圓測溫系統(tǒng)通過自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成，實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
TC Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)通過利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面，實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:16:41
RTD Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到 晶圓表面，實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:12:00
RTD Wafer 晶圓測溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到晶圓表面，實時監(jiān)控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過程提供一種高效可靠的方式來監(jiān)測和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:08:43
TCWafer晶圓測溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測解決方案，專為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測量而設(shè)計。該系統(tǒng)通過將微型熱電偶傳感器（Thermocouple）直接鑲嵌于晶圓表面，實現(xiàn)了對晶圓溫度
2025-06-27 10:03:141396 
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓載具清洗機是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具（如載具、花籃、托盤等），避免污染物通過載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面，從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓厚度測量設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工
2025-06-18 15:40:06
WD4000無圖晶圓厚度翹曲量測系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到
2025-06-16 15:08:07
摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測量結(jié)果的作用，為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58551 線寬的縮小，晶圓加工過程需要通過高分辨率相機捕獲小的物理缺陷和高縱橫比缺陷。這就要求晶圓缺陷檢測設(shè)備具備精確且可重復(fù)的運動控制系統(tǒng)，通過高精度、高速度運動平臺配合相機同步掃描高速獲取硅片圖像，同時對運動的整定
2025-06-06 17:15:28715 
貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591179 
WD4000晶圓幾何形貌在線測量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2025-05-30 11:03:11
和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測，可減少其對芯片性能的影響。
WD4000晶圓幾何量測系統(tǒng)適用于裸晶圓、圖案晶圓、鍵合晶圓、貼膜晶圓、超薄晶圓等復(fù)雜結(jié)構(gòu)晶圓的量
2025-05-28 16:12:46
在先進制程中，厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測，可減少其對芯片性能的影響。
2025-05-28 11:28:46
2 WD4000系列Wafer晶圓厚度量測系統(tǒng)采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化
2025-05-27 13:54:33
相機與光學(xué)系統(tǒng)，可實現(xiàn)亞微米級缺陷檢測，提升半導(dǎo)體制造的良率和效率。SWIR相機晶圓隱裂檢測系統(tǒng)，使用紅外相機發(fā)揮波段長穿透性強的特性進行材質(zhì)透檢捕捉內(nèi)部隱裂缺陷
2025-05-23 16:03:17647 
在先進制程中，厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)在線檢測，可減少其對芯片性能的影響。
2025-05-23 14:27:491203 
摘要：本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進及檢測反饋機制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57508 
摘要：本文聚焦于降低晶圓 TTV（總厚度偏差）的磨片加工方法，通過對磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進，有效控制晶圓 TTV 值，提升晶圓質(zhì)量，為半導(dǎo)體制造提供實用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：晶
2025-05-20 17:51:391022 
WD4000晶圓Warp翹曲度量測系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進行，直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:441109 
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511975 AVS 無線校準(zhǔn)測量晶圓系統(tǒng)就像給晶圓運輸過程裝上了"全天候監(jiān)護儀"，推動先進邏輯芯片制造、存儲器生產(chǎn)及化合物半導(dǎo)體加工等關(guān)鍵制程的智能化質(zhì)量管控，既保障價值百萬的晶圓安全，又能讓價值數(shù)千萬的設(shè)備發(fā)揮最大效能，實現(xiàn)降本增效。
2025-04-24 14:57:49866 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù)，它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中，去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物，以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54765 WD4000晶圓表面形貌量測系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
2025-04-11 11:11:00
加工的PEEK晶圓夾的耐磨性和低排氣性能使其成為晶圓制造的理想工具，確保了晶圓表面的清潔和完整性。 PEEK晶圓夾——提升晶圓制造效率與良率 1.PEEK晶圓夾能夠在260℃的高溫環(huán)境下長期使用，且保持高強度、尺寸穩(wěn)定和較小的線脹系數(shù)
2025-03-20 10:23:42802 
WD4000系列晶圓微觀幾何輪廓測量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-03-19 17:36:45
芯片制造的畫布 芯片制造的畫布：晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺上，晶圓（Wafer）扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫布，承載著無數(shù)工程師的智慧與夢想，見證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:251542 WD4000晶圓翹曲度幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。儀器通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-03-07 16:19:24
WD4000高精度晶圓厚度幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV
2025-02-11 14:01:06
在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003048 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24520 ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測探針臺阿波羅
2025-01-14 09:29:132358 
的。 全自動晶圓清洗機工作流程一覽 裝載晶圓： 將待清洗的晶圓放入專用的籃筐或托盤中，然后由機械手自動送入清洗槽。 清洗過程： 晶圓依次經(jīng)過多個清洗槽，每個槽內(nèi)有不同的清洗液和處理步驟，如預(yù)洗、主洗、漂洗等。 清洗過程中可
2025-01-10 10:09:191113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨特
2025-01-09 17:00:10639
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