1. 英特爾將獲美國35億美元芯片補(bǔ)貼
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美國國會(huì)助理表示，美國政府計(jì)劃對(duì)英特爾補(bǔ)貼35億美元，以生產(chǎn)軍用先進(jìn)半導(dǎo)體，該預(yù)算編列在當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月6日通過的一項(xiàng)快速支出法案中。
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這筆資金為期三年，用于支持所謂“安全飛地（secure enclave）”的計(jì)劃。計(jì)劃的資金來自總金額390億美元的《芯片和科學(xué)法案》。芯片法案立法的宗旨是鼓勵(lì)芯片制造商在美國生產(chǎn)半導(dǎo)體，目前已有600多家公司表明希望獲得補(bǔ)助。2023年11月有報(bào)道稱，英特爾正協(xié)商就“安全飛地”的計(jì)劃爭(zhēng)取30億至40億美元的補(bǔ)貼。另有報(bào)道稱，英特爾有望從芯片法案拿到超過100億美元的現(xiàn)金和貸款補(bǔ)助。
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2. 美光將首先采用佳能納米壓印光刻機(jī)，降低DRAM生產(chǎn)成本
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美國存儲(chǔ)廠商美光計(jì)劃首先采用日本佳能的納米壓?。∟IL）光刻機(jī)，希望借此進(jìn)一步降低生產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器的成本。美光日前舉辦演講，介紹納米壓印技術(shù)用于DRAM生產(chǎn)的細(xì)節(jié)。美光闡述了DRAM制程和浸潤式曝光解析度的問題，通過Chop層數(shù)不斷增加，必須增加更多曝光步驟，以取出密集存儲(chǔ)陣列周圍的虛置結(jié)構(gòu)。
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由于光學(xué)系統(tǒng)特性，DRAM層圖案很難用光學(xué)曝光圖案，納米壓印可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的圖案，且成本是浸潤式光刻的20%，成為較佳的解決方案。但納米壓印并不能在存儲(chǔ)器生產(chǎn)所有階段取代傳統(tǒng)光刻，兩者并非純粹競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但至少可以降低部分技術(shù)操作成本。佳能于2023年10月推出新型FPA-1200NZ2C納米壓印光刻機(jī)，可將電路圖案直接印在晶圓上，佳能強(qiáng)調(diào)了該設(shè)備的低成本和低功耗，其前景成為行業(yè)爭(zhēng)論的話題。
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3. 傳三星與應(yīng)用材料合作簡化EUV光刻技術(shù)
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消息稱三星電子正在與應(yīng)用材料公司合作，希望減少極紫外（EUV）工藝步驟的數(shù)量，如果成功，將有助于降低半導(dǎo)體生產(chǎn)成本。韓國業(yè)界表示，隨著越來越多的公司采用EUV工藝，預(yù)計(jì)許多公司將開始投資減少EUV工藝步驟的技術(shù)。
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業(yè)內(nèi)消息人士稱，三星正在嘗試與應(yīng)用材料公司合作，以減少4nm的工藝步驟數(shù)量。這將主要通過應(yīng)用材料的“Centura Sculpta”圖案化系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)，該系統(tǒng)于2023年開發(fā)，旨在減少EUV工藝步驟。Centura Sculpta是一種圖案成型系統(tǒng)，可幫助客戶減少光刻時(shí)間。應(yīng)用材料在2023年2月表示，光刻技術(shù)正變得越來越復(fù)雜和昂貴，新技術(shù)方法可以簡化芯片生產(chǎn)流程，同時(shí)減少浪費(fèi)和環(huán)境影響。應(yīng)用材料聲稱，Centura Sculpta可以將每片晶圓的生產(chǎn)成本降低50美元以上。
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4. 高塔半導(dǎo)體回應(yīng)工廠停工：仍將按計(jì)劃履行晶圓交付承諾
