A800和H20之間。 ? 根據(jù)報(bào)道，平頭哥PPU采用HBM2e顯存，單卡顯存容量96GB，片間帶寬為700GB/s，采用PCIe5.0×16通道接口，單卡功耗為400W。英偉達(dá)A800顯存同樣采用
2025-09-22 07:02:00
11608 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）日前，多家服務(wù)器廠商表示因AI服務(wù)器需求高漲拉高業(yè)績增長。隨著AI服務(wù)器需求旺盛，以及英偉達(dá)GPU的更新?lián)Q代，勢必帶動(dòng)HBM供應(yīng)商的積極產(chǎn)品推進(jìn)。三星方面HBM
2025-06-02 06:54:006567 AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級(jí)封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價(jià)比和低功耗優(yōu)勢，創(chuàng)新型DRAM是許多可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上的微型人工智能相機(jī)中使用的理想存儲(chǔ)器。
2026-01-05 14:29:3729 2025年12月22日，鼎陽科技正式發(fā)布SDS8204A高帶寬數(shù)字示波器，在SDS8000A系列原有16 GHz，12 bit高分辨率型號(hào)基礎(chǔ)上，再一次突破其公司示波器帶寬瓶頸，新增20 GHz，8
2025-12-31 17:30:331266 
當(dāng)前存儲(chǔ)市場上行，HBM 技術(shù)演進(jìn)推動(dòng)燒錄數(shù)據(jù)量指數(shù)級(jí)增長，傳統(tǒng)燒錄與測試方案遇瓶頸。行業(yè)通過高速接口、多芯片協(xié)同、智能校準(zhǔn)與光學(xué)檢測融合等創(chuàng)新方案應(yīng)對，同時(shí)向制造鏈整合的模塊化方案轉(zhuǎn)型。禾洛半導(dǎo)體
2025-12-29 16:52:53875 2025年12月22日，鼎陽科技正式發(fā)布SDS8204A高帶寬數(shù)字示波器，在SDS8000A系列原有16 GHz，12 bit高分辨率型號(hào)基礎(chǔ)上，再一次突破示波器帶寬瓶頸，新增20 GHz，8 bit高帶寬型號(hào)，進(jìn)一步完善了SDS8000A系列的產(chǎn)品布局。
2025-12-29 11:49:30523 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）在半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的常規(guī)邏輯中，新一代產(chǎn)品面世前夕，前代產(chǎn)品降價(jià)清庫存是常規(guī)定律，但如今HBM（高帶寬內(nèi)存）將打破這一行業(yè)共識(shí)。據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子和SK海力士已上調(diào)
2025-12-28 09:50:111547 HBM 量價(jià)齊飛、UFS 4.1 普及推動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)狂飆，卻凸顯燒錄與測試這一 “最后質(zhì)檢” 難題。高端存儲(chǔ)性能競賽（HBM4 帶寬 2TB/s、UFS 4.1 讀寫 4.2GB/s）與產(chǎn)能成本博弈
2025-12-18 11:15:34241 HD3SS214：助力高帶寬視頻傳輸?shù)?.1Gbps DisplayPort開關(guān) 在高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域，尤其是視頻傳輸場景下，高質(zhì)量的信號(hào)切換設(shè)備至關(guān)重要。HD3SS214作為一款符合
2025-12-17 11:30:15346 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著人工智能算力需求的指數(shù)級(jí)爆發(fā)，數(shù)據(jù)中心對內(nèi)存的性能、容量與成本平衡提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。HBM憑借1024-bit甚至2048-bit的超高位寬，成為AI加速卡的核心
2025-12-17 09:29:551378 昆侖芯K200作為云端AI加速卡，在K100架構(gòu)基礎(chǔ)上全面升級(jí)。其INT8算力達(dá)256 TOPS，配備16GB HBM內(nèi)存與512GB/s帶寬，專為千億參數(shù)大模型訓(xùn)練與高并發(fā)推理優(yōu)化。采用全高全長雙
