它究竟有何獨(dú)特之處。 文件下載： BFU520YX.pdf 產(chǎn)品概述 基本描述 BFU520Y是一款采用6引腳SOT363塑料封裝的雙NPN硅射頻晶體管。它屬于BFU5晶體管家族，適用于高達(dá)2 GHz的小信號到中功率應(yīng)用。這種封裝形式不僅便于安裝，而且在一定程度上保護(hù)了晶體管，使其在各種環(huán)境下
2025-12-30 17:35:13
410 的光電晶體管，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3毫米通孔燈封裝。其獨(dú)特的黑色環(huán)氧樹脂封裝能夠過濾掉不需要的可見光，提供了±12度和±25度兩種半靈敏度角度選擇。 應(yīng)用領(lǐng)域 該產(chǎn)
2025-12-30 11:40:07194 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下ON Semiconductor的NSS40301MZ4 NPN晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-12-02 16:14:18630 
在電子電路設(shè)計中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
在電子電路設(shè)計中，合理選擇晶體管至關(guān)重要，它關(guān)乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來為大家詳細(xì)介紹ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 09:41:59318 
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇合適的晶體管對于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶體管，這款器件在低電壓、高電流應(yīng)用中展現(xiàn)出了出色的性能。
2025-11-26 15:15:05236 
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，通用晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NST846MTWFT NPN通用晶體管，它在諸多方面展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢，下面我們就來詳細(xì)了解一下。
2025-11-26 15:10:43260 
在電子設(shè)備的設(shè)計中，選擇合適的晶體管對于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設(shè)計領(lǐng)域能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-11-26 15:01:11259 
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，晶體管作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件，其性能和特性直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天，我們就來詳細(xì)探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-11-26 14:28:03280 
安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備，專為通用放大器和低速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。此系列互補(bǔ)功率晶體管采用環(huán)氧樹脂，符合UL 94 V-0（0.125英寸）標(biāo)準(zhǔn)；其引腳經(jīng)成型處理
2025-11-25 11:38:42505 onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個電阻器組成，一個是串聯(lián)基極電阻器，另一個是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15579 
，該網(wǎng)絡(luò)由一個系列基極電阻和一個基極-發(fā)射極電阻組成。BRT將所有組件集成到單個設(shè)備中，從而消除了單個組件。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。NSBCMXW組件采用XDFNW3封裝，具有卓越的散熱性能。這些晶體管非常適合用于電路板空間和可靠性至關(guān)重要的表面貼裝應(yīng)用。
2025-11-22 09:44:46811 
安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計用于替換單個設(shè)備和相關(guān)外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管和一個單片偏置網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)由一個系列
2025-11-21 16:22:38625 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
2025年10月27日上午，由OpenAtom OpenHarmony（以下簡稱“開源鴻蒙”）項目群技術(shù)指導(dǎo)委員會和東北大學(xué)軟件學(xué)院共同舉辦的“東北大學(xué)開源鴻蒙技術(shù)俱樂部成立大會暨創(chuàng)新智能技術(shù)論壇
2025-10-31 10:43:49576 
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
有機(jī)薄膜
晶體管（TFTs）的高頻性能受限于接觸電阻（RC），尤其是在短通道L1cm2（V?s）條件下。即使
采用相同材料和工藝，接觸電阻仍存在顯著的批次間差異。這種變異性對器件性能的可靠性和規(guī)?；?/div>
2025-09-29 13:45:54354 
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動集成電路技術(shù)
2025-09-22 10:53:481310 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246127 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）如同一對默契的 “電子開關(guān)”，掌控著電路中電流的流動
2025-07-14 17:05:2223270 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封高速晶體管雙通道光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封高速晶體管雙通道光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封高速晶體管雙通道光耦合器真值表，密封高速晶體管雙通道光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:33:02
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2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級進(jìn)入2納米時代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
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2025-07-07 18:33:28
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2025-07-04 18:35:19
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2025-07-04 18:31:58
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2025-07-04 18:31:18
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2025-07-04 18:30:49
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2025-07-03 18:31:17
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2025-07-03 18:30:33
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器真值表，用于混合組裝的微型光電晶體管光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
據(jù)報道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊的環(huán)繞式金屬
2025-07-02 09:52:45827 
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
(forksheet)，之后過渡到 A7 及更高節(jié)點(diǎn)的 CFET（已在 VLSI 2025 大會上展示）。
（圖片來源：Imec）
下一個主要架構(gòu)——CFET——采用 n 型和 p 型晶體管的垂直堆疊，本質(zhì)上
2025-06-20 10:40:07
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗證。
2025-06-03 18:24:131494 
導(dǎo)語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412508 
集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展，現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升，目前單個芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個晶體管。
