延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米加強(qiáng)版(7+)制程將按既定時(shí)程于3月底正式量產(chǎn)，而全程采用EUV技術(shù)的5納米制程也將在2019年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。 據(jù)了解，獨(dú)家
2019-02-13 10:08:15
5233 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）作為目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，EUV光刻機(jī)的誕生是由各個(gè)部件在技術(shù)上的集體突破才最終成型的，比如光刻膠、掩膜板和鏡組等等。但最為關(guān)鍵的還是EUV名號(hào)中的極紫外光
2023-02-13 07:04:005882 在9月份召開的“SEMICON Taiwan 2014”展覽會(huì)上，ASML公司的臺(tái)灣地區(qū)銷售經(jīng)理鄭國(guó)偉透露，第3代極紫外光（EUV）設(shè)備已出貨6臺(tái)。
2014-10-11 09:09:542016 “7納米是很重要的節(jié)點(diǎn)，是生產(chǎn)工藝第一次轉(zhuǎn)向EUV的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。三星和臺(tái)積電都宣布了將采用EUV(極紫外光微影)技術(shù)在7納米，而EUV是摩爾定律能夠進(jìn)一步延續(xù)到5納米以下的關(guān)鍵。” Gartner(中國(guó)
2017-01-19 10:15:491818 極紫外光（EUV）微影技術(shù)持續(xù)取得重大進(jìn)展。在日前于美國(guó)加州圣荷西舉行的國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)（SPIE）年度會(huì)議上，英特爾（Intel）與三星（Samsung）的專家表示，EUV正緩步進(jìn)展中，但短時(shí)間內(nèi)仍存在相當(dāng)?shù)恼系K，這讓任何一家公司都難以公開承諾何時(shí)才能開始使用這項(xiàng)技術(shù)。
2017-03-02 07:30:362055 
在日前于美國(guó)舉行的西部光電展（Photonics West）上，業(yè)界多家廠商探討了極紫外光（EUV）微影所需的250W光源、具有發(fā)展前景的紅外線與近紅外線攝影機(jī)，以及利用雷射發(fā)光二極管（LED）光源進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊等議題。
2017-03-09 07:50:453123 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:541996 
，購(gòu)買或者開發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
污染物將嚴(yán)重改變受照物體表面的吸收特性。除非另有規(guī)定，試驗(yàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)保證樣品的清潔，但在評(píng)定表面污染物的作用時(shí)，有關(guān)規(guī)范應(yīng)規(guī)定樣品表面處理等必要內(nèi)容；5、紫外光耐氣候試驗(yàn)箱濕度在不同濕度條件下，各種材料、涂料
2017-09-07 15:07:23
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
本文介紹了一種基于AMBE-2000的紫外光語(yǔ)音系統(tǒng)設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)證明，紫外光語(yǔ)音通信系統(tǒng)具有低竊聽率、低位辨率、全方位、高抗干擾能力、音質(zhì)優(yōu)、功耗低等特點(diǎn)。
2021-03-31 06:04:34
原文來(lái)源：如何對(duì)紫外光老化試驗(yàn)箱的維護(hù)保養(yǎng)工作小編：林頻儀器 為了使紫外光老化試驗(yàn)箱能過能好的工作，所以我們平時(shí)一定要對(duì)其進(jìn)行定期的維護(hù)和保養(yǎng)，這樣才能讓它一直處于良好的工作狀態(tài)，那我們?cè)谄綍r(shí)
2016-09-05 15:05:57
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來(lái)源】：《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統(tǒng)中的主脈沖電源,給出了主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),重點(diǎn)介紹了三級(jí)磁
2010-04-22 11:41:29
的物理現(xiàn)象：一是大氣層中的臭氧對(duì)波長(zhǎng)在200nm到280nm之間的紫外光有強(qiáng)烈的吸收作用，這個(gè)區(qū)域被叫做日盲區(qū)，到達(dá)地面的日盲區(qū)紫外光輻射在海平面附近幾乎衰減為零；另一現(xiàn)象是地球表面的日盲區(qū)紫外光被大氣
2019-06-18 08:00:06
或評(píng)估影響產(chǎn)品耐用性的組成變化等方面有極大的幫助。設(shè)備可以極好地預(yù)測(cè)產(chǎn)品將在戶外遭遇的變化?！ ”M管紫外光（UV）只占陽(yáng)光的5％，但是它卻是造成戶外產(chǎn)品耐用性下降的主要光照因素。這是因?yàn)殛?yáng)光的光化學(xué)