2025-12-14 11:17:501476 
在積極配合這一客戶需求。從HMB4的加速量產(chǎn)、HBM4E演進(jìn)到邏輯裸芯片的定制化等HBM技術(shù)正在創(chuàng)新中發(fā)展。 ? HBM4 E的 基礎(chǔ)裸片 集成內(nèi)存控制器 ? 外媒報(bào)道，臺(tái)積電在近日的生態(tài)論壇上分享了對首代定制 HBM 內(nèi)存的看法。臺(tái)積電認(rèn)為定制HBM將在HBM4E時(shí)代正式落地，
2025-11-30 00:31:006421 
垂直導(dǎo)線扇出（VFO）的封裝工藝，實(shí)現(xiàn)最多16層DRAM與NAND芯片的垂直堆疊，這種高密度的堆疊方式將大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，為移動(dòng)設(shè)備的AI運(yùn)算提供強(qiáng)有力的存儲(chǔ)支撐。 ? 根據(jù)早前報(bào)道，移動(dòng)HBM通過堆疊和連接LPDDR DRAM來增加內(nèi)存帶寬，也同樣采用了
2025-11-14 09:11:212447 
自有HBF產(chǎn)品的早期概念設(shè)計(jì)工作。 ? 圖源：閃迪 ? 閃迪HBF ? SanDisk 閃迪在今年2月份 展示最新研發(fā)的高帶寬閃存（HBF），這是專為?AI?領(lǐng)域設(shè)計(jì)的新型存儲(chǔ)器架構(gòu) 。 HBF全稱
2025-11-09 06:40:0012401 
Weaver，一款內(nèi)存扇出Gearbox，該產(chǎn)品可顯著提升內(nèi)存帶寬和內(nèi)存密度，優(yōu)化AI加速器或xPU的計(jì)算效率。作為Credo OmniConnect系列的首款產(chǎn)品，Weaver旨在解決AI建設(shè)中的縱向擴(kuò)展
2025-11-08 11:01:412158 3D Stacked Memory是“技術(shù)方法”，而HBM是“用這種方法解決特定問題的產(chǎn)品”。
2025-11-07 19:39:545537 
——PVA9000系列高帶寬有源差分探頭。它專為高速數(shù)字接口研發(fā)與驗(yàn)證而生，以優(yōu)異的信號(hào)保真度，助您在技術(shù)前沿占得先機(jī)。
2025-11-03 14:28:10998 三星：明年的 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能已售罄，考慮擴(kuò)建生產(chǎn)線 據(jù)媒體報(bào)道，三星考慮擴(kuò)建高帶寬內(nèi)存（HBM）生產(chǎn)線以提高產(chǎn)能。這家韓國科技巨頭周四表示，其明年 HBM 的產(chǎn)能已被預(yù)訂一空，并正在收到更多訂單
2025-11-03 10:48:51924 大模型訓(xùn)練與推理需求的爆發(fā)，點(diǎn)燃了AI數(shù)據(jù)中心的建設(shè)熱潮。AI服務(wù)器的需求增長不僅掀起了GPU/ASIC算力芯片、光模塊等組件的迭代狂潮，同時(shí)也推動(dòng)了對更大容量、更高帶寬系統(tǒng)主內(nèi)存的需求。在此背景下
2025-10-31 16:28:172962 
Aerodiode激光PID伺服控制器產(chǎn)品圖 Aerodiode的超高帶寬激光鎖定PID控制器能夠動(dòng)態(tài)最小化系統(tǒng)信號(hào)與目標(biāo)設(shè)定值之間的差異。適用于高帶寬低噪聲PID校正，例如激光鎖相和激光線寬壓縮
2025-10-22 07:48:51265 
電路提供高壓電源。然而，傳統(tǒng)單級(jí)升壓轉(zhuǎn)換器受占空比限制，難以獨(dú)立完成如此高的電壓轉(zhuǎn)換。為此，采用基于惠海半導(dǎo)體H6922控制器的兩級(jí)升壓方案，成為一種高效而可靠的
2025-10-14 10:13:36
2025年9月24日，美光在2025財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中確認(rèn)，第四代高帶寬內(nèi)存（HBM4）將于2026年第二季度量產(chǎn)出貨，2026年下半年進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產(chǎn)品傳輸速率突破
2025-09-26 16:42:311181 HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個(gè)DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個(gè)關(guān)鍵的實(shí)現(xiàn)手段。
