功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說(shuō)明.
2022-05-19 09:08:06
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假定我們?cè)O(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃?？紤]到結(jié)到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實(shí)際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可靠運(yùn)行。假定MOSFET的結(jié)到外殼的熱阻為3K/W，那么我們?nèi)绾未_定所需的最小散熱器尺寸呢？
2022-05-20 10:06:087843 
。對(duì)于當(dāng)今的大電流、高功率應(yīng)用和 650 V GaN 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強(qiáng)制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK 封裝，可以提供更佳散熱性能。
2022-08-30 11:25:512166 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。源極底置是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批
2020-02-18 17:50:082025 頂部冷卻簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低成本，實(shí)現(xiàn)小巧緊湊的電源方案 ? 2022 年11月17日 —領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的 安森美(onsemi ，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出新系列MOSFET
2022-11-21 15:54:181115 
不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-29 03:28:008612 
全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無(wú)線單元，部署5G基站更快、更輕松 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和制造，同時(shí)保證性能 ? 荷蘭埃因霍溫 ——2023 年 6 月 9 日 —— 恩智浦半導(dǎo)體
2023-06-09 15:13:22997 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432171 
新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統(tǒng)未來(lái)
2023-12-01 14:11:451448 
AONA66916采用全新頂部開窗式DFN5x6封裝，可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的散熱性能，提供可靠性更高的設(shè)計(jì) 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商Alpha and Omega
2024-01-25 15:18:423399 
新款封裝采用先進(jìn)的頂部散熱（GTPAK?）和海鷗腳（GLPAK?）封裝技術(shù)，可滿足更高性能要求，并適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境條件。 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商
2025-03-13 13:51:461306 
碳化硅MOSFET和肖特基二極管產(chǎn)品，通過(guò)頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產(chǎn)品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項(xiàng)，面向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)
2025-07-08 00:55:003494 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
0805封裝尺寸/0402封裝尺寸/0603封裝尺寸/1206封裝尺寸封裝尺寸與功率關(guān)系：0201 1/20W0402 1
2008-07-02 14:05:50
用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí)，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
MOSFET和開關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
了具備MOSFET寄生參數(shù)和電路板寄生參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)通孔封裝傳統(tǒng)的TO247（即：電源電流路徑和驅(qū)動(dòng)電流路徑是相同的）。第三節(jié)將對(duì)最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析，以表明TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
因能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)，在不影響功率密度的高能的情況下，能縮減應(yīng)用電源的外形尺寸且有效解決方案是當(dāng)下電源設(shè)計(jì)人
2012-04-28 10:21:32
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
的電感僅為0.5 nH，功耗降至0.1 W以下。更低的封裝電感也可有助于避免MOSFET在快速瞬變條件下，因源端管腳電感導(dǎo)致的誤打開。另一個(gè)與封裝相關(guān)的課題是散熱問(wèn)題。采用改進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)封裝或選用新型封裝
2018-12-07 10:21:41
地提升小封裝尺寸內(nèi)的電流處理能力，同時(shí)有助于器件冷卻，并提高器件可靠性。 當(dāng)今的功率MOSFET封裝 采用Power SO8封裝的MOSFET通常用在電信行業(yè)輸入電壓范圍從36V至75V的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1
