韓國(guó)三星電子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上發(fā)布工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）0.1版3nm Gate-All-Around（GAA）工藝3GAE。 與7 nm
2019-05-17 11:29:17
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4月6日，DigiTimes報(bào)道稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。當(dāng)前疫情對(duì)物流和交通運(yùn)輸服務(wù)造成了影響，導(dǎo)致3nm工藝所需的EUV光刻機(jī)和其他關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備的交付延期，進(jìn)而導(dǎo)致了
2020-04-08 09:52:224241 5nm工藝。不過，最近有消息傳出，三星遇到麻煩了，其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子華城園區(qū)V1廠，最近面臨晶圓代工良率改善難題，5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠，其中V1為EUV專用廠，于201
2021-07-05 18:35:594330 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）三星在3nm領(lǐng)先臺(tái)積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報(bào)道，因?yàn)閾?dān)心三星的良率過低，大客戶高通已將3nm AP處理器代工訂單交給臺(tái)積電。 臺(tái)積電和三星是全球領(lǐng)先的兩大芯片
2022-02-25 09:31:004118 儀式。才過4個(gè)月不到，韓國(guó)媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問題也遲遲沒有得到改善。 ? 其實(shí)，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣布啟動(dòng)利用GAA技術(shù)的
2022-11-30 09:35:124254 1. 傳三星3 納米工藝平臺(tái)第三款產(chǎn)品投片 ? 外媒報(bào)道，盡管受NAND和DRAM市場(chǎng)拖累，三星電子業(yè)績(jī)暴跌，但該公司已開始生產(chǎn)其第三個(gè)3nm芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)量穩(wěn)定。根據(jù)該公司二季度報(bào)告，當(dāng)季三星營(yíng)收
2023-07-31 10:56:44937 在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星 3nm（SF3）GAA 工藝自 2023 年量產(chǎn)以來(lái)，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未獲得大客戶訂單。
2025-03-22 00:02:002463 在先進(jìn)制程領(lǐng)域目前面臨重重困難。三星?3nm（SF3）GAA?工藝自?2023?年量產(chǎn)以來(lái)，由于良率未達(dá)預(yù)期，至今尚未
2025-03-23 11:17:401827 較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:004079 5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:004661 三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕，目前的路線圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn)，下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線圖，緊逼臺(tái)積電，而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
2019-05-12 11:50:075053 3nm!!!
2019-05-17 11:44:056784 三星的3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么？
2019-05-17 15:38:5412185 
在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上，三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了，而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝，領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335 三星率先發(fā)布3nm工藝路線圖，領(lǐng)先于臺(tái)積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:435336 發(fā)布了新一代3nm閘極全環(huán)（GAA，Gate-All-Around）工藝。與7nm技術(shù)相比，三星的3GAE工藝將減少45%的面積，降低50%的功耗，提升35%的性能。三星表示第一批3nm芯片主要面向智能手機(jī)及其他移動(dòng)設(shè)備。
2019-05-30 15:53:464391 集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思（Synopsys）近日宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破，也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070 全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473942 3nm工藝相較于今年開始量產(chǎn)的7nm EUV工藝更為先進(jìn)，是下一代半導(dǎo)體加工工藝，可以進(jìn)一步減少芯片尺寸。
2019-07-25 15:13:563365 盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。
2019-09-12 10:44:033454 但在下一代的 3nm 芯片制造工藝方面，臺(tái)積電可能會(huì)有來(lái)自三星的挑戰(zhàn)，后者擬率先使用這一先進(jìn)的工藝制造芯片。
