電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）剛剛過(guò)去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來(lái)了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場(chǎng)進(jìn)一步滲透的同時(shí)，數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆，也給第三代半導(dǎo)體行業(yè)
2025-01-05 05:53:00
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關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17133 
深耕，一舉斬獲兩項(xiàng)大獎(jiǎng)——“2025年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開(kāi)拓領(lǐng)航獎(jiǎng)”，以及ST首款專為電機(jī)控制設(shè)計(jì)的600V半橋功率GaN及驅(qū)動(dòng)器GANSPIN611榮獲的“2025年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”！
2025-12-28 09:14:18272 
為推動(dòng)小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)（UCIe）IP 解決方案，在臺(tái)積電先進(jìn)的 N3P 工藝上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
2025-12-26 09:59:44163 
Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響，整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成：核心
2025-12-25 09:12:32
2025年12月4日，深圳高光時(shí)刻！由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說(shuō)三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂，共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01900 
集團(tuán)【AspenCore】主辦的全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)——年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品獎(jiǎng)；另一項(xiàng)則是由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名研究機(jī)構(gòu)【行家說(shuō)】評(píng)定的 年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng) 。
2025-12-11 15:25:38331 
2025年行至尾聲，智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)?；旌显O(shè)計(jì)實(shí)力、卓越的消費(fèi)級(jí)電源管理方案，以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)的前瞻布局，一舉攬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng)，成為國(guó)產(chǎn)數(shù)模混合IC與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)賽道的“雙料”先鋒！
2025-12-11 15:20:51377 AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)正推動(dòng)功率電子革命，但真正的場(chǎng)景落地，離不開(kāi)
2025-12-04 15:34:17217 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會(huì)有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是
2025-12-04 08:23:541014 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表，憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性，正在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12699 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表；而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過(guò)于學(xué)術(shù)，為方便閱讀，以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主，如果遺漏
2025-12-03 08:33:44351 
（World Electronics Achievement Awards, 簡(jiǎn)稱WEAA）年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng)，彰顯了安森美在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
2025-11-27 13:55:061348 在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中，對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測(cè)試，是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測(cè)試方案可為技術(shù)開(kāi)發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐，加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05129 
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:471489 
11月11至14日，年度國(guó)際第三代半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2025）在廈門隆重召開(kāi)，中微
2025-11-18 14:02:44349 
行家說(shuō)極光獎(jiǎng)，作為聚焦于第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的專業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)，以其嚴(yán)謹(jǐn)?shù)漠a(chǎn)業(yè)洞察與技術(shù)前瞻性，已成為衡量企業(yè)創(chuàng)新深度與市場(chǎng)價(jià)值的重要風(fēng)向標(biāo)。它旨在表彰那些具有行業(yè)表率的優(yōu)秀企業(yè)、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)和優(yōu)秀產(chǎn)品。
2025-11-17 10:19:49725 的硅（Si）器件，成為工業(yè)電源、新能源汽車和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域的理想選擇。三安半導(dǎo)體推出的SDS120J005D3正是一款順應(yīng)此趨勢(shì)的第三代碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC SBD），它以其強(qiáng)大的性能參數(shù)和出色的可靠性，為現(xiàn)代高頻高效電力轉(zhuǎn)換系
2025-11-17 09:16:42186 2025年11月11-14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門盛大召開(kāi)。作為覆蓋90余個(gè)國(guó)家及地區(qū)、匯聚
2025-11-14 17:53:472410 在全球碳中和戰(zhàn)略深入推進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體正成為突破能源轉(zhuǎn)換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來(lái)科技有限公司Gen3技術(shù)平臺(tái)650/700V系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系列
2025-11-14 11:42:18414 
在全球?qū)δ茉葱屎凸β拭芏纫笕找鎳?yán)苛的背景下，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體正以前所未有的速度推動(dòng)著電力電子技術(shù)的革新。作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，三安半導(dǎo)體（Sanan
