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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Vishay推出寬接頭薄膜片式電阻---MCW0406 AT

Vishay推出寬接頭薄膜片式電阻---MCW0406 AT

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2025-11-12 11:00:49380

Vishay D2TO35 厚膜功率電阻技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率電阻器符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),+25°C時(shí)的額定功率為35W。此系列無感電阻器采用表面貼裝TO-263 (D2^^PAK) 型封裝,
2025-11-12 10:38:47429

Vishay Dale WSLF1206功率金屬條電阻器技術(shù)解析

Vishay/Dale WSLF1206功率金屬條電阻器采用專有生產(chǎn)工藝,產(chǎn)生的電阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。該電阻器由固態(tài)金屬錳銅和鎳鉻鋁合金制成,帶電阻元件。WSLF1206系列具有非常低
2025-11-12 10:08:01378

Vishay TFPT系列SMD PTC鎳薄膜線性熱敏電阻器技術(shù)解析

Vishay/Dale TFPT SMD PTC鎳薄膜線性熱敏電阻有0402、0603、0805和1206尺寸可供選擇,采用氧化鋁基板基座和基于鎳的PTC薄膜元件。這些熱敏電阻符合AEC-Q200
2025-11-11 16:11:41594

?基于Vishay Sfernice D2TO35M表面貼裝功率電阻器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/Sfernice D2TO35M表面貼裝功率電阻器為無感器件,具有多脈沖能力。在25°C外殼溫度下,此系列電阻器具有35W的功率、10Ω至10KΩ的電阻范圍、500V的限制元件電壓
2025-11-11 11:46:58459

Vishay Vitramon VJ系列多層陶瓷片式電容器技術(shù)解析

Vishay/Vitramon VJ系列陶瓷片式電容器是表面貼裝多層電容器,設(shè)計(jì)用于商業(yè)應(yīng)用。此系列陶瓷片式電容器采用C0G(NP0)技術(shù),具有超穩(wěn)定的電介質(zhì),可提供非常低的電容溫度系數(shù)(TCC
2025-11-11 11:10:31470

Vishay RCWPM M32159系列厚膜片式零歐姆跳線電阻技術(shù)解析

Vishay M32159厚膜片式電阻器由完全符合MIL-PRF-32159要求的0Ω 跳線組成。這些電阻器具有高可靠性,產(chǎn)品等級(jí)為M(軍用級(jí))和T(空間級(jí))。結(jié)構(gòu)包括B端接類型,在鎳阻擋層上纏繞錫
2025-11-11 10:10:25298

Vishay ISOA200厚膜功率電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay ISOA200厚膜功率電阻器是AEC-Q200合規(guī)電阻器,工作溫度范圍為-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率電阻器具有沒有外部輻射的冷系統(tǒng)。這些無感電阻
2025-11-11 09:36:33388

?Vishay vPolyTan? 聚合物片式電容器技術(shù)解析

Vishay DLA 04051 vPolyTan? SMT片式電容器具有超低ESR、4.7μF至680μF電容范圍以及2.5V~DC~ 至63V~DC~ 電壓范圍。這些電容器具有高可靠性處理能力
2025-11-11 09:24:55384

Vishay WSLF3222 Power Metal Strip? 電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay WSLF3222 Power Metal Strip? 電阻器具有12W最大額定功率、 ±1%容差以及-65°C至+175°C工作溫度范圍。這些電阻器采用專有生產(chǎn)工藝制造,產(chǎn)生的電阻
2025-11-10 16:33:33355

Vishay RCWPM軍用厚膜片式電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay M/D55342軍用厚膜片式電阻器采用96%氧化鋁基板,在鎳阻擋層上纏繞錫/鉛。這些片式電阻器符合MIL-PRF-55342標(biāo)準(zhǔn)和RM類型,不含鹵素。M/D55342厚膜片式電阻器在
2025-11-10 16:00:02404

?Vishay BC Components NTC熱敏電阻技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/BC Components 商用級(jí)NTC SMD 0201片式熱敏電阻可在-40 °C至125°C溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定精確的溫度測(cè)量 。這些NTCSC 的TCR范圍為-6.5%/K
2025-11-10 14:41:10379

