FDZ197PZ 飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道MOSFET器件

FDZ197PZ 飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道MOSFET器件

飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時(shí)減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導(dǎo)損耗特性。FDZ197PZ具有比其它的同級(jí)MOSFET器件更強(qiáng)大的靜電放電(ESD)保護(hù)功能(4kV)，能夠保護(hù)器件避免可能導(dǎo)致應(yīng)用失效的ESD事件之應(yīng)力影響。

P溝道MOSFET器件FDZ197PZ采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench? MOSFET工藝技術(shù)制造，可以達(dá)到更低的RDS (ON) 、更高的負(fù)載電流和更小的封裝尺寸。這款WL-CSP 封裝備有6 x 300μm無鉛焊球，以用于電路板連接，提供了比其它的WL-CSP引腳輸出更出色的電氣性能和熱阻。其安裝時(shí)封裝高度僅為0.65mm，為薄型產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供了便利。

FDZ197PZ 是飛兆半導(dǎo)體全面的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，能夠滿足業(yè)界對(duì)緊湊、低側(cè)高、高性能MOSFET的需求，適用于充電、負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換和升壓應(yīng)用。

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評(píng)論

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2025-12-25 16:27:25

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2025-12-23 11:22:46

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2025-12-12 14:34:23

226

選型手冊(cè)：VS3602GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-11 15:36:26

280

選型手冊(cè)：VS4603DM6 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263-RL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-11 11:52:34

195

選型手冊(cè)：VST002N06MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-11 11:20:23

194

選型手冊(cè)：VS3610AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-11 10:52:20

289

選型手冊(cè)：VS3622AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-10 14:53:13

275

選型手冊(cè)：VS3640AA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-10 11:48:31

227

選型手冊(cè)：VS3614AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-10 09:54:11

256

選型手冊(cè)：VS3540AC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型

2025-12-10 09:44:34

249

選型手冊(cè)：VS1602GTH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-09 10:43:32

213

選型手冊(cè)：VS1602GFH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220F封裝，適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-09 10:29:22

276

選型手冊(cè)：VS4802GPHT-IG N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-09 10:26:37

255

選型手冊(cè)：VS1891GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-12-09 10:12:07

262

選型手冊(cè)：VS3510AE P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AE是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源

2025-12-08 11:16:24

222

選型手冊(cè)：VS3618AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-08 11:10:47

237

選型手冊(cè)：VS6604GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-08 10:59:34

252

選型手冊(cè)：VS6614DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N

2025-12-08 10:43:06

235

選型手冊(cè)：VS3622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-08 10:32:52

241

選型手冊(cè)：VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-05 11:41:32

236

選型手冊(cè)：VS3508AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、電源路徑管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-05 09:51:31

284

選型手冊(cè)：VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-05 09:38:27

258

選型手冊(cè)：VS2646ACL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓小型化電路的電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-04 09:43:35

202

選型手冊(cè)：VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-04 09:22:59

258

VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等

2025-12-03 09:53:50

217

選型手冊(cè)：VS40200AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適配低壓超大電流DC/DC

2025-12-03 09:48:43

296

選型手冊(cè)：VS1602GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC

2025-12-03 09:23:07

264

選型手冊(cè)：VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-12-02 09:32:01

253

選型手冊(cè)：VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率

2025-12-02 09:29:20

207

選型手冊(cè)：VSE025N10HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開關(guān)特性與高可靠性，適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-01 16:36:00

207

選型手冊(cè)：VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高

2025-12-01 15:32:59

189

選型手冊(cè)：VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域

2025-12-01 15:07:36

169

選型手冊(cè)：VS4401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通電阻與400A大電流承載能力，適用于低壓大電流

2025-12-01 11:10:07

189

選型手冊(cè)：VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)

2025-12-01 11:02:50

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探索NVTYS014N08HL：高性能單N溝道MOSFET的卓越之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為關(guān)鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)對(duì)整個(gè)電路的性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來深入了解一款由onsemi推出的單N溝道MOSFET——NVTYS014N08HL。

2025-12-01 09:42:59

233

探索NTMFS005P03P8Z：高性能P溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)

作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，常常需要精心挑選合適的電子元件，以確保系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。今天，我要和大家分享一款來自安森美半導(dǎo)體（onsemi）的高性能P溝道MOSFET——NTMFS005P03P8Z，深入探討它的特性、參數(shù)以及應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-11-28 15:13:25

308

選型手冊(cè)：VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

選型手冊(cè)：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借

2025-11-28 12:14:04

237

選型手冊(cè)：VS8402ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力，適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源

2025-11-28 12:10:55

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選型手冊(cè)：VS3618BE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-28 12:07:44

160

選型手冊(cè)：VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等

2025-11-28 12:03:51

204

選型手冊(cè)：VS3510AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域

2025-11-28 11:22:59

207

選型手冊(cè)：VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載

2025-11-27 16:52:11

394

選型手冊(cè)：VS3698AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，憑借105A大電流承載能力

2025-11-27 16:41:49

391

選型手冊(cè)：VS3633GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步

2025-11-27 14:53:22

197

選型手冊(cè)：VSP004N10MSC-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與高效能，憑借1.00mΩ極致低阻、125A

2025-11-27 14:48:33

239

選型手冊(cè)：VSP004N10MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率，憑借超低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于中壓DC

2025-11-27 14:42:04

194

選型手冊(cè)：VSP007N12HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效能與快速開關(guān)特性，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于中壓DC

2025-11-26 15:24:14

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選型手冊(cè)：VS3618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等低壓

2025-11-26 15:21:16

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選型手冊(cè)：VSP007P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)

2025-11-26 15:18:29

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選型手冊(cè)：VSP003N10HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持10V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高效能，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器

2025-11-26 15:13:13

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選型手冊(cè)：VS4020AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一

2025-11-26 14:55:52

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?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET，尺寸為5mmx6mm，可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導(dǎo)性能。這款P溝道MOSFET具有1.8mΩ的超低

2025-11-24 15:54:38

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選型手冊(cè)：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道

2025-11-21 10:31:06

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選型手冊(cè)：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-14 16:04:15

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現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

目錄第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容第6章?MOSFET晶體管第7章?IC中的MOSFET

2025-07-12 16:18:42

功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使

2025-07-11 14:49:36

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。

2025-05-21 14:04:38

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圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。

2025-05-09 16:57:26

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