2025-11-12 17:04:23580 
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37873 
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-11-07 16:46:052452 近日，在2025世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會(huì)（WICV）“中國(guó)芯”汽車芯片供需對(duì)接會(huì)上，歐冶半導(dǎo)體憑借在智能汽車第三代E/E架構(gòu)芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新突破與產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)，獲評(píng)為“2025中國(guó)汽車芯片優(yōu)秀供應(yīng)商”。
2025-11-03 10:22:28455 NIST在2012年評(píng)選出了最終的算法并確定了新的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。Keccak算法由于其較強(qiáng)的安全性和優(yōu)秀的軟硬件實(shí)現(xiàn)性能，最終成為最新一代的哈希函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。2015年8月NIST發(fā)布了最終的SHA-3
2025-10-28 07:13:32
10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席，鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
2025-10-27 18:05:001276 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性，對(duì)封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號(hào)
2025-10-22 18:13:11243 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43402 10月11日，一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏將為用戶帶來(lái)更流暢絲滑的游戲體驗(yàn)，并在顯示素質(zhì)、暗光顯示及護(hù)眼方面實(shí)現(xiàn)突破。第三代東方
2025-10-11 15:56:32740 
搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
2025-10-09 15:57:3042380 基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22499 
型柵極驅(qū)動(dòng)器（BTD系列）和配套的電源管理芯片（BTP系列），明確圍繞第三代半導(dǎo)體——碳化硅（SiC）MOSFET驅(qū)動(dòng)的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進(jìn)行構(gòu)建 。這些產(chǎn)品在設(shè)計(jì)上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開(kāi)關(guān)速度和高 ?dV/dt等特性帶來(lái)的挑戰(zhàn)。 該公司的策
2025-09-30 17:53:142833 
傾佳電子行業(yè)洞察：基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:351740 
等核心運(yùn)算進(jìn)行硬件加速優(yōu)化，在圖像識(shí)別、自然語(yǔ)言處理等任務(wù)中展現(xiàn)出卓越的實(shí)時(shí)性。然而，傳統(tǒng)FPGA在功耗、尺寸和系統(tǒng)集成度上的局限性，使其難以滿足邊緣計(jì)算、工業(yè)機(jī)器人等對(duì)能效和緊湊性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景。 ? 萊迪思推出的Lattice NexusT
2025-09-16 14:35:175435 XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）電源模塊平臺(tái)，專為電動(dòng)汽車、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動(dòng)等高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
8月28日，為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會(huì)展中心(福田)圓滿落幕，作為電子行業(yè)的年度大展，elexcon匯聚了全球400+家頂尖技術(shù)巨頭，探討從AI芯片、存算一體、RISC-V生態(tài)，到第三代半導(dǎo)體、綠色能源電子等一系列議題。
2025-09-08 11:31:152240 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率，從根本上超越了傳統(tǒng)硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)勢(shì)為電力電子系統(tǒng)的革新提供了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，尤其是在高壓、大功率和高頻應(yīng)用中。
2025-08-30 10:03:114774 
Semiconductor）深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3
2025-08-25 18:07:22835 
著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，友尚電子推出了一款基于安森美半導(dǎo)體NCP1618或NCP1655控制器與SiC Cascode JFET（UJ4C075060K3S）的≧500W主動(dòng)式PFC效率優(yōu)化方案。該方案旨在通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，顯著提升PFC功率級(jí)的效率與熱性能，同時(shí)保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性與簡(jiǎn)潔性。
2025-08-11 17:41:00640 
基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
在第三代半導(dǎo)體加速滲透的浪潮中，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)堅(jiān)持研發(fā)創(chuàng)新，推出行業(yè)領(lǐng)先的SiC Trench MOS，不僅彰顯了技術(shù)突破的實(shí)力，更成為企業(yè)價(jià)值增長(zhǎng)、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵錨點(diǎn)。
2025-07-31 10:11:371989 近日，在第五屆全國(guó)新型儲(chǔ)能技術(shù)及工程應(yīng)用大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，廣州智光儲(chǔ)能科技有限公司（簡(jiǎn)稱 “智光儲(chǔ)能”）與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級(jí)聯(lián)型高壓大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個(gè)大容量?jī)?chǔ)能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地，為儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-07-30 16:56:141230 深愛(ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
近日，總投資超200億元的長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目正式運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)。該項(xiàng)目是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅半導(dǎo)體基地，年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬(wàn)輛新能源汽車制造需求，推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)
2025-07-22 07:33:221042 
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14954 
高頻噪聲和干擾，在新能源汽車電驅(qū)、第三代半導(dǎo)體等高頻高壓場(chǎng)景中，為工程師提供更具效率的測(cè)量方案。