Vishay NTCAIMM66H NTC熱敏電阻技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/BC Components NTCAIMM66H NTC熱敏電阻是一款微型絕緣片式熱敏電阻,采用SS316外殼。該NTC熱敏電阻可快速響應(yīng)汽車流體浸入應(yīng)用中的溫度變化
2025-11-10 14:30:31489

高性能厚膜片式電阻技術(shù)解析:Vishay CRCW-HP系列深度剖析

Vishay/Dale CRCW-HP高功率厚膜片式電阻兼具大功率額定值和小外殼尺寸,可節(jié)省PCB板上的空間。該系列電阻器的雙面電阻元件非常適合需要大功率和增強(qiáng)耐脈沖功能的應(yīng)用。這些含鉛 (Pb
2025-11-10 13:56:36366

Vishay Sfernice M61系列金屬陶瓷微調(diào)電位器技術(shù)解析

Vishay/Sfernice M61 3/8”方形單匝金屬陶瓷微調(diào)電位器有多種引腳配置可供選擇,用于手指設(shè)置。這些微調(diào)電位器通過物理操作輕松調(diào)整電阻值,組裝在PCB上后可提供穩(wěn)定性。M61系列采用
2025-11-10 11:44:43427

?基于Vishay TSM41微調(diào)電位器的精密電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

10Ω 至1MΩ 的電阻范圍。規(guī)格包括低觸點(diǎn)電阻變化率為2%或3Ω,功率額定值在+85°C時(shí)為0.25W。Vishay/Sfernice TSM41 4mm方形SMT微型可調(diào)電位器具有IP67保護(hù)等級(jí)密封,工作溫度范圍,為-55°C至+140°C。
2025-11-10 11:25:45437

Vishay PTCES SMD PTC熱敏電阻技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay/BC Components PTCES SMD PTC熱敏電阻具有正溫度系數(shù),主要用于限制浪涌電流和過載保護(hù)。PTEC PTC熱敏電阻是直接加熱的陶瓷基摻雜鈦酸鋇熱敏電阻。這些
2025-11-10 10:38:57361

?Vishay Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器技術(shù)解析

Vishay / Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器已通過AEC-Q200認(rèn)證,可在高達(dá)+125°C的溫度下運(yùn)行。這些電容器具有高紋波電流能力、低ESR、低ESL,并
2025-11-10 10:37:17416

Vishay RNC55系列金屬膜電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Vishay RNC55金屬膜電阻器符合MIL-PRF-55182標(biāo)準(zhǔn),具有-40dB低額定噪聲。環(huán)氧樹脂涂層為這些電阻器提供了卓越的防潮性能,其他特點(diǎn)包括經(jīng)過驗(yàn)證的故障率、受控的溫度系數(shù)、月度
2025-11-10 09:23:43395

Vishay CRCW0201-AT e3 汽車級(jí)厚膜片式電阻技術(shù)分析

Vishay 汽車0201厚膜片式電阻是e3標(biāo)準(zhǔn)厚膜電阻器,符合汽車環(huán)境AEC-Q200要求。規(guī)格包括0201尺寸、10Ω 至1MΩ 電阻范圍、0.05W額定耗散功率、30V工作電壓額定值以及-55°至+155°的工作溫度范圍。Vishay汽車0201厚膜片式電阻適用于汽車、電信和工業(yè)應(yīng)用。
2025-11-09 17:32:45982

Vishay Sfernice S3F快速熔斷薄膜芯片保險(xiǎn)絲技術(shù)解析

Vishay / Sfernice S3F快速熔斷薄膜芯片保險(xiǎn)絲符合UL 248-14標(biāo)準(zhǔn),有三種尺寸:0402、0603和1206。這些保險(xiǎn)絲設(shè)計(jì)用于在過載條件下保持電路連續(xù)性,電阻最小,且具有
2025-11-09 17:10:01635

Vishay Sfernice S2F 快速熔斷薄膜芯片保險(xiǎn)絲技術(shù)解析

Vishay/Sfernice S2F快速熔斷薄膜芯片保險(xiǎn)絲在過載條件下保持電路連續(xù)性,電阻最小,且具有可靠的斷路功能。此系列保險(xiǎn)絲提供0.315A至7A的電流范圍、32V~DC~ 至63V~DC
2025-11-09 16:58:18644

