MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長(zhǎng)壽命
2024-03-18 10:24:36
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蔡司三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)是一種高精度測(cè)量設(shè)備。正確使用蔡司三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)可延長(zhǎng)三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)的使用壽命。測(cè)量工件時(shí)獲得更精確的結(jié)果。也可以養(yǎng)成良好的工作習(xí)慣。
2024-03-12 15:41:2095 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出能量平衡計(jì)算器。這是一款功能強(qiáng)大的網(wǎng)絡(luò)工具，旨在幫助電池管理工程師最大限度地延長(zhǎng)其應(yīng)用的電池壽命或?qū)崿F(xiàn)無(wú)電池應(yīng)用。
2024-03-05 11:11:30182 
CR2032 和 CR2025 紐扣鋰電池的能量密度提高，保質(zhì)期得到延長(zhǎng)，因此，可廣泛應(yīng)用于多種低功率應(yīng)用，比如低功率Wi-Fi、LoRa、Sigfox、Zigbee、LTE-M1等技術(shù)的相關(guān)器件，以及NB-IoT收發(fā)器等。
2024-03-01 14:43:34188 
我正在開(kāi)發(fā)一個(gè)使用 LoRa模塊的物聯(lián)網(wǎng)項(xiàng)目， 但我發(fā)現(xiàn) LoRa 模塊的功耗比較高， 這可能會(huì)導(dǎo)致電池消耗得很快.我正在尋找一些建議來(lái)幫助我降低 LoRa 模塊的功耗以延長(zhǎng)電池壽命.我已經(jīng)考慮了
2024-03-01 07:38:34
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設(shè)計(jì)的硅柵互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來(lái)諸多益處，以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車為例，續(xù)航里程可延長(zhǎng)5到10公里，在夏冬兩季的效果尤為明顯。
2024-01-18 10:04:05276 MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開(kāi)關(guān)器件，為壓控器件；其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點(diǎn)
2024-01-09 10:22:43111 
半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開(kāi)關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對(duì)N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152269 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
隨著電池供電型應(yīng)用的激增，人們對(duì)質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的電池和電池包的需求持續(xù)猛漲。電池制造商們不斷采用新的化學(xué)物質(zhì)，推出更小的尺寸，新的、復(fù)雜的限制和要求也隨之產(chǎn)生，但是對(duì)電池基本功能的要求未曾改變，即：在不影響系統(tǒng)性能的前提下，延長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間和貨架期。
2023-12-26 16:28:00238 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來(lái)，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)
2023-12-03 16:33:191134 
讓IoT傳感器節(jié)點(diǎn)更省電：一種新方案，令電池壽命延長(zhǎng)20%！
2023-11-30 17:12:17317 
按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對(duì)PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171032 
MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié)，就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的，此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果，源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)外加?xùn)艍菏?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體表面反型時(shí)，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
利用升壓轉(zhuǎn)換器延長(zhǎng)電池使用壽命
2023-11-23 16:19:59147 
半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們?cè)陔娮釉O(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-23 10:12:56792 
解一下什么是溝道。溝道是在半導(dǎo)體材料中形成的電子流的通道。通過(guò)在材料中創(chuàng)建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的功能。在常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:422311 硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉(zhuǎn)移到電池中。當(dāng)電感電流下降到外部電流檢測(cè)電阻設(shè)置的下限時(shí)，外置N溝道MOSFET再次導(dǎo)通，如此循環(huán)。當(dāng)BAT管腳電壓第一次達(dá)到內(nèi)部設(shè)置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
使用串聯(lián)方法延長(zhǎng)鹵素?zé)舻氖褂?b class="flag-6" style="color: red">壽命及減少頻繁更換燈泡問(wèn)題
2023-11-21 06:19:04
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何延長(zhǎng)醫(yī)療平板電池壽命.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-15 14:23:30
0 在電子工程和微電子技術(shù)的世界里，半導(dǎo)體器件建模是一個(gè)核心概念。它涉及對(duì)半導(dǎo)體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進(jìn)行數(shù)學(xué)和物理描述。這一過(guò)程對(duì)于設(shè)計(jì)高效、可靠的電子設(shè)備至關(guān)重要。本文旨在深入探討半導(dǎo)體器件建模的概念、其重要性以及在現(xiàn)代技術(shù)中的應(yīng)用。
2023-11-13 10:48:27515 
鋰電池容易壞嗎？如何延長(zhǎng)鋰電池的使用壽命？ 鋰電池是目前廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品和電動(dòng)車等領(lǐng)域的一種重要電池類型。它具有高能量密度、輕巧、無(wú)記憶效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，但是在一些特定使用條件下，鋰電池容易出現(xiàn)一些問(wèn)題
2023-11-10 15:05:15711 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國(guó)上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57663 
一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15822 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開(kāi)關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。
2023-11-03 14:56:23293 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-26 09:55:37368 如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 怎么才能延長(zhǎng)這個(gè)讀寫壽命
2023-10-24 07:50:49
如何延長(zhǎng)FLASH的讀寫壽命?
