1.傳三星3納米工藝平臺第三款產(chǎn)品投片
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外媒報道,盡管受NAND和DRAM市場拖累,三星電子業(yè)績暴跌,但該公司已開始生產(chǎn)其第三個3nm芯片設(shè)計,產(chǎn)量穩(wěn)定。根據(jù)該公司二季度報告,當季三星營收大幅下降,同比下降22%至469.15億美元,三星半導(dǎo)體部門(包括內(nèi)存、SoC和代工業(yè)務(wù))的營收下降至298.6億美元,同比下降48%,業(yè)務(wù)虧損34億美元。作為三星收益報告的一部分,該公司還透露其第三款3nm(GAAFET)芯片已開始生產(chǎn):“得益于3nm工藝的穩(wěn)定,我們的第三款GAA產(chǎn)品的量產(chǎn)工作進展順利,我們正在根據(jù)GAA的量產(chǎn)經(jīng)驗按計劃開發(fā)3nm的改進工藝。”
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2. AMD、博通等巨頭發(fā)起超以太網(wǎng)聯(lián)盟
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據(jù)外媒報道,Linux基金會日前宣布該組織將監(jiān)督一個新的以太網(wǎng)聯(lián)盟組建,創(chuàng)始成員包括AMD、Arista、博通、Cisco、Eviden、HPE、Intel、Meta和微軟等行業(yè)巨頭,在創(chuàng)始成員的支持下,新的超以太網(wǎng)聯(lián)盟(Ultra Ethernet Consortium)將致力于改進以太網(wǎng)技術(shù),以滿足HPC和AI系統(tǒng)所需的低延遲和可擴展性要求。報道稱,新團隊的首要任務(wù)將是定義和開發(fā)他們所謂的超以太網(wǎng)傳輸(UET)協(xié)議,這是一種新的以太網(wǎng)傳輸層協(xié)議,將更好地滿足人工智能和高性能計算工作負載的需求。
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3. 傳標準款iPhone 15售價將不漲反降
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近日,有關(guān)蘋果iPhone 15系列“漲”聲響起的爆料頻頻傳出。據(jù)英國巴克萊銀行分析師Tim Long的預(yù)測說法,iPhone 15 系列的四款機型之中,僅有兩款高端旗艦的Pro系列,售價會比前代提高100美元至200美元。值得注意的是,針對平價版雙鏡頭iPhone 15 兩款機型的上市價格,外媒 Macworld則是持不同的看法指出,為了加大與高端旗艦版iPhone 15 Pro 機型的差異化,以及去年推出iPhone 14 Plus 的銷量不如預(yù)期等考量,蘋果在面向平價版iPhone 15 機型方面,或有可能改為采用“不漲反降”的罕見舉措。
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4. 韋丹塔董事長:2年半內(nèi)造芯片
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Vedanta(韋丹塔)董事長阿尼爾·阿加瓦爾(Anil Agarwal)并沒有被富士康退出價值200億美元的半導(dǎo)體制造合資企業(yè)嚇倒,他近日表示,Vedanta芯片制造項目的第一階段將在2年半內(nèi)準備就緒。鴻??萍技瘓F本月早些時候退出了與 Vedanta 的芯片制造合資企業(yè),并表示打算根據(jù)政府的半導(dǎo)體生產(chǎn)計劃重新申請激勵措施。
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5. vivo 推出 6nm 自研影像芯片 V3,安卓首發(fā) 4K 電影人像視頻
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vivo舉行了 vivo 影像盛典特別活動,正式推出全新自研影像芯片 V3。據(jù)介紹,V3 首次采用 6nm 制程工藝,能效較上代提升了 30%。全新設(shè)計的多并發(fā) AI 感知-ISP 架構(gòu)和第二代 FIT 互聯(lián)系統(tǒng),降低功耗并顯著提升了算法效果;同時能夠靈活切換算法的部署方式,做到 V 芯片和 SoC 的無縫銜接。在 V3 芯片的加持下,vivo 還推出安卓首發(fā)的 4K 電影人像視頻,號稱能夠?qū)崿F(xiàn)電影級焦外散景虛化、電影級膚質(zhì)優(yōu)化和色彩處理;并且還首次實現(xiàn)了安卓平臺 4K 級的拍后編輯功能,用戶可以先拍攝。
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6. 受美國通脹削減法案影響,LG化學(xué)決定年內(nèi)在美國投資電池隔膜
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據(jù)報道,LG化學(xué)宣布,今年內(nèi)將投資美國隔膜業(yè)務(wù),并于2027年建立本土隔膜供應(yīng)體系。LG化學(xué)在2019年第二季度財報公布后舉行的電話會議上表示:“對于隔膜業(yè)務(wù),LG化學(xué)正在推動客戶多元化,同時在美國隔膜國產(chǎn)化的前提下與客戶討論適當?shù)纳a(chǎn)規(guī)模?!?月27日,“根據(jù)美國通脹削減法案(IRA),從2029年開始,電池零部件必須在美國實現(xiàn)100%國產(chǎn)化,因此我們將在今年內(nèi)確認對美國隔膜國產(chǎn)化的投資?!?br />
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今日看點丨傳三星3納米工藝平臺第三款產(chǎn)品投片;vivo 推出 6nm 自研影像芯片 V3
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1010三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
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1106等離子彩電三星V3屏維修資料
