荷蘭造價上億的龐大機器到位并組裝好后，并不意味著EUV光刻機的生產(chǎn)工作完全準備就緒。隨著先進工藝晶圓制造中圖案化策略和分辨率重視程度的攀升，為了滿足這些需求，與EUV光刻技術(shù)相關(guān)的材料同樣需要納入考量，尤其是光刻膠和防護膜。 ? EUV光
2022-07-22 07:49:00
3666 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:541996 
作為近乎壟斷的光刻機巨頭，ASML的EUV光刻機已經(jīng)在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無論是英特爾、臺積電還是三星，EUV光刻機的購置已經(jīng)是生產(chǎn)支出中很大的一筆，也成了7nm之下不可或缺的制造設(shè)備
2021-12-01 10:07:4113656 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，除了光刻機等設(shè)備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設(shè)計圖形的材料，經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到晶
2023-06-22 01:27:006658 ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
光刻掩膜設(shè)計與加工制造服務(wù)，請問可以加工二元光學(xué)器件嗎？相位型光柵那種.
2024-04-22 06:24:37
300~500nmKrF：波長248.8nmArF：波長193nm衍射效應(yīng)對光刻圖案的影響左圖是理想的光強分布，由于光的衍射效應(yīng)，實際的光強分布如右圖所示。當(dāng)光的波長與mask的特征尺寸可比時，會產(chǎn)生明顯的衍射效應(yīng)。如上圖所示，透過mask的光相互疊加，使得不該受到光照的區(qū)域被曝光。
2014-09-26 10:35:02
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。 非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠
2012-01-12 10:51:59
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
芯片制造流程其實是多道工序?qū)⒏鞣N特性的材料打磨成形，經(jīng)循環(huán)往復(fù)百次后，在晶圓上“刻”出各種電子特性的區(qū)域，最后形成數(shù)十億個晶體管并被組合成電子元件。那光刻，整個流程中的一個重要步驟，其實并沒有
2020-09-02 17:38:07
的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴大負性膠，可以形成臺階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點：1
2018-07-12 11:57:08
大。在膜厚大于5μm后，可忽略駐波效應(yīng)的影響。 其實，在理想情況下，基體與光刻膠的折射率可以認為是匹配的，即在曝光過程中基體和光刻膠相鄰的表面沒有反射光，此時曝光劑量分布均勻一致，而實際曝光劑量的分布
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
100μm并具有極高的分辨率。 NR5 系列 NR5-系列負性光刻膠，用于深度離子蝕刻（RIE）中的厚膜掩膜工藝。 PR1 系列 正性光刻膠，用于光刻，蝕刻和高溫制程。 IC1/DC5 系列 作為
2010-04-21 10:57:46
。
光刻工藝、刻蝕工藝
在芯片制造過程中，光刻工藝和刻蝕工藝用于在某個半導(dǎo)體材料或介質(zhì)材料層上，按照光掩膜版上的圖形，“刻制”出材料層的圖形。
首先準備好硅片和光掩膜版，然后再硅片表面上通過薄膜工藝生成一
2025-04-02 15:59:44
三種常見的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)。 ◆投影式暴光是利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
，從gate size放大而來。完整的光掩膜圖形中，除了對應(yīng)電路的圖形外，還包括一些輔助圖形或測試圖形，常見的有：游標，光刻對準圖形，曝光量控制圖形，測試鍵圖形，光學(xué)對準目標圖形，劃片槽圖形，和其他
2012-01-12 10:36:16
快照】：極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國際上對EUV光刻技術(shù)已開展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29
`一、照明用LED光源照亮未來 隨著市場的持續(xù)增長，LED制造業(yè)對于產(chǎn)能和成品率的要求變得越來越高。激光加工技術(shù)迅速成為LED制造業(yè)普遍的工具，甚者成為了高亮度LED晶圓加工的工業(yè)標準?！ 〖?b class="flag-6" style="color: red">光刻
2011-12-01 11:48:46
長期收購藍膜片.藍膜晶圓.光刻片.silicon pattern wafer. 藍膜片.白膜片.晶圓.ink die.downgrade wafer.Flash內(nèi)存.晶片.good die.廢膜硅片
2016-01-10 17:50:39
據(jù)羊城晚報報道，近日中芯國際從荷蘭進口的一臺大型光刻機，順利通過深圳出口加工區(qū)場站兩道閘口進入廠區(qū)，中芯國際發(fā)表公告稱該光刻機并非此前盛傳的EUV光刻機，主要用于企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)后的生產(chǎn)線擴容。我們知道
2021-07-29 09:36:46
GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學(xué)系統(tǒng)測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機電系統(tǒng)）等微細結(jié)構(gòu)。光刻機是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過將光線通過
2023-07-07 11:46:07
提要：本文討論了光學(xué)光刻中的離軸照明技術(shù)。主要從改善光刻分辨率、增大焦深、提高空間像對比度等方面對離軸照明與傳統(tǒng)照明作了比較，并用 仿真軟件進行了模擬分析。研
2010-11-11 15:45:02
0 聲波振蕩、等離子體處理和超臨界干燥，確保掩膜板圖案的完整性與光刻精度。該設(shè)備適用于EUV（極紫外光刻）、ArF（氟化氬光刻）及傳統(tǒng)光刻工藝，支持6寸至30寸掩膜板的
2025-06-17 11:06:03
澤攸科技ZML10A是一款創(chuàng)新的桌面級無掩膜光刻設(shè)備，專為高效、精準的微納加工需求設(shè)計。該設(shè)備采用高功率、高均勻度的LED光源，并結(jié)合先進的DLP技術(shù)，實現(xiàn)了黃光或綠光引導(dǎo)曝光功能，真正做到
2025-08-15 15:11:55
光刻的本質(zhì)是把制作在掩膜版上的圖形復(fù)制到以 后要進行刻蝕和離子注入的晶圓上。其原理與照相 相似，不同的是半導(dǎo)體晶圓與光刻膠代替了照相底 片與感光涂層。
2016-06-08 14:55:420 光刻機掩膜臺微動臺調(diào)平控制系統(tǒng)設(shè)計_何良辰
2017-01-28 21:37:1518 隨機變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機性變化又稱為隨機效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項期待已久的技術(shù)帶來了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:006365 深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、離軸照明技術(shù)、鄰近效應(yīng)校正等。運用這些技術(shù)，可在目前的技術(shù)水平上獲得更高分辨率的光刻圖形。
20世紀70—80年代，光刻設(shè)備主要采用普通光源
2018-06-27 15:43:5013171 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:404245 ，利用各種波前技術(shù)優(yōu)化工藝參數(shù)也是提高分辨率的重要手段。這些技術(shù)是運用電磁理論結(jié)合光刻實際對曝光成像進行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、離軸照明技術(shù)、鄰近效應(yīng)校正等。運用這些技術(shù)，可在目前
2019-01-02 16:32:2329614 條件下，未使用掩膜保護膜（pellicle），已實現(xiàn)每小時曝光140片晶圓的吞吐量；該機型在用戶端的測試中，可達到每小時曝光125片晶圓的吞吐量，套刻誤差2nm；按照阿斯麥公司EUV技術(shù)路線規(guī)劃，公司
2019-01-27 10:33:555103 
隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運用逐漸擴展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對于 7 納米及更小的高級節(jié)點，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細的尺寸下進行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:372675 
格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰(zhàn)將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1814886 
據(jù)中國證券報報道，3月6日下午從中芯國際獲悉，日前中芯國際深圳工廠從荷蘭進口了一臺大型光刻機，但這是設(shè)備正常導(dǎo)入，用于產(chǎn)能擴充，并非外界所稱的EUV光刻機。
2020-03-07 10:55:145047 光刻機是集成電路制造中最精密復(fù)雜、難度最高、價格最昂貴的設(shè)備，用于在芯片制造過程中的掩膜圖形到硅襯底圖形之間的轉(zhuǎn)移。集成電路在制作過程中經(jīng)歷材料制備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機械研磨等多個工序，其中以光刻工序最為關(guān)鍵，因為它是整個集成電路產(chǎn)業(yè)制造工藝先進程度的重要指標。
2020-03-18 11:00:4175541 光刻是指利用光學(xué)復(fù)制的方法把圖形印制在光敏記錄材料上，然后通過刻蝕的方法將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上來制作電子電路的技術(shù)。
2020-08-13 15:09:2221744 
考慮到光刻工藝步驟中的光刻膠、光刻氣體、光罩（光掩膜板）、涂膠顯影設(shè)備等諸多配套設(shè)施和材料投資，實則整個光刻工藝占到了芯片成本的三分之一左右。
2020-10-09 15:40:112916 掩膜版（Photomask），又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是下游行業(yè)產(chǎn)品制造過程中的圖形“底片”轉(zhuǎn)移用的高精密工具，是承載圖形設(shè)計和工藝技術(shù)等知識產(chǎn)權(quán)信息的載體。掩膜版用于下游電子元器件制造業(yè)批量生產(chǎn)，是下游行業(yè)生產(chǎn)流程銜接的關(guān)鍵部分，是下游產(chǎn)品精度和質(zhì)量的決定因素之一。
