chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光搶灘市場(chǎng),HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

美光搶灘市場(chǎng),HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

AI存儲(chǔ)需求猛增,Q1業(yè)績(jī)飆升57%!2026年HBM3E產(chǎn)能告罄

12月17日,美國(guó)存儲(chǔ)大廠科技公布2026財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)(截止11月27日的三個(gè)月),受惠于AI數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā),AI服務(wù)器對(duì)HBM和DDR5強(qiáng)勁需求,光在2026財(cái)年第一季度營(yíng)收達(dá)到136.4億美元,同比飆升57%,凈利潤(rùn)達(dá)到52.4億美元,去年同期34.69億美元,同比增長(zhǎng)49%。
2025-12-18 13:45:0511157

追趕SK海力士,三星、搶進(jìn)HBM3E

五代產(chǎn)品。對(duì)于HBM3E,SK海力士預(yù)計(jì)2023年底前供應(yīng)HBM3E樣品,2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊,容量達(dá)24GB,帶寬為1.15TB/s。 ? 近日,三星電子也更新了HBM3E的進(jìn)展。據(jù)韓媒報(bào)道
2023-10-25 18:25:244378

英偉達(dá)認(rèn)證推遲,但三星HBM3E有了新進(jìn)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測(cè)試,正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計(jì)算約為10億Gb級(jí)別左右,量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)最早從今年下半年延續(xù)至
2025-07-12 00:16:003465

HBM3E反常漲價(jià)20%,AI算力競(jìng)賽重塑存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)格局

明年HBM3E價(jià)格,漲幅接近20%。 ? 此次漲價(jià)背后,是AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈瓶頸的共同作用。隨著英偉達(dá)H200、谷歌TPU、 亞馬遜Trainium 等AI芯片需求激增,HBM3E供需缺口持續(xù)擴(kuò)大。與此同時(shí),存儲(chǔ)廠商正將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的 HBM4 ,進(jìn)一步擠壓了
2025-12-28 09:50:111557

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

`CFMS2018近日成功舉辦,來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05

瘋搶!HBM成為AI新瓶頸!

SK海力士正忙于處理來(lái)自客戶的大量HBM3E樣品請(qǐng)求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會(huì)在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:391894

英偉達(dá)全球首發(fā)HBM3e 專為生成式AI時(shí)代打造

2023年8月8日,NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會(huì)SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計(jì)算和生成式AI時(shí)代的處理器”,旨在用于任何大型語(yǔ)言模型,以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:172011

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無(wú)二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:491808

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴(kuò)展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:411676

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說(shuō)是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:071670

SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時(shí),SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無(wú)需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:131515

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的順序開發(fā)。而HBM3EHBM3 的擴(kuò)展(Extended)版本。 ? 科技日前宣稱新款HBM3E同樣可以達(dá)到 1.2 TB/s的速度
2023-10-10 10:25:461636

1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無(wú)緣中國(guó)

NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來(lái)自SK海力士),單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點(diǎn)點(diǎn)),同時(shí)帶寬多達(dá)4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:132330

預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值,還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:571700

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值,還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:301601

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來(lái)

數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:482458

消息稱HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評(píng)價(jià)

已明確表示,預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%,排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離,他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度,且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。
2023-12-26 14:39:31843

英偉達(dá)大量訂購(gòu)HBM3E內(nèi)存,搶占市場(chǎng)先機(jī)

英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:501622

英偉達(dá)斥資預(yù)購(gòu)HBM3內(nèi)存,為H200及超級(jí)芯片儲(chǔ)備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片,這也進(jìn)一步說(shuō)明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445

Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈,擴(kuò)大客戶群和市場(chǎng)份額

美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年,HBM供應(yīng)緊缺問(wèn)題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此,三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3,并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:022230

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲(chǔ)器,領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個(gè)開發(fā)階段后,當(dāng)前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可,同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:051429

SK海力士將于3量產(chǎn)HBM3E存儲(chǔ)器

在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器(HBM3E)的開發(fā)工作,并成功通過(guò)了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:081739

SK海力士預(yù)計(jì)3量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達(dá)

近日,全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開發(fā),并且已經(jīng)通過(guò)了英偉達(dá)
2024-02-25 11:22:211656

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級(jí)版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:421391

科技啟動(dòng)高帶寬存儲(chǔ)芯片生產(chǎn) 為英偉達(dá)最新AI芯片提供支持

英偉達(dá)下一代H200圖形處理器將采用HBM3E芯片,預(yù)計(jì)于今年第2季交付,有望超越現(xiàn)有的H100芯片,為科技貢獻(xiàn)更高業(yè)績(jī)。此外,龍頭廠商SK海力士等供應(yīng)的AI HBM(高寬帶存儲(chǔ)器)芯片市場(chǎng)需求持續(xù)升溫
2024-02-27 09:33:291543

