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今日看點(diǎn)丨傳三星3納米工藝平臺(tái)第三款產(chǎn)品投片;vivo 推出 6nm 自研影像芯片 V3

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三星使用EUV成功完成5nm FinFET工藝開(kāi)發(fā)

16日,三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展,包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶(hù)流,以及成功完成5nm FinFET工藝的開(kāi)發(fā)。 三星電子宣布其5納米nm)FinFET工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)
2019-04-18 15:48:477186

三星已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)6nm芯片

1月7日消息,三星電子已開(kāi)始批量生產(chǎn)基于極紫外(EUV)技術(shù)的6nmnm)半導(dǎo)體芯片。該公司開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來(lái),僅在八個(gè)月內(nèi)就推出6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短
2020-01-07 12:03:104766

三星計(jì)劃在未來(lái)將公布個(gè)工藝,挑戰(zhàn)臺(tái)積電

我們應(yīng)當(dāng)知道的是,三星目前還沒(méi)有推出很多10nm工藝產(chǎn)品:只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911

華為第三款5G SoC芯片麒麟985發(fā)布,采用7nm工藝

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三星發(fā)布5nm芯片Exynos 2100

1月12日晚間,三星舉辦了全球線(xiàn)上發(fā)布會(huì),正式發(fā)布了 5nm 芯片 Exynos 2100。Exynos 2100 是三星集成 5G 的移動(dòng)芯片組,基于 5nm EUV 工藝。與采用 7nm 工藝的前代產(chǎn)品相比,Exynos 2100 功耗降低 20%,整體性能提高了 10%。
2021-01-13 11:06:103593

消息稱(chēng)三星5nm等部分工藝良率低于50%,三星沒(méi)否認(rèn)

5nm工藝。不過(guò),最近有消息傳出,三星遇到麻煩了,其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子華城園區(qū)V1廠(chǎng),最近面臨晶圓代工良率改善難題,5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠(chǎng),其中V1為EUV專(zhuān)用廠(chǎng),于201
2021-07-05 18:35:594333

今日看點(diǎn)高通第二代驍龍4芯片發(fā)布,由臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星代工;華為明年將發(fā)布端到端 5.5G 商用產(chǎn)品

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千億美元打水漂,三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

次公開(kāi)了 SF1.4(1.4nm 級(jí)別)工藝,原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法,SF1.4 將納米的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè),有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星
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三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

較為激進(jìn)的技術(shù)路線(xiàn),以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
2025-04-18 10:52:53

三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱(chēng),三星此次試制出了20nm工藝的DRAM,并表示可以“采用同樣的方法,達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01

三星手機(jī)RFID讀取芯片

三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

借力意法FD-SOI 三星eMRAM進(jìn)駐MCU早有計(jì)劃

的eMRAM模塊,只要增加3個(gè)掩模,就可以集成到芯片制造過(guò)程的后端。因此,該模塊被允許插入使用批量、FinFET或FD-SOI制造工藝生產(chǎn)的芯片中,而不一定取決于所使用的前端制造技術(shù)。 由此也可以看出,三星
2023-03-21 15:03:00

友堅(jiān)官方研發(fā)三星四核安卓4.4系統(tǒng)S5P4418開(kāi)源硬件三星指定平板產(chǎn)品的IDH產(chǎn)品

是深圳市友堅(jiān)恒興科技有限公司基于三星平板方案設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),結(jié)合廣泛調(diào)開(kāi)設(shè)計(jì)的一S5P4418處理器開(kāi)發(fā)板。該方案基于三星新一代28nm從CortexA9四核CPU的開(kāi)發(fā)平臺(tái)。整合了目前工業(yè)、消費(fèi)、車(chē)載等行業(yè)
2016-07-01 14:04:09

展訊稱(chēng)三星功能機(jī)使用其基帶芯片

  北京時(shí)間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息,展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布,基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩三星手機(jī)E1282(GT-E1282T
2012-11-09 15:43:30

蘋(píng)果射頻芯片?OPPONPU芯片!芯片的國(guó)產(chǎn)替代需要跨越個(gè)誤區(qū)!