2023-10-23 06:46:23
功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來(lái)承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒(méi)有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21878 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 在讀寫次數(shù)不變的情況下，如何盡可能的延長(zhǎng)flash讀寫壽命
2023-10-13 07:22:56
一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
根據(jù)專利摘要，該公開(kāi)是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382578 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則，制定產(chǎn)品可靠性規(guī)范并依此對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行完整可靠性驗(yàn)證。? 可靠性試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)： 模擬和加速半導(dǎo)體元器件在整個(gè)壽命周期中遭遇的各種情況(器件應(yīng)用壽命長(zhǎng)短)。 ?可靠性試驗(yàn)?zāi)康模?使試制階段的產(chǎn)品
2023-09-12 10:23:45698 
本文介紹如何在現(xiàn)有系統(tǒng)中添加nanopower轉(zhuǎn)換器以延長(zhǎng)器件的電池壽命，從而將電池運(yùn)行時(shí)間延長(zhǎng)多達(dá)20%。 采用電池供電的電路必須具備高能效，這樣電池才能長(zhǎng)時(shí)間持續(xù)供電。為此，應(yīng)當(dāng)選擇節(jié)能型元器件
2023-09-05 18:10:03200 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
。
為了最大程度地延長(zhǎng)電池壽命，設(shè)計(jì)師需要將系統(tǒng)的平均電流消耗降至最低。要實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的，采用多種低功耗工作模式及選用合適的元器件就非常重要。就低功耗工作模式而言，其中就包括關(guān)
2023-08-29 15:34:11255 ，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
近日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款I(lǐng)C采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術(shù)，是專為延長(zhǎng)不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設(shè)
2023-08-14 16:03:15246 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
升高。根據(jù)電子設(shè)計(jì)規(guī)則，溫度每升高10°C，平均壽命將降低50%，因此正確評(píng)估半導(dǎo)體器件的熱應(yīng)力或結(jié)溫非常重要。
2023-08-07 15:18:381962 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035041 
的優(yōu)勢(shì)，以及PassThru模式如何延長(zhǎng)儲(chǔ)能系統(tǒng)的使用壽命，特別是超級(jí)電容的總運(yùn)行時(shí)間。 延長(zhǎng)電池的使用壽命，意味著儲(chǔ)能系統(tǒng)性能更強(qiáng)、運(yùn)行時(shí)間更長(zhǎng)、成本更低。通常有三種方法可以延長(zhǎng)電池壽命：改進(jìn)電池技術(shù)，設(shè)計(jì)更優(yōu)良的器件，以及提供創(chuàng)新的能源管理系統(tǒng)。
2023-07-21 18:15:02286 
具有 ULQ? 模式、可延長(zhǎng)電池壽命的 4.5V 至 24V、8A 同步降壓穩(wěn)壓器
2023-07-20 18:24:35
實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)10倍電池壽命，擴(kuò)展在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用范圍 ? 奈梅亨， 2023 年 7 月 12 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款
2023-07-12 09:51:11276 
近日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款I(lǐng)C采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術(shù)，是專為延長(zhǎng)不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設(shè)
2023-07-11 11:09:30533 
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352972 
