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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>美光科技推三種二代3D NAND存儲產(chǎn)品 預(yù)計2020年手機(jī)具備AI功能

美光科技推三種二代3D NAND存儲產(chǎn)品 預(yù)計2020年手機(jī)具備AI功能

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丘鈦科技:3D結(jié)構(gòu)已實現(xiàn)量產(chǎn),3D TOF模組具備量產(chǎn)能力

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非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露,該公司已切入3D NAND Flash開發(fā),預(yù)計2018或2019量產(chǎn),并進(jìn)軍固態(tài)硬盤(SSD)市場。
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半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

3D NAND Flash 作為新一存儲產(chǎn)品,受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注!但目前3D NAND僅由星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今(Micron)也
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新型存儲技術(shù)3D XPoint目前處于發(fā)展初期 英特爾分道揚(yáng)鑣

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2018-11-11 09:54:491418

星、3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

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長江存儲預(yù)計在2019全速量產(chǎn) 2020會趕超國際領(lǐng)先的閃存公司

科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地,該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018Q1季度完工,2019全速量產(chǎn),預(yù)計2020會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。
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2018-12-01 10:09:079899

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日,星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四64層256Gb V-NAND,與48層256Gb V-NAND相比,生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294

長江存儲推出第二代Xtacking 3D NAND存儲架構(gòu)

Xtacking是長江存儲在去年FMS(閃存技術(shù)峰會)首次公開的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎項。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:373601

已流片第一批第四3DNAND存儲芯片 有望在2020生產(chǎn)商用第四3DNAND內(nèi)存

科技已經(jīng)流片第一批第四3D NAND存儲芯片,它們基于全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020生產(chǎn)商用第四3D NAND內(nèi)存,但警告稱,使用新架構(gòu)的存儲芯片將僅用于特定應(yīng)用,因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507

將推出最新的第四3D NAND閃存

宣布,已經(jīng)完成第四3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180

第四3D NAND芯片將量產(chǎn) 計劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機(jī)遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,存儲巨頭,的第四3D NAND芯片完成首批流片,新一產(chǎn)品基于全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043

2020的iPhone或?qū)仐?b class="flag-6" style="color: red">3D結(jié)構(gòu)而添加屏下指紋技術(shù)

2020蘋果改用屏幕指紋的可能性不大,現(xiàn)在的消息都是科技媒體的猜測,做不了準(zhǔn)。蘋果手機(jī)從iPhone X開始使用3D結(jié)構(gòu)人臉識別,并且沿用了三代產(chǎn)品,經(jīng)過了時間的檢驗。
2019-11-26 10:56:403198

英特爾與簽署3D XPoint存儲晶圓新的供應(yīng)協(xié)議

在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后,英特爾近日又與簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出,鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142525

即將量產(chǎn)第四3D NAND存儲器 層數(shù)達(dá)到128層

光在季度財報電話會議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃,將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn),并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型,第四 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011

長江存儲表示128層3D NAND技術(shù)會按計劃推出

據(jù)證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會按計劃在2020推出。
2020-04-08 15:09:152895

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627

英特爾第二代傲騰固態(tài)硬盤支持PCIe 4.0,使用第二代3D XPoint介質(zhì)

5月11日消息,近日,英特爾初步介紹第二代傲騰固態(tài)硬盤細(xì)節(jié),該公司使用3DXpoint打造的傲騰系列存儲產(chǎn)品都有著相當(dāng)強(qiáng)大的性能,新一傲騰144層3D NAND固態(tài)硬盤將支持PCIe 4.0,最大容量可達(dá)3TB。
2020-05-13 14:08:046684

發(fā)布第五3D NAND閃存

據(jù)媒Anandtech報道,日前宣布了其第五3D NAND閃存,新一產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報道指出,新型176L閃存是自與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品,此后從浮柵( floating-gate)存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

全新176層堆疊閃存發(fā)布,可以輕松放入智能手機(jī)存儲卡內(nèi)

剛剛宣布了其第五3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315

宣布了其第五3D NAND閃存技術(shù)

剛剛宣布了其第五3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924

科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

第五 3D NAND 技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。 科技表示,與的上一大容量 3D NAND 產(chǎn)品相比,176 層 NAND 將數(shù)據(jù)讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。的 176 層
2020-11-12 13:04:572623

發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:553696

未來的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發(fā)展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095

NAND加速邊緣計算場景化落地

日前,存儲器廠商宣布,其第五3D?NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過全新推出的176層3D?NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲的應(yīng)用效能。
2020-11-20 17:10:122392

未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

3D NAND 路線圖:星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖,包括星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

SK海力士宣布推出最新一3D NAND

據(jù)報道,SK hynix日前發(fā)布了其最新一3D NAND。據(jù)介紹,新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后,SK hynix是第家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822

不要過于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

NAND應(yīng)運(yùn)而生,可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題,未來的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020的閃存
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND;長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020末,光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯進(jìn)入176層的存儲廠商。不得不說,存儲之戰(zhàn)沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583

IDC:2020 全球二手智能手機(jī)預(yù)計出貨量將達(dá)到 2.255 億部

據(jù)市場研究機(jī)構(gòu) IDC 昨日發(fā)布的報告,2020 ,全球二手智能手機(jī)預(yù)計出貨量將達(dá)到 2.255 億部。IDC 表示,與 2019 相比,2020 二手智能手機(jī)出貨量增長了 9.2%。 IDC
2021-01-08 09:36:473026