2017-10-11 15:40:19
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹：ISTEQ公司開發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料，無(wú)需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹：ISTEQ公司開發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料，無(wú)需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:16:48
新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中，極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一，不過其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高，從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年， 仍然未能投入實(shí)用。極紫外光
2010-06-17 17:27:381823 介紹了國(guó)內(nèi)外紫外光通信系統(tǒng)幾種紫外光源的發(fā)展,并從光譜特點(diǎn)、功率、效率等方面分析了其在紫外光通信中的應(yīng)用特點(diǎn)。指出了紫外發(fā)光二極管(UVED)決定了未來(lái)紫外光通信高速、小型
2011-10-17 17:02:10
48 對(duì)于邏輯器件、存儲(chǔ)器件等主流IC行業(yè)，可以利用不同技術(shù)實(shí)現(xiàn)10nm以下工藝的光刻設(shè)備商只有三家：荷蘭ASML–EUV（極紫外光）光刻、日本尼康–浸沒式DUV（深紫外光）光刻、日本佳能–納米壓印光刻（NIL）
2018-03-24 10:10:001838 
? 前些天，新聞曝光的中芯國(guó)際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了自己的第一臺(tái)光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來(lái)重大突破。
2018-06-29 11:24:0010089 三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作，包含高通下一代5G移動(dòng)芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。 新聞稿指出，通過7納米LPP
2018-02-23 07:31:561630 納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 IMEC 與美國(guó)楷登電子( Cadence) 公司聯(lián)合宣布，得益于雙方的長(zhǎng)期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測(cè)試芯片成功流片。該項(xiàng)目采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
2018-03-19 15:08:308957 隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來(lái)了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:006365 臺(tái)積電為防堵強(qiáng)敵三星在七納米導(dǎo)入極紫外光（EUV）及后段先進(jìn)封裝，搶食蘋果新一代處理器訂單，已加速在七納米強(qiáng)化版導(dǎo)入極紫外光時(shí)程。供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電可望年底建構(gòu)七納米強(qiáng)化版試產(chǎn)線，進(jìn)度追平或超前三星，讓三星無(wú)奪蘋機(jī)會(huì)。
2018-04-08 11:22:001157 Borodovsky在采訪中表示，另一個(gè)可能導(dǎo)致5nm缺陷的因素是現(xiàn)有的EUV光阻劑材料缺乏均勻度。此外，他還表示支持直接電子束寫入，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV使用的復(fù)雜相移光罩最終將膨脹至目前浸潤(rùn)式光罩價(jià)格的8倍。
2018-04-11 15:59:3712009 
關(guān)鍵層面上首次嘗試使用EVU極紫外光刻系統(tǒng)，工藝節(jié)點(diǎn)從CLN7FF升級(jí)為CLN7FF+，號(hào)稱晶體管密度可因此增加20%，而在同樣密度和頻率下功耗可降低10%。 臺(tái)積電5nm(CLN5)將繼續(xù)使用荷蘭
2018-05-15 14:35:134690 
據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》（Nikkei Asian Review）援引消息人士的話稱，中國(guó)芯片加工企業(yè)中芯國(guó)際（SMIC）向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購(gòu)了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV（極紫外
2018-05-26 01:54:0016411 盡管極紫外光(EUV)步進(jìn)機(jī)的大量生產(chǎn)面臨復(fù)雜的問題以及緊迫的時(shí)間，專家們?nèi)匀槐С謽酚^態(tài)度...
