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多晶硅價(jià)格跌破成本 業(yè)界急尋出路

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多晶 SA5T-200亮點(diǎn)前瞻 國產(chǎn)FPGA顛覆性新品

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可返修有機(jī)灌封膠_維修成本大幅降低的電子灌封解決方案 | 鉻銳特實(shí)業(yè)

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露天礦邊坡監(jiān)測(cè)成本高?滲壓計(jì)組網(wǎng)方案降本50%

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多晶SA5Z-50 FPGA器件通過單粒子效應(yīng)測(cè)試

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半導(dǎo)體六大制程工藝

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2025-10-28 11:47:59740

雙向可控怎么測(cè)量好壞

可控
liht164發(fā)布于 2025-10-27 17:58:03

MEMS組合導(dǎo)航如何實(shí)現(xiàn)超低成本?

超低成本,同時(shí)保障核心性能的呢? 關(guān)鍵轉(zhuǎn)變:從“硬件堆料”到“算法賦能” 傳統(tǒng)方案依賴于本身價(jià)格極高的慣性器件來保證性能。而ER-GNSS/MINS-05的思路是: · 采用經(jīng)過市場(chǎng)驗(yàn)證的低成本MEMS傳感器作為基礎(chǔ)。 · 通過強(qiáng)大的系統(tǒng)級(jí)溫度補(bǔ)償和智能算法,
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多晶CPRI協(xié)議DEMO介紹

口)協(xié)議,正是保障這一傳輸過程高效、穩(wěn)定的關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。今天,我們就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司的 CPRI 協(xié)議演示方案,看看這項(xiàng)技術(shù)如何為無線通信賦能。
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紅外傳感器技術(shù):微測(cè)輻射熱計(jì)解析

微測(cè)輻射熱計(jì)(Microbolometer)是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器,通過探測(cè)物體輻射的紅外線實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料(如氧化釩、多晶硅)的電阻隨溫度變化的特性,將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號(hào),最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56791

進(jìn)口芯片價(jià)格一漲再漲,國產(chǎn)芯片如何優(yōu)化成本,提升優(yōu)勢(shì)?

高企業(yè)運(yùn)營成本、匯率波動(dòng)加大財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn),以及全產(chǎn)業(yè)鏈成本傳導(dǎo)效應(yīng)持續(xù)強(qiáng)化等多重因素影響。在這一背景下,優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)已成為企業(yè)應(yīng)對(duì)經(jīng)營壓力的關(guān)鍵舉措。 半導(dǎo)體交易數(shù)據(jù) 面對(duì)進(jìn)口高端芯片價(jià)格的持續(xù)攀升,國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)如何有效優(yōu)化
2025-10-15 17:23:40616

再生晶圓和普通晶圓的區(qū)別

再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析:定義與來源差異普通晶圓:指全新生產(chǎn)的基材料,由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771

一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶,以此制造集成電路。單晶對(duì)純度要求極高,需達(dá)到99.9999999%(即9個(gè)9)以上,且原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí),就能形成單晶;若晶面取向不同,則會(huì)形成多晶硅(Polysilicon)。
2025-09-17 16:13:57987

多晶亮相2025中國光博會(huì)

第二十六屆中國國際光電博覽會(huì)(CIOE)在深圳圓滿落幕,匯聚全球光電產(chǎn)業(yè)精英。西安智多晶微電子有限公司積極融入這一行業(yè)盛會(huì),與業(yè)界同仁共話發(fā)展新機(jī)遇。
2025-09-15 10:10:15645

如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口

大家好呀!今天我們來聊聊一個(gè)非常實(shí)用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制,MIPI都是非常常見的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它,你的視頻項(xiàng)目開發(fā)效率將大大提升!
2025-09-11 09:37:25897

多晶亮相elexcon 2025深圳國際電子展

近日,在深圳(福田)會(huì)展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國際電子展,吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂,共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)態(tài)與未來技術(shù)走向。在這場(chǎng)科技盛宴中,智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力,成為展會(huì)焦點(diǎn),吸引了眾多專業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25973

