已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過(guò)在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:47
6010 ，臺(tái)積電目前的7nm已經(jīng)廣泛應(yīng)用在各大半導(dǎo)體企業(yè)的芯片當(dāng)中，如麒麟980、蘋(píng)果A12等。臺(tái)積電方面也表示，7nm是其產(chǎn)能提升最快的一代工藝。 目前公開(kāi)的信息顯示，臺(tái)積電7nm工藝共有兩代，第一代在2018年4月份大規(guī)模投產(chǎn)，第二代，將EUV（極紫外光）技術(shù)引入進(jìn)7nm的商業(yè)生產(chǎn)當(dāng)
2020-08-23 08:23:005211 推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來(lái)15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。
2017-01-22 11:45:423424 傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長(zhǎng)的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見(jiàn)下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒(méi)式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個(gè)月后開(kāi)始試產(chǎn)！
2018-10-11 11:45:233704 中芯國(guó)際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電的路線差不多，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒(méi)用EUV光刻機(jī)，只有N7＋工藝上才開(kāi)始用EUV工藝，不過(guò)光罩層數(shù)也比較少，5nm節(jié)點(diǎn)寸是充分利用EUV光刻工藝的，達(dá)到了14層EUV光罩。
2020-02-28 09:49:163525 翁壽松(無(wú)錫市羅特電子有限公司，江蘇無(wú)錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
Tock步伐，工藝進(jìn)步至7nm，首款產(chǎn)品為面向數(shù)據(jù)中心的GPU。在7nm工藝方面，英特爾提出，光刻技術(shù)將成為7nm乃至更新工藝制程的挑戰(zhàn)。英特爾計(jì)劃在進(jìn)入7nm后才使用EUV光刻（意味著目前的10nm產(chǎn)品
2020-07-07 11:38:14
7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
，購(gòu)買(mǎi)或者開(kāi)發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
。但從技術(shù)層面來(lái)看，開(kāi)始領(lǐng)先于AMD的英特爾慢慢被后來(lái)者居上，AMD也使勁全力向頂層技術(shù)發(fā)起總攻，如10nm、7nm工藝。在AMD漫長(zhǎng)的奮斗下，英特爾稍顯疲態(tài)。有分析師預(yù)測(cè)，隨著英特爾緩慢的研發(fā)步伐
2018-09-29 17:42:03
設(shè)計(jì)差異性并更快地推出他們的最終產(chǎn)品?！盕usion Design Platform提供基于7nm極紫外單次曝光的優(yōu)化，支持過(guò)孔支柱和連排打孔，以實(shí)現(xiàn)最大的設(shè)計(jì)可布線性和利用率，以及最少的電壓降和電遷移
2020-10-22 09:40:08
`請(qǐng)問(wèn)PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說(shuō)7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
Smith表示，“很高興首次在中國(guó)與大家分享英特爾制程工藝路線圖中的多項(xiàng)重要進(jìn)展，展現(xiàn)了我們持續(xù)推動(dòng)摩爾定律向前發(fā)展所獲得的豐碩成果?！?b class="flag-6" style="color: red">英特爾公司全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁楊旭英特爾公司全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁楊
2017-09-22 11:08:53
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來(lái)表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
45-50臺(tái)的交付量。這其中很大一部分都供給了臺(tái)積電，用于擴(kuò)充5nm，以及7nm產(chǎn)能。中微半導(dǎo)體除光刻機(jī)之外，蝕刻機(jī)也是5nm制程工藝不可缺少的，目前，全球高端刻蝕機(jī)玩家僅剩下應(yīng)用材料、Lam
2020-03-09 10:13:54
們的投入中，80%的開(kāi)支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見(jiàn)半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
快照】：極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國(guó)際上對(duì)EUV光刻技術(shù)已開(kāi)展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實(shí)現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工藝從目前的7nm升級(jí)到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43:04
壇上，其總經(jīng)理兼聯(lián)合CEO劉德音表示，他們?cè)缫阎圃斐?b class="flag-6" style="color: red">7nm的SRAM，并確認(rèn)10nm將在2016年初試產(chǎn)，7nm則預(yù)期在2017年Q1開(kāi)試。報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電非常高興，因?yàn)榻K于超過(guò)英特爾了。他們還趁熱預(yù)告