2020-01-03 14:49:274252 報(bào)道稱，與三星電子的5nm工藝相比，3nm制程能將芯片尺寸縮小35%，功耗降低50%，性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033600 根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，他們今年上半年就會(huì)量產(chǎn)5nm EUV工藝，下半年產(chǎn)能會(huì)提升到7-8萬(wàn)片晶圓/月，今年的產(chǎn)能主要是供給蘋果和華為。臺(tái)積電的3nm工藝工藝今年也會(huì)啟動(dòng)建設(shè)，三星更是搶先宣布了3nm GAA工藝。
2020-01-16 10:08:433174 在2019年的日本SFF會(huì)議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
2020-02-06 14:54:431762 近日，DigiTimes在一份報(bào)告中稱，三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492452 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230 ，轉(zhuǎn)而批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這一舉動(dòng)可能使三星領(lǐng)先臺(tái)積電，但這也充滿了風(fēng)險(xiǎn)。 三星跳過了最初計(jì)劃投*資的 4nm 高級(jí)工藝，而完全放棄了其投*資計(jì)劃。這個(gè)決定最終可能會(huì)在其領(lǐng)域花費(fèi)大量的客戶訂單，但是同時(shí)這可能是因?yàn)樘^了一代芯片技術(shù)，其他技術(shù)的開
2020-07-08 16:07:212550 
在芯片先進(jìn)制程的賽場(chǎng)上，放眼全球，僅剩臺(tái)積電、英特爾、三星。目前，臺(tái)積電和三星在7nm以下的競(jìng)爭(zhēng)備受關(guān)注。根據(jù)報(bào)道，三星將直接跳過4nm先進(jìn)制程，轉(zhuǎn)向3nm制程的量產(chǎn)，此舉有可能使三星領(lǐng)先于臺(tái)積電
2020-07-06 15:31:542666 新晶圓廠，新晶圓廠并打算以3nm制程切入，力壓臺(tái)積電亞利桑納州5nm廠。市場(chǎng)人士分析，三星舉動(dòng)使3nm制程的戰(zhàn)爭(zhēng)日趨激烈。對(duì)三星來(lái)勢(shì)洶洶，臺(tái)積電似乎胸有成竹，有機(jī)會(huì)能在3nm制程的競(jìng)賽中立于不敗之地。 市場(chǎng)人士指出，雖然在5nm制程方面，三星已經(jīng)趕上了
2021-02-02 14:03:531767 
三星電子和臺(tái)積電目前都計(jì)劃開展 3nm 制程工藝研發(fā)。據(jù)外媒 TomsHardware 消息，三星在 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE
2021-03-15 16:56:455166 在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先，然而三星的追趕一刻也沒放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。
2020-11-17 16:03:322058 但三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺(tái)積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì)使用GAA工藝。
2020-11-19 11:36:301777 這一年半導(dǎo)體業(yè)的諸多巨變，埋下了日后草蛇灰線的因子，但追趕先進(jìn)工藝的步伐不曾放緩。作為可在先進(jìn)工藝上一較長(zhǎng)短的臺(tái)積電與三星，下一個(gè)“賽點(diǎn)”也鎖定在了3nm。
2020-12-28 09:34:352248 1月3日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝，均已提升到了5nm，更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中，臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠更是已經(jīng)建成，計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，明年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。
2021-01-04 09:04:582737 據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開發(fā)過程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱，臺(tái)積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:103024 外媒報(bào)道，臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此，臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度。
2021-01-05 09:39:262359 近日，外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱，目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn)，因此，最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會(huì)相應(yīng)的推遲。
2021-01-05 16:50:202727 2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852 隨著三星在先進(jìn)制造節(jié)點(diǎn)上繼續(xù)與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，這家韓國(guó)巨頭的努力將使其排名達(dá)到第四位。據(jù)報(bào)道，三星從5nm到3nm的芯片開發(fā)實(shí)現(xiàn)了跳躍式發(fā)展，但仍被排除在全球前三的半導(dǎo)體制造商之外。
2021-02-04 14:55:192654 2月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，此前曾有猜測(cè)，在長(zhǎng)期代工合作伙伴臺(tái)積電無(wú)法提供充足產(chǎn)能支持的情況下，芯片供應(yīng)商AMD，可能將5nm及3nm芯片代工訂單，轉(zhuǎn)交給三星電子。
2021-02-05 10:59:232213 ，3nm工藝是今年下半年試產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。 與三星在3nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同，臺(tái)積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。 與5nm工藝相比，臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。 不論是5nm還是3nm工
