負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協會藍牙技術聯盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告《環(huán)境物聯網：一種新型藍牙物聯網設備》，深入分析了這種新型物聯網設備。
2024-03-11 15:08:54
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濕電子化學品屬于電子化學品領域的一個分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法蝕刻、清洗、顯影、互聯等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
該環(huán)境物聯網研究報告預測了物聯網的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協會藍牙技術聯盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告《環(huán)境物聯網：一種
2024-03-06 11:07:2487 
根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關重要。下面將詳細介紹氮化
2024-01-10 10:11:39264 氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業(yè)應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導體材料，其晶體結構屬于
2024-01-10 10:05:09346 氮化鋁（AlN）以其超寬禁帶寬度（~6.2 eV）和直接帶隙結構，與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導體材料被并稱為超寬禁帶半導體，與氮化鎵、碳化硅等第三代半導體材料相比具有更優(yōu)異的耐高壓高溫、抗輻照性能。
2024-01-08 09:38:38183 
AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運（PVT）是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 09:20:22316 
轉自：存儲產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟 2023年11月30日， 存 儲產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟、中國電子技術標準化研究院聯合發(fā)布《分布式融合存儲研究報告（2023）》，詳細闡釋分布式融合存儲概念和技術要求
2023-12-21 18:05:01270 
世界各國不僅把6G作為構筑未來數字經濟與社會發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點。全球主要國家的多。個研究機構和聯盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術趨勢、網絡架構等方面的白皮書和研究報告，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術思考。
2023-12-19 11:23:36151 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經成功地用于實現藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
存儲研究報告》（以下簡稱：《報告》）正式發(fā)布。《報告》首次系統梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術架構和應用場景，為融合存儲產業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術標準化研究院領導表示，“數據成為重要的生產要素，數據
2023-11-30 16:25:01172 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設備，常用于太陽能光伏發(fā)電系統中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成，每個電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進行支撐和保護。
2023-11-29 09:46:061005 濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20719 電子發(fā)燒友網站提供《工業(yè)控制系統及其安全性研究報告.pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:29:13
0 蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53434 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報告
2023-11-07 16:37:390 蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 由于碳纖維表面沒有催化活性,通常在鍍銀前要進行敏化、活化處理。傳統的敏化活化工藝一般要用到氯化亞錫、氯化鋰等試劑，這些試劑不僅價格昂貴，還會產生含有重金屬離子的廢液。
2023-10-12 16:56:46482 
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
香港上市公司ESG表現積極 ?但仍需持續(xù)改進 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報告。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58265 
好消息再次傳來！ 統信UOS又雙叒叕獲得認可！ 第一新聲發(fā)布 《2023年中國信創(chuàng)產業(yè)研究報告》 我們分別入選： 中國最佳信創(chuàng)廠商TOP50 中國最佳信創(chuàng)操作系統廠商 中國最佳信創(chuàng)廠商優(yōu)秀
2023-09-13 17:02:17376 
近日，中國信息通信研究院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報告（2023年）》 （以下簡稱“報告”），全面介紹了在數字化轉型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01488 
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產出了首款4英寸氮化鋁（AlN）襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性，以滿足各類應用的生產需求。
2023-08-29 14:37:29847 氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質濃度、超寬帶差距及高熱傳導效率，對uvc led及電力配件等產業(yè)非常有魅力。根據目前uvc紫外線led的需求，4英寸基板的使用率超過80%。
2023-08-16 11:08:29603 半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區(qū)域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結構的氮化物半導體是直接帶隙半導體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調，是制備藍綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:57742 
氧化鋁陶瓷基材 機械強度高，絕緣性好，和耐光性.它已廣泛應用于多層布線陶瓷基板、 電子封裝 和 高密度封裝基板 。 1. 氧化鋁陶瓷基板的晶體結構、分類及性能 氧化鋁有許多均勻的晶體
2023-08-02 17:02:46752 
佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內通信及網絡接口芯片行業(yè)研究報告》。 根據通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:431401 
預登記展會領取門票還可以獲得由AIoT星圖研究院出品2023行業(yè)報告之《蜂窩物聯網系列之LTE Cat.1市場跟蹤調研報告》、《中國光伏物聯網產業(yè)分析報告》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報告
2023-07-31 11:14:32525 
電源模塊是電子設備中用于提供穩(wěn)定電壓和電流的關鍵組件，在現代電子設備中起著至關重要的作用，而高效能量轉換是實現可持續(xù)和高性能電源的關鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的先進電源模塊技術