三星V3屏電源,在電路上設(shè)計有熱地和冷地部分。檢修熱地時一定要注意,為防止被電擊,有條件的話最好使用1∶1隔離變壓器檢修電源板。板子上的散熱片上有感嘆號和閃電標記的是熱
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三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商,自己一家就占據(jù)了47.5%的份額,遠高于SK Hynix和美光。不僅如此,三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家,去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
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2704三星減少7nm生產(chǎn)線投資直奔6nm工藝 2019年三星將成最領(lǐng)先的芯片制造商
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1203傳三星要自行研發(fā)GPU 自研GPU的好處是什么
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2198三星推出基于10nm工藝的3GPP Release 15的5G基帶芯片
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2018-08-29 16:27:37
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4671三星電子推出30納米級低功率1.25V服務(wù)器
關(guān)鍵詞:30納米級 , RDIMM , 三星電子 日前,三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級企業(yè)服務(wù)器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM
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669三星發(fā)布第二款采用8nm工藝打造的SoC芯片
繼Exynos 9820后,三星電子今天(1月3日)發(fā)布第二款采用8nm工藝打造的SoC芯片產(chǎn)品。
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4205三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片
3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
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3840三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm級工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)
三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:16
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4320三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)
關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
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592三星宣布成功完成基于EUV的5nm制程開發(fā) 彰顯科技引領(lǐng)力
實現(xiàn)更小面積的芯片和超低功耗,并已準備好為客戶提供樣品,再次彰顯了其在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。此前,三星已實現(xiàn)7nm工藝的批量生產(chǎn)和客戶定制的6nm工藝的產(chǎn)品流片(Tape-out),并將于4月份內(nèi)實現(xiàn)7nm的出貨。 建設(shè)中的華城EUV廠鳥瞰圖(截止2019年3月) 據(jù)悉,與其第一代
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5070三星芯片代工計劃曝光 6nm 5nm和4nm紛紛面世
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5045三星開始批量生產(chǎn)6納米芯片,縮小與臺積電差距
三星于去年4月向全球客戶提供7納米產(chǎn)品,自開始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來,三星僅在八個月內(nèi)就推出了6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級周期正在縮短,特別是向6納米EUV工藝的過渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺積電(TSMC)的差距。
2020-01-06 11:40:03
3622
3622三星6nm工藝已量產(chǎn)出貨,3nm GAE工藝也將研發(fā)完成
由于在7nm節(jié)點激進地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后,三星已經(jīng)加快了新工藝的進度,日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨,今年還會完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:07
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3849三星6nm工藝量產(chǎn)已出貨,3nm GAE工藝即將問世
由于在7nm節(jié)點激進地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:03
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3601三星6nm獲高通訂單,因臺積電先進工藝產(chǎn)能供不應(yīng)求?