2016-01-25 09:38:11
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
目前的GS464V升級(jí)到LA664，因此單核性能有較大提升，達(dá)到市場(chǎng)上主流設(shè)計(jì)。至于未來(lái)的工藝，龍芯表示目前公司針對(duì)7nm的工藝制程對(duì)不同廠家的工藝平臺(tái)做評(píng)估，不過(guò)他們沒(méi)有透露什么時(shí)候跟進(jìn)7nm工藝
2023-03-13 09:52:27
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。
2010-03-24 08:52:581085 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 的34%，而且良率很好，而三星展示的7nm SRAM芯片只有8Mb，更多的是研究性質(zhì)，他們要等EUV光刻工藝成熟。 在ISSCC國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，各
2017-02-11 02:21:11277 
本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會(huì)上，三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:00967 ? 前些天，新聞曝光的中芯國(guó)際花了1．2億美元從荷蘭ASML買(mǎi)來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了自己的第一臺(tái)光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)將迎來(lái)重大突破。
2018-06-29 11:24:008478 三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作，包含高通下一代5G移動(dòng)芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。 新聞稿指出，通過(guò)7納米LPP
2018-02-23 07:31:561279 納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 IMEC 與美國(guó)楷登電子( Cadence) 公司聯(lián)合宣布，得益于雙方的長(zhǎng)期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測(cè)試芯片成功流片。該項(xiàng)目采用極紫外光刻(EUV)技術(shù)。
2018-03-19 15:08:308347 。 GlobalFoundries、英特爾、三星和臺(tái)積電希望將EUV光刻技術(shù)加入到7nm和5nm生產(chǎn)中。但就像以前一樣，EUV由幾部分組件組成，在芯片制造商能夠引入之前，它們必須整合在一起。
2018-03-31 11:52:005861 率先引入EUV極紫外光刻設(shè)備，去年向光刻巨頭ASML一口氣買(mǎi)了10臺(tái)EUV設(shè)備，要知道ASML去年一年的產(chǎn)能不過(guò)才12臺(tái)而已，其他廠商買(mǎi)不到設(shè)備，必然會(huì)影響產(chǎn)能。
2018-04-07 00:30:008927 、臺(tái)積電近年來(lái)在新工藝方面競(jìng)爭(zhēng)激烈，為搶奪訂單打得火熱。7nm工藝上，三星計(jì)劃全球第一家導(dǎo)入EUV極紫外光刻，原本被寄予厚望，但是新技術(shù)在研發(fā)、調(diào)校和設(shè)備上都需要花費(fèi)更長(zhǎng)時(shí)間，進(jìn)展不順。
2018-06-08 13:35:004418 非關(guān)鍵層面上首次嘗試使用EVU極紫外光刻系統(tǒng)，工藝節(jié)點(diǎn)從CLN7FF升級(jí)為CLN7FF+，號(hào)稱(chēng)晶體管密度可因此增加20%，而在同樣密度和頻率下功耗可降低10%。 臺(tái)積電5nm(CLN5)將繼續(xù)使用荷蘭
2018-05-15 14:35:133793 
5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:003708 問(wèn)題，工藝延期、產(chǎn)品路線圖不給力等等，不過(guò)AMD的追趕也是個(gè)重要因素。在半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)上，英特爾以往最大的籌碼就是制程工藝領(lǐng)先對(duì)手兩三年，但是今年一切變了，英特爾10nm難產(chǎn)，還在使用14nm工藝，AMD的7nm芯片今年就會(huì)出貨，制程工藝趕超英特爾不是夢(mèng)。
2018-06-27 16:29:00548 今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，二代7nm才會(huì)上EUV光刻工藝，預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)。那么存儲(chǔ)芯片行業(yè)何時(shí)會(huì)用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 另外，7nm EUV的好處還在于，比多重曝光的步驟要少，也就是相同時(shí)間內(nèi)的產(chǎn)量將提升。當(dāng)然，這里說(shuō)的是最理想的情況， 比如更好的EUV薄膜以減少光罩的污染、自修正機(jī)制過(guò)關(guān)堪用等。三星稱(chēng)，7nm EUV若最終成行，將被證明是成本更優(yōu)的方案。
2018-06-22 15:53:453469 隨著技術(shù)的發(fā)展，今年臺(tái)積電、三星及Globalfoundries等公司都會(huì)量產(chǎn)7nm工藝，下一代將在2020年進(jìn)入5nm工藝，2022年進(jìn)入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統(tǒng)的DUV光刻工藝，預(yù)計(jì)到5nm工藝將會(huì)上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491149 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個(gè)月后開(kāi)始試產(chǎn)！
