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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>三菱電機提供SiC功率半導體模塊樣

      三菱電機提供SiC功率半導體模塊樣

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      2025-09-24 10:39:48916

      三菱電機亮相2025工博會：以“AI 創(chuàng)未來”共探智能制造新紀元

      9月24日，全球工業(yè)自動化領域的領軍企業(yè)三菱電機攜全新主題“AI 創(chuàng)未來”重磅亮相2025中國國際工業(yè)博覽會。此次參展全面展示了三菱電機在人工智能與工業(yè)深度融合方面的前沿探索與創(chuàng)新成果，聚焦智能制造
      2025-09-24 10:28:53407

      三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計

      鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
      2025-09-23 09:26:332066

      傾佳電子深度解析AI人工智能微電網(wǎng)解決方案：SiC碳化硅功率半導體如何重塑能源未來

      電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力
      2025-09-22 06:41:19771

      SiC碳化硅功率半導體：電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢

      茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！ 傾佳電子
      2025-09-21 20:41:13419

      傾佳電子技術報告：基本半導體34mm碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品線深度分析及在關鍵工業(yè)應用中的技術潛力評估

      服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取
      2025-09-21 11:00:061885

      BASiC基本半導體新一代（G3）SiC MOSFET特點及設計要點

      電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和
      2025-09-19 17:34:561103

      傾佳電子SiC功率模塊：超大功率全橋LLC應用技術優(yōu)勢深度分析報告

      電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
      2025-09-19 15:32:57661

      基本半導體SiC功率器件在固態(tài)配電與光儲微網(wǎng)中的應用及固態(tài)直流斷路器技術深度分析

      電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電
      2025-09-19 09:46:521688

      傾佳電子新能源汽車主驅技術演進與SiC碳化硅功率模塊的深度價值分析報告

      和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
      2025-09-16 13:55:37996

      傾佳電子功率半導體驅動電路設計深度解析：SiC MOSFET驅動挑戰(zhàn)與可靠性實現(xiàn)

      電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
      2025-09-14 22:59:12920

      傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術動因

      、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力
      2025-09-07 14:57:042117

      傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應用中對IGBT模塊的全面替代

      、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行
      2025-09-05 08:36:442199

      基本半導體SiC功率模塊與驅動板技術優(yōu)勢及應用價值深度分析

      碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場和高熱導率，從根本上超越了傳統(tǒng)硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)勢為電力電子系統(tǒng)的革新提供了堅實基礎，尤其是在高壓、大功率和高頻應用中。
      2025-08-30 10:03:114774

      基于62mm碳化硅（SiC）模塊的大功率雙向DC-DC隔離電源

      密度設計。 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。他們主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導體器件以
      2025-08-25 18:09:07883

      引領高效能新紀元：基本半導體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應用

      引領高效能新紀元：傾佳力推基本半導體 SiC MOSFET 模塊，賦能尖端工業(yè)應用 在電力電子技術飛速發(fā)展的今天，對高效、高功率密度、高可靠性電源解決方案的需求日益迫切?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體（BASiC
      2025-08-25 18:07:22836

      三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用（2）

      隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護技術，本章節(jié)主要介紹三菱電機車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。
      2025-08-08 16:14:213189

      三菱電機SiC MOSFET在電動汽車中的應用（1）

      隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經(jīng)成為推動電動汽車高效能的重要技術之一。本章節(jié)主要帶你探究三菱電機的SiC MOSFET模塊在電動汽車主驅中的應用。
      2025-08-08 16:11:443243

      深愛半導體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

      深愛半導體推出新品IPM模塊 IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
      2025-07-23 14:36:03

      今日看點丨三菱汽車完全退出中國汽車生產(chǎn)業(yè)務、蜂巢能源今年四季度試生產(chǎn)半固態(tài)電池

      資料顯示，三菱汽車與中國航天汽車等企業(yè) 1997 年在沈陽市成立了合資企業(yè)，為三菱汽車和中國本土廠商提供車輛發(fā)動機。 ? 三菱汽車稱，鑒于中國汽車產(chǎn)業(yè)迅速轉向電動汽車的影響，公司對該地區(qū)戰(zhàn)略進行了重新評估，并決定終止其在
      2025-07-23 10:05:133441

      三菱電機SiC DIPIPM在變頻家電中的應用（2）

      三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領域獲得了廣泛應用。在Si-IGBT DIPIPM基礎上，三菱電機開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節(jié)主要介紹全SiC和混合SiC的SLIMDIP產(chǎn)品。
      2025-07-19 09:18:005453