2025-05-22 16:06:191145 
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設(shè)計，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44804 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-19 18:33:42
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國際
2025-05-19 16:08:13777 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級計算機(jī)）都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183876 由于資料內(nèi)存過大，分開上傳，有需要的朋友可以去主頁搜索下載哦~
本文共分上下二冊。本文檔作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實(shí)驗,內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路
2025-05-15 14:24:23
LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管非密封
2025-05-12 18:34:41
晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動機(jī)驅(qū)動器，因為
2025-04-23 11:36:00780 
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜，有沒有一種簡單且有效的器件實(shí)現(xiàn)
2025-04-16 16:42:26
2 多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨器電路設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設(shè)計，放大電路的性能，共發(fā)射極應(yīng)用，觀察射極跟隨器的波形，增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計，射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路，小型功率放大器的設(shè)計和制作
2025-04-14 16:07:46
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364 
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202746 
在當(dāng)今電子工業(yè)中，對更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限，它們在數(shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個晶體管來存儲和處理數(shù)據(jù)的場景下
2025-03-11 11:34:02724 
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計，源極跟隨電路的設(shè)計，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計，電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計與制作，功率放大器的設(shè)計與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計和制作，渥爾曼電路的設(shè)計，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計與制作，差動放大電路的設(shè)計，op放大器電路的設(shè)計與制作等
2025-03-07 13:46:06
是德科技（NYSE: KEYS ）與東北大學(xué)合作，在 2025 年世界移動通信大會（MWC 2025）上展示人工智能無線接入網(wǎng)絡(luò)（AI-RAN）協(xié)調(diào)測試。
2025-03-05 14:35:141216 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計.pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計與制作， 雙管電路的設(shè)計與制作，3~5管電路的設(shè)計與制作，6管以上電路的設(shè)計與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補(bǔ)雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現(xiàn)出低噪聲，使其
2025-02-26 09:29:07866 
HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補(bǔ)雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個陣列由位于公共單片襯底上的五個介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
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2025-02-19 08:31:440 FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022600 
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2025-02-13 15:36:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BC846S NPN通用雙晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:44:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4480X晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS5350PAS晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 15:09:070 金剛石場效應(yīng)晶體管 (Vth? （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4032PX-Q晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 14:23:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTD113ZU NPN電阻晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 13:58:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTD123EU NPN電阻晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 13:57:310 由格拉斯哥大學(xué)研究人員領(lǐng)導(dǎo)的一項具有里程碑意義的進(jìn)展可能有助于創(chuàng)造用于大功率電子產(chǎn)品的新一代金剛石基晶體管。 該團(tuán)隊找到了一種新方法，將金剛石作為晶體管的基礎(chǔ)，該晶體管在默認(rèn)情況下保持關(guān)閉狀態(tài)，這對
2025-02-09 17:38:42748 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTA123ET晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:18:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTB113ZU PNP電阻晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:14:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTB123YU PNP電阻晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:12:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTA123EMB配備PNP電阻的晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 17:23:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTC123EMB晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 16:58:190 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMBTA14 NPN達(dá)林頓晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-02-08 14:41:080 隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514436 
意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場景。
2025-01-16 13:28:271021 經(jīng)典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史，可追溯到Julius E Lilienfeld進(jìn)行的開創(chuàng)性研究，它構(gòu)成了現(xiàn)代
2025-01-10 16:01:501488 1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221356 
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