2021-02-19 15:13:402778 進(jìn)行，它將在2023年第四季度上線。不過，值得關(guān)注的是：三星尚未說明新晶圓廠將設(shè)計(jì)用于哪個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。三星會(huì)成為美國(guó)第一個(gè)擁有3nm工藝的企業(yè)嗎？
2021-02-19 17:33:552118 2020年下半年，5nm芯片剛剛成為手機(jī)處理器市場(chǎng)主流時(shí)，臺(tái)積電和三星就已經(jīng)開始針對(duì)3nm工藝展開角逐。
2021-03-05 15:57:092724 據(jù)外媒最新報(bào)道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片! 據(jù)悉，三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu)，性能上完勝臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444638 目前從全球范圍來(lái)說，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:543387 近日，根據(jù)媒體的消息報(bào)道，三星公司已經(jīng)公布了關(guān)于3nm技術(shù)，并且有望拿下AMD和高通兩個(gè)美國(guó)客戶，三星公司計(jì)劃于2022年上半年開始推出3納米產(chǎn)品，目前三星公司官方表示他們已經(jīng)在開發(fā)下一代的DDR6內(nèi)存了。
2021-11-22 16:19:122059 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)三星在3nm領(lǐng)先臺(tái)積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報(bào)道，因?yàn)閾?dān)心三星的良率過低，大客戶高通已將3nm AP處理器代工訂單交給臺(tái)積電。
2022-03-01 09:16:591676 據(jù)報(bào)道，三星電子計(jì)劃在2022年上半年量產(chǎn)3nm制程芯片，但是近期業(yè)界頻頻傳出良率低、量產(chǎn)延遲等批評(píng)的聲音，據(jù)推測(cè)三星可能會(huì)將其技術(shù)用于自己的3nm芯片生產(chǎn)，之后再考慮爭(zhēng)取外部客戶的訂單。 一直
2022-04-18 11:40:403110 三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740 的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn)，并且三星稱之前飽受詬病的良率問題也已得到解決。 美國(guó)總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進(jìn)行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠，三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺(tái)積電，投入了大量資金進(jìn)行高端制程的研
2022-05-22 16:30:312676 以往人們的印象中，在芯片制造領(lǐng)域三星一直都是遜色于臺(tái)積電的，臺(tái)積電一直都是全球芯片制造領(lǐng)域第一的企業(yè)，三星多年都排在第二的位置，沒能將其超越。 不過據(jù)日前消息稱，三星將在下周正式量產(chǎn)3nm工藝
2022-06-23 11:02:071492 今日，據(jù)媒體報(bào)道，三星的3nm制程芯片將在明天開始量產(chǎn)。 作為晶圓代工界常年第二的三星，一度被臺(tái)積電壓一頭，超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上，不僅要搶在臺(tái)積電前面
2022-06-29 17:01:531839 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎 全球第一款正式量產(chǎn)的3nm芯片即將出自三星半導(dǎo)體了，根據(jù)三星半導(dǎo)體官方的宣布，4D（GAA）架構(gòu)制程技術(shù)芯片正式開始生產(chǎn)。 4D（GAA）架構(gòu)制程是3
2022-06-30 20:21:522069 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）近日，三星電子宣布率先實(shí)現(xiàn)3nm工藝量產(chǎn)，不過對(duì)此臺(tái)積電并不擔(dān)心，AMD、英特爾、蘋果和博通等核心客戶均沒有轉(zhuǎn)單三星的意思，而是排隊(duì)等待臺(tái)積電量產(chǎn)消息。不過，作為全球最大的晶圓代工廠商，臺(tái)積電也有自己的煩惱，新人難留就是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2022-07-04 10:09:281740 3nm工藝是繼5nm技術(shù)之后的下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電、三星都已經(jīng)宣布了3nm的研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)可在2022年實(shí)現(xiàn)。
2022-07-07 09:44:0431031 生產(chǎn)3nm工藝的能力，其2nm晶圓廠也剛剛開工建設(shè)，而目前全球有3nm技術(shù)的代工廠只有三星和臺(tái)積電兩家，其中三星的3nm工藝在上個(gè)月底已經(jīng)開始量產(chǎn)了，而臺(tái)積電的3mn也將會(huì)在今年下半年量產(chǎn)。 基辛格本次前往臺(tái)積電的主要目的很有可能便是獲得臺(tái)積電3nm的產(chǎn)能。目前已經(jīng)預(yù)定臺(tái)積電3nm產(chǎn)
2022-07-11 17:26:551968 在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域，三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭，不過在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片，在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周，三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示，這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102256 今日，三星正式宣布了第一批3nm芯片出貨的消息，首位客戶是一家中國(guó)企業(yè)。 今天上午，三星在首爾舉辦了發(fā)貨儀式，多位高管出席，儀式上正式宣布了首批3nm芯片出貨，并表示首位客戶是一家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯
2022-07-25 16:25:143213 7月25日上午，三星在韓國(guó)首爾南部的華城舉辦典禮，宣布首批3nm芯片正式出貨。
2022-07-26 10:15:582923 臺(tái)積電日前因?yàn)镮ntel幾乎取消明年的3nm訂單一事備受熱議，這被視為3nm工藝的一次打擊，不過對(duì)三星來(lái)說這倒是好事，韓國(guó)媒體爆料稱三星的3nm客戶量已經(jīng)翻倍了，現(xiàn)在有第二家廠商在用。 三星在6月
2022-08-11 08:53:311958 蘋果的A17處理器采用臺(tái)積電的3nm工藝制造，該工藝使用當(dāng)前成熟的FinFET而不是GAA技術(shù)，與三星的3nm工藝相比，GAA技術(shù)略顯保守。臺(tái)積電相信目前的FinFET工藝具有更好的成本和能效。
2022-08-18 10:03:374484 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開帷幕。
2022-08-18 11:57:192174 三星確實(shí)也在緊追臺(tái)積電的步伐，去年也量產(chǎn)了4nm芯片，高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產(chǎn)。
2022-09-21 11:54:421196 據(jù)報(bào)道，將于2023年下半年推出的iPhone15系列將搭載蘋果A17仿生芯片，本芯片將有臺(tái)積電代工，采用3nm工藝。據(jù)了解，目前唯一能與臺(tái)積電在先進(jìn)技術(shù)上競(jìng)爭(zhēng)的是三星電子，然而三星在3nm工藝制程上落后臺(tái)積電，三星第二代3nm工藝最快要到2024年，因此蘋果A17將由臺(tái)積電代工。
2022-10-10 15:20:563517 從一些公開的信息來(lái)看，三星看似在3nm制程節(jié)點(diǎn)上先行一步，但實(shí)際生產(chǎn)良率也難盡人意。 據(jù)悉，三星電子3納米芯片首家客戶是來(lái)自中國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)PanSemi（磐矽半導(dǎo)體），后者據(jù)稱是一家專門生產(chǎn)比特幣挖礦機(jī)芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630 芯片晶圓代工產(chǎn)品舉行了出廠儀式。才過4個(gè)月不到，韓國(guó)媒體Naver就爆出，三星3nm制程的良率非常低，不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的良率問題也遲遲沒有得到改善。 其實(shí)，三星電子從2000年初就已經(jīng)開始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開始，將其正式應(yīng)用到3納米工藝，并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455 “3nm和5nm同期良率相當(dāng)，也已經(jīng)客戶共同開發(fā)新產(chǎn)品并大量生產(chǎn)。”相較于5nm技術(shù)，3nm密度增加60%，相同速度下功耗降低30%-35%，臺(tái)積電指出：“這是世界上最先進(jìn)的技術(shù)。”
2022-12-30 11:31:101944 目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺(tái)積電的80%。然而，通過加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:424327 大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級(jí)、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒有無(wú)晶圓廠芯片設(shè)計(jì)商證實(shí)其產(chǎn)品使用了該節(jié)點(diǎn)。
2023-07-19 17:13:331817 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:003104 
一篇拆解報(bào)告，稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290 根據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)稱臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋果收取良品芯片的費(fèi)用！
2023-08-08 15:59:271872 三星向中國(guó)客戶提供了第一個(gè)3nm gaa，但新的報(bào)告顯示，這些芯片的實(shí)際形態(tài)并不完整，缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉，由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片，因此三星轉(zhuǎn)包工廠的收益率只有臺(tái)灣產(chǎn)產(chǎn)的50%。3nm gaa雖然比f(wàn)infet優(yōu)秀，但在生產(chǎn)效率上存在問題。
2023-10-12 10:10:201487 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司ad technology于10月10日宣布，與海外客戶簽訂了利用gaa（全環(huán)繞柵極）結(jié)構(gòu)的3nm基礎(chǔ)2.5d服務(wù)器芯片設(shè)計(jì)合同，并委托三星進(jìn)行設(shè)計(jì)。使用sip封裝工藝整合hbm高帶寬內(nèi)存。
2023-10-17 14:18:001534 
內(nèi)情人士透露，AMD採(cǎi)用Zen 5c架構(gòu)的新一代芯片包含眾多型號(hào)，其中低階芯片將由三星4nm制程代工，高階芯片則由臺(tái)積電3nm制程代工。業(yè)界認(rèn)為臺(tái)積電3nm制程技術(shù)在完整性、整合度及效能表現(xiàn)上還不夠成熟，因此對(duì)AMD而言三星4nm制程與臺(tái)積電3nm制程技術(shù)相當(dāng)。
2023-11-17 16:37:291129 據(jù)報(bào)道，三星預(yù)計(jì)在未來(lái)6個(gè)月時(shí)間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