      三菱電機SiC DIPIPM在變頻家電中的應用（1）

      三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領域獲得了廣泛應用。在Si-IGBT DIPIPM基礎上，三菱電機開發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DIPIPM，本章節(jié)主要介紹超小型全SiC DIPIPM。
      2025-07-19 09:15:003481

      功率半導體器件——理論及應用

      本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導體器件的結構、基本原理、設計原則和應用特性，有機地將功率器件的設計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深，從半導體的性質、基本的半導體
      2025-07-11 14:49:36

      基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

      傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC
      2025-06-24 17:26:28492

      選擇基本半導體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤式電機驅動新紀元

      傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢，成為理想選擇?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體推出的BMF240R12E2G3與BMF008MR12E2G3兩款SiC MOSFET模塊，憑借其高性能與高可靠性，為盤式電機驅動器帶來革新突破。
      2025-06-19 16:59:06728

      三菱電機與GE Vernova簽署諒解備忘錄

      三菱電機集團近日宣布與GE Vernova公司（美國馬薩諸塞州劍橋）簽署諒解備忘錄，強化雙方在高壓直流（HVDC）輸電系統(tǒng)用功率半導體領域的合作。該協(xié)議源于日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)?。∕ETI）與GE
      2025-06-13 14:17:56900

      2025年度三菱電機投資者關系日回顧

      截至2025年3月31日的財年，半導體器件實現(xiàn)了2863億日元的營收實績，占三菱電機全業(yè)務線的5.2%。營業(yè)利潤率連續(xù)兩年創(chuàng)歷史新高。由于新工廠（日本熊本縣）投產(chǎn)及匯率假設調(diào)整，ROIC實績及預期將暫時下降，計劃通過維持中期EBITDA利潤率的上升趨勢來提高。
      2025-06-09 17:55:461663

      熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導體時代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

      傳統(tǒng)IGBT，成為高效節(jié)能解決方案的核心引擎。這場變革不僅意味著能效的躍升，更將重塑產(chǎn)業(yè)競爭格局。 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動
      2025-06-09 07:07:17727

      基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

      進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單
      2025-06-08 11:13:471096

      國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

      SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)從Fabless
      2025-06-07 06:17:30911

      什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應用哪里？

      MOSFET高輸入阻抗與BJT低導通壓降，形成四層半導體復合結構（PNPN排列），支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開關與高電流承載能力，導通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導體技術的代表： ? 材料優(yōu)勢 ?：禁帶寬度達3.3eV（硅的3倍）
      2025-05-26 14:37:052284

      國產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性

      國產(chǎn)SiC模塊全面取代進口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導體一級代理傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC
      2025-05-18 14:52:081323

      三菱電機與上海共繪半導體產(chǎn)業(yè)宏圖

      量子科技、具身智能、6G等未來產(chǎn)業(yè)，都依賴半導體技術的支撐，頭部半導體企業(yè)擁有長期高增長前景。三菱電機機電（上海）有限公司半導體事業(yè)部部長赤田智史在接受采訪時表示，上海為外資企業(yè)的投資與運營提供了
      2025-05-16 10:20:47943

      三菱CNC如何進行數(shù)據(jù)采集并對接到ERP系統(tǒng)

      三菱CNC作為三菱電機推出的計算機數(shù)控系統(tǒng)，在性能、技術、市場口碑及售后服務方面均表現(xiàn)出色，尤其適合需要高速、高精度加工及良好售后支持的制造場景，如精密模具加工、航空航天零部件制造、汽車零配件生產(chǎn)等
      2025-05-14 11:16:101031

      新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應用的新功率模塊

      近日，英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊，旨在提升電動汽車及工業(yè)應用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失，還能在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，標志著電力電子技術的又一次進步
      2025-05-06 14:08:48714

      國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學習

      Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。
      2025-05-05 12:01:57537

      基本半導體碳化硅（SiC）MOSFET低關斷損耗（Eoff）特性的應用優(yōu)勢

      BASiC基本股份半導體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關斷損耗（Eoff）特性，在以下應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢： 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅
      2025-05-04 09:42:31740

      電力電子新未來：珠聯(lián)璧合，基本半導體SiC模塊及SiC驅動雙龍出擊

      傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC)分銷商
      2025-05-03 15:29:13627

