應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）擴充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET，用于空間受限的便攜消費電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機。

　　安森美半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品分部副總裁Paul Leonard說：“由于便攜電子產(chǎn)品的尺寸持續(xù)縮小，同時其板載特性持續(xù)增多，故無論是現(xiàn)在或未來將繼續(xù)存在針對超小型、高性能元器件的持續(xù)需求，從而使特性豐富的隨身攜帶型設(shè)備具有高能效及高功能性。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ恰好配合此需求，使設(shè)計工程師能夠指定使用具有所需特性及功能同時還支持消費者如今期望的纖薄時尚型設(shè)計的器件?！?/p>

　　新的NTNS3193NZ 和NTNS3A91PZ被認(rèn)為是業(yè)界最緊湊的小信號MOSFET，因為它們采用極小的0.62 mm x 0.62 mm x 0.4 mm XLLGA3封裝。XLLGA3封裝的總表面貼裝面積僅為0.38 mm2，是用于日漸縮小的便攜產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境的極佳方案，輕易替代采用大得多封裝的競爭產(chǎn)品，如SOT-883封裝（表面貼裝面積為0.6mm2）或SOT-723 （表面貼裝面積為1.44 mm2）。

　　NTNS3193NZ是一款20伏（V）、單N溝道、門極至源極電壓（VGS）為±4.5 V時典型導(dǎo)通阻抗（RDS（on））為0.75 Ω的器件。這器件與NTNS3A91PZ相輔相成，后者是一款20 V、單P溝道器件，VGS為±4.5 V時典型導(dǎo)通阻抗為1.3 Ω。

　　這兩款新MOSFET由于具有低導(dǎo)通阻抗、低閾值電壓及1.5 V門極驅(qū)動能力，集成在便攜電子產(chǎn)品中時大幅降低能耗，使它們非常適合于小信號負(fù)載開關(guān)、模擬開關(guān)及高速接口應(yīng)用。兩款器件都完全無鉛、無鹵素及符合RoHS指令。