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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

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三星/SK海力士將大規(guī)模投資研發(fā)

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2023-10-10 10:59:131480

追趕SK海力士三星、美光搶進(jìn)HBM3E

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努力推動人工智能半導(dǎo)體的本地生產(chǎn),近日有業(yè)內(nèi)消息稱三星、SK海力士正在商討在美國生產(chǎn)HBM。 ? SK海力士于2022年7月宣布將投資150億美元在美國建立存儲芯片封裝工廠和研發(fā)中心,不過選址至今尚未確定。業(yè)界預(yù)計,SK海力士將選擇生產(chǎn)HBM芯片,并優(yōu)先實施TSV硅
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全球首款HBM4量產(chǎn):2.5TB/s帶寬超越JEDEC標(biāo)準(zhǔn),AI存儲邁入新紀(jì)元

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2025-04-18 10:52:53

三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線

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DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項目

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2018-10-12 14:46:09

【十德盛科技】主營各類memory芯片,鎂光 三星 海力士 存儲芯片 庫存充足

公司店鋪鏈接https://shenzlu.cn.china.cn/?from=tui 公司QQ1784094773主要熱門現(xiàn)貨有 鎂光 三星 海力士 各類存儲芯片 歡迎廣大終端客戶前來咨詢問價
2019-01-10 14:40:29

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! 帝歐 字庫收購,價格高才是硬道理??!】】回收字庫,回收手機(jī)字庫,回收三星字庫,回收現(xiàn)代字庫,回收海力士字庫,回收鎂光字庫,回收東芝字庫,回收電子,回收芯片,回收IC,回收電子料,回收MTK芯片全新
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2021-08-20 19:11:25

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三星存儲業(yè)務(wù)派狼將金奇南對戰(zhàn)SK海力士 SK海力士如臨大敵

三星的金奇南猶如一名狼將,金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上,是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業(yè)務(wù)的CEO時,SK海力士如臨大敵般的恐慌。
2017-12-25 13:03:481029

2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚(yáng) 三星SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚(yáng),三星SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531952

三星攜手SK 海力士研發(fā)業(yè)界首見的EMI屏蔽技術(shù)

封測廠當(dāng)心!韓國存儲器大廠三星電子和 SK 海力士,研發(fā)業(yè)界首見的涂布式(Spray)的“電磁波屏蔽”(EMI shielding)技術(shù),打算自行吃下此一封裝程序,省下外包費(fèi)用。
2018-05-22 07:18:001985

10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

)制程DRAM,目前傳出進(jìn)入第代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制程研發(fā)速度,追趕三星,預(yù) ... 10納米級DRAM先進(jìn)制程競爭
2018-11-12 18:04:02533

三星、SK海力士準(zhǔn)備向中國采購原材料 化解目前危機(jī)

為了化解危機(jī),三星電子、SK海力士準(zhǔn)備向中國大陸及中國臺灣采購更多材料。另外,韓國企業(yè)還會去日本之外的國家尋找?guī)齑娑嘤嗟钠髽I(yè),向它們采購。
2019-07-11 14:46:123712

三星、海力士評估最快或于7月底開始減產(chǎn),理由為何?

三星電子與SK海力士正在評估最快從本月起有序減產(chǎn)NAND Flash的方案。
2019-07-11 16:01:293197

行業(yè) | 三星電子和SK海力士完成對本土氟化氫測試,已投入DRAM生產(chǎn)

7月15日業(yè)界資訊,三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試,近日已投入到DRAM生產(chǎn)。
2019-07-17 10:03:303501

DRAM價格上漲,三星SK海力士營收或改善

本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:543205

禁令影響 三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片

軟件技術(shù)的產(chǎn)品。 正如外媒分析的那樣,禁令對三星SK海力士的傷害并不亞于華為,以SK海力士為例,其上半年133億美元的營收中,4成都來自對華為的出口。 有報道跟進(jìn)表示,事實上三星SK海力士已經(jīng)向美方提交申請,希望允許在15日后繼續(xù)向
2020-09-11 15:54:1718654

三星SK 海力士將停止向華為出售零部件

隨著特朗普政府加強(qiáng)對華為的制裁,三星SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機(jī),來了! 三星SK 海力士將斷供華為 近日,根據(jù)朝鮮日報和其他韓國新聞媒體的報道,三星SK 海力士
2020-09-15 16:41:402822

斷供華為 三星、SK海力士:我也不想啊

發(fā)布當(dāng)天(8月17日),三星、SK海力士等韓企就已停止生產(chǎn)向華為供應(yīng)的半導(dǎo)體。響應(yīng)如此迅速,難道斷供華為也是韓企的愿望嗎? 斷供華為,三星、SK海力士:我也不想啊 此番斷供,三星、SK海力士等韓企也是迫不得已。 華為此前公布,
2020-09-17 15:15:132811