。該芯片基于DSA架構(gòu)和臺(tái)積電先進(jìn)6nm工藝制造,通過(guò)AI算力與算法的結(jié)合,在高分辨、高色數(shù)無(wú)損成像、AI算法和HDR動(dòng)態(tài)范圍等方面,將手機(jī)計(jì)算影像的表現(xiàn)推上了一個(gè)新的臺(tái)階。系統(tǒng)廠(chǎng)商、終端廠(chǎng)商芯片
2022-01-02 08:00:00

蘋(píng)果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!

和14nm芯片。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺(tái)積電獨(dú)得訂單,恐怕與去年的“芯片門(mén)事件”有關(guān)。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片,就是由臺(tái)積電(16nm制程工藝)和三星(14nm
2016-07-21 17:07:54

PDP4218三星V3屏電源工作原理及時(shí)序

PDP4218 三星V3 屏電源工作原理及時(shí)序簡(jiǎn)介康佳生產(chǎn)的等離子電視PDP4218、PDP4208 等用的是三星V3 屏,因已經(jīng)過(guò)保修期限,其電源已到維修高峰期,本文就V3 屏等離子電源的組成、
2010-03-07 15:46:0184

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠(chǎng)商三星電子周一稱(chēng),30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片  三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。   這種內(nèi)存芯片
2010-02-26 11:33:421106

等離子彩電三星V3屏維修資料

三星V3屏電源,在電路上設(shè)計(jì)有熱地和冷地部分。檢修熱地時(shí)一定要注意,為防止被電擊,有條件的話(huà)最好使用1∶1隔離變壓器檢修電源板。板子上的散熱上有感嘆號(hào)和閃電標(biāo)記的是熱
2011-06-16 09:54:192819

三星 I9308 解鎖及修復(fù) IMEI 教程 V3

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2014-10-12 23:37:300

vivo發(fā)布6nm制程影像芯片V3

行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2023-07-31 11:17:20

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商,自己一家就占據(jù)了47.5%的份額,遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此,三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家,去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704

三星減少7nm生產(chǎn)線(xiàn)投資直奔6nm工藝 2019年三星將成最領(lǐng)先的芯片制造商

根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日前有內(nèi)部人士表示,三星已經(jīng)開(kāi)始計(jì)劃在2019年使用6nm工藝制造移動(dòng)芯片,而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產(chǎn)線(xiàn)的投資。據(jù)悉,三星計(jì)劃在今年安裝兩全新的光刻機(jī),并且計(jì)劃在2018年繼續(xù)追加投資7臺(tái),這樣就將為未來(lái)制造工藝的提升提供了支持,同時(shí)還能大幅提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
2017-06-28 10:40:551203

三星要自行研發(fā)GPU GPU的好處是什么

記者調(diào)查可知,三星目前正在招募GPU的技術(shù)研發(fā)人才,計(jì)劃要自己研發(fā)GPU,三星強(qiáng)大的芯片研發(fā)實(shí)力證明自行研發(fā)GPU是完全沒(méi)問(wèn)題的。但是有人不解GPU能夠給三星帶來(lái)什么樣的好處。
2017-12-28 14:24:332198

三星推出基于10nm工藝3GPP Release 15的5G基帶芯片

三星電子發(fā)布了其第一5G基帶處理器Exynos Modem 5100,據(jù)稱(chēng)這是世界上首完全兼容3GPP Release 15的5G基帶芯片。這款基于10nm工藝的基帶芯片能夠在單芯片上支持5G及傳統(tǒng)移動(dòng)服務(wù)(全網(wǎng)通)。
2018-08-29 16:27:374671

三星電子推出30納米級(jí)低功率1.25V服務(wù)器

關(guān)鍵詞:30納米級(jí) , RDIMM , 三星電子 日前,三星電子在電子行業(yè)首次推出了采用30納米級(jí)企業(yè)服務(wù)器1.25V 16GB(千兆) DDR3(Double Data Rate 3) RDIMM
2019-01-04 00:09:02669

三星發(fā)布第二采用8nm工藝打造的SoC芯片

繼Exynos 9820后,三星電子今天(1月3日)發(fā)布第二采用8nm工藝打造的SoC芯片產(chǎn)品。
2019-01-04 14:24:244205