2018-09-12 15:14:20
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
TO247是比較常用的小外形封裝，表面貼封裝型之一，247是封裝標(biāo)準(zhǔn)的序號(hào)。常見(jiàn)的TO-247AC和TO-247AD應(yīng)該都是vishay的名稱。TO-247封裝尺寸介于模塊與單管之間，能封裝大部分
2020-09-24 15:57:31
的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對(duì)極小值。<
2009-01-07 16:01:44
sot-23封裝尺寸/標(biāo)準(zhǔn)尺寸圖 SOT-23封裝圖
2008-06-11 14:34:29
今的高密度和高復(fù)雜度的系統(tǒng)中日漸流行，設(shè)計(jì)精良的POL調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會(huì)，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。
把熱量從封裝頂部引至空氣中
高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入
2019-07-22 06:43:05
不太理解封裝的含義，封裝是否表示一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，一個(gè)封裝有且僅對(duì)應(yīng)一中器件尺寸。比如說(shuō)LM7815的封裝是TO-220，另外一個(gè)3端元件的封裝也是TO-220，那么這兩個(gè)封裝表示焊盤尺寸大小是否是一樣的，兩個(gè)封裝可以互換嗎？
2015-03-31 09:45:36
`目前，電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是，隨著功能的日益增多，商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
設(shè)計(jì)是選取封裝最基本的要求不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，除了考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度，如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素，基本原則就是在保證功率MOSFET的溫升和系統(tǒng)
2019-04-04 06:30:00
將 MOSFET 和電感器的熱量傳導(dǎo)到封裝頂部，這是非常有用的，可以將封裝內(nèi)部的熱量從封裝頂部快速傳遞到封裝外部，并最終傳遞到空氣中，這種散熱器是一種冷卻板或稱無(wú)源散熱器。不過(guò)，這種方法適用于尺寸
2018-10-16 06:10:07
封裝頂部快速傳遞到封裝外部，并最終傳遞到空氣中，這種散熱器是一種冷卻板或稱無(wú)源散熱器。不過(guò)，這種方法適用于尺寸和電流都較小的電感器，這種電感器很容易放入塑料模制封裝中。功率較大的 POL 穩(wěn)壓器需要
2018-10-16 06:31:24
線路相對(duì)簡(jiǎn)單，散熱結(jié)構(gòu)完善，物理特性穩(wěn)定。所以說(shuō)，大功率LED器件代替小功率LED器件成為主流半導(dǎo)體照明器件的必然的。但是對(duì)于大功率LED器件的封裝方法并不能簡(jiǎn)單地套用傳統(tǒng)的小功率LED器件的封裝方法
2013-06-10 23:11:54
大功率白光LED散熱及封裝大功率白光LED散熱LED發(fā)光是靠電子在能帶間躍遷產(chǎn)生光，其光譜中不包含紅外部分，LED的熱址不能靠輻射散出，因此LED是“冷”光源。目前LED的發(fā)光效率僅能達(dá)到10%一
2013-06-08 22:16:40
，需要使用三個(gè)半橋（六個(gè)MOSFET）組成一個(gè)三相逆變器。使用TI的采用堆疊管芯架構(gòu)的CSD88584Q5DC 和CSD88599Q5DC電源模塊（小型無(wú)引線（SON），5mm×6mm封裝），您可通過(guò)
2018-07-18 16:30:55
。系統(tǒng)中需要考慮的因素包括可能會(huì)影響分析器件溫度、系統(tǒng)空間和氣流設(shè)計(jì)/限制條件等其他一些印刷電路板功率器件。散熱管理要考慮的三個(gè)層面分別為：封裝、電路板和系統(tǒng)。低成本、小外形尺寸、模塊集成和封裝可靠性
2021-04-07 09:14:48
。系統(tǒng)中需要考慮的因素包括可能會(huì)影響分析器件溫度、系統(tǒng)空間和氣流設(shè)計(jì)/限制條件等其他一些印刷電路板功率器件。散熱管理要考慮的三個(gè)層面分別為：封裝、電路板和系統(tǒng)。低成本、小外形尺寸、模塊集成和封裝可靠性
2022-07-18 15:26:16
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)
2021-01-11 16:14:25
中日漸流行，設(shè)計(jì)精良的POL調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會(huì)，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非
2018-10-24 09:54:43
調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會(huì)，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非隔離式降壓POL調(diào)節(jié)器中，器件
2018-10-24 10:38:26
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
電阻技術(shù)可以做到很高的功率，但是溫飄和穩(wěn)定性一般。為提供更高性能產(chǎn)品，開步電子推出的一種基于薄膜技術(shù)的電阻，該電阻采用TO/SOT封裝，根據(jù)不同的功率采用氧化鋁或氮化鋁基板，改良了溫飄和穩(wěn)定性，同時(shí)也
2019-04-26 11:55:56
升效率可編程的脈沖串模式可在空載條件下維持穩(wěn)壓，并提升輕載效率可編程的軟啟動(dòng)時(shí)間及軟啟動(dòng)前延遲適合高功率及高頻率的單封裝設(shè)計(jì)可通過(guò)夾片快速安裝到散熱片外露的散熱金屬部分與地電位相連 – 封裝和散熱
2019-03-07 14:39:44
最近需要做PCB封裝庫(kù)，需要知道標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸信息，比如0402電阻的長(zhǎng)寬分別為1mm和0.5mm，那么還有其他很多的封裝尺寸比如SOT、SOP、SOJ等等的標(biāo)準(zhǔn)尺寸，不知道在哪里找，所以想問(wèn)問(wèn)大家
2022-08-18 22:40:15