2018-10-11 08:44:334918 今年4月開(kāi)始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。
2018-10-17 15:44:564730 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來(lái)的一個(gè)里程碑。不過(guò)EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒(méi)有
2018-10-30 16:28:403376 現(xiàn)在的EUV光刻機(jī)使用的是波長(zhǎng)13.5nm的極紫外光，而普通的DUV光刻機(jī)使用的是193nm的深紫外光，所以升級(jí)到EUV光刻機(jī)可以大幅提升半導(dǎo)體工藝水平，實(shí)現(xiàn)7nm及以下工藝。
2018-11-01 09:44:264268 作為全球頭號(hào)代工廠，臺(tái)積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開(kāi)始試產(chǎn)。
2018-12-19 15:01:021550 GlobalFoundries、聯(lián)電等國(guó)際代工巨頭已經(jīng)紛紛放棄10/7/5nm等更先進(jìn)工藝，中芯國(guó)際承載著無(wú)數(shù)人的希望還在努力奮進(jìn)，去年年中就向荷蘭ASML(阿斯麥)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，單價(jià)1.2億美元，今年初交付，未來(lái)將用于7nm工藝。
2019-02-27 15:48:066183 臺(tái)積電指出，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來(lái)EUV技術(shù)提供的制程簡(jiǎn)化效益。5nm制程能夠提供全新等級(jí)的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:571660 目前華為最新的麒麟980處理器與蘋(píng)果的A12處理器均采用了臺(tái)積電的7nm工藝，這也是市面上少數(shù)采用7nm工藝的廠商之一。另外此前據(jù)外媒報(bào)道，華為今年下半年將推出采用7nm+EUV（極紫外光刻工藝）工藝的麒麟985芯片。
2019-05-07 18:26:023960 彭博報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電已于4月份就開(kāi)始了蘋(píng)果A13芯片的早期測(cè)試生產(chǎn)階段，并且計(jì)劃在本月進(jìn)行量產(chǎn)。預(yù)計(jì)A13芯片將采用臺(tái)積電的第二代7nm工藝，并且率先采用EUV光刻技術(shù)。
2019-05-13 16:39:514527 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡，也領(lǐng)先Intel、三星一大步。
2019-05-28 11:20:413233 臺(tái)積電官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)7nm N7+工藝，這是臺(tái)積電第一次、也是行業(yè)第一次量產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)，意義非凡。
2019-05-28 16:18:243401 通過(guò)使用三星7nm EUV工藝代替臺(tái)積電的7nm工藝，Nvidia可能能夠獲得更多供應(yīng)。
2019-06-10 09:06:126225 7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱(chēng)相比第一代7nm EDV工藝可以帶來(lái)最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:114797 日前，高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒(méi)用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:23:236488 7nm是Intel下一代工藝的重要節(jié)點(diǎn)，而且是高性能工藝，其地位堪比現(xiàn)在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。
2019-10-12 14:44:542701 英特爾預(yù)計(jì)其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏，從2019年的10納米工藝開(kāi)始，到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV（極紫外光刻），然后在2023年采用5納米，2025年3納米，2027年2納米，最終到2029年的1.4納米。
2019-12-11 10:31:203165 截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應(yīng)用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺(tái)積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發(fā)布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0315995 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073254 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033215 三星宣布，位于韓國(guó)京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專(zhuān)門(mén)為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052214 近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋(píng)果的A13
2020-02-29 10:58:473149 近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋(píng)果的A13