三星宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840

三星電子將開(kāi)發(fā)首基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592

三星宣布成功完成基于EUV的5nm制程開(kāi)發(fā) 彰顯科技引領(lǐng)力

實(shí)現(xiàn)更小面積的芯片和超低功耗,并已準(zhǔn)備好為客戶(hù)提供樣品,再次彰顯了其在晶圓代工領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。此前,三星已實(shí)現(xiàn)7nm工藝的批量生產(chǎn)和客戶(hù)定制的6nm工藝產(chǎn)品(Tape-out),并將于4月份內(nèi)實(shí)現(xiàn)7nm的出貨。 建設(shè)中的華城EUV廠(chǎng)鳥(niǎo)瞰圖(截止2019年3月) 據(jù)悉,與其第一代
2019-04-18 20:48:54636

3nm!緊逼臺(tái)積電,三星挑戰(zhàn)摩爾定律極限

三星也在加大先進(jìn)工藝的追趕,目前的路線(xiàn)圖已經(jīng)到了3nm工藝節(jié)點(diǎn),下周三星就會(huì)宣布3nm以下的工藝路線(xiàn)圖,緊逼臺(tái)積電,而且會(huì)一步步挑戰(zhàn)摩爾定律極限。
2019-05-12 11:50:075054

三星預(yù)計(jì)在2021年推出3納米制程產(chǎn)品 未來(lái)將與臺(tái)積電及英特爾進(jìn)行抗衡

。根據(jù)三星表示,其將推出3 納米制程產(chǎn)品將比當(dāng)前的 7 納米制程產(chǎn)品效能提升 35%,能耗也再降低 50%,而且芯片的面積也再減少 45%。
2019-05-15 16:38:323925

三星發(fā)布3nm節(jié)點(diǎn)工藝!GAAFET!

三星3nm工藝節(jié)點(diǎn)采用的GAAFET晶體管是什么?
2019-05-17 15:38:5412185

一圖看懂三星14nm工藝3nm工藝的區(qū)別

在上周的美國(guó)SFF晶圓代工論壇上,三星發(fā)布了新一代的邏輯工藝路線(xiàn)圖,2021年就要量產(chǎn)3nm工藝了,而且首發(fā)使用新一代GAA晶體管工藝,領(lǐng)先對(duì)手臺(tái)積電1年時(shí)間,領(lǐng)先Intel公司至少2-3年時(shí)間。
2019-05-20 16:43:4512335

三星用 GAA工藝挑戰(zhàn)物理極限 推進(jìn)3nm工藝

三星率先發(fā)布3nm工藝路線(xiàn)圖,領(lǐng)先于臺(tái)積電和英特爾。
2019-05-30 15:48:435340

三星發(fā)布新一代3nm閘極全環(huán)工藝 在GAA工藝上獲得領(lǐng)先地位

發(fā)布了新一代3nm閘極全環(huán)(GAA,Gate-All-Around)工藝。與7nm技術(shù)相比,三星3GAE工藝將減少45%的面積,降低50%的功耗,提升35%的性能。三星表示第一批3nm芯片主要面向智能手機(jī)及其他移動(dòng)設(shè)備。
2019-05-30 15:53:464391

新思科技助力三星5nm/4nm/3nm工藝再加速

近日,全球知名的EDA工具廠(chǎng)商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破,這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070

三星芯片代工計(jì)劃曝光 6nm 5nm和4nm紛紛面世

去年10月,三星芯片工廠(chǎng)正式開(kāi)始使用其7LPP(7nm低功耗+)制造工藝生產(chǎn)芯片,此后并未放緩其制造技術(shù)的發(fā)展。該公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP(6nm低功耗+)技術(shù)開(kāi)始批量生產(chǎn)芯片
2019-08-06 15:43:164128

三星將于今年內(nèi)完成4nm工藝開(kāi)發(fā) 2020年完成3nm工藝開(kāi)發(fā)

盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn),但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議,公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展,其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。
2019-09-12 10:44:033454