中興通訊榮獲2025中國算力大會(huì)年度重大突破成果獎(jiǎng)

近日,在2025中國算力大會(huì)上,中興通訊憑借“基于GPU卡間高速互聯(lián)開放架構(gòu)和自研‘凌云’AI交換芯片的智算超節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)”榮獲年度重大突破成果獎(jiǎng),這是繼2025世界人工智能大會(huì)SAIL獎(jiǎng)后,中興通訊智算超節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)再次斬獲國家級(jí)重磅大獎(jiǎng)。
2025-08-28 14:40:065462

IPD80R1K4CE-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

能力和7A的漏極電流承受能力,采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,提供可靠的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V,適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06

IPD65R950C6-VB一款TO220封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

極耐壓能力和7A的漏極電流能力,適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53

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耐壓能力和5A的漏極電流能力。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為1000mΩ @ VGS=10V),為要求高電
2025-08-27 11:49:57

IPD60R380P6-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

和11A的漏極電流能力,專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))制造,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21

IPD50R1K4CE-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術(shù))技術(shù)制造,具有穩(wěn)定的性能和較高的開關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
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華為斬獲2025中國算力大會(huì)年度重大突破成果獎(jiǎng)

產(chǎn)品線數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)解決方案首席架構(gòu)師趙笑可應(yīng)邀參會(huì),并發(fā)表了“AI時(shí)代下數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)發(fā)展思考”演講。中國算力大會(huì)期間,華為在網(wǎng)計(jì)算加速技術(shù)憑借卓越表現(xiàn),斬獲“年度重大突破成果”獎(jiǎng)。
2025-08-26 17:05:202708

多晶LLCR技術(shù)的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景

工程師朋友們注意啦!今天要給大家安利一項(xiàng)FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR(LVDS Local Clock Receiving)技術(shù),使用本地PLL產(chǎn)生高速時(shí)鐘,通過相位跟蹤,對(duì)接收的LVDS信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)跟蹤,實(shí)現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
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多晶SerDes 2.0 IP介紹

為了滿足用戶對(duì)SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級(jí),本次升級(jí)相比1.0版本主要帶來了以下的變化。
2025-08-16 15:32:401115

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在圖像與視頻處理領(lǐng)域,靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案,基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件,通過
2025-08-07 13:57:535648

半導(dǎo)體薄膜厚度測(cè)量丨基于光學(xué)反射率的厚度測(cè)量技術(shù)

率下降。為此,研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種基于激光反射率的光學(xué)傳感器,能夠在真空環(huán)境下實(shí)時(shí)測(cè)量氧化膜(SiO?)、氮化膜(Si?N?)和多晶硅(p-Si)的厚度。FlexF
2025-07-22 09:54:561644

PCBA貼片價(jià)格“水很深”?七大核心要素拆解,幫你避開成本陷阱!

結(jié)合20余年行業(yè)經(jīng)驗(yàn),總結(jié)出以下關(guān)鍵性成本構(gòu)成: ? 影響PCBA貼片加工價(jià)格的七大核心要素 1. 訂單規(guī)模的經(jīng)濟(jì)性 - 起訂量10片訂單的單價(jià)是1000片訂單的3-5倍,源于產(chǎn)線換線損耗與工時(shí)攤薄 - 建議客戶采用滾動(dòng)訂單模式,通過積累批量訂單降低邊際成本 2. 材料選
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PECVD硼發(fā)射極與poly-Si鈍化接觸共退火,實(shí)現(xiàn)高效TOPCon電池

TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能,成為n型電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴(kuò)散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案:PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝,正面:PECVD沉積
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聚智姑蘇,共筑基光電子產(chǎn)業(yè)新篇 — “基光電子技術(shù)及應(yīng)用”暑期學(xué)校圓滿落幕!

