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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>東芝宣布在存儲(chǔ)龍頭三星電子之前 研發(fā)出96層3D NAND flash存儲(chǔ)

東芝宣布在存儲(chǔ)龍頭三星電子之前 研發(fā)出96層3D NAND flash存儲(chǔ)

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2019-08-07 18:11:294996

東芝WD聯(lián)盟3D NAND采用三星技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)

Kioxia(原東芝存儲(chǔ)),西部數(shù)據(jù)(WD)聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前,原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)
2019-12-13 10:46:0711441

三星推首款3D垂直NAND閃存技術(shù)SSD

一周之前,三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間,同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161205

四強(qiáng)投資動(dòng)作暗潮洶涌 欲爭(zhēng)奪3D NAND市場(chǎng)

包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash,紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進(jìn)行轉(zhuǎn)換,SK海力士(SK Hynix
2015-10-09 09:40:15775

東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名 分拆NAND存儲(chǔ)器事業(yè)部

東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)”事業(yè)分拆出來(lái)。
2015-12-22 08:17:04669

干貨!一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0640846

3D NAND Flash,中國(guó)自主存儲(chǔ)器突破點(diǎn)

受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長(zhǎng),各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529

臺(tái)積電敲門東芝3D NAND代工 擊破三星補(bǔ)貼政策

借由此案進(jìn)入3D NAND代工,更說(shuō)服東芝在臺(tái)灣設(shè)廠生產(chǎn),此舉目的是擊破三星電子長(zhǎng)期來(lái)以存儲(chǔ)器利潤(rùn)補(bǔ)貼邏輯虧損的策略,一報(bào)大客戶高通(Qualcomm)被搶之仇。
2017-03-02 07:51:24632

NAND Flash供應(yīng)持續(xù)吃緊 龍頭三星業(yè)績(jī)將逐季攀升

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,今年儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況,NAND Flash廠商業(yè)績(jī)可望逐季攀高。
2017-03-08 10:11:39580

東芝PK三星 正式推出963D NAND旗艦產(chǎn)品XG6

六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝宣布了自家963D NAND產(chǎn)品的新消息:他們正式推出了旗下首款使用963D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面,XG6也算是追上了目前
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東芝無(wú)懼芯片價(jià)格下跌,將量產(chǎn)963D NAND Flash

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2018-09-20 09:25:425007

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Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292569

NAND Flash非易失存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)閃速存儲(chǔ)

NOR Flash。 全球 NOR Flash 廠商主要有美光科技、飛索半導(dǎo)體(Spansion)、旺宏、華邦等 IDM 企業(yè)。全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、東芝、SK 海力士、美光科技四家 IDM 企業(yè)。
2023-11-23 09:36:17917

33個(gè)250GB固態(tài)硬盤性能大PK!

我們將會(huì)介紹SSD市場(chǎng)的一些最新發(fā)展,如日益普及的3D NAND存儲(chǔ)器單元的堆疊技術(shù)。3D NAND緊跟三星之后,慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術(shù),使存儲(chǔ)單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57

6818三星八核Cortex-A53友堅(jiān)開(kāi)發(fā)板

,既有超強(qiáng)的性能,同時(shí)兼顧了低功耗的設(shè)計(jì),外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力,將成為三星高端市場(chǎng)的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲(chǔ)并配備有三星電源
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3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00

NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

產(chǎn)品,如今正在量產(chǎn)中,19nm生產(chǎn)96256Mb的3D NAND Flash,將在明年實(shí)現(xiàn)。疫情帶來(lái)的影響還在持續(xù),遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心需求,而消費(fèi)類電子產(chǎn)品的平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程
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Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu),此處還是用圖來(lái)解釋,比較容易理解:圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
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三星宣布退出歐洲筆記本市場(chǎng)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星周二表示,將停止歐洲市場(chǎng)繼續(xù)銷售基于谷歌系統(tǒng)的Chromebook和基于微軟Windows的筆記本電腦。歐洲PC業(yè)務(wù)將關(guān)閉,但此舉不會(huì)波及其他地區(qū)?!拔覀冎皇菍?duì)市場(chǎng)需求的及時(shí)
2014-09-25 10:32:11

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

三星電子近日國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱,三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子
2015-12-14 13:45:01

三星電子720萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器

  三星電子宣布開(kāi)發(fā)出720萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器(CIS),據(jù)稱這是世界上第一款720萬(wàn)像素的袖珍相機(jī)CIS。在此前的6月份,三星推出了500萬(wàn)像素CIS。    三星這款720萬(wàn)像素的CIS
2018-11-19 17:12:09

三星電子日本新設(shè)半導(dǎo)體研發(fā)中心,聚焦系統(tǒng)LSI芯片業(yè)務(wù)

韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》3月15日消息,三星電子已在日本建立一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)中心,將現(xiàn)有的兩個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)合二為一,旨在推進(jìn)其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報(bào)道,三星電子于去年年底重組日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55