電池保護(hù)器對(duì)于延長(zhǎng)電池壽命起著重要的作用。通過(guò)監(jiān)測(cè)和控制電池的狀態(tài)，電池保護(hù)器可以防止電池過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流等問(wèn)題，從而減少對(duì)電池的損害。這樣可以避免電池過(guò)度充放電，保持電池在安全范圍內(nèi)工作，延長(zhǎng)電池的使用壽命。
2023-07-06 16:31:481437 隨著越來(lái)越多的人對(duì)替代能源和電動(dòng)汽車感興趣，對(duì)可靠、持久電池的需求持續(xù)增長(zhǎng)。LiFePO4電池因其令人印象深刻的性能和安全特性而成為許多應(yīng)用的熱門選擇。然而，像所有電池一樣，LiFePO4電池的壽命有限。在本文中，我們將探討影響LiFePO4電池壽命的因素，并提供有關(guān)如何延長(zhǎng)其使用壽命的提示。
2023-07-04 09:13:22599 
要延長(zhǎng)設(shè)備電池壽命，至少需要使用低功耗微控制器、傳感器、無(wú)線電和高效電源等組件進(jìn)行設(shè)計(jì)。通過(guò)高效的電源管理技術(shù)平衡電池容量和尺寸也至關(guān)重要，尤其是在設(shè)計(jì)變得越來(lái)越小、越來(lái)越輕的情況下。此外，當(dāng)電池
2023-06-30 11:08:46362 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展而來(lái)。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號(hào)。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動(dòng)了功率
2023-06-17 14:24:52591 
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級(jí)結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 分立器件行業(yè)概況
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場(chǎng)需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
由于聚合物鋰電芯采用膠體電解質(zhì)，內(nèi)阻較液態(tài)電芯更小。內(nèi)阻降低意味著電池的自耗電減少，可延長(zhǎng)電池待機(jī)時(shí)間，輸出更高的性能。目前世豹無(wú)人機(jī)鋰聚合物電池的內(nèi)阻水平已達(dá)到行業(yè)優(yōu)秀指標(biāo)。
2023-05-17 11:36:51499 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，大部分費(fèi)用都在面板和電池上。任何具有成本效益的太陽(yáng)能解決方案都可以最大限度地提高這些組件的容量利用率和使用壽命。例如，高質(zhì)量的充電器可延長(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間，降低容量要求，并延長(zhǎng)電池
2023-04-19 11:32:341626 
?意法半導(dǎo)體的TSU111H 5V車規(guī)運(yùn)算放大器具有微電流消耗和最高150°C的工作溫度，實(shí)現(xiàn)了一個(gè)器件兼具多種特性。 TSU111H 符合 AEC-Q100 零級(jí)溫度標(biāo)準(zhǔn)(-40°C 至150
2023-04-17 13:38:51817 
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 鋰離子電池自然老化，預(yù)期壽命 大約三年。但是，這種生命可以很短—— 不到一年 - 如果電池處理不當(dāng)。它變成了 電池通常在應(yīng)用中被濫用 否則，智能調(diào)節(jié)將顯著延長(zhǎng)電池壽命。LTC4099 電池 充電器
2023-04-12 10:57:57607 
評(píng)估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開(kāi)發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18
）和看門狗定時(shí)，以確保高系統(tǒng)可靠性。穩(wěn)壓器必須在輕負(fù)載下具有高效率，以延長(zhǎng)電池壽命。LT3689 采用纖巧型 16 引腳 3mm × 3mm QFN 封裝和 16 引腳 MSOP 封裝，可提供所有這些特性。
2023-04-10 11:57:46681 
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源，并主要用作開(kāi)關(guān)或用于放大電信號(hào)。MOSFET的控制是通過(guò)向柵極施加特定的電壓來(lái)進(jìn)行
2023-04-06 10:06:381381 對(duì)于鋰電池來(lái)說(shuō)，充電方法對(duì)其性能影響很大，合理的充電方法可延長(zhǎng)鋰電池的壽命、提高充電效率。本文分析了鋰電池的各種充電方法，并在充電速度、使用壽命和實(shí)現(xiàn)成本上對(duì)各自的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了比較，供大家參考交流。
2023-03-31 15:14:524744 
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