2020-02-29 11:42:4529307 在工藝制程方面，臺(tái)積電的進(jìn)度明顯要快于英特爾。其實(shí)在2017年的時(shí)候，英特爾就指出臺(tái)積電7nm并非真實(shí)的7nm。而且英特爾呼吁行業(yè)應(yīng)該統(tǒng)一命名標(biāo)準(zhǔn)，防止命名混亂。英特爾更希望以晶體管密度作為衡量標(biāo)準(zhǔn)。
2020-03-01 08:13:003014 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片的制造過(guò)程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 10:50:591943 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片的制造過(guò)程中，光刻機(jī)是必不可少的設(shè)備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機(jī)也就至關(guān)重要。
2020-03-07 14:39:545045 臺(tái)積電5nm制造工藝基于ULV，也就是紫外線光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)，之前的7nm EUV工藝同樣也是基于這項(xiàng)技術(shù)。那么制程的縮小又意味著什么？相比于7nm工藝，5nm工藝可以進(jìn)一步提升芯片的晶體管密度，提升性能并降低功耗，可廣泛用于PC、智能手機(jī)等設(shè)備的元器件中。
2020-03-12 14:10:442569 對(duì)于芯片制造廠商來(lái)說(shuō)，光刻機(jī)的重要性不言而喻，尤其是目前芯片制造工藝已經(jīng)提升至5nm和3nm之后，極紫外光刻機(jī)就顯得更為重要。而ASML作為全球唯一有能力制造極紫外光刻機(jī)的廠商，他的一舉一動(dòng)，牽動(dòng)著所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)上下游廠商的心。
2020-04-15 15:44:364093 CFan曾在《芯希望來(lái)自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過(guò)EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒(méi)有
2020-09-01 14:00:292234 工藝制程走入10nm以下后，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始顯現(xiàn)出來(lái)。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢(shì)。
2020-09-02 15:58:441967 工藝制程走入10nm以下后，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始顯現(xiàn)出來(lái)。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢(shì)。
2020-09-02 16:00:292684 關(guān)于芯片工藝，Intel前幾天還回應(yīng)稱(chēng)友商的7nm工藝是數(shù)字游戲，Intel被大家誤會(huì)了。不過(guò)今年Intel推出了新一代的10nm工藝，命名為10nm SuperFin工藝，簡(jiǎn)稱(chēng)10nm SF，號(hào)稱(chēng)是有史以來(lái)節(jié)點(diǎn)內(nèi)工藝性能提升最大的一次，沒(méi)換代就提升15%性能，比其他家的7nm還要強(qiáng)。
2020-09-27 10:35:063537 
臺(tái)積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 10月26日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在芯片制程工藝方面，英特爾在近幾年已經(jīng)落后于臺(tái)積電和三星，臺(tái)積電的5nm工藝在今年一季度就已大規(guī)模投產(chǎn)，三季度帶來(lái)了近10億美元的營(yíng)收，三星電子也已在利用5nm工藝為相關(guān)客戶代工芯片，而英特爾的7nm還尚未投產(chǎn)，在研發(fā)上還遇到了困難。
2020-10-26 14:56:241320 EUV工藝的，這是臺(tái)積電三種7nm工藝版本之一，與其他兩種工藝相比，它會(huì)使用EUV光刻機(jī)，光刻處理效率更高。 在Zen3是否會(huì)上EUV工藝的問(wèn)題上，AMD官方的態(tài)度一直很模糊，只強(qiáng)調(diào)是改良版的7nm工藝，官方路線圖中直接去掉了EUV的痕跡。 不過(guò)臺(tái)灣媒體日前提到，AMD的Zen3這次使用的7nm工
2020-10-26 17:49:532077 ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺(tái)積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:211646 11月5日，世界光刻機(jī)巨頭荷蘭阿斯麥ASML亮相第三屆進(jìn)博會(huì)。作為全球唯一能生產(chǎn)EUV（極紫外光）光刻機(jī)的企業(yè)，由于ASML目前仍不能向中國(guó)出口EUV光刻機(jī)，所以此次展示的是其DUV（深紫外光）光刻機(jī)。據(jù)悉，該產(chǎn)品可生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。
2020-11-06 11:27:465517 制造工藝EUV（極紫外光刻）。Exynos 1080 所采用的 5nm EUV 工藝與 8nm LPP（成熟低功耗）相比，性能提升 14%，功耗降低 30%；與 7nm DUV（深紫外光刻）相比，
2020-11-12 16:48:291670 在5nm、6nm工藝大規(guī)模投產(chǎn)、第二代5nm工藝即將投產(chǎn)的情況下，芯片代工商臺(tái)積電對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求也明顯增加。而外媒最新援引產(chǎn)業(yè)鏈消息人士的透露報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電已向阿斯麥下達(dá)了2021的極紫外光刻