2025-09-22 10:47:471616 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，鎧俠最近成功研發(fā)了一款對大規(guī)模人工智能（AI）模型至關(guān)重要的大容量、高帶寬閃存（High-Bandwidth Flash）模塊原型。此項(xiàng)成果在日本國家研究開發(fā)機(jī)構(gòu)——日本新能源
2025-09-20 02:00:001616 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）近日，SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）的開發(fā)，并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲(chǔ)廠商。 ? 據(jù)悉，SK
2025-09-17 09:29:085964 HBM4 的開發(fā)，并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系，這一消息猶如一顆重磅炸彈，在半導(dǎo)體行業(yè)乃至整個(gè)科技領(lǐng)域激起千層浪。 ? 高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速、寬帶寬數(shù)據(jù)傳輸?shù)南乱淮?DRAM 技術(shù)，自誕生以來便備受矚目。其核心結(jié)構(gòu)是將多個(gè) DRAM 芯片通過
2025-09-16 17:31:141367 的標(biāo)準(zhǔn)注意力機(jī)制存在兩個(gè)主要問題：內(nèi)存占用高：模型需要生成一個(gè)巨大的注意力矩陣(N×N)。這個(gè)矩陣需要被保存在高帶寬內(nèi)存(HBM)中。對于長序列，這很快就會(huì)超出G
2025-09-10 09:28:374482 
極細(xì)同軸線束不僅可以做到“極細(xì)”，而且在這種微型化設(shè)計(jì)中，還能保持高速信號(hào)的完整性與傳輸穩(wěn)定性。它已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化和高性能化的幕后功臣。隨著材料與工藝的不斷提升，未來的極細(xì)同軸線束必將突破更小的直徑極限，并在更多前沿應(yīng)用中展現(xiàn)價(jià)值。
2025-09-08 15:02:421336 
G口大帶寬服務(wù)器出現(xiàn)延遲高、丟包嚴(yán)重時(shí)，可按以下步驟排查：①用`traceroute`檢查路由，若節(jié)點(diǎn)異常需更換線路；②檢測網(wǎng)線、光模塊等硬件，觀察網(wǎng)卡錯(cuò)誤統(tǒng)計(jì)；③用工具監(jiān)控帶寬使用率，必要時(shí)擴(kuò)容
2025-09-03 15:47:26701 
AI 內(nèi)存是一種專為人工智能 (AI) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的新型內(nèi)存技術(shù)。與傳統(tǒng)的通用內(nèi)存（如 DDR5 或 LPDDR5）不同，AI 內(nèi)存的核心目標(biāo)是解決 AI 計(jì)算中遇到的兩大挑戰(zhàn)：帶寬瓶頸和延遲
2025-09-03 15:44:19966 本文將探討內(nèi)存技術(shù)的最新突破、AI 應(yīng)用日益增長的影響力，以及華邦如何透過策略性布局響應(yīng)市場不斷變化的需求。
2025-08-28 11:17:044320 
全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation成功研發(fā)出一款大容量、高帶寬閃存模塊原型，該模塊對于大規(guī)模人工智能(AI)模型而言至關(guān)重要。這一成果是在日本國家研發(fā)機(jī)構(gòu)——日本
2025-08-26 17:50:26784 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)臺(tái)媒消息，傳聞?dòng)ミ_(dá)已開始開發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片，預(yù)計(jì)英偉達(dá)的自研HBM基礎(chǔ)裸片采用3nm工藝制造，計(jì)劃在2027年下半年進(jìn)行小批量試產(chǎn)。并且這一時(shí)間點(diǎn)大致對應(yīng)"Rubin
2025-08-21 08:16:002604 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，NEO Semiconductor宣布推出全球首款用于AI芯片的超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)。該架構(gòu)旨在滿足生成式AI和高性能計(jì)算日益增長的需求，其32Kbit數(shù)據(jù)總線
2025-08-16 07:51:004694 
