2025 年12月16日,國產 FPGA 自主創(chuàng)新引領者智多晶正式發(fā)布Seal 5000系列新品 ——SA5T-200 FPGA 芯片。作為深耕 FPGA 領域十余年的實力企業(yè),智多晶此次推出的重磅
2025-12-24 17:37:21
795 提升。 該太陽能電池效率新紀錄的實現得益于超薄氧化硅隧道層與摻雜多晶硅鈍化接觸技術的應用。公司表示,新型鈍化材料與金屬化工藝升級為此次太陽能電池效率新紀錄提供了技術支持。 今年1月,晶科能源的鈣鈦礦-硅串聯(lián)太陽能電池效率曾達到33.84%。公司預計
2025-12-22 17:24:35
404 國產 FPGA 崛起正當時;當國外壟斷占據93%市場份額,當國產替代成為產業(yè)必答題,一場打破 “卡脖” 困境的技術盛會即將重磅來襲! 2025 年 12 月 16 日,國產 FPGA 領軍企業(yè)智多晶
2025-12-15 14:44:21
37301 非硅型導熱吸波片
2025-12-05 17:38:29
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11月27-29日,第二十一屆中國太陽級硅及光伏發(fā)電研討會在安徽淮南成功舉辦。天合跟蹤智能控制系統(tǒng)研發(fā)負責人孫凱應邀出席,分享了最新升級的SuperTrack 2.0技術,為光伏電站在電力市場化環(huán)境下實現智能決策與收益最大化提供創(chuàng)新解決方案。
2025-12-04 16:06:22
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12寸晶圓(直徑300mm)的制造工藝是一個高度復雜且精密的過程,涉及材料科學、半導體物理和先進設備技術的結合。以下是其核心工藝流程及關鍵技術要點: 一、單晶硅生長與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20
328 智多晶EDA工具HqFpga(簡稱HQ),是自主研發(fā)的一款系統(tǒng)級的設計套件,集成了Hqui主界面、工程界面、以及內嵌的HqInsight調試工具、IP Creator IP生成工具、布局圖、熱力
2025-11-08 10:15:31
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在商業(yè)航天時代,如何讓衛(wèi)星、火箭等航天器在嚴酷的太空環(huán)境中穩(wěn)定工作,同時有效控制成本,是整個行業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)。近日,智多晶的SA5Z-50 FPGA器件傳來好消息,其成功通過了一項關鍵的“單粒子效應”測試,為解決這一挑戰(zhàn)提供了新的選擇。
2025-11-02 16:49:10
1976 1.晶圓制備(WaferPreparation)核心目標:從高純度多晶硅出發(fā),通過提純、單晶生長和精密加工獲得高度平整的圓形硅片(晶圓)。具體包括直拉法或區(qū)熔法拉制單晶錠,切片后進行研磨、拋光處理
2025-10-28 11:47:59
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口)協(xié)議,正是保障這一傳輸過程高效、穩(wěn)定的關鍵技術標準。今天,我們就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司的 CPRI 協(xié)議演示方案,看看這項技術如何為無線通信賦能。
2025-10-22 09:13:23
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微測輻射熱計(Microbolometer)是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器,通過探測物體輻射的紅外線實現溫度測量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料(如氧化釩、多晶硅)的電阻隨溫度變化的特性,將紅外輻射能轉換為電信號,最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56
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再生晶圓與普通晶圓在半導體產業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現在來源、制造工藝、性能指標及應用場景等方面。以下是具體分析:定義與來源差異普通晶圓:指全新生產的硅基材料,由高純度多晶硅經拉單晶
2025-09-23 11:14:55
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天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅,以此制造集成電路。單晶硅對純度要求極高,需達到99.9999999%(即9個9)以上,且硅原子需按照金剛石結構排列形成晶核。當晶核的晶面取向一致時,就能形成單晶硅;若晶面取向不同,則會形成多晶硅(Polysilicon)。
2025-09-17 16:13:57
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第二十六屆中國國際光電博覽會(CIOE)在深圳圓滿落幕,匯聚全球光電產業(yè)精英。西安智多晶微電子有限公司積極融入這一行業(yè)盛會,與業(yè)界同仁共話發(fā)展新機遇。
2025-09-15 10:10:15
645 大家好呀!今天我們來聊聊一個非常實用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制,MIPI都是非常常見的接口標準。掌握了它,你的視頻項目開發(fā)效率將大大提升!