三星3nm制程2022年量產(chǎn),整體表現(xiàn)比預(yù)期好

報(bào)道稱(chēng),與三星電子的5nm工藝相比,3nm制程能將芯片尺寸縮小35%,功耗降低50%,性能提升30%。
2020-01-03 16:18:164372

三星3納米芯片面積比5納米縮小35%以上

三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開(kāi)發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠(chǎng),并聽(tīng)取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告,他還與三星電子半導(dǎo)體部門(mén)社長(zhǎng)團(tuán)討論了新一代半導(dǎo)體戰(zhàn)略。
2020-01-06 10:42:585045

三星開(kāi)始批量生產(chǎn)6納米芯片,縮小與臺(tái)積電差距

三星于去年4月向全球客戶(hù)提供7納米產(chǎn)品,開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)7納米產(chǎn)品以來(lái),三星僅在八個(gè)月內(nèi)就推出6納米產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短,特別是向6納米EUV工藝的過(guò)渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電(TSMC)的差距。
2020-01-06 11:40:033622

三星6nm工藝已量產(chǎn)出貨,3nm GAE工藝也將研發(fā)完成

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后,三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度,日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨,今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073849

三星6nm工藝量產(chǎn)已出貨,3nm GAE工藝即將問(wèn)世

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601

三星6nm獲高通訂單,因臺(tái)積電先進(jìn)工藝產(chǎn)能供不應(yīng)求?

經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)引述供應(yīng)鏈消息指出,三星6nm量產(chǎn)并奪得高通大單,是因?yàn)榻祪r(jià)策略奏效。臺(tái)積電對(duì)此不愿評(píng)論,顧業(yè)內(nèi)人士則認(rèn)為,主因是臺(tái)積電先進(jìn)制程產(chǎn)能供不應(yīng)求,訂單外溢。
2020-01-07 16:06:542977

高通發(fā)布第三代5G基帶芯片 首發(fā)三星5nm工藝

高通昨晚發(fā)布了第三代5G基帶芯片——驍龍X50,使用的是5nm工藝。高通對(duì)5nm工藝的代工廠(chǎng)來(lái)源守口如瓶,不過(guò)外媒報(bào)道稱(chēng)驍龍X60首發(fā)了三星的5nm工藝
2020-02-19 15:09:363574

三星6nm和7nm EUV開(kāi)始批量生產(chǎn)

根據(jù)三星的計(jì)劃,到2020年底,V1生產(chǎn)線(xiàn)的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元,預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)倍,目前的計(jì)劃是在第一季度開(kāi)始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。
2020-02-21 09:00:352667

受疫情影響 三星3nm工藝量產(chǎn)或延期

近日,DigiTimes在一份報(bào)告中稱(chēng),三星3nm工藝量產(chǎn)時(shí)間可能已經(jīng)延期至2022年。
2020-04-07 08:39:492452

三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實(shí)現(xiàn)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn),三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝
2020-04-07 17:43:512636

三星3nm工藝投產(chǎn)延遲,新技術(shù)讓芯片功耗下降約50%

4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230

三星直接跳過(guò)4nm先進(jìn)工藝,將要批量生產(chǎn)3nm工藝

,轉(zhuǎn)而批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這一舉動(dòng)可能使三星領(lǐng)先臺(tái)積電,但這也充滿(mǎn)了風(fēng)險(xiǎn)。 三星跳過(guò)了最初計(jì)劃*資的 4nm 高級(jí)工藝,而完全放棄了其*資計(jì)劃。這個(gè)決定最終可能會(huì)在其領(lǐng)域花費(fèi)大量的客戶(hù)訂單,但是同時(shí)這可能是因?yàn)樘^(guò)了一代芯片技術(shù),其他技術(shù)的開(kāi)
2020-07-08 16:07:212550

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對(duì)上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造,請(qǐng)注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對(duì)應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544

三星正研發(fā)自芯片電腦:5納米工藝 預(yù)計(jì)2021年上市

據(jù)外媒wccftech報(bào)道,三星被傳出正在研發(fā)Exynos 1000芯片,有可能用于即將推出的Windows PC。這款處理器預(yù)計(jì)采用5nm工藝制造
2020-07-24 17:19:092554