      納微半導體推出全新SiCPAK功率模塊

      納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術，經(jīng)過嚴格設計和驗證，適用于最嚴苛的高功率環(huán)境，重點確?？煽啃耘c耐高溫
      2025-04-22 17:06:39980

      三菱M5197P、FP開關調(diào)節(jié)器控制英文手冊

      電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《三菱M5197P、FP開關調(diào)節(jié)器控制英文手冊.pdf》資料免費下載
      2025-04-17 14:42:340

      三菱電機開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

      三菱電機集團今日宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP
      2025-04-16 14:58:371109

      功率半導體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

      IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件，具有結構簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點，被廣泛應用于各種高功率電子設備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關能力與雙極晶體管
      2025-04-16 08:06:431298

      三菱PLC PLSV(可變速脈沖輸出指令）在軟件中如何使用？

      請問下 三菱PLC PLSV(可變速脈沖輸出指令）在軟件中如何使用？軟件版本和指令格式如下圖： 三菱PLC 型號 FX2N-32MT 請高手指點一下
      2025-04-10 18:40:19

      三菱電機發(fā)布新型XB系列HVIGBT模塊

      三菱電機集團近日宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導體，專為軌道交通車輛等大型工業(yè)設備設計。
      2025-04-10 11:34:571069

      三菱電機再度榮獲海爾智家“質量引領獎”

      近日，在“智慧新生態(tài)，共贏新時代”2025海爾智家全球供應商合作伙伴大會上，三菱電機憑借為其變頻空調(diào)和變頻洗衣機提供品質卓越的SLIMDIP、超小型DIPIPM、小型DIPIPM和大型DIPIPM
      2025-04-02 11:24:531006

      東升西降：從Wolfspeed危機看全球SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈重構

      Wolfspeed作為全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的先驅企業(yè)，其股價暴跌（單日跌幅超50%）、財務困境與德國30億歐元項目擱淺危機，折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈競爭中
      2025-03-31 18:03:08982

      三菱伺服電機怎么設定無編碼器

      要將三菱伺服電機設置為無編碼器模式（也稱為開環(huán)控制模式），需要遵循一定的步驟和注意事項。以下是一個詳細的指南： 一、了解無編碼器模式 無編碼器模式是指伺服電機在沒有編碼器反饋信號的情況下，根據(jù)輸入
      2025-03-20 07:41:441327

      CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

      CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
      2025-03-17 09:59:21

      全球功率半導體變革：SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

      SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
      2025-03-13 00:27:37767

      華大半導體與湖南大學成功舉辦SiC功率半導體技術研討會

      近日，華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術研討會，共同探討SiC功率半導體在設計、制造、材料等領域的最新進展及挑戰(zhàn)。
      2025-02-28 17:33:531172

      三菱電機高壓SiC模塊封裝技術解析

      SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術。
      2025-02-12 11:26:411207

      三菱PLC與變頻器通訊案例

      方案的首選。本文將詳細介紹三菱PLC與變頻器通訊的一種高效實現(xiàn)方式，涵蓋系統(tǒng)配置、硬件安裝、參數(shù)設置、PLC編程等關鍵步驟，旨在為技術人員提供一個全面、實用的技術參考。
      2025-02-02 14:45:001927

      使用 SiC 功率半導體提升高性能開關轉換器的效率

      作者： Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對成熟，但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而，有些設計人員可能仍然認為 SiC 半導體相當昂貴且難以控制
      2025-01-26 22:10:001252

      三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

      三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結構，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
      2025-01-22 10:58:423052

      三菱電機開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品

      三菱電機株式會社近日宣布，將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)、儲能電池等電源系統(tǒng)中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。
      2025-01-17 09:36:431115

      第三代寬禁帶功率半導體的應用

      本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中，車用功率模塊（當前主流技術為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅動系統(tǒng)的關鍵性能，還占據(jù)了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
      2025-01-15 10:55:571150

      功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計

      /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
      2025-01-13 17:36:111819

      三菱電機超小型全SiC DIPIPM解析

      在Si-IGBT的DIPIPM基礎上，三菱電機開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
      2025-01-08 13:48:552318

      電裝與富士電機合作強化SiC功率半導體供應鏈

      ，旨在通過碳化硅（SiC）功率半導體的技術升級和生產(chǎn)能力提升，進一步加強供應鏈的穩(wěn)定性，以更好地滿足市場需求。
      2025-01-06 17:09:051342

      功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子

      /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
      2025-01-06 17:05:481328

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