Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較同類的器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

　　DMP2039UFDE4針對負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，為電路設(shè)計人員提供3kV的電路保護，以免受人體本身的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS（on） 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使電池充電應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗減至最少。

　　20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降壓及升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)，成為理想的負(fù)載開關(guān)或高速開關(guān)，并提供2kV的高靜電放電保護。DMN6040UFDE將會是首批采用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一，在60V的VDS下運行，并適合應(yīng)用于系統(tǒng)微型化設(shè)計行業(yè) （Small form-factor industrial） 及供熱通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng) （HVAC） 控制。

　　新產(chǎn)品特別適合應(yīng)用于極纖巧的便攜式產(chǎn)品設(shè)計，例如智能手機、平板電腦及數(shù)碼相機。首批MOSFET系列九款產(chǎn)品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。

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