揭秘3nm GAE MBCFET 芯片的制造細(xì)節(jié)

MBCFET 工藝使用納米構(gòu)造晶體管,三星已經(jīng)為 MBCFET 注冊(cè)了商標(biāo)。三星表示,這兩種方式都可以實(shí)現(xiàn) 3nm,但取
2021-03-15 16:56:455166

三星推出5nm工藝芯片

基于最新的5nm EUV FinFET工藝制造的處理器。在發(fā)布會(huì)上,三星電子系統(tǒng)LSI還宣布,vivo將首發(fā)搭載Exynos 1080處理器的終端產(chǎn)品三星電子系統(tǒng)LSI營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁Dongho
2020-11-12 16:48:022150

三星發(fā)布5nm工藝芯片Exynos 1080 將搭載在vivo終端產(chǎn)品上首發(fā)

11 月 12 日,三星在上海正式發(fā)布基于 5nm EUV FinFET 工藝制造的移動(dòng)處理器芯片 Exynos 1080,且該芯片將搭載在 vivo 的終端產(chǎn)品上進(jìn)行首發(fā)。 據(jù)三星電子系統(tǒng) LSI
2020-11-19 14:24:342240

三星在5nm工藝能否與臺(tái)積電一較高下?

三星在上海正式發(fā)布旗下首采用5nm工藝制程的手機(jī)處理器Exynos 1080,這是繼蘋(píng)果A14、海思麒麟9000之后,全球第三款5nm AP,也是業(yè)界第二集成5G基帶的5nm SoC。
2020-11-20 09:57:2412277

Exynos1080推出三星手機(jī)芯片步入正軌

成為全球繼華為、蘋(píng)果之后,第三推出 5nm 制程 5G 芯片的廠(chǎng)商。 2019 年初三星vivo 就手機(jī)移動(dòng)處理器達(dá)成意向后,三星手機(jī)芯片演進(jìn)路線(xiàn)一直在提速。2019 年年底,三星聯(lián)合
2020-11-20 11:18:222735

三星Galaxy S21系列機(jī)型上配備最新的Exynos 2100芯片

事實(shí)上,三星vivo品牌此前是有合作的,vivo的多款機(jī)型也搭載了三星的Exynos芯片,但是小米品牌似乎還沒(méi)有推出過(guò)搭載三星芯片的手機(jī)產(chǎn)品,還是很讓人期待的。
2021-02-04 10:11:332714

三星正式宣布3nm成功流,性能將完勝臺(tái)積電

據(jù)外媒最新報(bào)道,三星宣布,3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流! 據(jù)悉,三星3nm制程采用的是GAA架構(gòu),性能上完勝臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)! 據(jù)報(bào)導(dǎo),三星3nm制程的流進(jìn)度是與新思科技合作完成
2021-07-01 15:27:444638

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流

目前從全球范圍來(lái)說(shuō),也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間,據(jù)外媒報(bào)道,三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 (Gate-all-around,GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)
2021-07-02 11:21:543387

三星公布3nm技術(shù) 有望拿下AMD和高通兩個(gè)美國(guó)客戶(hù)

近日,根據(jù)媒體的消息報(bào)道,三星公司已經(jīng)公布了關(guān)于3nm技術(shù),并且有望拿下AMD和高通兩個(gè)美國(guó)客戶(hù),三星公司計(jì)劃于2022年上半年開(kāi)始推出3納米產(chǎn)品,目前三星公司官方表示他們已經(jīng)在開(kāi)發(fā)下一代的DDR6內(nèi)存了。
2021-11-22 16:19:122059

紫光6nm芯片出現(xiàn)新突破 vivo芯片曝光

對(duì)于紫光展銳的6nm芯片已經(jīng)獲得了最高認(rèn)證水準(zhǔn),這對(duì)于國(guó)產(chǎn)芯片有著重大的意義。
2022-04-01 17:40:2214692