村田電感 1008（2520）的封裝尺寸，AD畫封裝找不到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。請(qǐng)大佬給我兩個(gè)焊盤的尺寸
2019-01-12 12:26:03
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
或RqJA來(lái)校核功率MOSFET的結(jié)溫，通?？梢栽龃?b class="flag-6" style="color: red">散熱器，提高器件通過(guò)電流的能力。底部沒(méi)有裸露銅皮的封裝，使用RqJL或RqJA來(lái)校核功率MOSFET的結(jié)溫，其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
MOSFET的典型相位節(jié)點(diǎn)軌道長(zhǎng)度卓越的散熱性能，雙重冷卻CSD885x功率塊采用DualCool?封裝，可在封裝頂部實(shí)現(xiàn)散熱，從而將熱量從電路板上散開，提供出色的散熱性能，并提高在5mm×6mm封裝中可
2019-03-05 06:45:07
電流強(qiáng)度的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器可以降低 SiC MOSFET 功率損耗，實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)頻率，從而提高效率，從而改善新的電動(dòng)汽車型號(hào)的驅(qū)動(dòng)范圍。符合 TI 功能安全標(biāo)準(zhǔn)的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 30-A 柵極驅(qū)動(dòng)器附帶大量設(shè)計(jì)支持工具，可幫助實(shí)現(xiàn)。
2022-11-02 12:02:05
esata封裝尺寸標(biāo)準(zhǔn)資料
2010-04-08 15:59:57
73 文章論述了大功率LED封裝中的散熱問(wèn)題，說(shuō)明它對(duì)器件的輸出功率和壽命有很大的影響，分析了小功率、大功率LED 模塊的封裝中的散熱對(duì)光效和壽命的影響。對(duì)封裝及應(yīng)用而言，
2010-10-22 08:53:33136 TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸
2010-01-14 08:16:52672 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)其它標(biāo)準(zhǔn)
2010-01-14 09:01:43942 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31555 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:051039 TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相
2010-01-26 16:55:081099 
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，
2010-02-23 09:26:571007 創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:221113 
恩智浦推出符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的功率MOSFET系列產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝
2010-04-24 10:49:081187 用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:181196 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的功率SMD LED --- VLMx51系列，該系列LED具有高光通量和非常低的結(jié)至環(huán)境熱阻，可用于各種照明應(yīng)
2010-07-27 10:42:192308 
本內(nèi)容詳細(xì)介紹了常用元器件封裝標(biāo)準(zhǔn)尺寸，比較完整的分析了常用元器件封裝標(biāo)準(zhǔn)尺寸的問(wèn)題，歡迎大家下載
2011-07-22 11:26:341243 TE Connectivity 中的TE繼電器部門，最近推出了一款創(chuàng)新型小尺寸功率繼電器，用于現(xiàn)代光伏發(fā)電系統(tǒng)的光伏逆變器中
2011-10-26 14:08:461194 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 電子發(fā)燒友網(wǎng)： 本文主要講述了小尺寸功率 MOSFET 及 Schottky二極管 封裝在 汽車電子 中的應(yīng)用。在這里，小編給大家稍微介紹一下，該文中主要涉及的幾個(gè)概念： 1.MOSFET：金屬-氧化層
2012-06-11 10:18:462637 
的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時(shí)，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過(guò)在封裝上下表面同時(shí)流動(dòng)的氣流提高了散熱性能。
2015-09-01 09:02:501989 電源系統(tǒng)中的主開關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過(guò)降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0213589 
關(guān)鍵詞：電感器 采用金屬磁性材料的卷線型小型功率電感器，與以往產(chǎn)品相比實(shí)現(xiàn)80%的大電流化和40%的低阻抗化 TDK株式會(huì)社開發(fā)出了用于智能手機(jī)、平板終端等移動(dòng)設(shè)備的電源電路的小型尺寸功率電感器
2018-10-08 15:31:01545 視頻簡(jiǎn)介：目前，市場(chǎng)對(duì)低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿
2019-03-06 06:05:004543 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199 
新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過(guò)傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡(jiǎn)稱“PCB”）散熱。
