半導體行業(yè)持續(xù)推進性能和集成度的邊界，Chiplet技術(shù)作為克服傳統(tǒng)單片設(shè)計局限性的解決方案正在興起....

半導體行業(yè)正面臨傳統(tǒng)封裝方法的性能極限，特別是在滿足AI計算需求的爆炸性增長方面。CoWoP（芯片晶....

在先進封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號完整性，還....

半導體行業(yè)正在經(jīng)歷向更緊湊、更高效封裝解決方案的轉(zhuǎn)型。隨著移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用對更小、更薄....

毫米波(mmWave)嚴格意義上是指波長在1到10毫米之間、頻率范圍是30GHz-300GHz的電磁....

數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)正在經(jīng)歷向光電共封裝（CPO）交換機的根本性轉(zhuǎn)變，這種轉(zhuǎn)變主要由其顯著的功耗效率優(yōu)勢....

傳統(tǒng)封裝方法已無法滿足人工智能、高性能計算和下一代通信技術(shù)的需求。晶體管尺寸已縮小至個位數(shù)納米量級，....

光電共封裝（Co-Packaged Optics，CPO）代表了光互連技術(shù)的新發(fā)展方向，這種技術(shù)將光....

FOPLP 技術(shù)目前仍面臨諸多挑戰(zhàn)，包括：芯片偏移、面板翹曲、RDL工藝能力、配套設(shè)備和材料、市場應(yīng)....

在異構(gòu)集成組件中，互連結(jié)構(gòu)通常是薄弱處，在經(jīng)過溫度循環(huán)、振動等載荷后，互連結(jié)構(gòu)因熱、機械疲勞而斷裂是....

基于板級封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法，結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念，通過S....

提高激光強度(激光功率密度)可以有效提高微孔的加工速 率。然而，過高的激光強度在加工過程中也會造成過....

前面分享了先進封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進封裝，今天分享一下先進封裝中先進性最高的TSV。

半導體中電子和空穴運動方式有很多種，比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的....

銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Dam....

面向高性能計算機、人工智能、無人系統(tǒng)對電子芯片高性能、高集成度的需求，以 2.5D、3D 集成技術(shù)為....

TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是兩種....

氧化鎵（Ga2O3 ）是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導體材料，不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高，而且具有極高的....

印刷電路板（PCB）在電子設(shè)備和其他相關(guān)應(yīng)用中無處不在。一般來說，PCB是由多層層壓材料和多層樹脂粘....

aQFN作為一種新型封裝以其低成本、高密度I/O、優(yōu)良的電氣和散熱性能，開始被應(yīng)用于電子產(chǎn)品中。本文....

芯片制造中大量使用物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍、熱壓鍵合等技術(shù)來實現(xiàn)芯片導電互連。

玻璃基板是一種由高度純凈的玻璃材料制成的關(guān)鍵組件，常見的材料包括硅酸鹽玻璃、石英玻璃和硼硅酸鹽玻璃等....

所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連....

TGV技術(shù)是近年來在先進封裝(如2.5D/3D IC、射頻器件、MEMS、光電子集成等)領(lǐng)域備受關(guān)注....

隨著臺積電在 2011年推出第一版 2.5D 封裝平臺 CoWoS、海力士在 2014 年與 AMD....

隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展，對半導體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技....

通信、雷達和微波測量等領(lǐng)域電子信息裝備迅速發(fā)展, 對射頻系統(tǒng)提出了微型化、集成化和多樣化等迫切需求。....

對于傳統(tǒng)的MOSFET器件，雖然因為柵極絕緣層的采用大大抑制了柵極漏流，但是硅溝道較低的電子遷移率也....

常規(guī)IC封裝需經(jīng)過將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復雜過程。與之不同，WLP....

翹曲（Warpage）是結(jié)構(gòu)固有的缺陷之一。晶圓級扇出封裝（FOWLP）工藝過程中，由于硅芯片需通過....