OPPO將于明年推出應(yīng)用處理器

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近日,臺(tái)灣媒體報(bào)道,oppo旗下子公司上海哲庫(kù)將于明年推出AP(應(yīng)用處理器),采用臺(tái)積電6nm制程工藝,并且還將在2024年推出整合5G基帶的手機(jī)SoC(系統(tǒng)單芯片),采用臺(tái)積電4nm制程。
2022-04-13 13:12:352050

三星3nm芯片良品率僅達(dá)2成,與臺(tái)積電的差距更大了

三星芯片領(lǐng)域抗衡的臺(tái)積電將于今年下半年開(kāi)始生產(chǎn)3nm的N3B芯片,并且其在3nm工藝上的技術(shù)也取得了重大突破,2023年將會(huì)生產(chǎn)增強(qiáng)版的N3E芯片,與三星相比,臺(tái)積電的技術(shù)進(jìn)步明顯要迅速許多,三星之后是否能夠追趕上來(lái)呢? 綜合整理 DIGITIMES 同
2022-04-18 11:40:403110

三星將中斷12nm DRAM芯片開(kāi)發(fā),直接跨入11nm

廠(chǎng)商都專(zhuān)心研究28nm DRAM芯片時(shí),三星同樣跨過(guò)了28nm,直接開(kāi)始研發(fā)25nm工藝,最終取得了成功。 這次三星同樣想靠彎道超車(chē)來(lái)與其他廠(chǎng)商拉開(kāi)差距,占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計(jì)劃在6月完成11nm DRAM芯片的開(kāi)發(fā)工作。 綜合整理 比特網(wǎng) 萬(wàn)仟網(wǎng) 中文科技資訊 審核編輯
2022-04-18 18:21:582244

三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740

三星率先實(shí)現(xiàn)3nm制程工藝量產(chǎn),或?qū)②s超臺(tái)積電

3nm工藝還得等到今年下半年才能量產(chǎn),并且三星稱(chēng)之前飽受詬病的良率問(wèn)題也已得到解決。 美國(guó)總統(tǒng)近日參觀了三星的全球唯一能夠進(jìn)行3nm工藝量產(chǎn)的晶圓代工廠(chǎng),三星為了在晶圓代工行業(yè)趕超臺(tái)積電,投入了大量資金進(jìn)行高端制程的
2022-05-22 16:30:312676

成功彎道超車(chē)!三星明天將開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝,搶先臺(tái)積電一步占領(lǐng)市場(chǎng)

今日,據(jù)媒體報(bào)道,三星3nm制程芯片將在明天開(kāi)始量產(chǎn)。 作為晶圓代工界常年第二的三星,一度被臺(tái)積電壓一頭,超越臺(tái)積電也成為了三星的一個(gè)目標(biāo)。這次三星把目光集中在了3nm工藝上,不僅要搶在臺(tái)積電前面
2022-06-29 17:01:531839

三星3nm芯片開(kāi)始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大

日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開(kāi)始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱(chēng),其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國(guó)華城工廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953

三星3nm芯片量產(chǎn) 2nm芯片還遠(yuǎn)嗎

D(FinFET)的進(jìn)階,4D(GAA)技術(shù)被認(rèn)為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù),相較三星5納米nm)而言,優(yōu)化的3納米nm工藝,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面積減少16%。 另外,每一個(gè)新工藝新制程的成本和良品率,都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069

三星2nm芯片最新消息

根據(jù)外媒的消息報(bào)道稱(chēng),三星電子公司近日正式宣布已開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片,三星電子正押注于將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于3 納米工藝,并且計(jì)劃于2025年量產(chǎn)基于GAA的2nm芯片,以追趕臺(tái)積電。
2022-07-04 09:34:041907

三星即將公布首顆3nm芯片,或?qū)⑴まD(zhuǎn)訂單數(shù)量

在半導(dǎo)體制程工藝領(lǐng)域,三星一直都被臺(tái)積電壓了一頭,不過(guò)在六月底三星宣布了正式量產(chǎn)3nm芯片,在3nm領(lǐng)域三星算是反超臺(tái)積電了。 本周,三星將正式展示最新研發(fā)的3nm芯片。 三星表示,這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102259

三星正式宣布3nm芯片出貨,首位客戶(hù)為一家中國(guó)企業(yè)