2018-06-01 16:01:493352 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 臺(tái)積電明年上半年將獨(dú)步同業(yè)，成為全世界第一家采用最先進(jìn)的極紫外光（EUV）微影設(shè)備完成量產(chǎn)的晶圓代工廠，助攻臺(tái)積電橫掃全球多數(shù)第五代行動(dòng)通訊（5G）及人工智能（AI）關(guān)鍵芯片訂單，穩(wěn)坐全球晶圓代工龍頭寶座。
2018-07-23 16:20:003981 
傳三星電子（Samsung Electronics）啟動(dòng)采用極紫外光（EUV）微影設(shè)備的DRAM生產(chǎn)研發(fā)，雖然三星目標(biāo)2020年前量產(chǎn)16納米DRAM，不過也有可能先推出17納米制程產(chǎn)品。
2018-08-17 17:07:22943 繼臺(tái)積電（TSMC）于10月初宣布7nm極紫外光（EUV）芯片首次流片成功后，三星（Samsung）也宣布投片并逐步量產(chǎn)多款7nm極紫外光（EUV）芯片。
2018-10-20 10:52:443845 ，波長(zhǎng)越短越好，NA越大越好，這樣***分辨率就越高，制程工藝越先進(jìn)。
現(xiàn)在的EUV***使用的是波長(zhǎng)13.5nm的極紫外光，而普通的DUV***使用的是193nm的深紫外光，所以升級(jí)到EUV
2018-11-01 09:44:264914 全球三大晶圓代工廠臺(tái)積電、英特爾、三星，最快將在2019年導(dǎo)入極紫外光微影技術(shù)（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的業(yè)者只有兩家，家登是其中之一，且家登已經(jīng)通過艾司摩爾（ASML）認(rèn)證，此舉無(wú)疑宣告，家登今年EUV光罩盒將大出貨，公司更透露，接單強(qiáng)勁，目前已有供給告急壓力。
2019-01-03 11:16:374799 隨著晶圓代工廠臺(tái)積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)，并會(huì)在2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定正在開發(fā)中的7納米制程會(huì)支援新一代EUV技術(shù)。
2019-01-03 11:31:594496 ，導(dǎo)致成本顯著上升及良率、產(chǎn)出下降等問題。根據(jù)相關(guān)企業(yè)的規(guī)劃，在7/5nm節(jié)點(diǎn)，芯片生產(chǎn)將導(dǎo)入極紫外（EUV）光刻技術(shù)，EUV光刻使用13.5nm波長(zhǎng)的極紫外光，能夠形成更為精細(xì)的曝光圖像。芯片廠商計(jì)劃將
2019-01-27 10:33:555103 
將光刻技術(shù)轉(zhuǎn)移到EUV波段意味著材料和光源的巨大變化。新的13.5納米EUV等離子體光源取代了193納米波長(zhǎng)的紫外激光器。光子能量隨著波長(zhǎng)的減小而增加，因此來(lái)自激光驅(qū)動(dòng)的新型等離子體EUV光源的每個(gè)光子所攜帶的能量是來(lái)自舊激光光源的光子的14倍。
2019-03-16 10:32:216459 晶圓代工龍頭臺(tái)積電支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)的7+納米進(jìn)入量產(chǎn)階段，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手韓國(guó)三星晶圓代工（Samsung Foundry）亦加快先進(jìn)制程布局，包括8納米及7納米邏輯制程進(jìn)入量產(chǎn)后，今年將推進(jìn)
2019-03-18 15:21:003243 國(guó)內(nèi)知名關(guān)鍵性貴重材料之保護(hù)、傳送及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)商家登日前正式發(fā)布新一代EUV極紫外光光罩傳送盒G/GP Type同時(shí)獲全球最大半導(dǎo)體設(shè)備商ASML認(rèn)證，G/GP Type 版本可用于NXE:3400B，家登加速進(jìn)入EUV微影技術(shù)先進(jìn)裂程，大量制造全面啟航。
2019-03-20 10:21:456676 ***（深紫外光）以及EUV***（極紫外光）。工藝制程還在28nm徘徊時(shí)，DUV***無(wú)疑是最佳的選擇，但是隨著工藝制程的升級(jí)，想要邁向更小的線路，就只能使用EUV光刻工藝。
目前最先
2019-04-03 17:26:555258 臺(tái)積電指出，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來(lái)EUV技術(shù)提供的制程簡(jiǎn)化效益。5nm制程能夠提供全新等級(jí)的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:572113 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。
2019-05-28 16:18:244210 繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外光（EUV）微影技術(shù)后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM，SK海力士及美光預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:313118 現(xiàn)在EUV極紫外光已經(jīng)提升過一次了。
