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德州儀器推出增強(qiáng)型Code Composer Studio(TM) IDE升級版V5

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2025-12-10 14:50:13238

選型手冊:VS3640AA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用DFN2x2封裝,適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-10 11:48:31227

選型手冊:VS3614AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-10 09:54:11255

選型手冊:VS3540AC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOT23小型封裝,適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249

選型手冊:VS1602GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:43:32213

選型手冊:VS1602GFH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-09 10:29:22274

選型手冊:VS4802GPHT-IG N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-09 10:26:37255

選型手冊:VS3510AE P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源
2025-12-08 11:16:24222

選型手冊:VS3618AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-08 11:10:47237

選型手冊:VS6604GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-08 10:59:34252

選型手冊:VS3622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-08 10:32:52241

選型手冊:VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TOLL封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-05 11:41:32236

選型手冊:VS3508AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-05 09:51:31284

選型手冊:VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-05 09:38:27258

選型手冊:VS2646ACL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOT23小型封裝,適配低壓小型化電路的電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-04 09:43:35202

選型手冊:VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-12-04 09:22:59258

選型手冊:VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01253

選型手冊:VS5814DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS5814DS是一款面向55V中壓場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,基于VeriMOS?技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配中壓雙路電源管理、DC/DC
2025-12-02 09:25:31228

選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借
2025-11-28 12:14:04237

選型手冊:VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等
2025-11-28 12:03:51204

選型手冊:VS3510AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力,適用于低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-11-28 11:22:59207

選型手冊:VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載
2025-11-27 16:52:11394

選型手冊:VS3698AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,憑借105A大電流承載能力
2025-11-27 16:41:49390

選型手冊:VSP007P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借超低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力,適用于負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)
2025-11-26 15:18:29293

選型手冊:VS4020AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一
2025-11-26 14:55:52232

TI德州儀器同步降壓芯片賦能T-Box系統(tǒng)升級

TI德州儀器LM61440AANRJRR同步降壓芯片支持3V-36V寬壓輸入與4A輸出,2.2MHz高頻開關(guān)減小尺寸,通過AEC-Q100認(rèn)證,以95%高效轉(zhuǎn)換保障T-Box在復(fù)雜車載環(huán)境下的穩(wěn)定供電。
2025-11-26 09:36:00489

選型手冊:MOT6929G N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT6929G是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET,集成兩顆N溝道單元,憑借60V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于電動(dòng)工具電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車機(jī)器人等大功率開關(guān)場景。一
2025-11-21 10:24:58204

選型手冊:MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子(MOT)推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:17:38296

選型手冊:MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子(MOT)推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:12:40305

德州儀器同步降壓芯片優(yōu)化輕載效率?

德州儀器LM61440AANRJRR同步降壓芯片支持3.0V–36V寬輸入電壓與4A輸出電流,峰值效率>95%。其QFN封裝與全集成保護(hù)功能適配工業(yè)、汽車電子及便攜設(shè)備的高效能電源管理需求。
2025-10-29 09:45:00310

德州儀器推出全新電源管理解決方案,支持可擴(kuò)展的 AI 基礎(chǔ)設(shè)施

德州儀器的新設(shè)計(jì)資源和電源管理芯片幫助數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)人員實(shí)施高效安全的電源管理綜合方法。 德州儀器 (TI) 近日推出 新的設(shè)計(jì)資源和電源管理芯片 , 助力各公司滿足日益增長的人工智能 (AI) 計(jì)算
2025-10-19 10:36:4041428

FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 15:03:332

德州儀器ISO676x系列6通道增強(qiáng)型數(shù)字隔離器技術(shù)解析

Texas Instruments ISO676x 6通道增強(qiáng)型數(shù)字隔離器設(shè)計(jì)用于需要高達(dá)5000V~RMS~隔離等級的成本敏感應(yīng)用(符合UL 1577標(biāo)準(zhǔn))。Texas Instruments還通過VDE、TUV、CSA和CQC認(rèn)證。
2025-09-22 13:53:19603

德州儀器推出超低成本實(shí)時(shí)微控制器 (MCU),助力家用電器和電動(dòng)工具實(shí)現(xiàn)高端電機(jī)控制

扭矩 前沿動(dòng)態(tài) 德州儀器 (TI) 于近日推出了一款高性價(jià)比C2000? 系列實(shí)時(shí)微控制器 (MCU),助力工程師以更低成本設(shè)計(jì)出行業(yè)性能領(lǐng)先的產(chǎn)品。新推出的F28E120SC 和 F28E120SB
2025-09-19 17:17:1438440

TI德州儀器高可靠性DCDC護(hù)航導(dǎo)航模塊?