成功舉辦。本屆活動(dòng)作為國內(nèi)基光電子領(lǐng)域極具影響力的高端人才培育平臺(tái),吸引了來自全國頂尖高校、知名科研院所及產(chǎn)業(yè)界近200位精英學(xué)員參與,聚焦基光電子技術(shù)前沿突
2025-07-11 17:01:271013

多晶硅在芯片制造中的作用

在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly-Si) 。這種由無數(shù)微小晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性,成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112964

從設(shè)計(jì)到生產(chǎn):影響PCBA代工代料價(jià)格的隱形關(guān)卡

涉及多個(gè)環(huán)節(jié),每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)最終成本有重要影響。 PCBA代工代料價(jià)格的關(guān)鍵構(gòu)成要素及其影響 1. SMT生產(chǎn)線 表面貼裝技術(shù) (SMT) 是PCBA制造的核心工序,涉及元件的精確貼裝和焊接。 - 影響價(jià)格的因素:SMT生產(chǎn)線的設(shè)備先進(jìn)性、生產(chǎn)效率、生產(chǎn)批量以及產(chǎn)品復(fù)雜度(如
2025-07-07 12:02:41587

TOPCon電池提效:激光氧化集成TOPCon前表面poly-finger接觸

雙面TOPCon電池(DS-TOPCon)雖具有高開路電壓(>728mV),但前表面全區(qū)域多晶硅poly-Si層導(dǎo)致嚴(yán)重光寄生吸收——200nm厚度即可損失>1mA/cm2電流。傳統(tǒng)方案
2025-07-07 11:00:121977

多晶推出新一代SA5T-200系列FPGA器件

在國產(chǎn) FPGA 加速突破、邁向高性能、高可靠的新階段,智多晶隆重推出新一代 SA5T-200 系列 FPGA 器件。該系列面向高算力、高清視頻、高速通信等關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景,集成豐富硬核資源、兼容主流
2025-07-02 09:13:082251

2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)成功舉辦

近日,“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會(huì)”在武漢成功舉辦。本次交流會(huì)以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題,智多晶專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)在會(huì)上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項(xiàng)新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072533

多晶VBO_TX IP產(chǎn)品核心亮點(diǎn)

在當(dāng)今數(shù)字化世界中,視頻數(shù)據(jù)的高速傳輸對(duì)于眾多電子設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景至關(guān)重要。智多晶微電子有限公司推出的 VBO_TX IP(基于 V-by-One HS Standard_Ver 1.4 版本協(xié)議技術(shù)標(biāo)準(zhǔn))為這一需求提供了一種高性能、低功耗的解決方案。
2025-07-01 09:46:03849

TOPCon電池poly-Si層的沉積摻雜工序提效優(yōu)化

TOPCon技術(shù)通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅(n?-poly-Si)層實(shí)現(xiàn)載流子選擇性傳輸,理論效率可達(dá)28.7%。然而,poly-Si層厚度存在矛盾:過厚層(>100nm)增加寄生吸收損失,過薄層(
2025-06-27 09:02:152880

基于厚度梯度設(shè)計(jì)的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08942

TOPCon電池鋁觸點(diǎn)工藝:接觸電阻率優(yōu)化實(shí)現(xiàn)23.7%效率

隨著TOPCon太陽能電池市占率突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點(diǎn),通過材料配方革新與工藝優(yōu)化,解決鋁/多晶硅界面過度合金化問題。研究
2025-06-18 09:02:591144

阿里云領(lǐng)投,基流動(dòng)深耕AI基建破解大模型成本難題

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 日前,基流動(dòng)宣布完成數(shù)億元A輪融資,阿里云領(lǐng)投,創(chuàng)新工場(chǎng)等跟投。基流動(dòng)創(chuàng)始人袁進(jìn)輝稱,這輪融資將用于加大研發(fā)投入、擴(kuò)展海內(nèi)外市場(chǎng)。 ? 基流動(dòng)成立于2023年,定位
2025-06-17 00:07:004712

多晶PLL使用注意事項(xiàng)

在FPGA設(shè)計(jì)中,PLL(鎖相環(huán))模塊作為核心時(shí)鐘管理單元,通過靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能,為系統(tǒng)提供多路高精度時(shí)鐘信號(hào)。它不僅解決了時(shí)序同步問題,還能有效消除時(shí)鐘偏移,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng),幫助工程師規(guī)避常見設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
2025-06-13 16:37:441354