之前ASML公布的新一代EUV***的量產(chǎn)時(shí)間是2024年，不過最新報(bào)道稱下一代EUV***是2025年量產(chǎn)，這個(gè)時(shí)間上臺(tái)積電、三星都已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝了
2019-07-13 09:40:166549 臺(tái)積電近日宣布，已經(jīng)開始了7nm+ EUV工藝的大規(guī)模量產(chǎn)，這是該公司乃至整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首個(gè)商用EUV極紫外光刻技術(shù)的工藝。作為EUV設(shè)備唯一提供商，市場(chǎng)預(yù)估荷蘭ASML公司籍此EUV設(shè)備年增長(zhǎng)率將超過66%。這個(gè)目標(biāo)是否能實(shí)現(xiàn)？EUV工藝在發(fā)展過程中面臨哪些挑戰(zhàn)？產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中需要突破哪些瓶頸？
2019-10-17 15:57:302816 截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺(tái)積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0317038 三星宣布，位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052868 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。
2020-03-25 15:40:482409 韓國(guó)三星電子于25日宣布,已經(jīng)成功出貨100 萬(wàn)個(gè)極紫外光刻技術(shù)(EUV)生產(chǎn)的業(yè)界首款10nm級(jí)DDR4 DRAM 模組,將為高端PC、移動(dòng)設(shè)備、企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品,開啟新里程碑。
2020-03-29 14:39:282880 
芯片加工精度取決于光刻機(jī)光線的波長(zhǎng)，光線波長(zhǎng)越小，芯片精度越高。隨著摩爾定律發(fā)展，芯片制造邁進(jìn)10nm節(jié)點(diǎn)，波長(zhǎng)13.4nm的EUV（極紫外光）就成為唯一的選擇。
2020-07-20 09:27:172725 CFan曾在《芯希望來(lái)自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒有
2020-09-01 14:00:293544 臺(tái)媒稱，翔名切入臺(tái)積電5nm極紫外光（EUV）光罩盒表面處理業(yè)務(wù)，與EUV光罩盒大廠接洽合作機(jī)會(huì)，以獨(dú)家專利無(wú)電鍍鎳（ENP）表面處理技術(shù)來(lái)提升產(chǎn)品良率，目前該光罩盒廠正進(jìn)行評(píng)估測(cè)試，未來(lái)獲臺(tái)積電EUV制程指定產(chǎn)品入場(chǎng)門票機(jī)會(huì)大增。
2020-07-24 17:27:201025 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星（Samsung）明年可能導(dǎo)入極紫外光（EUV）技術(shù)生產(chǎn)內(nèi)存，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國(guó)臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)徐國(guó)晉表示，美光不打算跟進(jìn)，目前并無(wú)采用 EUV 計(jì)劃
2020-10-12 09:36:182071 光刻機(jī)，在整個(gè)芯片生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，是最最最核心的設(shè)備，技術(shù)難度極高。在全球光刻機(jī)市場(chǎng)，日本的尼康、佳能，和荷蘭的ASML，就占據(jù)了市場(chǎng)90%以上份額。而最高級(jí)的EUV（極紫外光）技術(shù)，則更是只有荷蘭的ASML一家可以掌握。
2020-10-17 09:49:454287 
根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)道，日前三星電子副董事長(zhǎng)李在镕前往荷蘭拜訪光刻機(jī)大廠ASML，其目的就是希望ASML的高層能答應(yīng)提早交付三星已經(jīng)同意購(gòu)買的極紫外光光刻設(shè)備（EUV）。
2020-10-24 09:37:303414 日前三星電子副董事長(zhǎng)李在镕前往荷蘭拜訪光刻機(jī)大廠ASML，其目的就是希望ASML 的高層能答應(yīng)提早交付三星已經(jīng)同意購(gòu)買的極紫外光光刻設(shè)備（EUV）。
2020-10-24 09:39:062041
11月5日，世界***巨頭荷蘭阿斯麥ASML亮相第三屆進(jìn)博會(huì)。作為全球唯一能生產(chǎn)EUV（極紫外光）***的企業(yè)，由于ASML目前仍不能向中國(guó)出口EUV***，所以此次展示的是其DUV（深紫外光