表現(xiàn)為一系列單頻信號(hào)的加權(quán)和的形式。對于理想方波信號(hào)，上升時(shí)間為0，每一個(gè)頻率分量都是必需的，因此，理論上理想方波信號(hào)帶寬是無窮大的。盡管如此，無窮大的帶寬對實(shí)際工程應(yīng)用
2025-08-15 17:56:541016 
要求，并探索構(gòu)建HBF的技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)。 ? 高帶寬閃存(HBF)是一種專為 AI 領(lǐng)域設(shè)計(jì)的新型存儲(chǔ)器架構(gòu)。在設(shè)計(jì)上，HBF結(jié)合了3D NAND閃存和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的特性，能更好地滿足AI推理
2025-08-15 09:23:123384 
Sandisk閃迪公司（NASDAQ：SNDK）正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存
2025-08-08 13:37:381847 通用芯?；ミB技術(shù)（UCIe）為半導(dǎo)體行業(yè)帶來了諸多可能性，在Multi-Die設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高帶寬、低功耗和低延遲的Die-to-Die連接。它支持定制HBM（cHBM）等創(chuàng)新應(yīng)用，滿足了I/O裸片
2025-08-04 15:17:242452 Attached Memory Module，即小型化壓縮附加內(nèi)存模組，是英偉達(dá)主導(dǎo)開發(fā)的一種新型內(nèi)存模塊，是適用于數(shù)據(jù)中心 AI 服務(wù)器的新型高
2025-07-27 07:50:004448 在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，人工智能、大數(shù)據(jù)分析、云計(jì)算以及高端圖形處理等領(lǐng)域?qū)Ω咚佟?b class="flag-6" style="color: red">高帶寬存儲(chǔ)的需求呈現(xiàn)出爆炸式增長。這種背景下，高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory，HBM）技術(shù)
2025-07-24 17:31:16632 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122952 ，GPU也常面臨各類故障挑戰(zhàn)，令使用者頭疼不已。常見GPU故障大盤點(diǎn)一、內(nèi)存故障引發(fā)性能“滑坡”以英偉達(dá)H100為例，在高負(fù)載、大規(guī)模集群運(yùn)行環(huán)境下，HBM3高帶寬
2025-07-17 18:56:55941 
。近日著名博主《數(shù)碼閑聊站》又繼續(xù)爆料，華為會(huì)先于蘋果落地HBM DRAM。 ? 但HBM在手機(jī)應(yīng)用真的可行嗎？ ? 從成本的角度來看，HBM首先在制造工藝上相比傳統(tǒng)的LPDDR更復(fù)雜。為了實(shí)現(xiàn)高帶寬
2025-07-13 06:09:006875 人工智能(AI)應(yīng)用對高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求不斷增長，芯片設(shè)計(jì)因此變得更加復(fù)雜。自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)廠商是驗(yàn)證這些芯片的關(guān)鍵一環(huán)，目前正面臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身
2025-07-11 15:52:401549 作為基于PC測試和測量儀器市場領(lǐng)導(dǎo)者的 Pico Technology, 非常自豪地宣布推出其 PicoScope 9400A 系列高帶寬采樣示波器的擴(kuò)展產(chǎn)品。該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)是為了滿足人們對高速電子、通信、半導(dǎo)體研究以及各種高能物理應(yīng)用的日益迫切的需求。
2025-07-02 16:49:221311 
為了搞定越來越龐大的 AI 運(yùn)算需求，MediaTek 憑借先進(jìn)制程解決方案、高速芯片互聯(lián)接口、采用先進(jìn)封裝技術(shù)，以及客制化高帶寬內(nèi)存（HBM）整合方案等，讓前沿技術(shù)的商業(yè)化落地成為可能。此外
2025-06-25 16:09:21891 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152013 