多晶入選西安高新區(qū)2025年首批“硬科技創(chuàng)新人才”名單

近日,西安高新區(qū)正式公示2025年第一批"硬科技創(chuàng)新人才"入選名單。西安智多晶微電子有限公司董事長(zhǎng)賈弘翊、副總經(jīng)理王黎明憑借在國產(chǎn)FPGA芯片領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化貢獻(xiàn),雙雙榮登榜單。此次兩位人才同時(shí)入選,充分體現(xiàn)了智多晶在硬科技創(chuàng)新領(lǐng)域的深厚積累與領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2025-06-10 10:07:261930

多晶FPGA設(shè)計(jì)工具HqFpga接入DeepSeek大模型

在 AI 賦能工程設(shè)計(jì)的時(shí)代浪潮中,智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計(jì)工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型,并推出 FPGA 設(shè)計(jì)專屬 AI 助手——晶小助!這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手,為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗(yàn)。
2025-06-06 17:06:391283

多晶FPGA/CPLD芯片通過工信部自主可控等級(jí)評(píng)定

西安智多晶微電子有限公司自主研發(fā)的 Seal 5000、Sealion 2000 系列 FPGA/CPLD 芯片經(jīng)過工業(yè)和信息化部電子第五研究所評(píng)估認(rèn)證,通過了自主可控等級(jí)評(píng)定。此次認(rèn)證的器件包括
2025-06-06 09:30:201347

什么貼片電容價(jià)格會(huì)比較便宜?

貼片電容的價(jià)格受多種因素影響,包括市場(chǎng)供求關(guān)系、成本因素、品牌影響以及電容的規(guī)格和類型等。以下是對(duì)價(jià)格相對(duì)便宜的貼片電容的詳細(xì)分析: 一、類型與規(guī)格 陶瓷電容: 陶瓷電容是目前應(yīng)用最廣泛的貼片電容
2025-05-30 15:35:35592

自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對(duì)準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時(shí)減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:042349

使用共聚焦拉曼顯微鏡進(jìn)行多晶硅太陽能電池檢測(cè)

)被廣泛使用,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅技術(shù)由于快速降低成本而在市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位。多晶硅電池比單晶便宜,但效率較低。 多晶電池由大塊熔融和凝固的制成。這種細(xì)胞的顯微鏡光學(xué)圖像顯示在下面的圖1.中。可以在此光學(xué)圖像上觀察到不同類型
2025-05-26 08:28:41601

PanDao:制造成本影響分析軟件工具

摘要 . 本文介紹了一款名為“PanDao”的新軟件工具,專為光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員打造。該工具能夠在設(shè)計(jì)階段模擬出最佳的制造流程和所需技術(shù),并對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)和公差的制造成本影響進(jìn)行分析。 在光學(xué)系統(tǒng)的生成
2025-05-12 08:55:43

硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

直拉硅單晶生長(zhǎng)的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長(zhǎng)為固態(tài)的單晶的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會(huì)導(dǎo)電,沒有市場(chǎng)應(yīng)用價(jià)值,因此通過人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253

多晶eSPI_Slave IP介紹

eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點(diǎn),常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信,是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:561213

虹科免拆案例 | 車輛行駛中加速車身抖動(dòng)故障排除 2 例

車輛行駛中加速車身抖動(dòng)故障排除2例余姚東江名車專修廠葉正祥案例12017款豐田卡羅拉車行駛中加速車身偶爾抖動(dòng)故障現(xiàn)象故障診斷故障排除一輛2017款豐田卡羅拉車,搭載9NR發(fā)動(dòng)機(jī),累計(jì)行駛里程約為
2025-05-07 11:32:44521

風(fēng)光互補(bǔ)太陽能路燈桿硬件組成全解析:科技與匠心的深度融合

源互補(bǔ),能量永續(xù) 1.太陽能板(光伏組件) 核心作用:將光能轉(zhuǎn)化為電能,是主要供能單元。 主流配置:材質(zhì):多晶硅 / 單晶(轉(zhuǎn)換效率 18%-22%,單晶更高),表面覆蓋低鐵超白鋼化玻璃(透光率>91.5%),抗沖擊強(qiáng)度達(dá) 24mm 冰雹
2025-04-28 09:57:281740