三星SK海力士斷供華為,華為大量采購芯片價格大漲15%

據(jù)報道,韓國三星SK海力士宣布9月15日將停止向華為出售芯片。禁令期將至,華為何去何從?
2020-09-22 11:33:223885

三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產(chǎn)品

目前,三星電子和SK海力士已停止對華為出貨芯片產(chǎn)品。據(jù)報道,SK海力士大約有10%的銷售額來自華為,而華為同樣是三星重要的客戶之一。
2020-09-23 10:20:342432

淺析三星SK海力士的半導(dǎo)體之戰(zhàn)

韓國半導(dǎo)體已經(jīng)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中占據(jù)了重要的地位。在IC Insights所公布的2020年上半年(1H20)全球十大半導(dǎo)體銷售排名中,韓國廠商就占了兩個名額,分別是排名第二的三星和排名第四的SK海力士。
2020-11-19 15:53:5010094

內(nèi)存價格仍在爆降,影響著三星、SK海力士等出貨量

內(nèi)存價格還在繼續(xù)下降,對于三星、SK海力士等廠商來說,這也刺激了相應(yīng)的出貨量。
2020-11-23 11:01:452312

芯片行業(yè)需求好轉(zhuǎn),三星電子和SK海力士股價上漲

11月23日消息,據(jù)國外媒體報道,受三星電子和SK海力士上漲拉動,韓國股市周一收盤創(chuàng)新高。
2020-11-23 16:26:372512

三星電子和SK海力士擴(kuò)大招聘以應(yīng)對芯片需求激增

在半導(dǎo)體芯片短缺的情況下,兩家韓國半導(dǎo)體巨頭(三星電子和SK海力士)正在積極尋求發(fā)展,他們正在擴(kuò)大招聘以應(yīng)對芯片的需求不斷增加。在負(fù)責(zé)監(jiān)督半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部門中,三星正在招聘經(jīng)驗豐富的工程師
2021-02-19 15:42:492101

三星SK海力士重組 存儲芯片寒冬何時休

三星電子和 SK 海力士已經(jīng)重組,以應(yīng)對半導(dǎo)體行業(yè)的低迷。他們正在尋求突破復(fù)雜的全球危機(jī),其中包括銷售因經(jīng)濟(jì)低迷而下降。
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HBM需求高漲 三星SK海力士投資超2萬億韓元積極擴(kuò)產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴(kuò)張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508

三星SK海力士加碼半導(dǎo)體設(shè)備投資與產(chǎn)量,以緩解行業(yè)壓力

12月18日,傳聞三星SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設(shè)備的投入,如三星電子預(yù)計投注27萬億韓元,SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元,增幅分別達(dá)25%與100%。
2023-12-19 09:20:35974

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星SK海力士計劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元 推進(jìn)“超級集群”計劃

三星電子和SK海力士將聯(lián)合投資622萬億韓元,推進(jìn)“超級集群”計劃。
2024-01-23 11:35:481199

三星加大投資提升HBM產(chǎn)能,與SK海力士競爭加劇

近日,據(jù)報道,三星電子正計劃大規(guī)模擴(kuò)大其HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進(jìn)一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:091210

OpenAI首席執(zhí)行會見三星SK海力士高管

近日,OpenAI的首席執(zhí)行Sam Altman前往韓國,與三星電子和SK海力士的高管進(jìn)行了會面。據(jù)報道,這次會面的主要議題是探討建立一個AI半導(dǎo)體聯(lián)盟以及投資機(jī)會的可能性。
2024-01-30 18:23:461550

SK海力士宣布HBM內(nèi)存生產(chǎn)配額全部售罄

SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業(yè)翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量,以期更好地滿足市場需求,保護(hù)其市場占有率。
2024-02-23 14:12:001306

三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術(shù)

三星必須采取一些措施來提高其HBM產(chǎn)量......采用MUF技術(shù)三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術(shù)
2024-03-14 11:00:141518

三星否認(rèn)MR-RUF方式用于HBM內(nèi)存生產(chǎn)

實現(xiàn)HBM的關(guān)鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充間隙;后者則為熱壓粘連NCF(非導(dǎo)電薄膜)至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:211394

英偉達(dá)對三星HBM3E進(jìn)行測試,海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅

現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達(dá)AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:231383

剛剛!SK海力士出局!

