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飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

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onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET,具有低 ~RDS (on)~ ,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,另外還具有低~QG~ 和電容,可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。該
2025-11-24 15:35:18262

?NTJS3151P/NVJS3151P 功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美 (onsemi) NxJS3151PP溝道功率MOSFET是高性能MOSFET,設(shè)計用于高效開關(guān)應(yīng)用。這些安森美 (onsemi) MOSFET采用緊湊的SC-88 (SOT-363
2025-11-22 10:27:55880

onsemi NTK3139P P溝道功率MOSFET深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南

安森美 (onsemi) NTK3139P P溝道單通道功率MOSFET采用緊湊型SOT-723封裝,內(nèi)置ESD保護(hù)功能。SOT-723封裝占位面積比SC-89小44%,厚度比SC-89薄38%。漏
2025-11-21 15:14:29312

選型手冊:MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:P溝道
2025-11-21 10:31:06233

選型手冊:MOT3650J N+P 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3650J是一款N+P增強(qiáng)型MOSFET,集成N溝道P溝道單元,憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性,適用于計算設(shè)備電源管理、負(fù)載開關(guān)、快速無線充電、電機(jī)驅(qū)動等場景。一
2025-11-14 16:12:52519

選型手冊:MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-14 16:04:15309

選型手冊:MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝,廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高
2025-11-05 12:01:34245

MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子(MOT)推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,具備高功率與電流處理能力,聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景,以低導(dǎo)通損耗
2025-10-24 15:59:53537

合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關(guān)中的應(yīng)用

在電子工程領(lǐng)域,VBUS開關(guān)的性能對于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實際工作中,常常會遇到VBUS開關(guān)方面的各種問題,今天就來和大家深入探討這些問題,并介紹一款能有效解決問題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
2025-09-08 15:48:41802

合科泰P溝道MOSFET AO3401在智能手表中的應(yīng)用

P 溝道 MOSFET,以 SOT-23 超微型封裝與 0.05Ω 低導(dǎo)通電阻,為智能手表電源域控制提供理想選擇。
2025-08-12 16:45:015119

辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域,MOSFET的導(dǎo)通損耗與動態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結(jié)合屏蔽柵技術(shù),突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力,在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754

2319AI P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

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2025-05-14 17:39:440

ZSKY 4.2A SOT23 3401 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

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2025-05-14 17:29:490

ZSKY-3401-3A SOT-23 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

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2025-05-13 18:11:240

ZSKY-3401-4.2A SOT-23-3L P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

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ZSKY-2301-2.8A-SOT-23 80K MOSFET P溝道規(guī)格書

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2025-05-13 16:42:550

LT9435ASQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-26 15:53:160

納芯微發(fā)布新一代CSP封裝MOSFET NPM12017A系列

納芯微正式發(fā)布全新一代CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12017A系列,該系列產(chǎn)品是對納芯微已量產(chǎn)的CSP MOS的完美升級與補(bǔ)充。新一代CSP MOS進(jìn)一步優(yōu)化了性能表現(xiàn),顯著
2025-03-12 10:33:112854

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT2209FM P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT2209FMQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT2209FM-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7407FLH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7401FJT P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT1740SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT1800FQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7409SRH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT1701SI-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7407FL P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7409FL-YH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7409FLX P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7409FLV P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT7409FJ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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LT1702SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-04 16:01:251

LT1701FMQ P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-04 15:50:250

LT1701SI P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-04 15:47:580

LT1701SIG P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-04 15:45:360

LT7407FLG P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 17:41:490

LT7407FL-YHG P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 16:36:543

LTH004FPB互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書

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2025-03-01 16:35:550

LTH004FP互補(bǔ)增強(qiáng)型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書

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2025-03-01 16:33:590

LT7409FJ-X P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 15:19:030

LT7409FJ-Z P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 15:17:560

LT7409FLH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 15:13:440

LT7409FL P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 15:11:432

LT7409FL-Y P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 14:33:571

LT7409FL-ZH P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 14:31:380

LT7407FL-Y P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 14:30:530

LT7409FL-Z P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

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2025-03-01 14:29:520

PMDPB55XPA雙P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 15:40:200

PXP700-150QS P溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

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2025-02-09 11:36:500

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