多晶FIFO_Generator IP介紹

FIFO_Generator是智多晶設(shè)計(jì)的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本,相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時(shí)鐘級(jí)數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:241568

多晶亮相2025慕尼黑上海電子展

此前,4月15日-4月17日,2025慕尼黑上海電子展(electronica China 2025)在上海新國際博覽中心盛大開幕,智多晶應(yīng)約而來,攜經(jīng)典FPGA解決方案驚艷亮相,成為展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)備受矚目的焦點(diǎn)。
2025-04-22 18:11:201066

MOC3021控制雙向可控關(guān)斷

在我的這個(gè)電路圖里,可控一直處于開啟狀態(tài),沒有給單片機(jī)信號(hào),試著換一下可控的方向,也沒有效果。請(qǐng)各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問題了。
2025-04-21 15:46:54

多晶LPC_Controller IP介紹

在FPGA設(shè)計(jì)領(lǐng)域,西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角,為工程師們提供了強(qiáng)大的工具,助力他們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天,就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗,探尋其獨(dú)特魅力。
2025-04-18 11:52:441667

SMT加工成本飆升:原材料短缺與價(jià)格上漲的雙重夾擊

小批量PCBA快速打樣廠家今天為大家講講SMT加工成本上漲的原因有哪些?SMT加工成本上漲的三大原因。近年來,電子行業(yè)的飛速發(fā)展推動(dòng)了PCBA(Printed Circuit Board
2025-04-17 09:17:03742

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311

導(dǎo)熱脂科普指南:原理、應(yīng)用與常見問題解答

一、導(dǎo)熱脂是什么? 導(dǎo)熱脂(Thermal Paste),俗稱散熱膏或?qū)岣?,是一種用于填充電子元件(如CPU、GPU)與散熱器之間微小空隙的高效導(dǎo)熱材料。其主要成分為硅油基材與導(dǎo)熱填料(如金屬
2025-04-14 14:58:20

IBC技術(shù)新突破:基于物理氣相沉積(PVD)的自對(duì)準(zhǔn)背接觸SABC太陽能電池開發(fā)

PVD沉積n型多晶硅層,結(jié)合自對(duì)準(zhǔn)分離,顯著簡(jiǎn)化了工藝流程。SABC太陽能電池是一種先進(jìn)的背接觸(BC)太陽能電池技術(shù),其核心特點(diǎn)是通過自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)電池背面的正
2025-04-14 09:03:171286

多晶LWIP網(wǎng)絡(luò)通信系統(tǒng)介紹

在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃興起的當(dāng)下,嵌入式設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)通信能力如同為其插上了騰飛的翅膀,使其能夠自由穿梭于信息的浩瀚海洋。而 LWIP,宛如一位身姿矯健的輕騎兵,在資源有限的嵌入式系統(tǒng)中飛馳,輕松完成各種復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)通信任務(wù)。西安智多晶微電子有限公司的LWIP網(wǎng)絡(luò)通信系統(tǒng),賦予嵌入式設(shè)備強(qiáng)大的網(wǎng)絡(luò)通信能力。
2025-04-10 16:27:021802

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶、多晶硅與非晶三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材料性能的影響,幫助讀者深入理解材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡(jiǎn)稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607

多晶XSTC_8B10B IP介紹

XSTC_8B10B IP(XSTC:XiST Transmission Channel)是智多晶開發(fā)的一個(gè)靈活的,輕量級(jí)的高速串行通信的IP。IP在具備SerDes(單通道或多通道)高速串行收發(fā)器之間構(gòu)建出接口簡(jiǎn)單,低成本,輕量化的高速率數(shù)據(jù)通信通道。
2025-04-03 16:30:011250

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364

天合光能定義水與光伏共生之道

今年,隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024年本)》的推行,光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):多晶硅項(xiàng)目的水重復(fù)利用率需不低于98%,新建和改擴(kuò)建項(xiàng)目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840