三星電子開(kāi)發(fā)出高質(zhì)量CMOS圖像傳感器芯片資料推薦

三星電子近日宣布成功開(kāi)發(fā)出高質(zhì)量的CMOS圖像傳感器(CIS)芯片和照相機(jī)模組。該照相機(jī)模組有1/3英寸SXGA(130萬(wàn)像素)、1/5.8英寸VGA(33萬(wàn)像素)兩種規(guī)格,都包含了CIS和ISP
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三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

222MHz32-MbitSGRAM。 2001年,三星電子移動(dòng)電話生產(chǎn)量超過(guò)5千萬(wàn)臺(tái),并開(kāi)發(fā)出世界最大的40英寸TFT-LCD顯示器。 2001年,三星電子銷售額達(dá)到247億美元,創(chuàng)利潤(rùn)22億美元。存儲(chǔ)器芯片
2019-04-24 17:17:53

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2011-08-20 14:30:01

三星i9000不夜城水貨報(bào)價(jià),三星i9000水貨價(jià)格,上海哪里買三星i9000水貨

2011年5月5日,筆者商家“上海譜康科技手機(jī)網(wǎng)”http : // www . sharp-sh . com/處了解到,三星旗下旗艦級(jí)產(chǎn)品三星I9000 最新報(bào)價(jià)為2430元,配置為原裝一電一充
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2017-11-01 15:56:56

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2022-02-03 11:41:35

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SPI Nand Flash 簡(jiǎn)介

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2008-08-18 16:37:37

于SD卡測(cè)試結(jié)構(gòu)的EMMC測(cè)試座,nand flashEMMC測(cè)試治具說(shuō)明書

,SSD,U盤等產(chǎn)品上。有客戶會(huì)把這款EMMC芯片稱之為MOVI NAND和INAND?! 、可直接插SD卡讀卡器連接電腦,支持熱拔插;  B、同時(shí)兼容:東芝(TOSHIBA)、三星(SAMSUNG
2013-05-27 22:01:53

供應(yīng) 三星 海力士存儲(chǔ)芯片

原裝海力士三星存儲(chǔ)芯片,香港出貨,原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2G1646F-BYMAK4B4G1646E-BCMA
2020-02-13 14:35:59

分析:三星芯片業(yè)務(wù)助推Q3利潤(rùn)創(chuàng)新高

利潤(rùn)率。資料圖三星電子股價(jià)周五開(kāi)盤后不久旋即觸及274萬(wàn)韓元的新高,因寄望內(nèi)存芯片需求日益增加,2017年獲利可望創(chuàng)紀(jì)錄?!皟?nèi)存芯片已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)美麗新世界。供應(yīng)增加的速度已大大放慢,同時(shí)需求超出預(yù)期
2017-10-13 16:56:04

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

是基本一樣的,不同之處在于它可以一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存。很多高端的顯卡上,也配備了高速DDR RAM來(lái)提高帶寬,這可以大幅度提高3D加速卡的像素
2023-05-19 15:59:37

可兼容H27U2G8F2D的物料AFND2G08U3A-CKA

Flash。三星停產(chǎn)K9F1G08U0E,東芝減產(chǎn)小容量NAND Flash,海力士也準(zhǔn)備停產(chǎn)掉1Gb 的H27U1G8F2CTR。Spansion也同樣如此。  停產(chǎn)導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)上漲,給企業(yè)帶來(lái)了巨大
2019-07-16 15:26:03

回收三星ic 收購(gòu)三星ic

電子長(zhǎng)期全國(guó)回收品原裝存儲(chǔ)芯片:三星samsung,海力士SK hynix,現(xiàn)代hyniy,展訊SPREADTRUM,微芯MICROCHIP,閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25

回收東芝手機(jī)字庫(kù)回收三星手機(jī)字庫(kù)

回收東芝手機(jī)字庫(kù) 181-2470 同上1558 同步同號(hào)回收三星手機(jī)字庫(kù) stm8s207cbt6.,_回收意法半導(dǎo)體:從系統(tǒng)存儲(chǔ)器導(dǎo)入,從sram導(dǎo)入。boot導(dǎo)入程序位于系統(tǒng)存儲(chǔ)器,用于通過(guò)
2021-07-28 11:29:11

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

3D閃存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND閃存(3DNAND閃存中的一種),率先支持ToggleDDR4.0接口,傳輸速度達(dá)到了1.4Gbps,相比64堆棧的V-NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27

新技術(shù)世代即將來(lái)臨,存儲(chǔ)器依然炙手可熱

2018年上半進(jìn)入96的技術(shù)規(guī)格,2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高,美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力,96的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出,第五代的96V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00

有沒(méi)有人使用過(guò)三星flash芯片,問(wèn)題請(qǐng)教

三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊(cè)說(shuō)有Unique ID可以用,但是沒(méi)有說(shuō)明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊(cè)中有看到OTP區(qū)域,可以來(lái)保存Unique
2017-03-21 09:22:02

泉州電子IC收購(gòu) 電子呆料回收打包

鎂光貼片IC回收SRAM、DDR、GDDR,GDDR2,GDDR3,SDRAM、Memory、內(nèi)存條等存儲(chǔ)器,回收三星、現(xiàn)代、鎂光、東芝、ST品牌FLASH閃存。歡迎您24小時(shí)隨時(shí)來(lái)電,我們報(bào)價(jià)快
2021-09-28 10:49:22

芯片的3D化歷程

優(yōu)勢(shì),或許,未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái),存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中,也
2020-03-19 14:04:57

請(qǐng)問(wèn)SLC、MLC和TLC的差別是什么?