TE Connectivity RA73系列氮化鋁薄膜精密電阻器技術(shù)分析

TE Connectivity/Holsworthy RA73氮化鋁 (Al2N3) 薄膜精密電阻器是一款高穩(wěn)定性片式電阻器,具有非常高的功率尺寸比(0805尺寸高達(dá)1W)。RA73電阻器的電阻溫度
2025-11-09 11:50:24721

?TE Connectivity CGS 3430系列汽車級(jí)端子片式電阻器技術(shù)解析

TE Connectivity (TE) /CGS 3430終端片式電阻器是汽車級(jí)電阻器,功率高達(dá)3W。該系列TE/CGS電阻器 高度可靠,通過多層電極構(gòu)造降低故障風(fēng)險(xiǎn),符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)
2025-11-06 15:29:45283

?TE Connectivity CGS RLW73端子電流檢測(cè)電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

TE Connectivity(TE)CGS RLW73端子電流檢測(cè)電阻器采用可靠的多層電極結(jié)構(gòu),具有長(zhǎng)側(cè)端接和高純度氧化鋁基板,可實(shí)現(xiàn)高功率耗散。該系列采用1225配置,功率高達(dá)3W,電阻值范圍
2025-11-06 15:01:41331

風(fēng)華高科TR1210G系列高精度薄膜電阻應(yīng)用體驗(yàn)

近期南山電子接到一家工廠的咨詢,他們要趕制一批工業(yè)控制器,急需精度高、穩(wěn)定性強(qiáng)的電阻。了解到他們?cè)嚵藥卓町a(chǎn)品都不太理想后,我們結(jié)合其需求,推薦了風(fēng)華高科TR1210G系列高精度薄膜電阻。風(fēng)華高科
2025-11-05 17:04:32528

薄膜電阻與陶瓷電容性能對(duì)比

薄膜電阻與陶瓷電容在性能上各有優(yōu)勢(shì),薄膜電阻以高精度、低溫漂、低噪聲見長(zhǎng),適用于精密測(cè)量與高頻電路;陶瓷電容則以高頻特性、微型化與高可靠性為核心優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于電源管理與射頻電路。以下是對(duì)兩者的詳細(xì)
2025-11-04 16:33:30502

國(guó)巨RT0805系列薄膜精密電阻在哪些電子設(shè)備中廣泛使用?

在電子元件領(lǐng)域,薄膜精密電阻因其高精度、高穩(wěn)定性而備受青睞。國(guó)巨(YAGEO)作為全球知名的被動(dòng)元件制造商,其推出薄膜精密電阻RT0805系列更是憑借卓越的性能,廣泛應(yīng)用于各類高精度電路中,其具體
2025-11-04 15:58:57228

TE Connectivity SMA-Q系列金屬薄膜精密MELF電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

TE Connectivity (TE) 的Holsworthy金屬薄膜精密MELF SMA-Q電阻器符合AEC-Q200要求,并具有改進(jìn)的涂層,可更好地防潮。TE MELF SMA-Q電阻
2025-11-02 10:25:01427

MOT (仁懋) MOT4170J 技術(shù)全解析:精密薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級(jí)信號(hào)處理方案

在工業(yè)自動(dòng)化、精密儀器儀表等對(duì)電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景中,網(wǎng)絡(luò)電阻的阻值一致性、溫度特性及抗干擾能力直接影響電路信號(hào)處理的準(zhǔn)確性。MOT(仁懋)推出的MOT4170J薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻,憑借41k
2025-10-22 11:03:35258

風(fēng)華高精度TE05E系列薄膜電阻:0805封裝±10ppm/℃溫度系數(shù)解決方案

在電子元器件領(lǐng)域,高精度、高穩(wěn)定性的電阻是眾多精密設(shè)備的核心組成部分。風(fēng)華高科作為國(guó)內(nèi)被動(dòng)元器件領(lǐng)軍企業(yè),其T系列薄膜電阻憑借卓越的性能廣受青睞,而TE05E系列薄膜電阻作為其中的重要分支,以
2025-10-09 09:50:00295