經(jīng)濟日報引述供應(yīng)鏈消息指出,三星6nm量產(chǎn)并奪得高通大單,是因為降價策略奏效。臺積電對此不愿評論,投顧業(yè)內(nèi)人士則認為,主因是臺積電先進制程產(chǎn)能供不應(yīng)求,訂單外溢。
2020-01-07 16:06:54
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2977高通發(fā)布第三代5G基帶芯片 首發(fā)三星5nm工藝
高通昨晚發(fā)布了第三代5G基帶芯片——驍龍X50,使用的是5nm工藝。高通對5nm工藝的代工廠來源守口如瓶,不過外媒報道稱驍龍X60首發(fā)了三星的5nm工藝。
2020-02-19 15:09:36
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3574三星6nm和7nm EUV開始批量生產(chǎn)
根據(jù)三星的計劃,到2020年底,V1生產(chǎn)線的累計總投資將達到60億美元,預(yù)計7nm及以下工藝節(jié)點的總產(chǎn)能將比2019年增長三倍,目前的計劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動芯片。
2020-02-21 09:00:35
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2667受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期
近日,DigiTimes在一份報告中稱,三星3nm工藝量產(chǎn)時間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:49
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2452三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實現(xiàn)
據(jù)國外媒體報道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點,三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。
2020-04-07 17:43:51
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2636三星3nm工藝投產(chǎn)延遲,新技術(shù)讓芯片功耗下降約50%
4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm 工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:14
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3230三星直接跳過4nm先進工藝,將要批量生產(chǎn)3nm工藝
,轉(zhuǎn)而批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這一舉動可能使三星領(lǐng)先臺積電,但這也充滿了風險。 三星跳過了最初計劃投*資的 4nm 高級工藝,而完全放棄了其投*資計劃。這個決定最終可能會在其領(lǐng)域花費大量的客戶訂單,但是同時這可能是因為跳過了一代芯片技術(shù),其他技術(shù)的開
2020-07-08 16:07:21
2550
2550
三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片
EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:29
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3544傳三星正研發(fā)自研芯片電腦:5納米工藝 預(yù)計2021年上市
據(jù)外媒wccftech報道,三星被傳出正在研發(fā)Exynos 1000芯片,有可能用于即將推出的Windows PC。這款處理器預(yù)計采用5nm工藝制造
2020-07-24 17:19:09
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2554揭秘3nm GAE MBCFET 芯片的制造細節(jié)
MBCFET 工藝使用納米片構(gòu)造晶體管,三星已經(jīng)為 MBCFET 注冊了商標。三星表示,這兩種方式都可以實現(xiàn) 3nm,但取
2021-03-15 16:56:45
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5166三星推出首款5nm工藝芯片
基于最新的5nm EUV FinFET工藝制造的處理器。在發(fā)布會上,三星電子系統(tǒng)LSI還宣布,vivo將首發(fā)搭載Exynos 1080處理器的終端產(chǎn)品。 三星電子系統(tǒng)LSI營銷高級副總裁Dongho
2020-11-12 16:48:02
2150
2150三星發(fā)布5nm工藝芯片Exynos 1080 將搭載在vivo終端產(chǎn)品上首發(fā)
11 月 12 日,三星在上海正式發(fā)布基于 5nm EUV FinFET 工藝制造的移動處理器芯片 Exynos 1080,且該芯片將搭載在 vivo 的終端產(chǎn)品上進行首發(fā)。 據(jù)三星電子系統(tǒng) LSI
2020-11-19 14:24:34
2240
2240三星在5nm工藝能否與臺積電一較高下?