2024-01-29 15:52:001249 來(lái)源：EETOP，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報(bào)道，表示三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機(jī)的Exynos
2024-02-04 09:31:131431 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念，并沒有明確指出具體的工藝類型。知情者透露，盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過60%
2024-03-07 15:59:191611 李時(shí)榮聲稱，“客戶對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求，而4
nm工藝已步入成熟
良率階段。我們正積極籌備后半年第二代
3nm工藝及明年2
nm工藝的量產(chǎn)，并積極與潛在客戶協(xié)商?！?/div>
2024-03-21 15:51:431104 在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域，三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進(jìn)步，預(yù)計(jì)本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā)；此外，4nm工藝的良率亦逐漸穩(wěn)定。
2024-04-30 16:16:461146 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around（GAA）工藝的片上系統(tǒng)（SoC），預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24:321250 據(jù)行業(yè)內(nèi)部可靠消息，三星已成功完成了其先進(jìn)的3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）的設(shè)計(jì)，并通過自家代工部門實(shí)現(xiàn)了這一重要產(chǎn)品的首次流片。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)突破，也進(jìn)一步
2024-05-09 09:32:48851 三星電子近日宣布，將在7月的巴黎Galaxy Unpacked活動(dòng)中，向全球展示其最新研發(fā)的3nm技術(shù)芯片Exynos W1000。這款尖端芯片將首次應(yīng)用于下一代Galaxy系列智能手表Galaxy Watch7和高端智能手機(jī)Galaxy S25，標(biāo)志著三星在智能設(shè)備核心技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。
2024-05-14 10:27:39776 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期全球芯片制造巨頭臺(tái)積電面臨了3nm系列工藝產(chǎn)能的激烈競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)悉，蘋果、高通、英偉達(dá)和AMD這四大科技巨頭已經(jīng)率先瓜分完了臺(tái)積電當(dāng)前的3nm系列工藝產(chǎn)能，導(dǎo)致其他廠商不得不排隊(duì)競(jìng)購(gòu)，目前相關(guān)訂單已經(jīng)排至2026年。
2024-06-12 10:47:461263 近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星在其1b nm（即12nm級(jí)）DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前，該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%，僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面，三星已在上月成立了專門的工作組，致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408 近日，全球芯片代工領(lǐng)域掀起了不小的波瀾。據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電在3nm制程的芯片代工價(jià)格上調(diào)5%之后，依然收獲了供不應(yīng)求的訂單局面。而與此同時(shí)，韓國(guó)的三星電子在3nm工藝上卻遭遇了前所未有的尷尬，其3nm工藝至今未能獲得任何大客戶的青睞。
2024-06-22 14:23:431704 近期，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn)，其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)良率持續(xù)低迷，目前仍低于20%，遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星半導(dǎo)體制造能力的質(zhì)疑，同時(shí)也使得該芯片未來(lái)能否順利應(yīng)用于Galaxy S25系列旗艦智能手機(jī)充滿了不確定性。
2024-06-24 18:22:362240 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071411 據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002 及M3系列處理器，都會(huì)導(dǎo)入臺(tái)積電3nm芯片。 ? 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前，三星已經(jīng)在今年6月30日宣布，其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片，據(jù)外媒報(bào)道，三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片，定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星的3nm之爭(zhēng)似
2022-08-18 08:25:003948 ，導(dǎo)致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝，然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ? 三星第二代SF3工藝進(jìn)展不如預(yù)期 今年初，有知情人士向韓媒透露，三星已經(jīng)開始試產(chǎn)自己第二代SF3工藝，被視為該公司發(fā)展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004952 
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