五代產品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進展。據韓媒報道
2023-10-25 18:25:24
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電子發(fā)燒友網綜合報道，據韓媒報道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產品的質量測試，正就量產供應展開磋商。當前協(xié)商的供應量按容量計算約為10億Gb級別左右，量產時間預計最早從今年下半年延續(xù)至
2025-07-12 00:16:003465 電子發(fā)燒友網綜合報道，據臺媒消息，傳聞英偉達已開始開發(fā)自己的HBM基礎裸片，預計英偉達的自研HBM基礎裸片采用3nm工藝制造，計劃在2027年下半年進行小批量試產。并且這一時間點大致對應"Rubin
2025-08-21 08:16:002605 開始實現大規(guī)模生產。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價，傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價，三星不得不通過激進定價策略來提升市場競爭力。 ? 近日消息，S
2025-08-23 00:28:007170 明年HBM3E價格，漲幅接近20%。 ? 此次漲價背后，是AI算力需求爆發(fā)與供應鏈瓶頸的共同作用。隨著英偉達H200、谷歌TPU、 亞馬遜Trainium 等AI芯片需求激增，HBM3E供需缺口持續(xù)擴大。與此同時，存儲廠商正將產能轉向更先進的 HBM4 ，進一步擠壓了
2025-12-28 09:50:111557 光照時，Q1的B極電位很低，經測量為0.37 V，Q1的E極為0 V，Q1的C極為3 V, 根據三極管三個極電位比較，集電極反偏，發(fā)射極正偏，Q1不是應該處于放大狀態(tài)嗎？當RP有光照時，經測量Q的E極為
2023-03-22 13:42:20
SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894 
在此之前，英偉達將大部分gpu的高級成套產品委托給tsmc。半導體方面，將sk海力士的hbm3安裝在自主制造的單一gpu芯片上，生產英偉達h100。但是最近隨著生成型人工智能的普及，h100的需求劇增，在處理nvidia的所有訂單上遇到了困難。
2023-08-02 11:54:181663 2023年8月8日，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計算機圖形年會SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內存新一代GH200 Grace Hopper超級芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計算和生成式AI時代的處理器”，旨在用于任何大型語言模型，以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:172011 sk海力士表示：“以唯一批量生產
hbm3的經驗為基礎，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版
hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應經驗和量產成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產
hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應商的經驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:411676 HBM3E內存（也可以說是顯存）主要面向AI應用，是HBM3規(guī)范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670 有分析師爆料稱三星將成為英偉達的HBM3存儲芯片關鍵供應商，三星或將從第四季度開始向英偉達供應HBM3。
2023-09-01 09:46:5141378 ，skjmnft同時已經向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內存采用 eight-tier 布局，每個堆棧為24 GB，采用1β 技術生產，具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數字化管理各個業(yè)務板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 市場有關負責人表示，h100是英偉達gpu中規(guī)格最高的技術，但b100的影響力比h100更大，今后將采用3至4納米工程和芯片設計。隨著sk海力士決定獨家向英偉達提供可驅動新一代b100 gpu的最新hbm3e顯示器存儲器，該公司將躍升為ai業(yè)界的半導體主要企業(yè)。
2023-10-17 09:23:471917 基于英偉達的“Hopper”架構的H200也是該公司第一款使用HBM3e內存的芯片，這種內存速度更快，容量更大，因此更適合大語言模型。英偉達稱：借助HBM3e，H200以每秒4.8TB的速度提供141GB的內存，與A100相比，容量幾乎是其兩倍，帶寬增加了2.4倍。
2023-11-15 11:17:311958 由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:571700 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:301601 
美光已明確表示，預期明年將進占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計劃于2023年最后階段為英偉達提供測試。
2023-12-26 14:39:31843 英偉達（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存，為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:501622 據最新傳聞，英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445 美國IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年，HBM供應緊缺問題將愈發(fā)嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產品HBM3E的量產。在此
2024-01-03 13:41:022230 值得一提的是，半導體產品的研發(fā)周期通常共九個階段，而 SK 海力士已經成功走過了各個環(huán)節(jié)，正在進行最后的產量提升階段。這代表著現有的HBM3E產能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:451152 在嚴格的9個開發(fā)階段后，當前流程全部完成，步入最終的產能提升階段。此次項目完結正是達產升能的標志，這預示著自今往后產出的所有HBM3E即刻具備向英偉達交付的條件。SK海力士計劃3月獲取英偉達對終品質量的認可，同步啟動大規(guī)模生產及交貨。
2024-02-21 10:17:051429 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品，并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:081739 近日，全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經通過了英偉達
2024-02-25 11:22:211656 目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠實現5TB/s的傳輸速率，內存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:421391 英偉達下一代H200圖形處理器將采用美光HBM3E芯片，預計于今年第2季交付，有望超越現有的H100芯片，為美光科技貢獻更高業(yè)績。此外，龍頭廠商SK海力士等供應的AI HBM（高寬帶存儲器）芯片市場需求持續(xù)升溫
2024-02-27 09:33:291543 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領域穩(wěn)占先機。他還強調，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術相結合