星將首發(fā)高通3D超聲波指紋識別技術(shù)

高通官方特確認(rèn),星Galaxy S21系列首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識別技術(shù)。
2021-01-15 09:13:03961

星S21系列首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識別技術(shù)

1月14日晚間,星正式發(fā)布2021度旗艦——星S21系列,搭載高通驍龍888,定位最高的星S21 Ultra還支持S Pen,成為S系列首款支持S Pen的手機(jī)。除此之外,該系列手機(jī)還首發(fā)高通第二代3D超聲波指紋識別技術(shù)。
2021-01-15 11:23:514767

盤點(diǎn)2020存儲行業(yè)十大事件

20204月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六162層3D閃存技術(shù)

新一3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局,繼光和SK海力士在2020底陸續(xù)推出新一176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù),星也稱將在2021推出第七V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

中興屏下3D結(jié)構(gòu)技術(shù)亮相MWC

2021上海MWC國際移動通信展會上,中興手機(jī)攜第二代量產(chǎn)屏下攝像技術(shù)、全球首發(fā)屏下3D結(jié)構(gòu)技術(shù)亮相。
2021-02-24 15:53:552251

中興展示第二代量產(chǎn)屏下攝像技術(shù)和全球首發(fā)屏下3D結(jié)構(gòu)技術(shù)

2月23日,2021MWC上海展在新國際博覽中心正式開幕,不少手機(jī)廠商選擇在這個舞臺上秀肌肉。展會當(dāng)天,中興手機(jī)除了展示了一眾產(chǎn)品外,也向公眾展示了第二代量產(chǎn)屏下攝像技術(shù)和全球首發(fā)屏下3D結(jié)構(gòu)技術(shù)
2021-02-25 14:18:272572

虧4億 宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術(shù)是與英特爾共同開發(fā)的一非易失性存儲技術(shù),比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲空白
2021-03-19 14:25:251570

長江正式打破星壟斷,192層3D NAND閃存實現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286

光和鎧俠對3D NAND FLASH的布局介紹

垂直堆疊、XY方向縮放、CMOS電路每比特減少這三種方法對于未來3D NAND的高密度化具有重要意義。
2022-06-22 11:32:404750

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

星:20303D NAND將進(jìn)入1000層以上

 星已經(jīng)確定了新一3D NAND閃存的開發(fā)計劃,預(yù)計在2024推出第九3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:293142

基于232層3D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25% 此前推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823

星將于2024量產(chǎn)超300層3D NAND芯片

 最近,星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話表示,計劃到2024批量生產(chǎn)300段以上的第93d nand預(yù)計將采用將nand存儲器制作成兩個獨(dú)立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術(shù)。星將于2020從第7176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015

長江存儲起訴 指控侵犯8項3D NAND專利

長江存儲在專利侵害訴訟場主張說:“此次訴訟是為了中斷公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新?!遍L江存儲訴訟稱,使用長江存儲的專利技術(shù),從與長江存儲的競爭中防御,確保和保護(hù)市場占有率。
2023-11-12 14:26:451222

起訴!長江存儲反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個方面:試圖通過迫使長江存儲退出3D NAND Flash(閃存)市場來阻止競爭和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:511090

長江存儲起訴!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結(jié)論:長江存儲3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過了。
2023-11-13 16:53:041658

8項專利被侵權(quán)!與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲芯片戰(zhàn)升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區(qū)地方法院對美國記憶芯片龍頭科技提告,指控侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關(guān)的美國專利。
2023-11-13 17:24:511517

有了2D NAND,為什么要升級到3D呢?

2D NAND3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(存儲器)的一
2024-03-17 15:31:392376

第九3D TLC NAND閃存技術(shù)的SSD產(chǎn)品開始出貨

知名存儲品牌近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的堆疊層數(shù)高達(dá)
2024-07-31 17:11:171680

量產(chǎn)第九NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,不僅彰顯了光在制程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實力,更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251

中興通訊攜手中國移動推出AI裸眼3D創(chuàng)新產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的通訊科技企業(yè)中興通訊攜手中國移動,在2024MWC上海展上聯(lián)合發(fā)布兩款全球首創(chuàng)的AI裸眼3D創(chuàng)新產(chǎn)品:千元普惠的中興遠(yuǎn)航3D手機(jī)和第二代裸眼3D平板電腦nubia Pad 3D Ⅱ。這兩款
2024-10-15 10:05:101828

簡單認(rèn)識第二代高通3D Sonic傳感器

目前,已有多款搭載驍龍8至尊版移動平臺的新機(jī)陸續(xù)發(fā)布,其中不少機(jī)型采用第二代高通3D Sonic超聲波指紋解鎖,為用戶帶來了更為便捷、高效的解鎖體驗。作為高通新一超聲波指紋解鎖解決方案,第二代
2025-01-21 10:05:301522

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC維閃存和新華半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

2030實現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲企業(yè)競相追逐的“工業(yè)明珠”,包括星、海力士、、鎧俠、長江存儲等都在這一領(lǐng)域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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