三星在上海正式發(fā)布旗下首款采用5nm工藝制程的手機處理器Exynos 1080,這是繼蘋果A14、海思麒麟9000之后,全球第三款5nm AP,也是業(yè)界第二款集成5G基帶的5nm SoC。
2020-11-20 09:57:24
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12277Exynos1080推出,三星手機芯片步入正軌
成為全球繼華為、蘋果之后,第三家推出 5nm 制程 5G 芯片的廠商。 自 2019 年初三星與 vivo 就手機移動處理器達成意向后,三星手機芯片演進路線一直在提速。2019 年年底,三星聯(lián)合
2020-11-20 11:18:22
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2735三星Galaxy S21系列機型上配備最新的Exynos 2100芯片
事實上,三星跟vivo品牌此前是有合作的,vivo的多款機型也搭載了三星的Exynos芯片,但是小米品牌似乎還沒有推出過搭載三星自研芯片的手機產(chǎn)品,還是很讓人期待的。
2021-02-04 10:11:33
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2714三星正式宣布3nm成功流片,性能將完勝臺積電
據(jù)外媒最新報道,三星宣布,3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片! 據(jù)悉,三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu),性能上完勝臺積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報導(dǎo),三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:44
4638
4638三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片
目前從全球范圍來說,也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間,據(jù)外媒報道,三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 (Gate-all-around,GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:54
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3387三星公布3nm技術(shù) 有望拿下AMD和高通兩個美國客戶
近日,根據(jù)媒體的消息報道,三星公司已經(jīng)公布了關(guān)于3nm技術(shù),并且有望拿下AMD和高通兩個美國客戶,三星公司計劃于2022年上半年開始推出3納米產(chǎn)品,目前三星公司官方表示他們已經(jīng)在開發(fā)下一代的DDR6內(nèi)存了。
2021-11-22 16:19:12
2059
2059紫光6nm芯片出現(xiàn)新突破 vivo自研芯片曝光
對于紫光展銳的6nm芯片已經(jīng)獲得了最高認證水準,這對于國產(chǎn)芯片有著重大的意義。
2022-04-01 17:40:22
14692
14692OPPO將于明年推出首款自研應(yīng)用處理器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近日,臺灣媒體報道,oppo旗下子公司上海哲庫將于明年推出首款自研AP(應(yīng)用處理器),采用臺積電6nm制程工藝,并且還將在2024年推出整合5G基帶的手機SoC(系統(tǒng)單芯片),采用臺積電4nm制程投片。
2022-04-13 13:12:35
2050
2050三星3nm芯片良品率僅達2成,與臺積電的差距更大了
與三星在芯片領(lǐng)域抗衡的臺積電將于今年下半年開始生產(chǎn)3nm的N3B芯片,并且其在3nm工藝上的技術(shù)也取得了重大突破,2023年將會生產(chǎn)增強版的N3E芯片,與三星相比,臺積電的技術(shù)進步明顯要迅速許多,三星之后是否能夠追趕上來呢? 綜合整理自 DIGITIMES 同
2022-04-18 11:40:40
3110
3110三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm
廠商都專心研究28nm DRAM芯片時,三星同樣跨過了28nm,直接開始研發(fā)25nm工藝,最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距,占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發(fā)工作。 綜合整理自 比特網(wǎng) 萬仟網(wǎng) 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:58
2244
2244三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期
三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠不及公司期望的目標。
2022-04-20 10:43:13
2740
2740三星率先實現(xiàn)3nm制程工藝量產(chǎn),或?qū)②s超臺積電
的3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn),并且三星稱之前飽受詬病的良率問題也已得到解決。 美國總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠,三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺積電,投入了大量資金進行高端制程的研
2022-05-22 16:30:31
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2676成功彎道超車!三星明天將開始量產(chǎn)3nm工藝,搶先臺積電一步占領(lǐng)市場
今日,據(jù)媒體報道,三星的3nm制程芯片將在明天開始量產(chǎn)。 作為晶圓代工界常年第二的三星,一度被臺積電壓一頭,超越臺積電也成為了三星的一個目標。這次三星把目光集中在了3nm工藝上,不僅要搶在臺積電前面
2022-06-29 17:01:53
1839
1839三星3nm芯片開始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大