2025-09-11 09:37:25
897 近日,在深圳(福田)會展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國際電子展,吸引了全球400多家頂尖技術企業(yè)齊聚一堂,共同呈現全球電子產業(yè)的最新動態(tài)與未來技術走向。在這場科技盛宴中,智多晶憑借其出色的產品品質與創(chuàng)新能力,成為展會焦點,吸引了眾多專業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25
973 產業(yè)格局的核心技術。2025年全球硅光芯片市場規(guī)模預計突破80億美元,中國廠商在技術突破與商業(yè)化進程中展現出強勁競爭力。 ? 硅光芯片技術突破 硅光芯片的技術突破正沿著材料融合與架構創(chuàng)新雙軌并行。在材料層面,異質集成技術成為
2025-08-31 06:49:00
20222 能力和7A的漏極電流承受能力,采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術)制造,提供可靠的開關性能。其導通電阻為770mΩ @ VGS=10V,適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06
極耐壓能力和7A的漏極電流能力,適合在嚴苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術)制造,具有較低的導通電阻(RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53
耐壓能力和5A的漏極電流能力。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術)制造,具有較高的導通電阻(RDS(ON)為1000mΩ @ VGS=10V),為要求高電
2025-08-27 11:49:57
和11A的漏極電流能力,專為高電壓、高功率應用設計。它采用SJ_Multi-EPI(多晶硅技術)制造,具有較低的導通電阻(RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21
的漏極-源極耐壓能力和高達5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI(多晶硅技術)技術制造,具有穩(wěn)定的性能和較高的開關效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
2025-08-27 10:44:37
工程師朋友們注意啦!今天要給大家安利一項FPGA領域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR(LVDS Local Clock Receiving)技術,使用本地PLL產生高速時鐘,通過相位跟蹤,對接收的LVDS信號進行實時跟蹤,實現LVDS數據接收。
2025-08-25 09:17:21
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為了滿足用戶對SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級,本次升級相比1.0版本主要帶來了以下的變化。
2025-08-16 15:32:40
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在圖像與視頻處理領域,靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案,基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件,通過
2025-08-07 13:57:53
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近日,西安高新區(qū)2025年第二批“硬科技創(chuàng)新人才”公示名單正式公布,西安智多晶微電子有限公司憑借其在半導體領域的卓越創(chuàng)新能力和人才隊伍建設成果,成功斬獲I類人才3名、II類人才1名、III 類人才11名的優(yōu)異成績,充分彰顯了公司在硬科技領域的技術實力與人才吸引力。
2025-07-30 11:15:04
1339 近日,中國科學技術大學聯(lián)合浙江大學、隆德大學及合肥硅臻芯片技術有限公司(以下簡稱“硅臻”,國芯科技參股公司)等單位機構在量子測量領域取得重要進展。研究團隊利用可編程光子集成光學技術,成功實現了三維
2025-07-25 14:48:47
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有機硅三防漆是以有機硅聚合物為核心基礎材料,輔以填料、交聯(lián)劑、催化劑及溶劑配制而成的特種防護涂層。其設計目標明確:為印刷電路板及其他電子元器件提供抵御濕氣、鹽霧、霉菌、灰塵、化學腐蝕及極端溫度等環(huán)境
2025-07-24 16:04:34
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率下降。為此,研究團隊開發(fā)了一種基于激光反射率的光學傳感器,能夠在真空環(huán)境下實時測量氧化膜(SiO?)、氮化膜(Si?N?)和多晶硅(p-Si)的厚度。FlexF
2025-07-22 09:54:56
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要了解可控硅光耦,首先我們需要認識可控硅器件??煽?b class="flag-6" style="color: red">硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在
2025-07-15 10:12:52
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電子發(fā)燒友網為你提供()硅肖特基二極管芯片相關產品參數、數據手冊,更有硅肖特基二極管芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,硅肖特基二極管芯片真值表,硅肖特基二極管芯片管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-14 18:32:51

TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能,成為n型硅電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案:PECVD單側沉積+同步退火集成工藝,正面:PECVD沉積
2025-07-14 09:03:21
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在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly-Si) 。這種由無數微小硅晶粒組成的材料,憑借其可調的電學性能與卓越的工藝兼容性,成為半導體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:11
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本文講述了AMD UltraScale /UltraScale+ FPGA 原生模式下,異步模式與同步模式的對比及其對時鐘設置的影響。
2025-07-07 13:47:34
1494 雙面TOPCon電池(DS-TOPCon)雖具有高開路電壓(>728mV),但前表面全區(qū)域多晶硅poly-Si層導致嚴重光寄生吸收——200nm厚度即可損失>1mA/cm2電流。傳統(tǒng)方案
2025-07-07 11:00:12
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在國產 FPGA 加速突破、邁向高性能、高可靠的新階段,智多晶隆重推出新一代 SA5T-200 系列 FPGA 器件。該系列面向高算力、高清視頻、高速通信等關鍵應用場景,集成豐富硬核資源、兼容主流
2025-07-02 09:13:08
2251 近日,“2025智多晶FPGA技術研討會”在武漢成功舉辦。本次交流會以“智繪新篇 晶質領航”為主題,智多晶專業(yè)技術團隊在會上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產品、多項新應用方案。
2025-07-01 18:21:07
2533 在當今數字化世界中,視頻數據的高速傳輸對于眾多電子設備和應用場景至關重要。智多晶微電子有限公司推出的 VBO_TX IP(基于 V-by-One HS Standard_Ver 1.4 版本協(xié)議技術標準)為這一需求提供了一種高性能、低功耗的解決方案。
2025-07-01 09:46:03
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TOPCon技術通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅(n?-poly-Si)層實現載流子選擇性傳輸,理論效率可達28.7%。然而,poly-Si層厚度存在矛盾:過厚層(>100nm)增加寄生吸收損失,過薄層(
2025-06-27 09:02:15
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我將 CYW20706 基于硅的藍牙模塊(CYBT-343151-02)連接到定制板上的 MCU。
它在確認數據模式下工作,沒有問題
但是我怎樣才能將鏈接配置為未確認數據模式
2025-06-27 08:23:49
隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術作為當前太陽能電池領域的核心技術之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產中實現了廣泛應用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數特性,導致其在
2025-06-23 09:03:08
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隨著TOPCon太陽能電池市占率突破50%,其雙面銀漿消耗量(12–15mg/W)導致生產成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點,通過材料配方革新與工藝優(yōu)化,解決鋁/多晶硅界面過度合金化問題。研究
2025-06-18 09:02:59
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在FPGA設計中,PLL(鎖相環(huán))模塊作為核心時鐘管理單元,通過靈活的倍頻、分頻和相位調整功能,為系統(tǒng)提供多路高精度時鐘信號。它不僅解決了時序同步問題,還能有效消除時鐘偏移,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實際應用中的關鍵注意事項,幫助工程師規(guī)避常見設計風險。
2025-06-13 16:37:44
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近日,西安高新區(qū)正式公示2025年第一批"硬科技創(chuàng)新人才"入選名單。西安智多晶微電子有限公司董事長賈弘翊、副總經理王黎明憑借在國產FPGA芯片領域的技術突破與產業(yè)化貢獻,雙雙榮登榜單。此次兩位人才同時入選,充分體現了智多晶在硬科技創(chuàng)新領域的深厚積累與領先優(yōu)勢。
2025-06-10 10:07:26
1930 在 AI 賦能工程設計的時代浪潮中,智多晶率先邁出關鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設計工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型,并推出 FPGA 設計專屬 AI 助手——晶小助!這是 FPGA 領域首次引入大模型 AI 助手,為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗。
2025-06-06 17:06:39
1284 西安智多晶微電子有限公司自主研發(fā)的 Seal 5000、Sealion 2000 系列 FPGA/CPLD 芯片經過工業(yè)和信息化部電子第五研究所評估認證,通過了自主可控等級評定。此次認證的器件包括
2025-06-06 09:30:20
1347 源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對準硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:04