2020-11-06 11:27:466418 中國(guó)需要光刻機(jī)，尤其是支持先進(jìn)制程的高端光刻機(jī)。具體來(lái)說(shuō)，就是 EUV （極紫外光源）光刻機(jī)。
2020-11-11 10:13:305279 
體上，三分之二的調(diào)查參與者認(rèn)為這將產(chǎn)生積極的影響。前往EUV時(shí)，口罩的數(shù)量減少了。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV將整個(gè)行業(yè)帶回單一模式。具有多個(gè)圖案的193nm浸入需要在高級(jí)節(jié)點(diǎn)處使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091584 三星電子近期為爭(zhēng)搶極紫外光（EUV）設(shè)備，高層頻頻傳出密訪ASML。繼三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕（Lee Jae-yong）10月親自赴荷蘭拜會(huì)ASML執(zhí)行長(zhǎng)Peter Wennink后，又再度傳出
2020-12-02 15:25:392343 自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時(shí)代以后，需要用到一臺(tái)頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:227524 根據(jù)韓國(guó)媒體《Etnews》報(bào)導(dǎo)指出，目前全球3大DRAM存儲(chǔ)器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機(jī)的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開始征求EUV工程師，揭露美光也在進(jìn)行EUV運(yùn)用于DRAM先進(jìn)制程，準(zhǔn)備與韓國(guó)三星、SK海力士競(jìng)爭(zhēng)
2020-12-25 14:33:101952 美國(guó)美光科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營(yíng)后，后續(xù)EUV競(jìng)爭(zhēng)或將更為激烈。
2020-12-25 14:43:132324 :5000系列的數(shù)值孔徑，將提高到0.55，阿斯麥目前已推出的TWINSCAN NXE:3400B和NXE:3400C這兩款極紫外***，數(shù)值孔徑為0.33。
在不久前舉辦的線上活動(dòng)中，歐洲微電子
2020-12-29 11:00:102186 EUV（極紫外光）光刻機(jī)，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已投入規(guī)模生產(chǎn)使用的最先進(jìn)光刻機(jī)類型。近來(lái)，有不少消息都指出，EUV光刻機(jī)耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺(tái)積電的一大難題。 為何EUV光刻機(jī)會(huì)這么耗電呢
2021-02-14 14:05:004746 半導(dǎo)體必不可少的“光刻”機(jī)器，在摩爾定律即將發(fā)展到盡頭的現(xiàn)在，可以說(shuō)，得EUV者得先進(jìn)工藝。雖然在EUV相關(guān)設(shè)備市場(chǎng)中，荷蘭ASML壟斷了核心光刻機(jī)，但在“極紫外光刻曝光”周邊設(shè)備中，日本設(shè)備廠家的存在感在逐步提升，尤其在檢測(cè)、感光材料涂覆、成像等相關(guān)設(shè)備方面，日本的實(shí)力也是不容忽視的。
2021-01-16 09:43:113120 日本半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備廠商Lasertec正在借助占世界最大份額的EUV（極紫外）測(cè)試設(shè)備持續(xù)增長(zhǎng)。極紫外光刻機(jī)生產(chǎn)的半導(dǎo)體有望實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，支持極紫外的測(cè)試設(shè)備的需求也正在擴(kuò)大。Lasertec專注于
2021-01-25 14:22:032849 2600萬(wàn)片晶圓采用EUV系統(tǒng)進(jìn)行光刻。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻的精度不斷提高，2021年先進(jìn)工藝將進(jìn)入5nm/3nm節(jié)點(diǎn)，極紫外光刻成為必修課，EUV也成為半導(dǎo)體龍頭廠商競(jìng)相爭(zhēng)奪采購(gòu)的焦點(diǎn)。未來(lái)，極紫外光刻技術(shù)將如何發(fā)展？產(chǎn)業(yè)格局如何演變？我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何解決光刻技術(shù)的難題？
2021-02-01 09:30:233645 哈工大在國(guó)家急需時(shí)刻從不缺席，現(xiàn)在國(guó)家急需光刻機(jī)。哈工大的DPP-EUV光源出來(lái)，真的是史詩(shī)級(jí)成果，一流大學(xué)就應(yīng)該有世界頂尖水平，這是哈工大在超精密加工，超精密測(cè)量領(lǐng)域幾十年積累的結(jié)果！ 中科院