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近日媒體報(bào)道稱，在行業(yè)放緩的情況下，高塔半導(dǎo)體計(jì)劃對(duì)其美國紐波特海灘市（Newport Beach）的大部分業(yè)務(wù)進(jìn)行為期三周的停工，此舉將使近700名員工休假。高塔半導(dǎo)體確認(rèn)將于4月1日至7日關(guān)閉其大部分業(yè)務(wù)，并計(jì)劃在7月1日至7日和10月7日至13日關(guān)閉更多業(yè)務(wù)。
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對(duì)此，高塔半導(dǎo)體發(fā)布聲明指出，Tower Newport Beach工廠計(jì)劃在 4 月 1 日至 4 月 7 日期間進(jìn)行維護(hù)，晶圓上線計(jì)劃和生產(chǎn)在此期間會(huì)受限制。因?yàn)檫@是一次計(jì)劃中的正常維護(hù)，我們?nèi)詫从?jì)劃履行晶圓交付承諾。Tape out工作將繼續(xù)進(jìn)行，不會(huì)中斷。
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5. 傳HBM良率僅為65%，存儲(chǔ)大廠力爭(zhēng)通過英偉達(dá)測(cè)試
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HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片被廣泛應(yīng)用于最先進(jìn)的人工智能（AI）芯片，據(jù)業(yè)界消息，英偉達(dá)的質(zhì)量測(cè)試對(duì)存儲(chǔ)廠商提出挑戰(zhàn)，因?yàn)橄啾葌鹘y(tǒng)DRAM產(chǎn)品，HBM的良率明顯較低。
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臺(tái)積電、三星代工等公司，此前在加工單一硅晶圓時(shí)一直面臨將良率維持在最佳水平的挑戰(zhàn)，但當(dāng)前這一問題蔓延到了HBM行業(yè)。消息稱美光、SK海力士等存儲(chǔ)廠商，在英偉達(dá)下一代AI GPU的資格測(cè)試中將進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，似乎差距不大，而良率將是廠商們的阻礙。消息人市場(chǎng)稱，目前HBM存儲(chǔ)芯片的整體良率在65%左右，其中美光、SK海力士似乎在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先地位。據(jù)悉，美光已開始為英偉達(dá)當(dāng)前最新的H200 AI GPU生產(chǎn)HBM3e存儲(chǔ)芯片，因?yàn)槠湟淹ㄟ^Team Green設(shè)定的認(rèn)證階段。
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6. 消息稱特斯拉 FSD Beta 輔助駕駛功能 2025 年登陸歐洲，中國最快今年夏天開始測(cè)試
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@Florian Minderop 表示，歐盟已經(jīng)在剛剛舉行的世界車輛法規(guī)協(xié)調(diào)論壇（WP.29）上通過了新規(guī)，確認(rèn)特斯拉 FSD 歐洲版將于 2025 年登陸歐洲市場(chǎng)，這一消息還得到了 @Teslascope 的證實(shí)。
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@Teslascope 還補(bǔ)充道，特斯拉 FSD Beta 測(cè)試版可能會(huì)從今年 10 月開始在歐盟部分地區(qū)進(jìn)行測(cè)試。此外，特斯拉 FSD Beta 中國版也在快速推進(jìn)中，目前暫定的發(fā)布目標(biāo)是今年夏天。實(shí)際上，今年以來已經(jīng)傳出多次“特斯拉 FSD 入華”的消息，但特斯拉官方只表示“目前沒有推出的準(zhǔn)確時(shí)間”。不過早在去年 11 月，隨著四部委聯(lián)合印發(fā)通知部署開展智能網(wǎng)聯(lián)汽車準(zhǔn)入、上路通行試點(diǎn)工作，特斯拉 FSD 當(dāng)時(shí)也被認(rèn)為進(jìn)入“倒計(jì)時(shí)”階段。特斯拉中國曾回應(yīng)稱：“目前確實(shí)正在推進(jìn)中”。
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