2024-02-27 09:38:42841 “隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產品HBM3E 12H應運而生，”三星電子內存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創(chuàng)新堆疊技術的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品，其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 據手機資訊網站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內存模塊，并面向HBM3E進行了重新設計。另外，該公司在供應鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系，同時也與如臺積電等重要的基板供應商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關系。
2024-02-27 15:45:051327 美國記憶體制造巨頭美光（Micron）于26日宣布，其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產。此項技術將被用于今年第2季度的英偉達（NVIDIA）H200 Tensor Core GPU，標志著美
2024-02-28 14:17:101311 其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:511493 
內存解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)
2024-03-04 18:51:411886 
英偉達H200于2023年11月13日正式發(fā)布。然而，由于HBM3e芯片供應問題，其實際開售時間有所延遲。英偉達表示，H200產品預計將在2024年第二季度正式開售。因此，雖然H200在2023年已經發(fā)布，但真正的上市時間是在2024年的第二季度。
2024-03-07 16:46:044390 近日，全球領先的半導體存儲器及影像產品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進展不僅標志著美光在半導體技術領域的又一次突破，也預示著人工智能領域將迎來更為強勁的計算能力支持。
2024-03-08 10:02:07891 同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據稱，該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預計這款最新產品的大批量投產及其作為業(yè)內首家供應HBM3制造商所累積的經驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:211675 據悉，HBM3E廣泛應用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術。至于GDDR7，有望在RTX 50系列顯卡中得到應用。
2024-03-20 10:25:591737 在英偉達GTC 2024大會上，英偉達CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。
2024-03-20 11:32:042405 
Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 現如今，SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應陣營。據悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:231383 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業(yè)內領頭羊SK海力士，后者已率先實現下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產。
2024-03-25 11:42:041287 據悉，HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:061180 據業(yè)內透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 12層HBM3e將每個堆?？捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091352 
三星方面表示，預計今年上半年將正式生產出HBM3E 12H內存，而AMD則計劃于下半年開始生產相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s，產品容量更是高達36GB。
2024-04-24 14:44:381196 韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應壓力，可能在下半年出現短缺現象。
2024-04-25 14:45:071054 銷售額達110億！麥格納公布2024年Q1財報
2024-05-09 18:00:381422 
業(yè)內評論指出，三星HBM之所以出現問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異，導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863 據行業(yè)觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準，而這與三星自身的生產方式有所出入，從而影響了產品的認證進程。
2024-05-17 09:30:53892 三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產品能夠順利供應給英偉達。然而，業(yè)界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM3E產品目前仍需要進一步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13918 美光，這家位于美國愛達荷州波伊西（Boise）的企業(yè)，是HBM芯片的三大供應商之一，也是AI服務器所需硬件的關鍵部件。他們生產的最新一代高頻寬存儲器3E（HBM3E）被AI芯片巨頭英偉達（NVDA-US）的H200采用。
2024-05-22 10:08:20877 早在今年3月份，韓國媒體DealSite報道中指出，全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看，SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079 近日，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 據報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 據DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環(huán)節(jié)出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭，但在英偉達主導的HBM市場，三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264 美光近期發(fā)布的內存和存儲產品組合創(chuàng)新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發(fā)展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能，功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM（高帶寬內存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM內存，并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101 在全球AI芯片領域的激烈競爭中，英偉達以其卓越的技術實力和市場影響力，始終保持著領先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現出了其獨特的戰(zhàn)略眼光和強大的資金實力，以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨，不惜以高達13億美元的預算，向美光和SK海力士預訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產能。
2024-06-22 16:46:581465 在科技界的密切關注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達的HBM3e（高帶寬內存）質量測試，標志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 在科技界與金融市場的交匯點，一則關于三星電子HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片通過英偉達嚴格質量測試的消息于7月4日悄然傳開，瞬間點燃了業(yè)界內外對于高性能存儲技術未來