在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約5.4億至7.7億美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:081225

三星聯(lián)席CEO在AI合作交流中力推HBM內(nèi)存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達(dá)H200訂單。
2024-04-16 16:46:051044

SK海力士聯(lián)手臺積電推出HBM4,引領(lǐng)下一代DRAM創(chuàng)新

SK海力士表示,憑借其在AI應(yīng)用領(lǐng)域存儲器發(fā)展的領(lǐng)先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領(lǐng)域的深厚合作基礎(chǔ),該公司有信心持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過整合IC設(shè)計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術(shù)資源,SK海力士將進(jìn)一步提升存儲器產(chǎn)品性能,實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:041153

SK海力士與臺積電共同研發(fā)HBM4,預(yù)計2026年投產(chǎn)

HBM3E(第五代 HBM 產(chǎn)品)起,SK海力士HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn);然而,從 HMB4(第六代 HBM 產(chǎn)品)開始,該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進(jìn)邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4

4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄(MOU),推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù),目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)雙方簽署的諒解備忘錄,兩家公司初期目標(biāo)是改善
2024-04-20 08:36:51492

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:191392

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議,原本預(yù)計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:211338

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

三星電子與SK海力士預(yù)測存儲芯片市場需求強(qiáng)烈,HBM產(chǎn)能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星SK海力士預(yù)判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續(xù)攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關(guān)芯片的強(qiáng)大需求。
2024-05-15 09:23:52983

SK海力士提前一年量產(chǎn)HBM4E第七代高帶寬存儲器

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計,HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合技術(shù)以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產(chǎn)

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進(jìn)展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星HBM3E芯片驗證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863

臺積電在歐洲技術(shù)研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推進(jìn)HBM4在先進(jìn)制程中的全面集成。12FFC+基礎(chǔ)Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優(yōu)勢;而N5基礎(chǔ)Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預(yù)期速度。
2024-05-17 10:07:081432

三星SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
2024-05-17 10:12:211563

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設(shè)備,意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:271061

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

三星海力士引領(lǐng)DRAM革新:新一代HBM采用混合技術(shù)

在科技日新月異的今天,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)作為計算機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其技術(shù)革新一直備受矚目。近日,據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

臺積電攜手創(chuàng)意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導(dǎo)體市場的激烈競爭中,臺積電再次憑借其卓越的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力,攜手旗下子公司創(chuàng)意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領(lǐng)域的重大
2024-06-25 10:13:121230

ASMPT與美光攜手開發(fā)下一代HBM4設(shè)備

在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,韓國后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內(nèi)存(HBM)生產(chǎn)的演示熱壓(TC)機(jī),雙方將攜手開發(fā)下一代技術(shù),以支持HBM4的生產(chǎn)。
2024-07-01 11:04:151932

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對挑戰(zhàn)

雄心勃勃的宣言無疑給當(dāng)前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),正嚴(yán)陣以待,積極調(diào)整策略以應(yīng)對美光的挑戰(zhàn)。
2024-07-03 09:28:591061

三星、SK海力士探索激光解技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術(shù)的重大革新。據(jù)韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM技術(shù)探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技術(shù),這一變革預(yù)示著HBM制造領(lǐng)域的新篇章。
2024-07-12 09:29:561545

英偉達(dá)、臺積電與SK海力士攜手,2026年量產(chǎn)HBM4內(nèi)存,能效顯著提升

科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進(jìn)的浪潮中,英偉達(dá)、臺積電與SK海力士大巨頭宣布了一項重大合作,旨在通過組建“角聯(lián)盟”共同推進(jìn)下一代高帶寬內(nèi)存(HBM技術(shù)的發(fā)展,特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一次重要聯(lián)手,也為未來數(shù)據(jù)處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎(chǔ)。
2024-07-15 17:28:051574

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366

SK海力士探索無焊劑技術(shù),引領(lǐng)HBM4創(chuàng)新生產(chǎn)

在半導(dǎo)體存儲技術(shù)的快速發(fā)展浪潮中,SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正積極探索前沿技術(shù),以推動高帶寬內(nèi)存(HBM)的進(jìn)一步演進(jìn)。據(jù)最新業(yè)界消息,SK海力士正著手評估將無助焊劑工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中,這一舉措標(biāo)志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:471889

SK海力士攜手臺積電,N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,宣布將采用臺積電先進(jìn)的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲解決方案領(lǐng)域的持續(xù)深耕,也預(yù)示著HBM內(nèi)存技術(shù)即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:531328

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計明年底量產(chǎn)

三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準(zhǔn)備。
2024-08-22 17:19:071465

三星SK海力士及美光正全力推進(jìn)HBM產(chǎn)能擴(kuò)張計劃

近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光大半導(dǎo)體巨頭正全力推進(jìn)高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。據(jù)預(yù)測,至2025年,這一領(lǐng)域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個單位,推動年度總產(chǎn)量翻番至54萬個單位,實現(xiàn)驚人的105%年增長率,標(biāo)志著HBM產(chǎn)能的顯著飛躍。
2024-08-29 16:43:251771