2020-10-12 09:44:4213415 
ASML的EUV光刻機是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機必不可缺。一臺EUV光刻機的售價為1.48億歐元，折合人民幣高達11.74億元
2020-10-19 12:02:4910753 
在一顆芯片誕生的過程中，光刻是最關(guān)鍵又最復(fù)雜的一步。 說最關(guān)鍵，是因為光刻的實質(zhì)將掩膜版上的芯片電路圖轉(zhuǎn)移至硅片，化虛為實。說最復(fù)雜，是因為光刻工藝需要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘
2020-11-26 16:19:193225 繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機后，三星也坐不住了。 按照三星的說法，自2014年以來，EUV光刻參與的晶圓超過了400萬片，公司積累了豐富的經(jīng)驗，也比其它廠商掌握
2020-12-04 18:26:542674
光刻是晶圓制造的核心工藝。半導(dǎo)體用***、光刻膠、光掩膜等的市場分別被國外龍頭企業(yè)如ASML、Canon、信越化學(xué)、JSR、住友化學(xué)、Fujifilm等企業(yè)所主導(dǎo)。目前中國半導(dǎo)體光刻產(chǎn)業(yè)鏈
2020-12-29 15:41:443108 ？OFweek君根據(jù)公開資料整理出了一些原因，供讀者參考。 與DUV（深紫外光）光刻機相比，EUV光刻機的吞吐量相對較低，每小時可曝光處理的晶圓數(shù)量約在120片－175片之間，技術(shù)改進后，速度可以提升至275片每小時。但相對而言，EUV生產(chǎn)效率還是更高，
2021-02-14 14:05:004746 以下內(nèi)容由對話音頻整理 本期話題 ● EUV光刻機產(chǎn)能如何？ ● 晶圓為什么是圓的？ ● 不同制程的芯片之間有何區(qū)別？ ● 什么是邏輯芯片，邏輯芯片又包括哪些？ ● 專用芯片與通用芯片 ● 中科院
2021-03-14 09:46:3025244 集成電路設(shè)計發(fā)展到超深亞微米，其特征尺寸越來越小，并趨近于曝光系統(tǒng)的理論極限，光刻后硅片表面的成像將產(chǎn)生嚴重的畸變，即產(chǎn)生光學(xué)鄰近效應(yīng)（Optical Proximity Effect）。隨著光刻
2021-04-19 14:21:0215186 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）作為近乎壟斷的光刻機巨頭，ASML的EUV光刻機已經(jīng)在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無論是英特爾、臺積電還是三星，EUV光刻機的購置已經(jīng)是生產(chǎn)支出中很大的一筆，也成了
2021-12-07 14:01:1012038 極紫外光刻(EUVL)掩模壽命是要解決的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一，因為該技術(shù)正在為大批量制造做準備。反射式多層掩模體系結(jié)構(gòu)對紫外線輻射高度敏感，容易受到表面氧化和污染。由于各種表面沉積過程造成的EUV標線的污染
2021-12-17 15:22:421649 
光刻機是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前有用于生產(chǎn)的光刻機，有用于LED制造領(lǐng)域的光刻機，還有用于封裝的光刻機。光刻機是采用類似照片沖印的技術(shù)，然后把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。
2022-02-05 16:03:0090746 臺積電和三星從7nm工藝節(jié)點就開始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:203215 
HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來源：架構(gòu)
?現(xiàn)場EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 中國芯的進步那是有目共睹，我國在光刻機，特別是在EUV光刻機方面，更是不斷尋求填補空白的途徑。
2022-07-05 10:38:3518612 光刻機是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進的光刻機是荷蘭ASML的EUV光刻機。
2022-07-06 11:03:078348 EUV光刻機是在2018年開始出現(xiàn)，并在2019年開始大量交付，而臺積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:445306 ASML的極紫外光刻機（EUV），這個是當(dāng)前世界頂級的光刻機設(shè)備。 在芯片加工的時候，光刻機是用一系列光源能量和形狀控制手段，通過帶有電路圖的掩模傳輸光束。 光刻設(shè)備涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運動、精密材料傳輸、高精度微環(huán)境控制等多項先
2022-07-10 11:17:4253107 機是哪個國家的呢？ euv光刻機許多國家都有，理論上來說，芯片強國的光刻機也應(yīng)該很強，但是最強的光刻機制造強國，不是美國、韓國等芯片強國，而是荷蘭。 EUV光刻機有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，在全世
2022-07-10 11:42:278556 機可以生產(chǎn)出納米尺寸更小、功能更強大的芯片。 小于5 nm的芯片晶片只能由EUV光刻機生產(chǎn)。 EUV光刻機有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，最先進的光刻機是荷蘭ASML公司的EUV光刻機。預(yù)計在光路系統(tǒng)的幫助下，能