2020-11-17 17:20:141640 自從芯片工藝進(jìn)入到7nm工藝時(shí)代以后，需要用到一臺(tái)頂尖的EUV光刻機(jī)設(shè)備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進(jìn)制程工藝的芯片產(chǎn)品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機(jī)，目前全球
2020-12-03 13:46:226379 更多訣竅，領(lǐng)先對(duì)手1到2年。 據(jù)悉，三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本，并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數(shù)過(guò)少對(duì)
2020-12-04 18:26:542201 這屆CES中英特爾的表現(xiàn)最為搶眼，不僅發(fā)布了多款新品，而且更是在近期接連發(fā)布重大消息。比如英特爾現(xiàn)任CEO司睿博將在2月份辭職，VMWare公司CEO Pat Gelsinger將回歸Intel。此外，英特爾也宣稱(chēng)公司在7nm工藝上獲得重大進(jìn)展，股價(jià)應(yīng)聲大漲。
2021-01-14 11:17:011608 會(huì)不斷增加，而全球目前唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)廠商的阿斯麥，也就大量供應(yīng)極紫外光刻機(jī)。 英文媒體在最新的報(bào)道中表示，在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺(tái)積電，在今年預(yù)計(jì)可獲得 18 臺(tái)極紫外光刻機(jī)，三星和英特爾也將繼續(xù)購(gòu)買(mǎi)這一類(lèi)
2021-01-25 17:10:181352 ，對(duì)極紫外光刻機(jī)的需求會(huì)不斷增加，而全球目前唯一能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)廠商的阿斯麥，也就大量供應(yīng)極紫外光刻機(jī)。 英文媒體在最新的報(bào)道中表示，在芯片制程工藝方面走在行業(yè)前列的臺(tái)積電，在今年預(yù)計(jì)可獲得 18 臺(tái)極紫外光刻機(jī)，三星和英特爾也將
2021-01-25 17:21:543321 對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，他們今年依然會(huì)狂購(gòu)極紫外光刻，用最先進(jìn)的工藝來(lái)確保自己處于競(jìng)爭(zhēng)的最有力地位。
2021-01-26 11:21:511137 2600萬(wàn)片晶圓采用EUV系統(tǒng)進(jìn)行光刻。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻的精度不斷提高，2021年先進(jìn)工藝將進(jìn)入5nm/3nm節(jié)點(diǎn)，極紫外光刻成為必修課，EUV也成為半導(dǎo)體龍頭廠商競(jìng)相爭(zhēng)奪采購(gòu)的焦點(diǎn)。未來(lái)，極紫外光刻技術(shù)將如何發(fā)展？產(chǎn)業(yè)格局如何演變？我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何解決光刻技術(shù)的難題？
2021-02-01 09:30:232588 2月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片制程工藝提升至5nm的臺(tái)積電和三星，已從阿斯麥購(gòu)買(mǎi)了大量的極紫外光刻機(jī)，并且還在大量購(gòu)買(mǎi)。
2021-02-26 09:22:011530 近日，有外媒稱(chēng)英特爾最新Meteor Lake的GPU核心可能會(huì)交由臺(tái)積電公司代工，并且用上臺(tái)積電的3nm工藝，加入了EUV光刻技術(shù)。英特爾Meteor Lake處理器預(yù)計(jì)將于明年正式亮相。
2021-11-24 16:07:161708 臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過(guò)程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:202077 
1、IBM的2nm芯片，所有關(guān)鍵功能都是使用EUV光刻機(jī)進(jìn)行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產(chǎn)的中間和后端環(huán)節(jié)使用EUV光刻機(jī)，意味著2nm工藝對(duì)EUV光刻機(jī)擁有更高的依賴性。
2022-07-05 17:26:497169 EUV光刻機(jī)是在2018年開(kāi)始出現(xiàn)，并在2019年開(kāi)始大量交付，而臺(tái)積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:444523 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門(mén)的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053180 光刻機(jī)譽(yù)為“現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)皇冠上的明珠”，是一種高度復(fù)雜的設(shè)備。光刻機(jī)是通過(guò)紫外光作為“畫(huà)筆”，把預(yù)先設(shè)計(jì)好的芯片電路路線書(shū)寫(xiě)在硅晶圓旋涂的光刻膠上，光刻工藝直接決定了芯片中晶體管的尺寸和性能，是芯片生產(chǎn)中最為關(guān)鍵的過(guò)程。
2022-10-27 09:39:024118 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近期，2nm工藝被幾大晶圓代工廠推到了風(fēng)口浪尖處，臺(tái)積電、英特爾、三星都在推進(jìn)2nm的計(jì)劃，而距離他們2025年的量產(chǎn)計(jì)劃還有三年時(shí)間，裝備大戰(zhàn)就已經(jīng)提前展開(kāi)
2022-06-29 08:32:004635
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