深入解讀智多晶FIR IP

在數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域,F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢(shì),被廣泛應(yīng)用于各類信號(hào)處理場(chǎng)景。今天,就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010

深入解析基光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

在信息技術(shù)日新月異的今天,基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”,基光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的優(yōu)勢(shì),更以其獨(dú)特的高集成度、高速率、低成本
2025-03-19 11:00:022671

發(fā)那科機(jī)器人A型控制柜停板安全回路接線方法

發(fā)那科機(jī)器人A型控制柜的安全回路接口涵蓋了外部停輸入、安全門開關(guān)、機(jī)器人停輸出以及伺服切斷等多個(gè)功能,這些接口均通過硬接線進(jìn)行連接。在操作FANUC機(jī)器人時(shí),必須啟用停板安全回路,任何試圖用
2025-03-17 10:39:566099

多晶硅錠定向凝固生長(zhǎng)方法

鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126

什么是高選擇性蝕刻

不同材料的刻蝕速率比,達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價(jià)值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件,使目標(biāo)材料(如多晶硅、氮化硅)的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料(如氧化硅、光刻膠),實(shí)現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809

集成電路技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無可爭(zhēng)議,然而,隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小,集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn),本文分述如下:1.集成電路的優(yōu)勢(shì)與地位;2.材料對(duì)CPU性能的影響;3.材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:491384

22.0%效率的突破:前多晶硅選擇性發(fā)射極雙面TOPCon電池的制備與優(yōu)化

隨著全球能源需求的增長(zhǎng),開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池,并通過優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291199

晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

硅片,作為制造半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的材料。這一過程中,多晶硅被熔融并摻入特定的晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶棒。經(jīng)過精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239

TOPCon太陽能電池接觸電阻優(yōu)化:美能TLM測(cè)試儀助力LECO工藝實(shí)現(xiàn)25.97%效率突破

n-TOPCon太陽能電池因其獨(dú)特的超薄二氧化硅(SiOx)層和n+多晶硅(poly-Si)層而受到關(guān)注,這種設(shè)計(jì)有助于實(shí)現(xiàn)低復(fù)合電流密度(J0)和降低接觸電阻(ρc)。激光增強(qiáng)接觸優(yōu)化(LECO
2025-02-26 09:02:581965

導(dǎo)熱硅膠片與導(dǎo)熱脂應(yīng)該如何選擇?

預(yù)成型硅膠片(降低人工成本) 總結(jié)建議l ?消費(fèi)電子?:優(yōu)先脂(如手機(jī)/筆電)l ?工業(yè)設(shè)備?:首選硅膠片(壽命+穩(wěn)定性)l ?特殊場(chǎng)景?:咨詢供應(yīng)商定制化方案(如5G基站、航天設(shè)備) 根據(jù)具體工況參數(shù),可借助熱仿真軟件(如ANSYS Icepak)進(jìn)行模擬驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)最優(yōu)熱管理設(shè)計(jì)。
2025-02-24 14:38:13

環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

的前景似乎更為樂觀。 報(bào)道指出,2024年市場(chǎng)供過于求影響全球SiC行業(yè),價(jià)格跌破生產(chǎn)成本,擾亂了全球供應(yīng)鏈。徐秀蘭透露,價(jià)格已暴跌超過50%,達(dá)到前所未有的低點(diǎn)。盡管6英寸SiC襯底價(jià)格現(xiàn)已穩(wěn)定,但短期內(nèi)復(fù)蘇尚不明顯。 此前有消息稱,白宮正尋求重新談
2025-02-19 11:35:49945

揭秘SMT貼片加工價(jià)格計(jì)算:全方位解析成本構(gòu)成

,了解其價(jià)格計(jì)算方法至關(guān)重要,因?yàn)檫@不僅影響生產(chǎn)成本,還影響產(chǎn)品的最終售價(jià)。本文將介紹SMT貼片加工廠的價(jià)格計(jì)算方法,以幫助客戶更好地理解費(fèi)用構(gòu)成和合理預(yù)算。 ? SMT貼片加工廠價(jià)格計(jì)算方法 SMT貼片加工的價(jià)格主要由以下幾個(gè)部分構(gòu)成: 1. 工程費(fèi) 2. 鋼網(wǎng)
2025-02-13 09:16:091307