2021-02-01 10:41:4731333 就在幾天前，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)聯(lián)合德國(guó)的研究機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了「穩(wěn)態(tài)微聚束」(steady-state microbunching, SSMB)光源。這個(gè)光源的波長(zhǎng)可以從太赫茲覆蓋到極紫外波段，或許能成為EUV光刻機(jī)新的光源技術(shù)。
2021-03-30 10:43:089751 
模擬的環(huán)境中試驗(yàn)幾天或幾周的時(shí)間，可再現(xiàn)戶外可能幾個(gè)月或幾年發(fā)生的損壞。 U4000V紫外光加速老化試驗(yàn)機(jī)中，紫外燈的熒光紫外等可以再現(xiàn)陽(yáng)光的影響，冷凝和水噴淋系統(tǒng)可以再現(xiàn)雨水和露水的影響。整個(gè)的測(cè)試
2021-06-02 15:22:051003 刻機(jī)），中方希望將這款價(jià)值1.5億美元的機(jī)器用于大陸芯片制造。 這款180噸重、售價(jià)1.5億美元的設(shè)備是艾司摩爾招牌產(chǎn)品，稱為「極紫外光（EUV）微影系統(tǒng)」，是制造最先進(jìn)微處理器必需。英特爾、三星電子、臺(tái)積電等公司都使用EUV設(shè)備，生產(chǎn)用于智慧手機(jī)、
2021-07-21 16:52:252514 光刻機(jī)設(shè)備（極紫外光刻機(jī)），中方希望將這款價(jià)值1.5億美元的機(jī)器用于大陸芯片制造。 這款180噸重、售價(jià)1.5億美元的設(shè)備是艾司摩爾招牌產(chǎn)品，稱為「極紫外光（EUV）微影系統(tǒng)」，是制造最先進(jìn)微處理器必需。英特爾、三星電子、臺(tái)積電等公司都使用EUV設(shè)備，生
2021-07-25 17:35:153479 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1087066 光刻機(jī)的原理是接近或接觸光刻，通過無(wú)限接近，將圖案復(fù)制到掩模上。直寫光刻是將光束聚焦到一個(gè)點(diǎn)上，通過移動(dòng)工作臺(tái)或透鏡掃描實(shí)現(xiàn)任意圖形處理。投影光刻是集成電路的主流光刻技術(shù)，具有效率高、無(wú)損傷等優(yōu)點(diǎn)。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工
2022-07-10 15:28:1018347 EUV 光刻是以波長(zhǎng)為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是以極紫外光作“刀”，對(duì)芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:027389 EUV要解決的不僅是波長(zhǎng)問題，更重要的是，ASML的LPP EUV光源中，激光器需要達(dá)到20kW的功率，而這樣的發(fā)射功率經(jīng)過重重反射，達(dá)到焦點(diǎn)處的功率卻只有350W左右。
2023-02-17 12:44:078863 DUV是深紫外線（Deep Ultraviolet Lithography），EUV是極深紫外線（Extreme Ultraviolet Lithography）。前者采用極紫外光刻技術(shù)，后者采用深紫外光刻技術(shù)。
2023-03-20 14:23:2413751 需要明確什么是EUV光刻機(jī)。它是一種采用極紫外線光源進(jìn)行曝光的設(shè)備。與傳統(tǒng)的ArF光刻機(jī)相比，EUV光刻機(jī)可以將曝光分辨率提高到7納米以下的超高級(jí)別，從而實(shí)現(xiàn)更高清晰度和更高性能的芯片制造。
2023-05-22 12:48:374919 隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，光刻光源的曝光波長(zhǎng)已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長(zhǎng)為436nm、365nm （分別來(lái)自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所制造的集成電路特征尺寸為600nm或更大。
2023-06-01 10:19:003391 
極紫外光刻的制約因素
耗電量高極紫外線波長(zhǎng)更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī)，250W的功率，每天耗電達(dá)到三萬(wàn)度。
生產(chǎn)效率仍不
2023-06-08 15:56:421359 
上海伯東日本 Atonarp Aston? 過程質(zhì)譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)了更佳的反射板鍍錫層清潔, 并且 Aston? 過程質(zhì)譜的實(shí)時(shí)氫氣 H2 監(jiān)測(cè)也降低了每個(gè) EUV 工具的氫氣消耗
2023-06-20 17:18:431032 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。 長(zhǎng)期以來(lái)
2023-07-05 10:11:242795 
