EV12AS200A是基于前端跟蹤和保持級(T/h)的12位1.5gsps ADC,隨后是模擬編碼電平。EV12AS200A輸出模擬量化產(chǎn)生的模擬殘差。在進入糾錯電路和再同步階段之前,連續(xù)鎖存器組將模擬殘差重新生成到邏輯電平,然后進入具有100W差分輸出緩沖器的解復用器。EV12AS200A?串行接口可激活或集成三個WS3A接口。通過3wsi訪問的主要功能也可以通過硬件(OA、GA、SDA、sdaen、TM、RS引腳)訪問。
EV12AS200A在從模擬輸入到數(shù)字輸出的全差分模式下工作。EV12AS200A在第一個奈奎斯特區(qū)域運行到L波段。激活時,可以使用插腳rs或3wsi選擇演示比率(1:1或1:2)。
解復用輸出在每個端口上同步。差分數(shù)據(jù)就緒輸出可用于指示輸出何時有效。數(shù)據(jù)就緒(DR、DRN)由兩個端口共享。為了簡化多個adc的同步,可以使用觸發(fā)器函數(shù)。上電復位確保第一個數(shù)字數(shù)據(jù)與第一個采集相對應。也可以使用外部差分LVDS重置(同步、同步)。
3wsi?可訪問?res功能允許更改重置信號的活動邊緣。提供增益控制引腳GA和偏移控制OA,以調整ADC增益和偏移傳輸函數(shù)。
這些功能也可以通過3wsi訪問。例如,對于需要多個ADC交錯的應用,提供采樣延遲調整(SDA)來微調ADC孔徑延遲。器件的結溫可由二極管監(jiān)測。為了調試和可測試性,提供以下功能:
在ADC輸出處測試Vol或Voh的靜態(tài)測試模式(所有位分別處于“0”或“1”級別)-這些模式只有在激活時通過3wsi訪問;
動態(tài)內置測試(校準模式周期為16),激活時,硬件(TM)或3wsi可訪問信號。
該電路可以提供三種不同的電源電壓(vcc5=5.0V,vcc3=3.3V,vcco=2.5V)來優(yōu)化功耗,也可以使用兩種不同的電源(vcca5=5.0V,vcc3=vcco=3.3V)來優(yōu)化功耗,并且只能使用兩個導軌。
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