今日,三星正式宣布了第一批3nm芯片出貨的消息,首位客戶(hù)是一家中國(guó)企業(yè)。 今天上午,三星在首爾舉辦了發(fā)貨儀式,多位高管出席,儀式上正式宣布了首批3nm芯片出貨,并表示首位客戶(hù)是一家來(lái)自中國(guó)的礦機(jī)芯片
2022-07-25 16:25:143214

三星宣布首批3nm芯片正式出貨

7月25日上午,三星在韓國(guó)首爾南部的華城舉辦典禮,宣布首批3nm芯片正式出貨。
2022-07-26 10:15:582923

三星已找到第二家3nm芯片客戶(hù) 產(chǎn)能開(kāi)始供不應(yīng)求

臺(tái)積電日前因?yàn)镮ntel幾乎取消明年的3nm訂單一事備受熱議,這被視為3nm工藝的一次打擊,不過(guò)對(duì)三星來(lái)說(shuō)這倒是好事,韓國(guó)媒體爆料稱(chēng)三星3nm客戶(hù)量已經(jīng)翻倍了,現(xiàn)在有第二家廠(chǎng)商在用。 三星6
2022-08-11 08:53:311958

三星3nm率先使用GAA 是否更具競(jìng)爭(zhēng)力

而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星3nm之爭(zhēng)似乎已經(jīng)拉開(kāi)帷幕。
2022-08-18 11:57:192174

三星3納米代工成本如何?3納米GAA制程良率僅20%!

從一些公開(kāi)的信息來(lái)看,三星看似在3nm制程節(jié)點(diǎn)上先行一步,但實(shí)際生產(chǎn)良率也難盡人意。 據(jù)悉,三星電子3納米芯片首家客戶(hù)是來(lái)自中國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)PanSemi(磐矽半導(dǎo)體),后者據(jù)稱(chēng)是一家專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)比特幣挖礦機(jī)芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630

三星3nm良率已經(jīng)超過(guò)臺(tái)積電?

目前三星在4nm工藝方面的良率為75%,稍低于臺(tái)積電的80%。然而,通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展,三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:424328

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn) 首家客戶(hù)及芯片型號(hào)被曝光

大約一年前,三星正式開(kāi)始采用其 SF3E(3nm 級(jí)、早期全柵)工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片,但沒(méi)有無(wú)晶圓廠(chǎng)芯片設(shè)計(jì)商證實(shí)其產(chǎn)品使用了該節(jié)點(diǎn)。
2023-07-19 17:13:331818

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)

一篇拆解報(bào)告,稱(chēng)比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:572290

vivo發(fā)布6nm影像芯片V3,臺(tái)積電代工

本次活動(dòng)上,vivo 全新發(fā)布 6nm 制程工藝影像芯片 V3,配合全新設(shè)計(jì)的多并發(fā) AI 感知 -ISP 架構(gòu)和第二代 FIT 互聯(lián)系統(tǒng),能效比相比上代提升了 30%。V3 影像芯片可以為用戶(hù)
2023-07-31 15:28:152422

vivo v3芯片正式發(fā)布,使用6nm工藝

據(jù)媒體報(bào)道,vivo昨天舉行了一場(chǎng)vivo影像盛典特別活動(dòng)?;顒?dòng)上,他們正式發(fā)布了全新影像芯片V3。
2023-08-01 10:49:193415

三星獲谷歌Tensor G4 AP訂單 將使用第三代4nm工藝制造

芯片將由三星sf4p(第三代4納米工藝制作,g3將由第二代sf4工藝制作。另外,xenos 2400處理器也將使用sf4p,預(yù)計(jì)將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
2023-10-31 14:25:361349

三星計(jì)劃:3年內(nèi)實(shí)現(xiàn)2納米量產(chǎn)

10月19日,韓國(guó)三星電子在德國(guó)慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動(dòng)。在這個(gè)活動(dòng)上,三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進(jìn)工藝路線(xiàn)圖和代工戰(zhàn)略,宣稱(chēng)將在未來(lái)3年內(nèi)量產(chǎn)2納米
2023-11-01 15:07:53988

三星第二代3nm工藝開(kāi)始試產(chǎn)!