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圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源,例如太陽能,預計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉化為電能,硅太陽能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41
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近日,由中國綠色供應鏈聯(lián)盟光伏專委會(ECOPV)指導的2025年“晶體硅先進光伏技術和材料論壇(ATPV)”春季會議在無錫君來湖濱飯店成功舉行。此次論壇創(chuàng)新以“技術攻關+標準落地”雙輪驅動模式,推動產學研深度融合,吸引了眾多光伏技術專家、領軍企業(yè)技術官及標準化組織代表齊聚太湖,共謀行業(yè)未來。
2025-05-21 11:48:49
935 直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程,沒有雜質的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會導電,沒有市場應用價值,因此通過人為的摻雜進行雜質引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:54
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eSPI總線具有低功耗、管腳數量少、高效的數據傳輸等優(yōu)點,常用于與EC、BMC、SIO等外設的通信,是PC中CPU與這些外設通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標準規(guī)范,支持相關協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:56
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源互補,能量永續(xù) 1.太陽能板(光伏組件) 核心作用:將光能轉化為電能,是主要供能單元。 主流配置:材質:多晶硅 / 單晶硅(轉換效率 18%-22%,單晶硅更高),表面覆蓋低鐵超白鋼化玻璃(透光率>91.5%),抗沖擊強度達 24mm 冰雹
2025-04-28 09:57:28
1740 FIFO_Generator是智多晶設計的一款通用型FIFO IP。當前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本,相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數據位寬支持和異步FIFO跨時鐘級數配置功能。
2025-04-25 17:24:24
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此前,4月15日-4月17日,2025慕尼黑上海電子展(electronica China 2025)在上海新國際博覽中心盛大開幕,智多晶應約而來,攜經典FPGA解決方案驚艷亮相,成為展會現場備受矚目的焦點。
2025-04-22 18:11:20
1066 表面頻域功率監(jiān)視器設置為例)
?材料庫與材料瀏覽器(以多晶硅與二氧化鈦的數據導入為例)
?模擬計算與分析:資源管理、運行模擬
?結果分析:視覺化器使用Visualize、使用腳本進行高級分析
2025-04-22 11:59:20
在我的這個電路圖里,可控硅一直處于開啟狀態(tài),沒有給單片機信號,試著換一下可控硅的方向,也沒有效果。請各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問題了。
2025-04-21 15:46:54
在FPGA設計領域,西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角,為工程師們提供了強大的工具,助力他們在數據傳輸領域大展身手。今天,就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗,探尋其獨特魅力。
2025-04-18 11:52:44
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本文介紹了在芯片制造中的應變硅技術的原理、材料選擇和核心方法。
2025-04-15 15:21:34
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本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源、分布、存在形式以及降低雜質的方法。
2025-04-15 10:27:43
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一、導熱硅脂是什么? 導熱硅脂(Thermal Paste),俗稱散熱膏或導熱膏,是一種用于填充電子元件(如CPU、GPU)與散熱器之間微小空隙的高效導熱材料。其主要成分為硅油基材與導熱填料(如金屬
2025-04-14 14:58:20
PVD沉積n型多晶硅層,結合自對準分離,顯著簡化了工藝流程。SABC太陽能電池是一種先進的背接觸(BC)太陽能電池技術,其核心特點是通過自對準技術實現電池背面的正
2025-04-14 09:03:17
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在物聯(lián)網蓬勃興起的當下,嵌入式設備的網絡通信能力如同為其插上了騰飛的翅膀,使其能夠自由穿梭于信息的浩瀚海洋。而 LWIP,宛如一位身姿矯健的輕騎兵,在資源有限的嵌入式系統(tǒng)中飛馳,輕松完成各種復雜的網絡通信任務。西安智多晶微電子有限公司的LWIP網絡通信系統(tǒng),賦予嵌入式設備強大的網絡通信能力。
2025-04-10 16:27:02
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本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結構特征、沉積技術及其工藝參數展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解硅材料在先進微納制造中的應用與工藝演進路徑。