一、核心參數(shù)
帶寬：100MHz-500MHz
差分電壓：高達(dá)7000Vpk
精度：±2
2025-07-07 20:45:43
LFE5U-25F-7BG256I，LATTICE(萊迪思)，FPGA器件 LFE5U-25F-7BG256I，LATTICE(萊迪思)，危芯練戲：依叭溜溜寺山寺依武叭武ECP5
2025-06-26 10:43:51
LFE5U-45F-6BG554C ，LATTICE(萊迪思)，FPGA器件 2025-06-26 10:231. 總體描述ECP5?/ECP5-5G? 系列 FPGA 器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，能夠
2025-06-26 10:28:47
此前，6.20~22日，為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會(huì)圓滿落幕，本次大會(huì)集聚優(yōu)勢(shì)資源，聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等熱點(diǎn)領(lǐng)域，聯(lián)合權(quán)威產(chǎn)業(yè)專家、行業(yè)優(yōu)秀公司及政府相關(guān)部門，共繪產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展藍(lán)圖。
2025-06-24 17:59:231317 此前，6月20日至22日，為期三天的2025南京世界半導(dǎo)體博覽會(huì)圓滿落幕。本屆大會(huì)匯聚優(yōu)質(zhì)資源，聚焦人工智能技術(shù)、第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體、先進(jìn)封裝等前沿?zé)狳c(diǎn)領(lǐng)域，攜手權(quán)威產(chǎn)業(yè)專家、行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)及政府相關(guān)部門，共同擘畫(huà)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展新藍(lán)圖。
2025-06-23 17:57:461190 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，消息人士稱，英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片，試圖重新奪回市場(chǎng)份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003666 近日，國(guó)內(nèi)首家聚焦智能汽車第三代E/E架構(gòu)的SoC芯片及解決方案商歐冶半導(dǎo)體宣布，已完成億元人民幣B3輪融資。本輪融資由光學(xué)龍頭企業(yè)舜宇光學(xué)科技旗下舜宇產(chǎn)業(yè)基金戰(zhàn)略領(lǐng)投，合肥高投、老股東太極華青佩誠(chéng)
2025-06-19 16:09:251079 第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案， 功率轉(zhuǎn)換效率超過(guò)98%，功率密度高達(dá)35kW
2025-06-16 10:01:2346469 
發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè)，萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57968 尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53497 
作為國(guó)內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新，正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
繼X60和X100之后，進(jìn)迭時(shí)空正在基于開(kāi)源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二代高性能核X100相比，X200的單位性能提升75%以上，達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230 
Silicon Labs（芯科科技）第三代無(wú)線開(kāi)發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì)，該系列產(chǎn)品升級(jí)了三大功能特性：可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能，因而得以全面滿足未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39926 SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節(jié)點(diǎn)推出的首批無(wú)線SoC系列產(chǎn)品，在計(jì)算能力、功效、集成度和安全性方面實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43577 
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 瑞能G3 超結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能超結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性表現(xiàn) ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴(yán)謹(jǐn)執(zhí)行三批次可靠性測(cè)試，確保產(chǎn)品品質(zhì)。? ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET
2025-05-22 13:59:30490 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過(guò)降低能量損耗，來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:421346 
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
，這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲(chǔ)存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽(yáng)極電池的推出，
2025-05-19 03:02:002928 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達(dá)處理器，進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器，性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍，同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:4353530 板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列，單顆芯片包含8路ADC和DAC，64-bit Cortex A53系列4核CPU，Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理核，以及大容量FPGA。
2025-05-10 11:54:18927 
制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商榜單。本屆大會(huì)以\"新能源芯時(shí)代\"為主題，匯集了來(lái)自功率半導(dǎo)體、第三代材料應(yīng)用等領(lǐng)域的行業(yè)專家與企業(yè)代表。
作為專注電子測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，麥科
2025-05-09 16:10:01
近日，在2025上海國(guó)際車展上，吉利與雷諾合資的浩思動(dòng)力攜Gemini小型增程器驚艷亮相。這款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)搭載聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的氮化鎵器件，憑借高功率與高頻開(kāi)關(guān)特性，實(shí)現(xiàn)效率提升、體積縮小和可靠性增強(qiáng)，不僅展現(xiàn)聞泰科技在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚技術(shù)沉淀，更標(biāo)志著汽車動(dòng)力系統(tǒng)迎來(lái)新變革。
2025-05-08 10:01:03967 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出其新一代
2025-05-07 10:56:10728 
