飛兆開(kāi)發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

　　便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對(duì)散熱問(wèn)題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）開(kāi)發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。

　　這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝，最大限度地減小線路板空間和RDS（ON），并在微小外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)出色的散熱特性。

　　特性和優(yōu)勢(shì)

　　· 非常小的（0.8 x 0.8mm2）封裝僅占0.64mm2的印刷線路板面積，比2mm x 2mm CSP封裝的占位面積減小16%

　　· 安裝于印刷線路板時(shí)，達(dá)到低于0.4mm的超低側(cè)高

　　· VGS低至-1.5V，低的RDS（ON）值

　　· 出色的散熱特性（1平方英寸 2盎司銅焊盤上，93度C/W的RΘJA）

　　· 滿足RoHS要求

　　· 適用于便攜應(yīng)用的電池管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)功能

　　作為便攜技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)，飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）提供廣泛的模擬和功率知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）產(chǎn)品組合，可進(jìn)行定制以滿足手機(jī)制造商的特定需求。飛兆半導(dǎo)體通過(guò)注重實(shí)現(xiàn)用戶滿意度和市場(chǎng)成功的特定模擬和功率功能，例如音頻、視頻、USB、ASSP/邏輯、RF 電源、內(nèi)核電源和照明等，能夠提供改善功能性同時(shí)節(jié)省空間和功率的解決方案。

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場(chǎng)效應(yīng)管(62590) 場(chǎng)效應(yīng)管(62590)
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PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè)

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2023-09-27 09:32:50

BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 15:43:17

PXN040-100QS N溝道標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 11:45:14

PXN028-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 11:11:08

PXN012-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 11:05:31

PXN020-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 11:01:08

PXN011-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 10:59:23

PXN012-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 10:57:38

PXN011-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 10:54:29

BGA和CSP封裝技術(shù)詳解

BGA和CSP封裝技術(shù)詳解

2023-09-20 09:20:14

951

P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書

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2023-09-19 17:29:11

CubeMX創(chuàng)建WL LoRa EndNode應(yīng)用

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2023-09-19 17:00:47

STM32WL FUOTA應(yīng)用設(shè)計(jì)

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2023-09-19 15:01:52

STM32WL硬件簡(jiǎn)介

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2023-09-19 14:53:25

STM32WL軟件簡(jiǎn)介

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2023-09-19 14:51:32

采用LM3409P溝道MosFET設(shè)計(jì)的調(diào)光控制LED驅(qū)動(dòng)器電路

　該調(diào)光控制LED驅(qū)動(dòng)器電路采用LM3409P溝道MosFET控制器設(shè)計(jì)，用于降壓（降壓）電流調(diào)節(jié)器。

2023-09-16 17:19:00

328

650V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:16:02

開(kāi)發(fā)CSP產(chǎn)品需要解決的技術(shù)問(wèn)題

CSP是近幾年才出現(xiàn)的一種集成電路的封裝形式，目前已有上百種CSP產(chǎn)品，并且還在不斷出現(xiàn)一些新的品種。盡管如此，CSP技術(shù)還是處于發(fā)展的初期階段，因此還沒(méi)有形成統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。不同的廠家生產(chǎn)不同的CSP

2023-09-08 14:09:40

294

車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)

雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過(guò)的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。

2023-08-31 10:18:24

501

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：溝槽結(jié)構(gòu)介紹

垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道，從側(cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。

2023-08-28 10:10:39

2920

mosfet選型要考慮哪些因素？

2023-08-25 10:07:56

188

先進(jìn)的CSP封裝工藝的主要流程是什么

CSP的內(nèi)部布線長(zhǎng)度(僅為0．8～1．O mm)比QFP或BGA的布線長(zhǎng)度短得多，寄生引線電容、引線電阻及引線電感均很小，從而使信號(hào)傳輸延遲大為縮短。CSP的存取時(shí)間比QFP或BGA

2023-08-20 09:42:07

1101

美浦森N溝道超級(jí)結(jié)MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要

2023-08-18 08:32:56

513

Nexperia | MOSFET 如何輕松應(yīng)對(duì)傳導(dǎo)損耗

有四個(gè)主要元件可滿足電池反向保護(hù)，分別是恢復(fù)整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。

2023-08-10 14:00:10

263

簡(jiǎn)單的MOSFET測(cè)試儀和分選器電路分享

這款簡(jiǎn)單的MOSFET測(cè)試儀可以快速測(cè)試增強(qiáng)型N型和P溝道MOSFET。它檢查柵極、漏極和源極之間的短路。

2023-07-27 10:12:52

600

選擇強(qiáng)茂P溝道低壓MOSFET，簡(jiǎn)化您的車用電路設(shè)計(jì)

通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證且可承受的接面溫度高達(dá)175°C，強(qiáng)茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計(jì)工程師理想的選擇，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。

2023-07-20 15:57:45

526

MOSFET與BJT之間有何不同？MOSFET和BJT之間哪個(gè)更好？

上的電壓控制流入漏極的電流量。MOSFET有兩種類型，“p溝道”和“n溝道”。這兩種類型都可以處于增強(qiáng)或耗盡模式（見(jiàn)圖1）。這意味著總共有四種不同類型的MOSFET。

2023-07-07 10:13:35

2972

深度剖析H橋應(yīng)用中的P溝道MOSFET

在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。

2023-06-29 15:28:02

957

基于N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法

在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。

2023-06-27 17:29:31

599

HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書免費(fèi)下載。

2023-06-14 17:04:04

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記：各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的，平面型和溝槽型。

2023-06-07 10:32:07

4304

請(qǐng)教下P溝道mos管恒壓電源電路

*附件：power1.pdf 遇到一個(gè)電源板無(wú)法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制

2023-06-05 22:50:12

MOSFET對(duì)使單刀雙擲開(kāi)關(guān)變得簡(jiǎn)單

借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松地實(shí)現(xiàn)單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)，以隔離電路的一部分，并在電路其余部分關(guān)閉時(shí)從次級(jí)電源為其供電，以便待機(jī)工作（圖1 ）。通過(guò)使用互補(bǔ)對(duì)，您可

2023-05-31 17:49:24

3200

看完這篇，4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中，應(yīng)采用N溝道

2023-05-22 11:11:39

1173

光電傳感器WL-CSP封裝芯片底部填充膠應(yīng)用

光電傳感器WL-CSP封裝芯片底部填充膠應(yīng)用由漢思新材料提供光電傳感器芯片（CCD）經(jīng)過(guò)聯(lián)系客戶工程技術(shù)和研究其提供的封裝工藝流程。了解到以下信息?？蛻粲媚z項(xiàng)目是：光電傳感器芯片（CCD

2023-05-18 05:00:00

546

ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

2023-05-03 11:31:44

372

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。

2023-04-29 09:35:00

5288

CSP2510C 數(shù)據(jù)表

CSP2510C 數(shù)據(jù)表

2023-04-26 19:29:44

以工藝見(jiàn)長(zhǎng)的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能

MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。

2023-04-13 09:40:30

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