通過(guò)減少封裝寄生效應(yīng)來(lái)降低功耗，在更高的工作頻率上提供更高的效率

　　隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor） 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱N溝道模塊FDPC8011S，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。

　　FDPC8011S專為更高的開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，在一個(gè)采用全Clip封裝內(nèi)集成1.4mΩ SyncFETTM 技術(shù)和一個(gè)5.4mΩ控制MOSFET、低質(zhì)量因子的N溝道MOSFET，有助于減少同步降壓應(yīng)用中的電容數(shù)量并減小電感尺寸。該器件具有源極朝下和低側(cè)MOSFET可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的布局和布線，提供更緊湊的線路板布局并獲得最佳的散熱性能。FDPC8011S具有超過(guò)25A的輸出電流，與其它普通3x3mm2 雙MOSFET器件相比，輸出電流容量提高了2倍。

　　要了解更多的信息及索取樣品，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè)： http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDPC8011S.html

　　特性和優(yōu)勢(shì)

　　? 控制N溝道MOSFET RDS（ON） = 5.4mΩ 典型值，（最大7.3mΩ） VGS = 4.5V

　　? 同步N溝道MOSFET RDS（ON） = 1.4mΩ 典型值，（最大2.1mΩ ） VGS = 4.5V

　　? 低電感封裝縮短上升/下降時(shí)間，實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗

　　? MOSFET集成實(shí)現(xiàn)最佳布局，降低線路電感并減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴

　　? 滿足RoHS要求

　　新增3.3x3.3mm2 Power Clip非對(duì)稱雙MOSFET是飛兆半導(dǎo)體齊全的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠?yàn)殡娫丛O(shè)計(jì)人員提供了大量針對(duì)任務(wù)關(guān)鍵性高效信息處理設(shè)計(jì)的解決方案。

　　價(jià)格：訂購(gòu)1，000個(gè)

　　FDPC8011S 每個(gè)1.60美元

　　供貨： 按請(qǐng)求提供樣品

　　交貨期： 收到訂單后8至12周內(nèi)