，顯著提升系統(tǒng)在效率、體積和可靠性方面的表現(xiàn)。此次合作中，安世依托領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，為浩思動(dòng)力打造低碳化、智能化的新一代動(dòng)力總成解決方案提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。 在2025上海國(guó)際車展上，吉利與雷諾合資的全球動(dòng)力總成領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)浩思動(dòng)力以“多路徑共達(dá)
2025-04-29 10:48:473343 
近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì)，具備更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
第三代半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，SiC器件的高頻開(kāi)關(guān)特性也帶來(lái)了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn)：開(kāi)關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42683 
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報(bào)道。 ? ? 日前， 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場(chǎng)及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413662 隨著新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求，金升陽(yáng)推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985 
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過(guò)將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
近日，國(guó)內(nèi)首家智能汽車第三代E/E架構(gòu)AI SoC芯片及解決方案商歐冶半導(dǎo)體宣布，已成功完成數(shù)億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國(guó)投招商、招商致遠(yuǎn)資本及聚合資本共同投資。
2025-03-25 09:48:28854 。 ??本季度開(kāi)始，AYANEO、壹號(hào)方糖和Retroid Pocket等OEM廠商將陸續(xù)推出搭載全新驍龍G系列平臺(tái)的手持游戲設(shè)備。 今日，高通技術(shù)公司宣布推出其2025年的全新驍龍G系列游戲平臺(tái)組合，專為各類玩家的手持游戲設(shè)備而打造。全新產(chǎn)品組合包括第三代驍龍G3、第二代驍
2025-03-18 09:15:202366 
? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡(jiǎn)稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開(kāi)。納微達(dá)斯（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”）憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043894
亮點(diǎn) ：國(guó)產(chǎn)企業(yè)級(jí)NVMe主控芯片領(lǐng)軍者，第三代PCIe 4.0芯片已量產(chǎn)，正在研發(fā)7nm PCIe 5.0產(chǎn)品，客戶覆蓋數(shù)據(jù)中心與云計(jì)算頭部企業(yè)。
8. 知存科技（WITINMEM）
領(lǐng)域 ：存算一體
2025-03-05 19:37:43
一談起低軌衛(wèi)星，大家勢(shì)必會(huì)說(shuō)起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開(kāi)馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣，一眾企業(yè)在模仿，試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近，拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
2025-03-05 17:34:166275 
近日，威睿電動(dòng)汽車技術(shù)（寧波）有限公司（簡(jiǎn)稱“威睿公司”）2024年度供應(yīng)商伙伴大會(huì)于浙江寧波順利召開(kāi)。納微達(dá)斯（無(wú)錫）半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”）憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果，喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎(jiǎng)”。
2025-03-04 09:38:23968 SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開(kāi)關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:431484 
近日，經(jīng)國(guó)際權(quán)威機(jī)構(gòu)評(píng)估，羅萊迪思通過(guò)全球軟件領(lǐng)域高級(jí)別CMMI成熟度5級(jí)評(píng)估認(rèn)證，并榮獲CMMI5級(jí)證書(shū)。這一里程碑式的成就，不僅彰顯了羅萊迪思在軟件研發(fā)領(lǐng)域的實(shí)力，也標(biāo)志著公司在項(xiàng)目管理
2025-02-26 15:33:52735 
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
近日，在深圳舉辦的行家說(shuō)第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可，更是對(duì)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020 2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
近日，萊迪思半導(dǎo)體公司(LSCC)發(fā)布了其202X年四季度的財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，公司在該季度的調(diào)整后每股收益(EPS)為0.15美元，略低于分析師預(yù)期的0.19美元。然而，在營(yíng)收方面，萊迪思半導(dǎo)體
2025-02-11 16:06:49738 近日，中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代，為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341 在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
來(lái)源：新華網(wǎng) 我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。記者從中國(guó)科學(xué)院微電子研究所獲悉，我國(guó)在太空
2025-02-05 10:56:13517 本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中，車用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，成為半導(dǎo)體技術(shù)研究的前沿和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。在新能源汽車等應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展的推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)外廠商正在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)，發(fā)展前景究竟如何？ 隨著全球科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體
2025-01-08 17:23:51801 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:01
0 近期，萊迪思成功舉辦了其年度開(kāi)發(fā)者大會(huì)，吸引了全球超過(guò)6000名行業(yè)精英、技術(shù)專家和技術(shù)愛(ài)好者共襄盛舉。此次盛會(huì)聚焦于低功耗FPGA解決方案的最新進(jìn)展，旨在探索可編程技術(shù)的無(wú)限可能。 為期兩天
2025-01-07 11:08:42854 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220：將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:110
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