2025-04-09 16:19:53
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多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:45
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XSTC_8B10B IP(XSTC:XiST Transmission Channel)是智多晶開發(fā)的一個靈活的,輕量級的高速串行通信的IP。IP在具備SerDes(單通道或多通道)高速串行收發(fā)器之間構建出接口簡單,低成本,輕量化的高速率數據通信通道。
2025-04-03 16:30:01
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可控硅的控制奧秘:依賴直流還是交流?可控硅,也稱為硅控整流器(SiliconControlledRectifier,簡稱SCR),是一種重要的半導體器件,廣泛應用于電力電子、電機控制、照明調節(jié)等領域
2025-04-03 11:59:52
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本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:24
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今年,隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024年本)》的推行,光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來了更加明確且嚴格的標準:多晶硅項目的水重復利用率需不低于98%,新建和改擴建項目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56
840 在數字信號處理領域,FIR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強、線性相位等優(yōu)勢,被廣泛應用于各類信號處理場景。今天,就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:01
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高硅鑄鐵陽極是一種具體的陽極材料,主要由含高比例硅鑄鐵制成,可加工成實心棒狀、空心管狀和組轉型等多種形式,常作為外加電流陰極保護系統(tǒng)中的輔助陽極。 深井陽極是一種陽極安裝方式或結構類型,指將陽極體
2025-03-15 11:01:42
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鑄錠澆注法是較早出現的一種技術,該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉機械將其注入模具內結晶凝固,最初主要用于生產等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:12
1126 不同材料的刻蝕速率比,達到?>5:1?甚至更高的選擇比標準?。 一、核心價值與定義 l?精準材料去除? 高選擇性蝕刻通過調整反應條件,使目標材料(如多晶硅、氮化硅)的刻蝕速率遠高于掩膜或底層材料(如氧化硅、光刻膠),實現
2025-03-12 17:02:49
809 本文介紹了硅的導熱系數的特性與影響導熱系數的因素。
2025-03-12 15:27:25
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硅作為半導體材料在集成電路應用中的核心地位無可爭議,然而,隨著科技的進步和器件特征尺寸的不斷縮小,硅集成電路技術正面臨著一系列挑戰(zhàn),本文分述如下:1.硅集成電路的優(yōu)勢與地位;2.硅材料對CPU性能的影響;3.硅材料的技術革新。
2025-03-03 09:21:49
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隨著全球能源需求的增長,開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴展的制備工藝,用于制造具有前側SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池,并通過優(yōu)化工藝實現
2025-03-03 09:02:29
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硅片,作為制造硅半導體電路的基礎,源自高純度的硅材料。這一過程中,多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經過精細的研磨、拋光及切片步驟,這些硅棒被轉化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國內生產線中占據主導地位。
2025-03-01 14:34:51
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本文介紹了硅光芯片的發(fā)展歷史,詳細介紹了硅光通信技術的原理和幾個基本結構單元。
2025-02-26 17:31:39
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n-TOPCon太陽能電池因其獨特的超薄二氧化硅(SiOx)層和n+多晶硅(poly-Si)層而受到關注,這種設計有助于實現低復合電流密度(J0)和降低接觸電阻(ρc)。激光增強接觸優(yōu)化(LECO
2025-02-26 09:02:58
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在電子設備散熱領域,導熱硅膠片和導熱硅脂是兩種常用材料。如何根據實際需求進行選擇?以下從性能、場景和操作維度進行對比分析。 一、核心差異對比?特性?導熱硅膠片?導熱硅脂
?形態(tài)固體片狀(厚度
2025-02-24 14:38:13
的重要性日益凸顯,它不僅改變了傳統(tǒng)能源的生產和消費方式,更為應對氣候變化提供了切實可行的技術路徑。 一、技術突破 光伏發(fā)電技術的核心在于光電轉換效率的提升。近年來,單晶硅、多晶硅電池效率持續(xù)突破,PERC、TOPCon等新