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲(chǔ)器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個(gè)團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021666 1. 三星向博通供應(yīng)HBM3E 芯片，重奪AI 芯片市場地位 ? 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子將向博通供應(yīng)第五代高帶寬內(nèi)存(HBM3E)，繼AMD之后再獲大單。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星電子已完成博
2025-06-18 10:50:381699 隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長，高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。
2025-06-18 09:41:531323 關(guān)于這款芯片或者開發(fā)板有沒有在nfc讀寫時(shí)的官方典型電流值來供我們參考呢？這款芯片在nfc讀寫時(shí)能做到的最小電流是多少？
2025-06-17 07:14:37
Analog Devices Inc. AD8411A高帶寬電流檢測放大器是一款高壓器件，初始增益為50V/V，帶寬為2.7MHz，在整個(gè)溫度范圍（-40°C至+125°C）內(nèi)的最大增益誤差為
2025-06-15 16:24:00741 
協(xié)作機(jī)器人，2024年唯一實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長的工業(yè)機(jī)器人本體品類。
2025-06-13 09:16:211033 滿足高帶寬和較大容量的存儲(chǔ)需求。然而隨著數(shù)據(jù)量的增加，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需求達(dá)到TB級(jí)別，DDR SDRAM也不再能滿足如此巨大的存儲(chǔ)容量需求。因此，需要在FPGA上實(shí)現(xiàn)高帶寬、低延時(shí)的數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)來
2025-06-03 14:38:12
、核心技術(shù)特性 架構(gòu)設(shè)計(jì)? 采用ARM架構(gòu)SoC陣列，單節(jié)點(diǎn)集成CPU、GPU/NPU及專用加速單元，通過PCIe 5.0/CXL 2.0實(shí)現(xiàn)高速互聯(lián)，支持128節(jié)點(diǎn)彈性擴(kuò)展。 芯片級(jí)3D封裝技術(shù)整合內(nèi)存與存儲(chǔ)，帶寬達(dá)TB/s級(jí)，顯著提升數(shù)據(jù)吞吐效率。 性能優(yōu)勢? 算力密度為傳統(tǒng)
2025-06-03 07:37:361133 高清實(shí)時(shí)視頻的能力。一旦控制系統(tǒng)設(shè)定帶寬上限為500K，那么在多種場景下，尤其是高動(dòng)態(tài)圖像環(huán)境下，帶寬的波動(dòng)始終會(huì)控制在這個(gè)范圍內(nèi)。我們在同一場景的不同情況下（正
2025-05-27 17:58:301023 
近日，Cadence（NASDAQ：CDNS）近日宣布推出業(yè)界速度最快的 HBM4 12.8Gbps 內(nèi)存 IP 解決方案，以滿足新一代 AI 訓(xùn)練和 HPC 硬件系統(tǒng)對 SoC 日益增長的內(nèi)存帶寬
2025-05-26 10:45:261303 視為堆疊邏輯與內(nèi)存、3D NAND，甚至可能在高帶寬存儲(chǔ)(HBM)中的多層DRAM堆疊的關(guān)鍵技術(shù)。垂直堆疊使得芯片制造商能夠?qū)⒒ミB間距從35μm的銅微凸點(diǎn)提升到10μm甚至更小。
2025-05-22 11:24:181405 
帶寬也叫線寬或譜寬，可通過波長、頻率、波數(shù)或光子能量進(jìn)行測量并使用半高寬(FWHM)值表示。本文將介紹激光帶寬的產(chǎn)生機(jī)制，并討論如何在激光腔內(nèi)使用不同的光學(xué)元件減小輸出帶寬，最終實(shí)現(xiàn)單縱模工作
2025-05-19 09:10:361004 