據(jù)報(bào)道,三星預(yù)計(jì)在未來(lái)6個(gè)月時(shí)間內(nèi),讓SF3工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會(huì)率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上,三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片
2024-01-29 15:52:001250

三星電子3nm工藝良率低迷,始終在50%左右徘徊

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng),三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念,并沒(méi)有明確指出具體的工藝類(lèi)型。知情者透露,盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過(guò)60%
2024-03-07 15:59:191611

三星電子開(kāi)始量產(chǎn)其首3nm Gate All Around工藝上系統(tǒng)

據(jù)外媒報(bào)道,三星電子已開(kāi)始量產(chǎn)其首3nm Gate All Around(GAA)工藝上系統(tǒng)(SoC),預(yù)計(jì)該芯片預(yù)計(jì)將用于Galaxy S25系列。
2024-05-08 15:24:321250

今日看點(diǎn)三星計(jì)劃Q3對(duì)DRAM、NAND漲價(jià)15%~20%;蘋(píng)果將大砍一半產(chǎn)線(xiàn)員工

1. 三星計(jì)劃Q3 對(duì)DRAM 、NAND 漲價(jià)15%~20% ,現(xiàn)已通報(bào)客戶(hù) ? 6月26日,多家媒體報(bào)道稱(chēng),三星計(jì)劃于第三季度把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)、NAND的價(jià)格上調(diào)15%~20
2024-06-27 11:02:40755

今日看點(diǎn)臺(tái)積電3納米助攻 Google手機(jī)芯片進(jìn)入流階段;豐田尋求在上海生產(chǎn)電動(dòng)汽車(chē)

是Google首完全自主設(shè)計(jì)的手機(jī)芯片。此前四代Tensor芯片都是基于三星Exynos平臺(tái)進(jìn)行修改及客制;而Tensor G5不僅采用Google自主的架構(gòu)設(shè)計(jì),還將使用臺(tái)積電最新的3納米制程工藝
2024-07-01 10:41:191018

三星電子發(fā)布為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首3納米工藝芯片

近日,三星電子震撼發(fā)布了其專(zhuān)為可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)的首3納米工藝芯片——Exynos W1000,標(biāo)志著該公司在微型芯片技術(shù)領(lǐng)域的又一重大突破。這款尖端芯片采用了三星獨(dú)有的3nm GAA(環(huán)繞柵極)技術(shù)
2024-07-05 16:07:102556

榮耀Magic V3發(fā)布,搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)

今日,榮耀召開(kāi)Magic旗艦新品發(fā)布會(huì),正式發(fā)布了全新輕薄折疊屏榮耀Magic V3和榮耀Magic Vs3,以及榮耀平板MagicPad 2等新品。其中榮耀Magic V3搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)
2024-07-14 09:56:032486

三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)

三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù),相比第二代3nm工藝,性能提升5%,功耗效率提高8%,芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341120

三星5nm“翻車(chē)”?先進(jìn)工藝恐欲速不達(dá)

蘋(píng)果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來(lái),臺(tái)積電成功在2020年率先成為5nm工藝量產(chǎn)出貨的代工廠(chǎng)。但同樣擁有頂尖工藝三星也不甘落后,先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100芯片。盡管力求后發(fā)制人,但三星的5nm之路依舊并非一帆風(fēng)順。
2021-01-20 03:53:004130

臺(tái)積電3nm今年底,蘋(píng)果成第一家客戶(hù)!三星GAA和臺(tái)積電FinFET,誰(shuí)更有競(jìng)爭(zhēng)力?

及M3系列處理器,都會(huì)導(dǎo)入臺(tái)積電3nm芯片。 ? 而在臺(tái)積電3nm量產(chǎn)之前,三星已經(jīng)在今年6月30日宣布,其采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝,在當(dāng)日開(kāi)始初步生產(chǎn)芯片,據(jù)外媒報(bào)道,三星電子采用3nm工藝代工的首批芯片,定于7月25日出貨。臺(tái)積電、三星3nm之爭(zhēng)似
2022-08-18 08:25:003950

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