2025-02-13 10:50:15
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在開關模式電源中使用 GaN 開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況,提到了所面臨的挑戰(zhàn),并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關模式電源
2025-02-11 13:44:55
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本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域,單晶圓系統(tǒng)展現出獨特的工藝優(yōu)勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠實現臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:05
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本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:46
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,如何實現高效又經濟的生產? 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學團隊采用 MPCVD技術,在真空環(huán)境中通過微波激發(fā)氣體(氫氣、甲烷、氮氣),讓碳原子在硅襯底上“生長”成金剛石。 關鍵突破: 甲烷濃度:降低甲烷比例(從
2025-02-07 10:47:44
1892 解鎖晶硅切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤濕劑
晶硅切割液中,潤濕劑對切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤濕劑作為廠家直銷產品,價格優(yōu)勢明顯,品質有保障,供貨穩(wěn)定。
你們用的那種類型?歡迎交流
2025-02-07 10:06:58
Poly-SEs技術通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽能電池中,Poly-SEs的應用尤為重要
2025-02-06 13:59:42
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可控硅調壓器與變壓器是兩種在電力系統(tǒng)中廣泛應用的電氣設備,它們各自具有獨特的工作原理和應用場景。 一、產品含義與工作原理 可控硅調壓器 含義 :可控硅調壓器,簡稱晶閘管調功器,是一種以可控硅(電力
2025-02-01 17:20:00
2027 量子芯片與硅芯片在技術和應用上存在顯著差異,因此量子芯片是否可以完全代替硅芯片是一個復雜的問題。以下是對這一問題的詳細分析:
2025-01-27 13:53:00
1942 近日,天津大學精密儀器與光電子工程學院的光子芯片實驗室與深圳大學、香港中文大學等高校合作,研發(fā)了一個新型的二硒化鉑-硅基異質集成波導模式濾波器,成果以“Waveguide-integrated
2025-01-24 11:29:13
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最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時的注意事項。
2025-01-24 11:14:14
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上時,光子與半導體材料中的電子相互作用,產生電子-空穴對,這些電子和空穴在電場的作用下定向移動,從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是硅,根據硅材料的不同,可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅光伏電池。單晶硅光伏電池具有
2025-01-23 14:22:00
1141 本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應用領域、內部結構、各模塊功能、配置界面、配置參數等內容。
2025-01-23 10:29:54
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過去一年中,智多晶人攜手拼搏、攻堅克難,共同促進產品升級推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關注與支持中,我們在更廣闊的舞臺上展示智多晶的FPGA技術。這一年,智多晶的業(yè)務實現了良好增長,
2025-01-21 17:15:43
1152 switch based on split waveguide crossings(基于分離波導交叉的MEMS硅光開關)”的研究論文。 傳統(tǒng)光開關工作機制是:基于折射率的微小變化進行模式耦合或模式干涉狀態(tài)
2025-01-14 09:24:44
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作者:京東工業(yè) 孫磊 一、概念 策略模式(Strategy Pattern)也稱為(Policy Parttern)。 它定義了算法家族,分別封裝起來,讓它們之間可以互相替換,此模式讓算法的變換
2025-01-08 13:47:25
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上設置為高斯橫向分布,并且位于二氧化硅波導的硅紙尖端。
注意:模擬時間應足夠長,以確保穩(wěn)態(tài)結果
仿真結果
頂視圖展示了錐形硅波導的有效耦合。
底部視圖顯示了不同位置的模式轉換(左:25 um,中間:65 um,右:103 um)
2025-01-08 08:51:53
硅電容是一種采用了硅作為材料,通過半導體技術制造的電容,和當前的先進封裝非常適配
2025-01-06 11:56:48
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