參數(shù)規(guī)模達(dá)數(shù)百億甚至萬億級(jí)別，帶來巨大內(nèi)存需求，但HBM內(nèi)存價(jià)格高昂，只應(yīng)用在高端算力卡上。SOCAMM則有望應(yīng)用于AI服務(wù)器、高性能計(jì)算、AI PC以及其他如游戲、圖形設(shè)計(jì)、虛擬現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域。 ? SOCAMM利用高I/O密度和先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)極高帶寬，有694個(gè)I/O端口，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存模塊（如DD
2025-05-17 01:15:003733 ? ? ? AI 模型規(guī)模的爆炸式增長促使業(yè)內(nèi)對低延遲內(nèi)存帶寬和容量的需求出現(xiàn)激增。Celestial AI 一直在與多家大型服務(wù)商合作，以深入探究運(yùn)算、內(nèi)存和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)基礎(chǔ)架構(gòu)的瓶頸
2025-05-15 19:15:181045 功率分析儀帶寬越寬，對被測對象的適用性越強(qiáng)，就這一點(diǎn)而言，帶寬越寬越好！實(shí)際選購時(shí)，需要注意： 儀器的真實(shí)帶寬是多少？或者說，在實(shí)際使用中，儀器的寬頻帶性能能夠施展多少？ 帶寬相關(guān)指標(biāo)包括：信號(hào)帶寬
2025-04-27 09:41:37565 
ESDi平臺(tái)是一款先進(jìn)的芯片級(jí)ESD(靜電防護(hù))驗(yàn)證平臺(tái)，為設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段提供定制化解決方案。該平臺(tái)包括原理圖級(jí)HBM(人體模型)檢查工具ESDi-SC，芯片級(jí)HBM檢查工具ESDi，和適用于多線程仿真的芯片級(jí)HBM檢查分析工具ESDi-XL。
2025-04-22 10:25:08987 
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲(chǔ)器（以下簡稱HBM）實(shí)現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上，更彰顯了其在引領(lǐng)AI時(shí)代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993 客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度?；旌湘I合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:001060 。OPA1671 的獨(dú)特內(nèi)部拓?fù)淇商峁O低的失真 (-109dB)，同時(shí)僅消耗 940μA 的電源電流。OPA1671 的高帶寬 (13MHz) 和高壓擺率 (5V/μs) 使該器件成為高增益音頻和工業(yè)信號(hào)調(diào)節(jié)的絕佳選擇。
2025-04-16 11:29:401013 
OPA325、OPA2325 和 OPA4325 (OPAx325) 是精密的低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 運(yùn)算放大器，經(jīng)優(yōu)化后具有極低噪聲和高帶寬，靜態(tài)工作電流僅為 650μA。
2025-04-15 09:32:42930 
OPA325、OPA2325 和 OPA4325 (OPAx325) 是精密的低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 運(yùn)算放大器，經(jīng)優(yōu)化后具有極低噪聲和高帶寬，靜態(tài)工作電流僅為 650μA。
2025-04-14 15:18:541063 
OPA462 是一款高電壓 (180V) 和高電流驅(qū)動(dòng) (45mA) 的運(yùn)算放大器。該器件的特點(diǎn)是單位增益穩(wěn)定，且具有 6.5MHz 增益帶寬積。
2025-04-14 10:44:221180 
BUF802 器件是一款具有 JFET 輸入級(jí)的開環(huán)、單位增益緩沖器，能夠?yàn)閿?shù)據(jù)采集系統(tǒng) (DAQ) 前端提供低噪聲、高阻抗緩沖。 BUF802 支持直流至 3.1 GHz 的帶寬，同時(shí)在整個(gè)頻率范圍內(nèi)提供出色的失真和噪聲性能。
2025-03-31 14:23:051124 
產(chǎn)品價(jià)格。據(jù)CFM閃存市場的消息，美光此次漲價(jià)幅度將在10%-15%。另電子發(fā)燒友網(wǎng)了解到，此前市場傳出美光要求NAND閃存芯片漲價(jià)約為11%。 ? 此番漲價(jià)普遍認(rèn)為是原廠減產(chǎn)疊加終端回升助推了閃存的需求。另一方面，HBM高帶寬存儲(chǔ)在AI時(shí)代