2022-11-17 14:13:083662 電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5 mm x 7 mm，在頂部有一個(gè)16.5? mm 2 的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過(guò)傳統(tǒng)
2022-11-22 19:05:101220 。對(duì)于當(dāng)今的大電流、高功率應(yīng)用和650 V GaN功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通常需要更高效的器件散熱方式，甚至已成為強(qiáng)制性的要求。因此，頂部散熱方式的 CCPAK封裝，可以提供更佳散熱性能。
2023-02-09 09:32:44887 
未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小
2023-03-10 21:50:042468 為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-13 16:54:254604 
貼片化是從帶獨(dú)立散熱片的插件封裝走向更高功率散熱的第一步。一般貼片封裝的散熱主要是靠芯片底部跟PCB（印刷電路板）之間的接觸，利用PCB銅箔把芯片產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去。
2023-05-06 11:52:431356 
英飛凌科技近日發(fā)布了一款采用OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC封裝。這款封裝憑借其獨(dú)特的頂部直接冷卻技術(shù)，為汽車電子控制單元提供了卓越的散熱性能，有效防止熱量傳遞至印刷電路板（PCB）。
2024-05-07 15:10:031272 了這一挑戰(zhàn)，華潤(rùn)微電子封測(cè)事業(yè)群（以下簡(jiǎn)稱ATBG）不斷迭進(jìn)新技術(shù)，研發(fā)了TOLT-16L、QDPAK、TCPAK5X7-10L三款新的頂部散熱MOSFET先進(jìn)封裝工藝平臺(tái)，為市場(chǎng)提供更卓越
2024-11-15 10:21:242696 
為了滿足高密度的功率變換的需求，瞻芯電子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品，具有低損耗、散熱性強(qiáng)等特點(diǎn)，讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)更緊湊、更高效，組裝時(shí)能自動(dòng)化生產(chǎn)。
2024-11-27 14:58:201444 
密度和優(yōu)越性能。 創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度
2024-12-12 11:35:134678 服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可
2024-12-16 14:09:09578 )封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計(jì)，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
2025-03-20 11:18:11964 
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301342 JSAB正式推出應(yīng)用于工業(yè)伺服及變頻的頂部散熱TO-263T單管，產(chǎn)品采用TO-263T 4L封裝，封裝型號(hào)為650V-30A及以下、1200V-25A及以下，并正在開發(fā)更高功率的規(guī)格，同時(shí)有適配的相同封裝的整流橋。
2025-05-27 10:08:472174 
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)
2025-05-27 17:03:361257 
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)
2025-05-29 17:04:211047 當(dāng)工業(yè)電源、儲(chǔ)能設(shè)備、新能源交通等領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度的需求突破極限，傳統(tǒng)MOSFET封裝技術(shù)正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。廣東仁懋電子推出的TOLT頂部散熱封裝MOS，以顛覆性的散熱設(shè)計(jì)與功率承載能力，成為
2025-06-18 13:27:371676 
Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141110 近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來(lái)突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國(guó)首款采用頂部散熱技術(shù)的功率MOSFET，更以"熱傳導(dǎo)
2025-10-11 19:43:0019764 
接合銅 (DBC) 基板，有助于封裝提供 低熱阻以及隔離式頂部散熱焊盤。SH63N65DM6AG MOSFET采用具有高設(shè)計(jì)靈活性的封裝，可通過(guò)不同組合的內(nèi)部電源開關(guān)實(shí)現(xiàn)多種配置，包括相臂、升壓和單開關(guān)。該功率MOSFET非常適合用于開關(guān)應(yīng)用。
2025-10-24 09:17:32696 
【2025年10月24日, 德國(guó)慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）通過(guò)增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝
2025-10-31 11:00:59297 安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產(chǎn)的封裝中最大尺寸的頂部散熱產(chǎn)品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級(jí)的SiCMOSFE
2025-12-18 17:08:27544 由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產(chǎn)品的表貼頂部散熱產(chǎn)品，其安裝方式有所不同，所以針對(duì)其安裝方式做一些詳細(xì)的介紹。如下圖，英飛凌針對(duì)600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK
2025-12-22 18:26:28223
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