TI德州儀器LMR33630BDDA3.8V-36V寬輸入DCDC,效率逾90%,-40℃~125℃寬溫,3A輸出,1.4MHz高頻小體積,為導(dǎo)航模塊提供精準(zhǔn)穩(wěn)定供電,抑制波動(dòng),防定位漂移,延長續(xù)航,適配車載、無人機(jī)、工業(yè)等嚴(yán)苛場景。
2025-09-19 09:55:00663

德州儀器推出業(yè)界靈敏度領(lǐng)先的面內(nèi)霍爾效應(yīng)開關(guān)TMAG5134,助力降低設(shè)計(jì)成本

的磁場。 ? 前沿 動(dòng)態(tài) 德州儀器 (TI) 推出了一款業(yè)界領(lǐng)先、具備高靈敏度的面內(nèi)霍爾效應(yīng)開關(guān),專為位置傳感應(yīng)用設(shè)計(jì),為工程師提供了一種經(jīng)濟(jì)高效、用戶友好的磁阻傳感器替代品。TI 的 TMAG5134?霍爾效應(yīng)開關(guān)帶有集成磁集中器,可以在門窗傳感器、個(gè)人
2025-09-12 16:43:1145746

新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351527

26 路觸控按鍵和PWM的增強(qiáng)型 RM1273A用戶手冊

26 路觸控按鍵和 PWM 的增強(qiáng)型 8051MCU ?基于 8051 指令的高速 1T 增強(qiáng)型 MTP SOC
2025-07-24 15:10:123

增強(qiáng)型和耗盡MOS管的應(yīng)用特性和選型方案

耗盡MOS的特點(diǎn)讓其應(yīng)用極少,而PMOS的高成本和大電阻也讓人望而卻步。而綜合開關(guān)特性和成本型號優(yōu)勢的增強(qiáng)型NMOS成為最優(yōu)選擇。合科泰作為電子元器件專業(yè)制造商,可以提供各種種類豐富、型號齊全
2025-06-20 15:38:421228

魔視智能攜手德州儀器亮相2025慕尼黑上海電子展

近日,德州儀器(TI)攜其前沿技術(shù)和解決方案亮相2025年慕尼黑上海電子展。
2025-05-06 14:25:491120

德州儀器推出全新功能隔離式調(diào)制器

德州儀器的新模擬產(chǎn)品能以超高的分辨率精準(zhǔn)測量電流和電壓,從而讓機(jī)器人可以執(zhí)行精細(xì)復(fù)雜的任務(wù)。
2025-04-28 13:50:58919

Leadway電源模塊和TI(德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢?

Leadway電源模塊和TI(德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢?Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國產(chǎn)電源解決方案,以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點(diǎn)。擅長替代TI
2025-04-14 10:17:47

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級別、功率密度和效率水平

的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。 中國上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達(dá)克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工
2025-04-09 14:38:46516

LT8649SY 20V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-26 16:11:380

德州儀器推出全球超小型 MCU,助力微型應(yīng)用創(chuàng)新

新聞亮點(diǎn): 德州儀器 (TI) 宣布推出全球超小型微控制器 (MCU)。對于醫(yī)療可穿戴器件和個(gè)人電子產(chǎn)品等緊湊應(yīng)用而言,這一成果堪稱尺寸與性能維度上的重大突破。 新款 MCU 的尺寸較當(dāng)前業(yè)內(nèi)
2025-03-18 16:47:12645

德州儀器推出全球超小型 MCU

中國上海(2025 年 3 月 18 日)— 德州儀器(NASDAQ 代碼:TXN)近日推出了全球超小型 MCU,進(jìn)一步擴(kuò)展了品類齊全的 Arm? Cortex?-M0+ MSPM0 MCU
2025-03-18 11:33:561490

LPDDR5X:面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動(dòng)內(nèi)存

LPDDR5X:面向高性能與能效的增強(qiáng)型移動(dòng)內(nèi)存 概述 LPDDR5X(低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X)是LPDDR5 DRAM的升級版本,專為移動(dòng)設(shè)備優(yōu)化設(shè)計(jì)。該標(biāo)準(zhǔn)由JEDEC于2021年推出,作為
2025-03-17 10:16:088910

LTH004SQJ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-04 16:58:540

LTH004SQ-X 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-04 16:34:440

LTH004SQ 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 16:32:210

LTH004SQ-Z 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 16:30:510

LTH004SRU-4L 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)劃書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004SRU-4L 40V互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)劃書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:35:350

在DLP Composer(TM) 工具中,如何修改Actuator的信源頻率?

在DLP Composer(TM) 工具中,如何修改Actuator的信源頻率
2025-02-24 06:49:47

德州儀器榮登《財(cái)富》中國2024年ESG影響力榜單

一直以來,德州儀器(TI)都以致力于成為優(yōu)秀的企業(yè)公民為自豪,并在環(huán)境、社會(huì)和治理(ESG)方面做出了諸多卓越努力。近日,這些努力得到了權(quán)威認(rèn)可,德州儀器成功榮登《財(cái)富》中國發(fā)布的“2024年中
2025-01-22 15:19:341366

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