(Multi-Level Cell;MLC)即多層式儲(chǔ)存。主要由東芝、三星生產(chǎn)銷售。MLC是英特爾(Intel)1997年9月最先開(kāi)發(fā)成功,其作用是將兩個(gè)單位的信息存入1個(gè)Floating Gate(Flash
2018-06-21 14:57:19

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D NAND電學(xué)特性 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:51

NAND Flash嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于NAND Flash存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)首先要解決壞塊問(wèn)題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機(jī)產(chǎn)生壞塊,因此為了提高設(shè)備的可靠性應(yīng)該將這兩種操作分散在閃存不同的塊
2011-04-25 11:10:101330

NAND Flash供應(yīng)商排名:三星Q3季穩(wěn)居龍頭

雖然2012年第叁季初期NAND Flash市場(chǎng)需求受全球經(jīng)濟(jì)復(fù)甦緩慢的影響而呈現(xiàn)疲弱不振,但東芝7月中宣布減產(chǎn)及9月中蘋果發(fā)布新的iPhone 5也為市場(chǎng)帶來(lái)了正面的激勵(lì)因素
2012-11-05 09:30:312154

東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品

東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849

如何存儲(chǔ)MQX web page到NAND FLASH

如何存儲(chǔ)MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:450

為確保行業(yè)優(yōu)勢(shì) 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn),不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209

群聯(lián)欲大幅征才200名工程師,進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)3D NAND

NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng),但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513

美光新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析

,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972

存儲(chǔ)器大廠宣布將推 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器,性能獲重大提升

器是新產(chǎn)品,普及還要一段時(shí)間,目前 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器如何發(fā)展,依然是關(guān)鍵。24 日,東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤,是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲(chǔ)器首發(fā),讀取
2018-07-26 18:01:002026

東芝在Q4擴(kuò)大963D NAND產(chǎn)品出貨量,各家原廠在96層和QLC技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展,2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)激烈,其中,三星已在7月份宣布量產(chǎn)963D NAND。據(jù)DIGITIMES報(bào)道稱,東芝存儲(chǔ)器(TMC)963D NAND將在Q4擴(kuò)大出貨,代表著NAND Flash市場(chǎng)霸主之爭(zhēng)正式拉開(kāi)序幕。
2018-08-05 11:50:161227

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量

Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代,帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí),加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車追趕國(guó)際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

3D NAND Flash 作為新一代的存儲(chǔ)產(chǎn)品,受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注!但目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron
2018-10-08 15:52:39395

3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進(jìn)產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應(yīng)對(duì)招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后,正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:571684

3D NAND flash大戰(zhàn)開(kāi)打 三星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打!目前3D NAND三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:47991

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

東芝帶動(dòng)NAND Flash漲價(jià) 下半年行情有文章可做

東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長(zhǎng)約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估,此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力,第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲,3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855

東芝存儲(chǔ)XL-Flash技術(shù)2020年將量產(chǎn)

近日,據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC
2019-08-07 10:56:32665

東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道,東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

東芝存儲(chǔ)對(duì)3D XPoint前景不看好,性價(jià)比比不上XL-Flash

至于原因,東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高,在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù),現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn),可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:342655

第五代BiCS Flash 3D存儲(chǔ)芯片可以將接口速度提高50%

存儲(chǔ)公司 Kioxia(原東芝存儲(chǔ))近日宣布,將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片,這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲(chǔ)芯片。
2020-02-03 15:44:222232

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過(guò)了96

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,多廠商擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能

在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2014年,開(kāi)始3D NAND flash研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開(kāi)始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間,并在,2016年注冊(cè)公司,短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。 三星電子第八代V-NAND,
2022-11-08 13:37:36577

存儲(chǔ)器迎來(lái)怎樣的2023?

NAND Flash。2007年,東芝推出3D NAND三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術(shù)幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊(stack)和架構(gòu),存儲(chǔ)密度隨時(shí)間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:351637

三星電子量產(chǎn)最高存儲(chǔ)密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

NAND Flash和NOR Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

摘要:本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490

NAND Flash存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)知識(shí)

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì),在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

什么是NANDFlash 存儲(chǔ)器?

Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī),肯定會(huì)考慮64GB,還是256GB?
2024-03-01 17:08:45160

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