2022-07-10 14:35:067941 光刻機和euv光刻機區(qū)別是是什么呢？ duv光刻機和euv光刻機區(qū)別 1.基本上duv只能做到25nm，而euv能夠做到10nm以下晶圓的生產(chǎn)。 2. duv主要使用的是光的折射原理，而euv使用的光的反射原理，內(nèi)部必須是真空操作。 以上就是duv光刻機和euv光刻機區(qū)別了，現(xiàn)在基本都是euv光刻機
2022-07-10 14:53:1087068 光刻機的原理是接近或接觸光刻，通過無限接近，將圖案復(fù)制到掩模上。直寫光刻是將光束聚焦到一個點上，通過移動工作臺或透鏡掃描實現(xiàn)任意圖形處理。投影光刻是集成電路的主流光刻技術(shù)，具有效率高、無損傷等優(yōu)點。 EUV光刻機有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工
2022-07-10 15:28:1018347 多項先進技術(shù)。 是半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)含量最高的設(shè)備。 光刻機在芯片制作中扮演著很重要的角色。在加工芯片的時候，光刻機會通過光源能量、形狀控制手段，讓光束透射過畫著線路圖的掩膜，能夠把線路圖縮小然后映射在硅片上，最后用化
2022-07-10 16:34:405150 與此同時，在ASML看來，下一代高NA EUV光刻機為光刻膠再度帶來了挑戰(zhàn)，更少的隨機效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負膠肯定是沒法用了，DUV光刻機上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:083925 EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡單來說，就是以極紫外光作“刀”，對芯片上的晶圓進行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:027389 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:056458 掩膜版（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是承載圖形設(shè)計和工藝技術(shù)等知識產(chǎn)權(quán)信息的載體。
2023-01-09 10:52:074926 其全流程涉及了從 EUV 光源到反射鏡系統(tǒng)，再到光掩模，再到對準系統(tǒng)，再到晶圓載物臺，再到光刻膠化學(xué)成分，再到鍍膜機和顯影劑，再到計量學(xué)，再到單個晶圓。
2023-03-07 10:41:582617 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122945 光刻是在晶圓上創(chuàng)建圖案的過程，是芯片制造過程的起始階段，包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。
2023-04-25 09:22:161994 
光刻技術(shù)簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。
2023-04-25 11:02:324855 
晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:001680 
EUV光刻技術(shù)仍被認為是實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。
2023-05-18 15:49:044249 
夠高同樣以3400B來說，該EUV光刻機的生產(chǎn)效率是每小時125片晶圓，還不到DUV光刻機生產(chǎn)效率的一半。
隨機效應(yīng)嚴重DUV時代就存在，但對芯片制造影響不大，因此被芯片代工廠忽略。但在EUV時代，該問題開始嚴重影響芯片的良率，隨芯片工藝尺寸越來越小，隨機效應(yīng)越發(fā)明顯
2023-06-08 15:56:421359 
，將設(shè)計在掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上形成集成電路。本設(shè)備是專門針對企業(yè)及科研單位研發(fā)的一種精密光刻機，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面
2022-12-20 09:24:263273 
EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:021237 光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù)，是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復(fù)制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:533940 
其中，步進投影式光刻機（stepper）的一個shot一個shot進行曝光的，并不是一整張晶圓同時曝光，那么stepper的shot是什么樣的？多大尺寸？需要多大的掩膜版？
2023-10-09 18:13:2611762 
光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:151810 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:555084 掩膜版保護膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產(chǎn)中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對掩膜版起物理與化學(xué)保護作用。
2024-01-04 18:15:082635 