為汽車和工業(yè)應(yīng)用選擇薄膜電阻

得成功的基礎(chǔ),需要不斷創(chuàng)新才能確保性能可靠。 例如,必須對(duì)片式金屬膜電阻器進(jìn)行設(shè)計(jì)和測(cè)試,以確保其在苛刻環(huán)境下的精確性、穩(wěn)定性和可靠性。能否在含硫化合物環(huán)境中保持長(zhǎng)期可靠,是影響汽車、工業(yè)市場(chǎng)中片式電阻器設(shè)計(jì)的一個(gè)重要問題。在這些環(huán)境中,機(jī)油、潤(rùn)滑油、
2025-10-01 15:14:461528

Vishay推出HVCC一類瓷介電容器系列

Vishay 宣布,推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容,該系列產(chǎn)品具有低介質(zhì)損耗因子(DF)和低直流偏壓的特性,適用于工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。
2025-09-30 10:56:06816

消除接觸電阻的四探針改進(jìn)方法:精確測(cè)量傳感器薄膜方塊電阻電阻

方塊電阻薄膜材料的核心特性之一,尤其在傳感器設(shè)計(jì)中,不同條件下的方塊電阻變化是感知測(cè)量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會(huì)顯著影響測(cè)量精度,甚至導(dǎo)致非線性肖特基勢(shì)壘的形成,進(jìn)一步降低傳感器
2025-09-29 13:44:52794

NiCr薄膜電阻優(yōu)化:利用鋁夾層實(shí)現(xiàn)高方塊電阻和低溫度電阻系數(shù)

隨著系統(tǒng)集成封裝(SIP)技術(shù)發(fā)展,嵌入式薄膜電阻需同時(shí)滿足高方塊電阻(>100Ω/sq)和近零電阻溫度系數(shù)(│TCR│當(dāng)tAl>7.5nm時(shí),Al層成為主要導(dǎo)電通道,導(dǎo)致Rs下降。電阻
2025-09-29 13:44:10600

四探針薄膜測(cè)厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測(cè)量實(shí)踐

薄膜厚度測(cè)量?jī)x,其原理是通過將已知的薄膜材料電阻率除以方阻來確定厚度,并使用XFilm平板顯示在線方阻測(cè)試儀作為對(duì)薄膜在線方阻實(shí)時(shí)檢測(cè),以提供數(shù)據(jù)支撐。旨在實(shí)現(xiàn)非破
2025-09-29 13:43:36641

四探針法 | 測(cè)量射頻(RF)技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料,廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件,其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻(RF)濺射技術(shù)制備的SnO?:F薄膜為研究對(duì)象,通過鋁PAD法與四探針
2025-09-29 13:43:26654

TDK推出適用于光收發(fā)器的緊湊型薄膜電感器

近日,TDK株式會(huì)社(TSE:6762)擴(kuò)展了其PLEC69B系列(長(zhǎng)xx高:1.2 x 0.6 x 0.95mm)薄膜電感器產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品用于人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心光收發(fā)器中,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)與電源的分離。新產(chǎn)品已于2025年8月開始量產(chǎn)。
2025-09-05 13:44:1814712

貼片薄膜電阻如何實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的耐濕性能

在高濕度環(huán)境下,貼片薄膜電阻可能因“電化學(xué)腐蝕”導(dǎo)致電阻膜層損傷,進(jìn)而引發(fā)失效。為提升電阻器的抗?jié)裥阅埽圃焐掏ǔ2捎脙煞N方法:一是在電阻膜層表面制造保護(hù)膜以隔絕濕氣;二是采用本身不易發(fā)生電化學(xué)腐蝕的材料制備電阻膜層。
2025-09-04 15:34:41618

RES11A精密匹配薄膜電阻分壓器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments RES11A匹配薄膜電阻分壓器是一款匹配電阻分壓器對(duì),用于薄膜SiCr電阻,搭載Texas Instruments的現(xiàn)代化、高性能模擬CMOS工藝。該器件具有1k
2025-09-04 11:35:12638

四探針法精準(zhǔn)表征電阻率與接觸電阻 | 實(shí)現(xiàn)Mo/NbN低溫超導(dǎo)薄膜電阻

低溫薄膜電阻器作為超導(dǎo)集成電路的核心元件,其核心挑戰(zhàn)在于實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)材料NbN與金屬電阻層Mo間的低接觸電阻(R?)。本文使用四探針法研究鉬(Mo)為電阻材料,利用其低電阻率和優(yōu)異工藝重復(fù)性,通過NbN
2025-07-22 09:52:42502