2023-07-27 16:22:10287 近日，氮化鎵行業(yè)新增了4個項目，涉及單晶襯底、器件等環(huán)節(jié)。
2023-07-24 10:35:34921 
自己的模板
研究 報告《 容、感、阻被動元器件市場
報告》，如需領取
報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 元器件? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04246 
40多年來，設計和制造傳統混合電路的首選基板一直是氧化鋁。它提供了正確電路操作所需的機械強度、電阻率和熱性能。然而，在過去幾年中，我們經歷了混合技術向具有高度復雜、密集電路配置的電子設備的轉變，
2023-07-13 17:02:32506 
金剛石異質外延已發(fā)展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質量的異質外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關于異質外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質外延單晶金剛石的發(fā)展進行了闡述。
2023-07-12 15:22:23843 
年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實現數據、資產和人員智能互聯的先進數字解決方案提供商，斑馬技術公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統愿景研究報告》。報告結果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24321 氮化鋁具有較高的熱導性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氧化鋁是一種化學化合物，由鋁和氧元素組成，化學式為Al2O3。它是一種非導電的陶瓷材料，具有高熔點、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領域。在工業(yè)上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。
2023-07-05 16:30:154542 氧化鋁陶瓷通常以基體中氧化鋁的含量來分類，例如一般把氧化鋁含量在99%、95%、90%左右的依次稱為“99瓷”、“95瓷”和“90瓷”。按顏色可分為白色、紫色、黑色氧化鋁等。
2023-07-04 10:01:15852 
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研究 報告《 虛擬人產業(yè)鏈及市場前景
報告》，如需領取
報告，請關注公眾號，后臺回復 ? 虛擬人? 即可領??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02283 
氮化鋁陶瓷（AlN）因其優(yōu)越的熱、電性能，已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的理想基板材料。本文對其應用于IGBT模塊的研究進行深入探討。
2023-07-01 11:08:40580 
電子等領域。然而，高溫下氧化鋁陶瓷電路板的穩(wěn)定性問題也備受關注。 本文旨在研究高溫下氧化鋁陶瓷電路板的穩(wěn)定性問題，并進行實驗驗證。首先，本文將介紹高溫下氧化鋁陶瓷電路板的制備方法和性能特點，接著重點討論高溫下
2023-06-29 14:12:13352 目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56543 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍寶石模板，藍寶石氮化預處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內取向結合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:11359 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
氮化鋁陶瓷基板的導熱系數在170-230 W/mK之間，是氧化鋁陶瓷和硅基陶瓷的2-3倍，是鈦基板的10-20倍。這種高導熱系數的優(yōu)異性能是由于氮化鋁陶瓷基板的結構和化學成分決定的。其晶粒尺寸、晶格
2023-06-19 17:02:27510 氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
% 化學物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢，將遠遠大于傳統慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產業(yè)的發(fā)展現狀和趨勢進行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
發(fā)展研究報告1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產業(yè)的發(fā)展現狀和趨勢進行了詳盡研究和分析。 以下為報告內容 受篇幅限制，以上僅為部分報告預覽 后臺回復【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41758 
微孔利用光和物質的相互作用來獲得獨特的性質，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結構表現出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
休斯頓大學研究團隊之前開發(fā)出了III-N壓電傳感器，該傳感器由單晶氮化鎵薄膜制成，但在溫度高于350℃時，其靈敏度會降低。
2023-05-25 12:49:19362 蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
，且熱膨脹不匹配導致的高熱應力會導致永久的結構層面的機械故障。AlN的熔點高達2500℃，可用作高溫耐熱材料。同時，氮化鋁的熱膨脹系數(CTE,4.5×10–6/℃)相對較低，接近于Si及SiC，能夠提供更好的熱可靠性。因此，基于氮化鋁陶瓷芯片級封裝的超高溫(500℃以上)微電子器件成為有效方案。
2023-05-17 15:34:32418 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
以上這些問題和挑戰(zhàn)，對于氮化鋁陶瓷的應用和發(fā)展都是有一定影響的，但隨著斯利通技術的不斷進步，相信這些問題都可以得到逐步解決。
2023-05-11 17:35:22768 探討這個問題前，我們先來了解下什么是99%氧化鋁陶瓷：99.6%的氧化鋁陶瓷是一種高純度、高硬度、高溫度抗性和高耐腐蝕性的工程陶瓷材料，其中氧化鋁含量高達99.6%以上。它具有良好的物理、化學
2023-05-11 11:02:13955 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 隨著新能源汽車的快速發(fā)展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠
2023-05-07 13:13:16408 
隨著新能源汽車的快速發(fā)展。陶瓷基板，特別是氮化鋁陶瓷基板作為絕緣導熱材料得到了很大的應用。目前市場以170w/m.k的材料為主，價格很貴，堪稱陶瓷界的皇冠。而120-130w/m.k的價格就要實惠很多。那他們的散熱表現差別有多少？先說結論：差別很小，考慮裝配應用等因素外，基本可以忽略。
2023-05-04 12:11:36301 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性?！娟P鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
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2023-04-12 15:10:02390 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
全國普通高校大學生計算機類競賽研究報告鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計算機類競賽中的表現情況是評估相關高校計算機
2023-04-10 10:16:15
半導體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數據公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報告（以下簡稱《報告》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 已全部加載完成
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