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì),它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場(chǎng)的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132

揭秘PCBA打樣與量產(chǎn)價(jià)格差異:如何降低成本

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講如何優(yōu)化PCBA打樣和量產(chǎn)價(jià)格?PCBA打樣價(jià)格與量產(chǎn)價(jià)格差異解析。在電子制造行業(yè)中,PCBA(Printed Circuit Board Assembly
2025-02-11 09:17:501049

DeepSeek上調(diào)API服務(wù)價(jià)格

(緩存未命中),同時(shí)每百萬輸出tokens的價(jià)格為2元。這一優(yōu)惠政策在一定程度上降低了用戶使用API的成本,也吸
2025-02-10 10:41:391460

為什么采用多晶硅作為柵極材料

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299

革新突破:高性能多晶金剛石散熱片引領(lǐng)科技新潮流

隨著電子器件越來越小、功率越來越高,散熱成為制約性能的“頭號(hào)難題”。傳統(tǒng)材料(如銅、)熱導(dǎo)率有限,而金剛石的熱導(dǎo)率是銅的 5倍?以上,堪稱“散熱王者”!但大尺寸高導(dǎo)熱金剛石制備成本高、工藝復(fù)雜
2025-02-07 10:47:441892

切割液潤濕劑用哪種類型?

解鎖晶切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤濕劑 晶切割液中,潤濕劑對(duì)切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤濕劑作為廠家直銷產(chǎn)品,價(jià)格優(yōu)勢(shì)明顯,品質(zhì)有保障,供貨穩(wěn)定。 你們用的那種類型?歡迎交流
2025-02-07 10:06:58

Poly-SE選擇性多晶硅鈍化觸點(diǎn)在n-TOPCon電池中的應(yīng)用

Poly-SEs技術(shù)通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時(shí)提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200

多晶DDR Controller使用注意事項(xiàng)

最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時(shí)的注意事項(xiàng)。
2025-01-24 11:14:141479

光伏技術(shù):開啟清潔能源新時(shí)代

上時(shí),光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),這些電子和空穴在電場(chǎng)的作用下定向移動(dòng),從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是,根據(jù)材料的不同,可分為單晶、多晶硅和非晶光伏電池。單晶光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001141

多晶DDR Controller介紹

本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268

集成電路新突破:HKMG工藝引領(lǐng)性能革命

隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件尺寸不斷縮小,性能不斷提升。然而,這種縮小也帶來了一系列挑戰(zhàn),如柵極漏電流增加、多晶硅柵耗盡效應(yīng)等。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),業(yè)界開發(fā)出了高K金屬柵(High-K Metal
2025-01-22 12:57:083557

多晶2024年度大事記回顧

過去一年中,智多晶人攜手拼搏、攻堅(jiān)克難,共同促進(jìn)產(chǎn)品升級(jí)推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中,我們?cè)诟鼜V闊的舞臺(tái)上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年,智多晶的業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)了良好增長(zhǎng),
2025-01-21 17:15:431152

BD 停車亂象尋出路,看一芯未來數(shù)字化車場(chǎng)如何 “智” 高一籌!

建設(shè)RFID數(shù)字化車場(chǎng),是提升裝備管理水平、增強(qiáng)數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性、提高安全性、優(yōu)化資源配置以及推動(dòng)智能化發(fā)展的重要途徑。通過引入RFID技術(shù),車場(chǎng)管理者得以實(shí)現(xiàn)對(duì)車輛信息的實(shí)時(shí)采集、精準(zhǔn)處理與全面監(jiān)控,從而引領(lǐng)車場(chǎng)管理邁向智能化、高效化的嶄新階段。
2025-01-07 15:42:04652

電容系列一:電容概述

電容是一種采用了作為材料,通過半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容,和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482187

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