日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱,其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:27
2953
2953三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠嗎
D(FinFET)的進階,4D(GAA)技術(shù)被認為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù),相較三星5納米(nm)而言,優(yōu)化的3納米(nm)工藝,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面積減少16%。 另外,每一個新工藝新制程的成本和良品率,都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:52
2069
2069三星2nm芯片最新消息
根據(jù)外媒的消息報道稱,三星電子公司近日正式宣布已開始量產(chǎn)3納米芯片,三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝,并且計劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片,以追趕臺積電。
2022-07-04 09:34:04
1907
1907三星即將公布首顆3nm芯片,或?qū)⑴まD(zhuǎn)訂單數(shù)量
在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域,三星一直都被臺積電壓了一頭,不過在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片,在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺積電了。 本周,三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示,這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:10
2259
2259三星正式宣布3nm芯片出貨,首位客戶為一家中國企業(yè)
今日,三星正式宣布了第一批3nm芯片出貨的消息,首位客戶是一家中國企業(yè)。 今天上午,三星在首爾舉辦了發(fā)貨儀式,多位高管出席,儀式上正式宣布了首批3nm芯片出貨,并表示首位客戶是一家來自中國的礦機芯片
2022-07-25 16:25:14
3214
3214三星已找到第二家3nm芯片客戶 產(chǎn)能開始供不應(yīng)求
臺積電日前因為Intel幾乎取消明年的3nm訂單一事備受熱議,這被視為3nm工藝的一次打擊,不過對三星來說這倒是好事,韓國媒體爆料稱三星的3nm客戶量已經(jīng)翻倍了,現(xiàn)在有第二家廠商在用。 三星在6月
2022-08-11 08:53:31
1958
1958三星在3nm率先使用GAA 是否更具競爭力
而在臺積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當日開始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺積電、三星的3nm之爭似乎已經(jīng)拉開帷幕。
2022-08-18 11:57:19
2174
2174三星3納米代工成本如何?3納米GAA制程良率僅20%!
從一些公開的信息來看,三星看似在3nm制程節(jié)點上先行一步,但實際生產(chǎn)良率也難盡人意。 據(jù)悉,三星電子3納米芯片首家客戶是來自中國的半導(dǎo)體企業(yè)PanSemi(磐矽半導(dǎo)體),后者據(jù)稱是一家專門生產(chǎn)比特幣挖礦機芯片的公司。
2022-11-29 15:22:07
1630
1630三星3nm良率已經(jīng)超過臺積電?
目前三星在4nm工藝方面的良率為75%,稍低于臺積電的80%。然而,通過加強對3nm技術(shù)的發(fā)展,三星有望在未來趕超臺積電。
2023-07-19 16:37:42
4328
4328三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn) 首家客戶及芯片型號被曝光
大約一年前,三星正式開始采用其 SF3E(3nm 級、早期全柵)工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片,但沒有無晶圓廠芯片設(shè)計商證實其產(chǎn)品使用了該節(jié)點。
2023-07-19 17:13:33
1818
1818三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)
一篇拆解報告,稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:57
2290
2290vivo發(fā)布6nm影像芯片V3,臺積電代工
本次活動上,vivo 全新發(fā)布 6nm 制程工藝自研影像芯片 V3,配合全新設(shè)計的多并發(fā) AI 感知 -ISP 架構(gòu)和第二代 FIT 互聯(lián)系統(tǒng),能效比相比上代提升了 30%。V3 影像芯片可以為用戶
2023-07-31 15:28:15
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2422
vivo v3芯片正式發(fā)布,使用6nm工藝
據(jù)媒體報道,vivo昨天舉行了一場vivo影像盛典特別活動?;顒由希麄冋桨l(fā)布了全新自研影像芯片V3。
2023-08-01 10:49:19
3415
3415傳三星獲谷歌Tensor G4 AP訂單 將使用第三代4nm工藝制造
新芯片將由三星sf4p(第三代4納米)工藝制作,g3將由第二代sf4工藝制作。另外,xenos 2400處理器也將使用sf4p,預(yù)計將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機器。
2023-10-31 14:25:36
1349
1349三星計劃:3年內(nèi)實現(xiàn)2納米量產(chǎn)
10月19日,韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上,三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰(zhàn)略,宣稱將在未來3年內(nèi)量產(chǎn)2納米
2023-11-01 15:07:53
988
988
三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)!