2025-03-30 02:09:402778 
近年來隨著人工智能浪潮的興起，數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器市場對于內(nèi)存性能的要求達(dá)到了前所未有的高度。HBM（高帶寬內(nèi)存）憑借其卓越的性能優(yōu)勢，如高帶寬、低功耗、高集成度和靈活的架構(gòu)，成為了這一領(lǐng)域的“香餑餑”，炙手可熱。
2025-03-25 17:26:275226 
在這樣的背景下，高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，以其獨(dú)特的3D堆疊架構(gòu)和TSV（硅通孔）技術(shù)，為內(nèi)存芯片行業(yè)帶來了前所未有的創(chuàng)新。
2025-03-22 10:14:143658 
在人工智能市場中，HBM仍是“游戲規(guī)則改變者（Game Changer）”。隨著技術(shù)競爭愈發(fā)激烈，客戶需求也更加多樣化。
2025-03-12 16:07:341016 EL5178 和 EL5378 是單通道和三通道高帶寬放大器，輸出為差分形式。它們主要針對在分量視頻應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)雙絞線等應(yīng)用。輸入可以是單端或差分形式，但輸出始終是差分形式。在 EL5178
2025-02-24 15:34:51977 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日有消息稱，英偉達(dá)正在與三星、SK海力士等存儲(chǔ)巨頭合作，推動(dòng)自家SOCAMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的商業(yè)化落地。SOCAMM即Space-Optimized CAMM空間優(yōu)化內(nèi)存
2025-02-19 09:06:553216 
我感覺目前我做的精度仍然很低，但感覺目前能做的工作只能是重復(fù)標(biāo)定，在標(biāo)定后再看結(jié)果，請問能給出一些建議嗎？
翻譯
2025-02-19 08:12:47
NAND閃存和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的特性，能更好地滿足AI推理的需求。 ? HBF的堆疊設(shè)計(jì)類似于HBM，通過硅通孔（TSVs）將多個(gè)高性能閃存核心芯片堆疊，連接到可并行訪問閃存子陣列的邏輯芯片上。也就是基于 SanDisk的 BICS 3D NAND 技術(shù)，采用CMOS直接鍵合到陣列（CBA）設(shè)計(jì)，將3D NA
2025-02-19 00:51:004567 
近日，美光科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存（HBM），并將這一高性能產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI半導(dǎo)體公司英偉達(dá)。這一消息的發(fā)布，標(biāo)志著美光在HBM技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2025-02-18 14:51:191266 據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士計(jì)劃于今年3月向其位于韓國的M15X晶圓廠派遣大量工程師，為該廠投產(chǎn)高頻寬內(nèi)存（HBM）做最后準(zhǔn)備。這一舉措標(biāo)志著M15X晶圓廠投產(chǎn)的準(zhǔn)備工作已進(jìn)入沖刺階段，預(yù)計(jì)將于2025年第四季度正式投產(chǎn)。
2025-02-18 14:46:031276 其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38978 隨著半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性不斷提高，對精確可靠的晶圓測試解決方案的需求也從未像現(xiàn)在這樣高。從5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用，到先進(jìn)封裝和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)，在晶圓級(jí)確保設(shè)備性能和產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵步驟。
2025-02-17 13:51:161331 HBM是 Human-Body Model的簡稱，即我們所熟知的ESD靜電放電里的人體放電模型，表征芯片的抗靜電能力，電子工程師都知道這個(gè)參數(shù)越高代表芯片的抗靜電能力越強(qiáng)。但是不同芯片供應(yīng)商通常都是