四探針法丨導(dǎo)電薄膜薄層電阻的精確測(cè)量、性能驗(yàn)證與創(chuàng)新應(yīng)用

薄層電阻(SheetResistance,Rs)是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù),直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。四探針法以其高精度和可靠性成為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù),尤其適用于納米級(jí)薄膜表征。本文
2025-07-22 09:52:041006

Vishay推出PLCC-6封裝RGB LED通過獨(dú)立控制紅色、綠色和藍(lán)色芯片實(shí)現(xiàn)色域

車規(guī)級(jí)2800 mcd高亮度器件使色域三角形里的每種顏色都落在CIE 1931顏色空間中 ? 美國(guó)?賓夕法尼亞?MALVERN、中國(guó)?上海?—?2025年7月16日 — 日前,威世科技Vishay
2025-07-17 10:29:116440

德索SMA接頭的技術(shù)優(yōu)勢(shì):從材料到工藝的全面解析

接頭
德索五金電子發(fā)布于 2025-07-11 17:38:35

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜
2025-06-24 09:15:231746

貼片電阻的厚膜與薄膜工藝之別

在電子元件領(lǐng)域,貼片電阻憑借其小型化、高精度等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。其中,厚膜工藝與薄膜工藝是制造貼片電阻的兩種主要技術(shù),二者在多個(gè)方面存在顯著差異。 從制造工藝來看,厚膜電阻一般采用絲網(wǎng)
2025-04-07 15:08:001059

光頡高精度薄膜片式電阻器ARG02DTC1402:精密電路設(shè)計(jì)的核心元件

頓科技(Viking Tech)推出的ARG系列薄膜片式電阻器,憑借其先進(jìn)的薄膜工藝、嚴(yán)格的制程標(biāo)準(zhǔn)以及廣泛的電阻范圍(1Ω~2.49MΩ),成為工業(yè)級(jí)電路設(shè)計(jì)的首選元件。 作為該系列的代表型號(hào),ARG02DTC1402(0402封裝,14KΩ,±0.5%公差)集高
2025-04-03 16:15:261007

鴻利智匯推出高光效陶瓷3535薄膜產(chǎn)品

在追求高效節(jié)能與極致光效的今天,傳統(tǒng)照明技術(shù)的局限,存在陰陽色斑、能耗過高、適配復(fù)雜等問題。為解決這些問題,鴻利智匯全新推出高光效陶瓷3535薄膜產(chǎn)品,以熒光薄膜黑科技顛覆傳統(tǒng)噴粉工藝,為工業(yè)、市政、商業(yè)照明注入全新活力。
2025-03-26 16:04:541120

光頡高精度車規(guī)電阻選型:薄膜VS厚膜,0.01%精度如何滿足汽車電子嚴(yán)苛需求?

貞光科技作為光頡科技代理商,專注于其全系列電阻產(chǎn)品,尤其在汽車電子領(lǐng)域,提供0.01%精度的薄膜和厚膜電阻。針對(duì)電動(dòng)汽車和ADAS等應(yīng)用,貞光科技協(xié)助工程師進(jìn)行電阻選型,平衡精度、穩(wěn)定性和成本,確保汽車系統(tǒng)的高性能和可靠性。
2025-03-12 17:24:221462

在高速動(dòng)態(tài)稱重需要高數(shù)據(jù)輸出速率,高精度的ADC來轉(zhuǎn)換電阻應(yīng)變片式的傳感器信號(hào),哪個(gè)ADC適合?

在高速動(dòng)態(tài)稱重需要高數(shù)據(jù)輸出速率,高精度的ADC來轉(zhuǎn)換電阻應(yīng)變片式的傳感器信號(hào),不知道哪個(gè)ADC適合,求推薦一下。
2025-01-15 07:28:42

KOA長(zhǎng)邊電極矩形金屬膜片式電阻器WN73系列概述

KOA長(zhǎng)邊電極矩形金屬膜片式電阻器——WN73系列,是一款極高精度的片式電阻器,初始電阻阻值允許差比通用厚膜片式電阻器更小,且由于溫度變化而導(dǎo)致的電阻值變化也更小。長(zhǎng)邊電極使我們能夠在高精度和高可靠性范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高額定功率,為客戶電路的小型化做出貢獻(xiàn)。
2025-01-13 09:57:041346

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