2024-07-04 16:22:511195 近日，韓國媒體的一則報道引發(fā)了業(yè)界廣泛關注，稱三星電子的新一代高帶寬內存HBM3E已經順利通過了GPU巨頭英偉達（NVIDIA）的質量認證，即Qualtest PRA（產品準備批準），并預示著該產品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內存）質量測試，并預計很快將啟動量產流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認。
2024-07-05 15:08:181268 韓國新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規(guī)模生產并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了否認，表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:581392 近日，三星電子在半導體領域再傳捷報，其高頻寬內存（HBM）產品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產品即將進入規(guī)?；a階段，預計在本季度內正式向
2024-07-18 09:36:591401 1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示，該公司預計其
2024-08-01 11:08:111376 三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產工作，并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達（Nvidia）測試的消息引起了廣泛關注。然而，三星電子對此事態(tài)的反應卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示：“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021161 進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內存（新一代高帶寬內存產品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產品主要面向英偉達H200系列應用。同時，三星電子還積極推進Blackwell系列的驗證工作，預示著更先進技術的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772 自豪地宣布，SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領導地位，而更進一步的是，公司即將在本月底邁入一個新的里程碑，正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 近日，知名市場研究機構TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內存產品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認
2024-09-05 17:15:281404 美光科技近期宣布，其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付，標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲，對其HBM內存的產能規(guī)劃進行了調整。據韓媒報道，三星已將2025年底的產能預估下調至每月17萬片晶圓，這一調整反映了半導體行業(yè)當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554 近日，業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息，據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產供應的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 領域的競爭對手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據悉，SK海力士已經開始量產業(yè)界領先的12層HBM3E芯片。這一消息無疑加劇了HBM市場的競爭態(tài)勢。 然而，對于三星電子來說，向英偉達供應HBM不僅是一個重要的商業(yè)機會，更是展示其技術實力和
2024-11-04 10:39:39786 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉行的SK AI峰會上，韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這一產品的推出，標志著SK海力士在高端存儲技術領域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉，該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產品，這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
2024-11-14 18:20:201364 近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于三星的HBM3E內存
2024-11-25 14:34:171028 近日，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時透露，英偉達正在全力加速對三星最新推出的AI存儲芯片——HBM3E的認證進程。這一舉措標志著英偉達在AI存儲技術上的又一次重要布局。 據黃仁勛介紹，英偉達
2024-11-26 10:22:171129 近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創(chuàng)新產品的全面生產測試已經正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產與供應奠定了
2024-12-26 14:46:241050 近日，全球DRAM內存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內存市場。目前，美光正在對最終設備進行評估，并計劃在今年內實現量產。 這一消息標志著美光在高性能內存
2025-01-17 14:14:12914 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中，透露了其高帶寬內存（HBM）的最新發(fā)展動態(tài)。據悉，該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規(guī)模生產和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據推測，三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲，這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 電子發(fā)燒友網報道（文/李彎彎）據報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:313695 
和B100兩款芯片。來源：英偉達官網 ? 首款搭載HBM3e 的GPU ，推理速度幾乎是H100 的兩倍 ? 與A100和H100相比，H200最
2023-11-15 01:15:005794 
電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）根據韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時，美光已經為英偉達供應HBM3E。至此，高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展，原本SK海力士計劃2026年量產HBM4，不過最近
2024-07-28 00:58:136874 
電子發(fā)燒友網報道（文/黃晶晶）在早前的報道中，對于HBM產能是否即將過剩，業(yè)界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產品升級的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進展 ? 9月26日SK
2024-10-06 01:03:005496 
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工商網監(jiān)
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