EUV（Extreme Ultraviolet）光刻機(jī)是一種高級(jí)光刻設(shè)備，用于半導(dǎo)體制造業(yè)中的微電子芯片生產(chǎn)。EUV光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的光刻技術(shù)之一，它采用極端紫外光作為曝光光源，具有更短的波長(zhǎng)
2023-07-24 18:19:472366 EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:021237 據(jù)本文介紹，錫液滴發(fā)生器是激光等離子型極紫外線（lpp-euv）光刻光源中最重要的核心部件之一。錫液滴目標(biāo)具有高反復(fù)頻率，小直徑和穩(wěn)定性好的特性。這篇論文顯示了上海光儀器euv光源組最近對(duì)水滴發(fā)生器的研究發(fā)展，包括水滴的直徑、重復(fù)頻率、間隔、位置及穩(wěn)定性等。
2023-09-05 10:27:172789 實(shí)現(xiàn)深紫外光通信的一個(gè)關(guān)鍵器件是深紫外光源。早期深紫外光源利用高壓汞燈實(shí)現(xiàn)，但汞燈的調(diào)制帶寬非常小，這嚴(yán)重影響了深紫光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:001718 
近20年來(lái)，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:122263 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:555084 據(jù)悉，asml是唯一的極紫外光刻工具供應(yīng)商，極紫外線刻印工具是世界上最先進(jìn)的芯片制造機(jī)器，每臺(tái)價(jià)值數(shù)億美元。euv設(shè)備是數(shù)十年研究和投資的產(chǎn)物，是大規(guī)模生產(chǎn)最快、能源效率最高的芯片所必需的。
2023-11-06 09:29:321272 目前，商用EUV光刻機(jī)采用激光等離子體型-極紫外（LPP-EUV）光源系統(tǒng)，主要由驅(qū)動(dòng)激光器、液滴錫靶、收集鏡組成。
2024-02-21 10:18:482915 
近日，日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)（OIST）發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告，宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外（EUV）光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限，其設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備能夠采用更小巧的EUV光源，并且功耗僅為傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，從而實(shí)現(xiàn)了能源消耗的顯著降低。
2024-08-03 12:45:362296 自然界中存在多種紫外光譜，人工紫外光源包括氣體放電、超高溫輻射體和半導(dǎo)體光源。常用紫外光源有高壓汞燈、氙燈、氪燈、氘燈、紫外LED和準(zhǔn)分子激光器等，各有特定波長(zhǎng)、工作電壓和光功率。
2024-10-25 14:10:261982 據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道，Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司，已經(jīng)開始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝，設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
2024-12-20 13:48:201498 
本文簡(jiǎn)單介紹了極紫外光（EUV）掩膜版的相關(guān)知識(shí)，包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
2024-12-27 09:26:161308 芯片制造、價(jià)值1.5億美元的極紫外（EUV，https://spectrum.ieee.org/tag/euv）光刻掃描
2025-01-09 11:31:181280 光源技術(shù)方面 EUV光源的波長(zhǎng)僅為13.5納米，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于可見光，因此產(chǎn)生和維持如此短波長(zhǎng)光源的難度極大。 目前，最成熟的EUV光源是由高純度錫產(chǎn)生的高溫等離子體產(chǎn)生的。固體錫在液滴發(fā)生器內(nèi)熔化，該儀器在真空室中每分鐘連續(xù)產(chǎn)生超過300萬(wàn)個(gè)27μm的液滴。平均功率為
2025-02-18 09:31:242258 
極紫外光刻（EUVL）技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前，LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源，其工作原理是利用波長(zhǎng)為 10.6um 的紅外
2025-07-22 17:20:36957 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論