據(jù)報道,三星預(yù)計在未來6個月時間內(nèi),讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上,三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
2024-01-29 15:52:00
1250
1250三星電子3nm工藝良率低迷,始終在50%左右徘徊
據(jù)韓國媒體報道稱,三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個問題。報道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念,并沒有明確指出具體的工藝類型。知情者透露,盡管有部分分析師認為其已經(jīng)超過60%
2024-03-07 15:59:19
1611
1611三星電子開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around工藝的片上系統(tǒng)
據(jù)外媒報道,三星電子已開始量產(chǎn)其首款3nm Gate All Around(GAA)工藝的片上系統(tǒng)(SoC),預(yù)計該芯片預(yù)計將用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24:32
1250
1250今日看點丨曝三星計劃Q3對DRAM、NAND漲價15%~20%;傳蘋果將大砍一半產(chǎn)線員工
1. 傳三星計劃Q3 對DRAM 、NAND 漲價15%~20% ,現(xiàn)已通報客戶 ? 6月26日,多家媒體報道稱,三星計劃于第三季度把動態(tài)隨機存儲器(DRAM)、NAND的價格上調(diào)15%~20
2024-06-27 11:02:40
755
755今日看點丨臺積電3納米助攻 Google自研手機芯片進入流片階段;傳豐田尋求在上海生產(chǎn)電動汽車
是Google首款完全自主設(shè)計的手機芯片。此前四代Tensor芯片都是基于三星Exynos平臺進行修改及客制;而Tensor G5不僅采用Google自主的架構(gòu)設(shè)計,還將使用臺積電最新的3納米制程工藝
2024-07-01 10:41:19
1018
1018三星電子發(fā)布為可穿戴設(shè)備設(shè)計的首款3納米工藝芯片
近日,三星電子震撼發(fā)布了其專為可穿戴設(shè)備設(shè)計的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000,標志著該公司在微型芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。這款尖端芯片采用了三星獨有的3nm GAA(環(huán)繞柵極)技術(shù)
2024-07-05 16:07:10
2556
2556榮耀Magic V3發(fā)布,搭載第三代驍龍8移動平臺
今日,榮耀召開Magic旗艦新品發(fā)布會,正式發(fā)布了全新輕薄折疊屏榮耀Magic V3和榮耀Magic Vs3,以及榮耀平板MagicPad 2等新品。其中榮耀Magic V3搭載第三代驍龍8移動平臺
2024-07-14 09:56:03
2486
2486三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),相比第二代3nm工藝,性能提升5%,功耗效率提高8%,芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:34
1120
1120傳三星5nm“翻車”?先進工藝恐欲速不達
自蘋果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來,臺積電成功在2020年率先成為5nm工藝量產(chǎn)出貨的代工廠。但同樣擁有頂尖工藝的三星也不甘落后,先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100三款芯片。盡管力求后發(fā)制人,但三星的5nm之路依舊并非一帆風順。
2021-01-20 03:53:00
4130
4130臺積電3nm今年底投片,蘋果成第一家客戶!三星GAA和臺積電FinFET,誰更有競爭力?
及M3系列處理器,都會導(dǎo)入臺積電3nm芯片。 ? 而在臺積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當日開始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺積電、三星的3nm之爭似
2022-08-18 08:25:00
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