2025-02-14 14:25:071635 
HMCG78AEBRA是一款高性能的16GB DDR5 4800 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高帶寬和高效能的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用288-Pin RDIMM封裝，支持1.1V低電壓運(yùn)行，能夠有效
2025-02-14 07:17:55
999HGR/NMB1XXD128GPSU4是一款高性能的128GB DIMM內(nèi)存條，采用288-pin封裝，支持2666 MHz的速度和PC4-21300的數(shù)據(jù)帶寬。該內(nèi)存條專為需要大容量和高性能
2025-02-14 07:00:28
據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511340
大家好，我在使用DAC8734的時(shí)候，了解到上電時(shí)序是先5V和3.3V，然后是15V和-15V，不使用繼電器，不使用外部開關(guān)，請問怎樣能做到+-15v的延時(shí)輸出？看到DAC8734的EVM板子直接
2025-02-13 07:42:08
了前所未有的挑戰(zhàn)。作為全球領(lǐng)先的電子測試解決方案供應(yīng)商，羅德與施瓦茨以其高帶寬示波器，滿足了這一需求，成為眾多高科技領(lǐng)域的首選工具。 高帶寬示波器的優(yōu)勢 示波器是電子工程師和科學(xué)家用于觀察和分析電子信號(hào)的重要儀器
2025-02-11 16:41:53871 
三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 2024年作為AIPC元年伴隨異構(gòu)算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺(tái)推出DDR5內(nèi)存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運(yùn)行效率推動(dòng)AIPC硬件端
2025-01-21 16:34:412426 
ADS1271是高帶寬的24位工業(yè)用模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，它實(shí)現(xiàn)了DC精度與AC性能的突破性結(jié)合ADS1271擁有51 kHz的帶寬,105 kSPS的轉(zhuǎn)換速率,1.8μV/℃的失調(diào)漂移以及高達(dá)
2025-01-20 09:00:31
領(lǐng)域邁出了重要一步。16-Hi HBM3E內(nèi)存以其高帶寬、低功耗的特性，在數(shù)據(jù)中心、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，市場對高性能內(nèi)存的需求日益增加，美光的加入無疑將加劇市場競爭，推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)步。 據(jù)了解，美光此次
2025-01-17 14:14:12913 眾所周知，工業(yè)產(chǎn)品所應(yīng)用的電磁環(huán)境之惡劣。要想產(chǎn)品在如此惡劣的電磁環(huán)境下正常工作，需要具備強(qiáng)大的抗干擾能力方能勝任。其中以靜電干擾最為常見且棘手。本文將手把手教你如何將工業(yè)產(chǎn)品做到可靠的防靜電
2025-01-16 09:16:191288 
近日，全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布，其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。這座工廠預(yù)計(jì)將于2026年正式投入運(yùn)營，成為新加坡當(dāng)?shù)氐氖准掖祟惞S，標(biāo)志著美
2025-01-09 16:02:581154
請問LDC1000的最高精度能做到多少?。縋DF上說的亞微米高精度具體能精確到多少呢？
2025-01-09 08:27:00
Part 01 前言 之前的文章中（硬件工程師面試常考的一道題，講講運(yùn)算放大器的增益帶寬積），我們講解了增益帶寬積中的增益表示的是運(yùn)放的開環(huán)增益，并且增益帶寬積只有在一定的頻率范圍內(nèi)才成立，低頻
2025-01-08 08:16:024789 
SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達(dá)外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091306
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