SK海力士引領(lǐng)未來:全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)模化生產(chǎn),此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲器市場的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311984

SK海力士Q3利潤有望趕超三星半導(dǎo)體

隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第季度初步財務(wù)報告,市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預(yù)期差距如何進(jìn)一步拉大。   SK海力士因在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的強(qiáng)勁表現(xiàn),預(yù)計將迎來歷史最佳
2024-10-08 15:58:351552

韓華精密機(jī)械向SK海力士提供HBM設(shè)備

 韓華精密機(jī)械公司正式宣告,已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器(HBM)生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC測試設(shè)備。   針對10月16日部分媒體所報道的“韓華精密機(jī)械與SK海力士HBM TC
2024-10-18 15:51:081444

三星SK海力士市值份額差距縮至13年最小

韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
2024-10-28 15:44:591992

P7+引領(lǐng)能耗管理革新,續(xù)航提升顯著

10月30日,在“小P7+技術(shù)溝通會”上,小汽車動力總成中心負(fù)責(zé)人顧捷先生分享了小P7+在純電能耗管理方面的卓越表現(xiàn)。他強(qiáng)調(diào),小汽車始終將能耗水平視為檢驗續(xù)航能力的核心標(biāo)準(zhǔn),拒絕采用簡單的“堆電池”策略,而是致力于通過系統(tǒng)化方案解決能耗難題。
2024-10-30 15:11:242017

英偉達(dá)加速推進(jìn)HBM4需求,SK海力士等存儲巨頭競爭加劇

韓國大型財團(tuán)SK集團(tuán)的董事長崔泰源在周一的采訪中透露,英偉達(dá)的首席執(zhí)行黃仁勛已向SK集團(tuán)旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求,希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英偉達(dá)向SK海力士提出提前供應(yīng)HBM4芯片要求

近日,韓國SK集團(tuán)會長透露了一項重要信息,即英偉達(dá)公司的首席執(zhí)行黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應(yīng)其下一代高帶寬內(nèi)存芯片,這款芯片被命名為HBM4
2024-11-05 10:52:481202

HBM4需求激增,英偉達(dá)與SK海力士攜手加速高帶寬內(nèi)存技術(shù)革新

董事長崔泰源透露,英偉達(dá)公司首席執(zhí)行黃仁勛已向SK海力士提出請求,希望其能提前六個月供應(yīng)最新一代的高帶寬內(nèi)存芯片——HBM4。
2024-11-05 14:13:031482

英偉達(dá)加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日,英偉達(dá)(NVIDIA)的主要高帶寬存儲器(HBM)供應(yīng)商南韓SK集團(tuán)會長崔泰源透露,英偉達(dá)執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達(dá)下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達(dá)下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示,盡管業(yè)界普遍認(rèn)為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起,但SK海力士憑借前瞻性的技術(shù)布局
2024-11-05 15:01:201231

特斯拉或向SK海力士、三星采購HBM4芯片

近日,SK海力士三星電子正在為特斯拉公司開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)芯片樣品。據(jù)悉,特斯拉計劃在測試這兩家公司提供的樣品后,選擇其中一家作為其HBM4芯片的供應(yīng)商。 與微軟、谷歌、Meta等
2024-11-21 14:22:441524

特斯拉也在搶購HBM 4

據(jù)報道,特斯拉已要求三星SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導(dǎo)體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存芯片原型。據(jù)KEDGlobal報道,特斯拉已要求三星SK海力士供應(yīng)通用的HBM4芯片。預(yù)計
2024-11-22 01:09:321508

三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計,力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn),為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn),公司決定對設(shè)計進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511341

SK海力士三星或停用中國EDA軟件

列入貿(mào)易限制名單,也對SK海力士的決策產(chǎn)生了影響。業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測,SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件,而三星電子也可能緊隨其后,做出類似決定。 若SK海力士三星電子真的停用中國EDA軟件,它們對美國EDA軟件的依賴程度將顯著增強(qiáng),這將
2025-02-18 10:51:541081

SK海力士HBM技術(shù)的發(fā)展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團(tuán)隊”協(xié)作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領(lǐng)AI存儲新變革

HBM4 的開發(fā),并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系,這一消息猶如一顆重磅炸彈,在半導(dǎo)體行業(yè)乃至整個科技領(lǐng)域激起千層浪。 ? 高帶寬存儲器(HBM)作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速、寬帶寬數(shù)據(jù)傳輸?shù)南乱淮?DRAM 技術(shù),自誕生以來便備受矚目。其核心結(jié)構(gòu)是將多個 DRAM 芯片通過
2025-09-16 17:31:141367

HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來了!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:136874

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