微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移母版掩膜版（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版，是圖形設(shè)計和工藝技術(shù)等知識產(chǎn)權(quán)信息的載體。
2024-01-06 11:33:5549325 
制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:006629 
? 基于掩膜的傳統(tǒng)光刻技術(shù)，其成本正呈指數(shù)級攀升。而無掩膜的電子束光刻技術(shù)提供了補充性選項，可以幫助芯片制造商更快地將產(chǎn)品推向市場。電子束光刻技術(shù)采用電子束在硅晶圓上生成圖案，無需等待掩膜制造過程
2024-05-22 18:41:413965 微流控光刻掩膜的制作過程涉及多個步驟，?包括設(shè)計、?制版、?曝光、?顯影、?刻蝕等，?最終形成具有特定圖形結(jié)構(gòu)的掩膜版。? 首先，?設(shè)計階段是制作掩膜版的關(guān)鍵一步。?設(shè)計人員需要使用標準的CAD
2024-08-08 14:56:05929 之后就成為光掩膜版。掩膜板可分為光掩膜版和投影掩膜版。光掩膜版包含了整個硅片的芯片圖形特征，進行1：1圖形復(fù)制，這種掩膜板用于比較老的接近式光刻和掃描對準投影機中；投影掩膜板只包含硅片上的一部分圖形（例如四個芯片），一般
2024-08-19 13:20:434318 
光刻掩模是光的一種掩蔽模片，其作用有類似于照相的通過它，可以使它“底下“的光劑部分成光，難溶于有機藥品，一部分不感光，易溶于有機藥品，以而制得選擇擴散所需的窗口和互速所需的圖案。 掩膜版有兩種：一種
2024-09-04 14:55:551014 掩膜版與光刻膠在芯片制造過程中扮演著不可或缺的角色，它們的功能和作用各有側(cè)重，但共同促進了芯片的精確制造。? 掩膜版?，也稱為光罩、光掩膜或光刻掩膜版，是微電子制造過程中的圖形轉(zhuǎn)移母版。它的主要功能
2024-09-06 14:09:472516 光刻掩膜版的制作是一個復(fù)雜且精密的過程，涉及到多個步驟和技術(shù)。以下是小編整理的光刻掩膜版制作流程： 1. 設(shè)計與準備 在開始制作光刻掩膜版之前，首先需要根據(jù)電路設(shè)計制作出掩模的版圖。這個過程通常
2024-09-14 13:26:222269 進行電路圖形復(fù)制，從而實現(xiàn)芯片的批量生產(chǎn)。 其中，光掩膜版中包含集成電路的圖案，隨著晶體管變得越來越小，光掩膜的制造變得越來越復(fù)雜，以便將圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅晶片上。 此外，光掩膜版應(yīng)用也十分廣泛，在涉及光刻工藝
2024-10-09 14:24:531578 光刻掩膜（也稱為光罩）和模具在微納加工技術(shù)中都起著重要的作用，但它們的功能和應(yīng)用有所不同。 光刻掩膜版 光刻掩膜版是微納加工技術(shù)中常用的光刻工藝所使用的圖形母版。它由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成
2024-10-14 14:42:031183 在正性光刻過程中，掩膜版（Photomask）作為圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工具，其性能直接影響到最終圖形的精確度和質(zhì)量。以下是正性光刻對掩膜版的主要要求： 圖案準確性 在正性光刻中，掩膜版上的圖案需要被準確
2024-12-20 14:34:311162 本文簡單介紹了極紫外光（EUV）掩膜版的相關(guān)知識，包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
2024-12-27 09:26:161308 ?? 光刻掩膜簡介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡稱“mask”，是半導(dǎo)體制造過程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工具，對于光刻工藝的重要性不弱于光刻機、光刻
2025-01-02 13:46:225050 
光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003594 
正性光刻對掩膜版的要求主要包括以下幾個方面： 基板材料：掩膜版的基板材料需要具有良好的透光性、穩(wěn)定性以及表面平整度。石英是常用的基板材料，因為它具有較低的熱膨脹系數(shù)，能夠在溫度變化時保持尺寸穩(wěn)定
2025-02-17 11:42:17856 ? EUV光刻有多強？目前來看，沒有EUV光刻，業(yè)界就無法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻機也是歷史上最復(fù)雜、最昂貴的機器之一。 EUV光刻有哪些瓶頸？ EUV光刻技術(shù)，存在很多難點。 1.1
2025-02-18 09:31:242259 
掩膜版作為微納加工技術(shù)中光刻工藝所使用的圖形母版，在IC、平版顯示器、印刷電路版、微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。隨著信息技術(shù)和智能制造的快速發(fā)展，特別是智能手機、平板電腦、車載電子等市場的快速增長
2025-02-19 16:33:121049 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）芯片，一直被譽為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ，而制造芯片的重要設(shè)備光刻機就是 雕刻這個結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及
2025-10-28 08:53:356236
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