科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動(dòng)人工智能發(fā)展

執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納(Sumit Sadana)稱,公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能,同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì),使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào),擁有業(yè)界頂尖的HBM3EHBM4路線圖,DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42841

HBM市場(chǎng)火爆!與SK海力士今年供貨已告罄

指出,專為AI、超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的HBM3E預(yù)計(jì)2024年初量產(chǎn),有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。Mehrotra對(duì)分析師表示,“2024年1~12月,HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:151036

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達(dá)1280GB/s,容量達(dá)36G

“隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?!?/div>
2024-02-27 10:36:251877

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:001583

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:051327

新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達(dá)H200

美國(guó)記憶體制造巨頭(Micron)于26日宣布,其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)(NVIDIA)H200 Tensor Core GPU,標(biāo)志著
2024-02-28 14:17:101311

HBM、HBM2、HBM3HBM3e技術(shù)對(duì)比

AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測(cè)算,預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元,增速超過(guò)50%。
2024-03-01 11:02:536003

開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展

HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。光通過(guò)這一
2024-03-04 14:51:511493

量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產(chǎn)HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:411886

科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進(jìn)展再次證明了光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:281608

開始量產(chǎn)HBM3E解決方案

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商公司宣布,已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破,也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更為強(qiáng)勁的計(jì)算能力支持。
2024-03-08 10:02:07891

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:421516

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:211675

GTC 2024:三大存儲(chǔ)廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉,HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片;AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7,有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:591737

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲(chǔ)器HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

:高帶寬存儲(chǔ)器芯片至2025年供應(yīng)已近飽和

現(xiàn)階段,NVIDIA在其新一代H200圖形處理器(GPU)上選擇采用了最新款的HBM3E芯片。過(guò)去,韓國(guó)SK海力士曾是其獨(dú)家供應(yīng)商。
2024-03-21 16:26:361490

科技Q2業(yè)績(jī)超預(yù)期 營(yíng)收同比增長(zhǎng)58%

的應(yīng)用需求增長(zhǎng),比如HBM需求強(qiáng)勁;都為存儲(chǔ)芯片行業(yè)帶來(lái)了新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。 而且科技Q3營(yíng)收指引高達(dá)68億美元;科技預(yù)計(jì)在HBM強(qiáng)勁需求驅(qū)動(dòng)下,在第三財(cái)季營(yíng)收區(qū)間將達(dá)到64億美元至68億美元,同比增長(zhǎng)高達(dá)70%到81%。 對(duì)HBM3E寄予厚望,英偉達(dá)是HBM3E產(chǎn)品的
2024-03-21 17:14:591227

NVIDIA預(yù)定購(gòu)三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989

三星獨(dú)家供貨英偉達(dá)12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露,英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無(wú)疑為業(yè)內(nèi)帶來(lái)了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:061180

三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個(gè)堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091352

HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑,并以驚人的6.4 Gb/s的速率運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬,為高性能計(jì)算提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-30 14:34:103382

半導(dǎo)體新款TC鍵合機(jī)助力HBM市場(chǎng)擴(kuò)張

TC鍵合機(jī)作為一種應(yīng)用熱壓技術(shù)將芯片與電路板連接的設(shè)備,近年來(lái)廣泛應(yīng)用于HBM3EHBM3的垂直堆疊工藝中,提升了生產(chǎn)效率和精度。
2024-04-12 09:44:462069

三星與AMD達(dá)成HBM3E采購(gòu)大單,總金額達(dá)4萬(wàn)億韓元

三星方面表示,預(yù)計(jì)今年上半年將正式生產(chǎn)出HBM3E 12H內(nèi)存,而AMD則計(jì)劃于下半年開始生產(chǎn)相應(yīng)的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H內(nèi)存的全天候最大帶寬可達(dá)到驚人的1280GB/s,產(chǎn)品容量更是高達(dá)36GB。
2024-04-24 14:44:381196

SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國(guó) SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上,他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應(yīng)壓力,可能在下半年出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。
2024-04-25 14:45:071054

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì),力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā),而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199

三星HBM3E芯片驗(yàn)證仍在進(jìn)行,英偉達(dá)訂單分配備受關(guān)注

業(yè)內(nèi)評(píng)論指出,三星HBM之所以出現(xiàn)問(wèn)題,主要原因在于負(fù)責(zé)英偉達(dá)GPU制造的臺(tái)積電在驗(yàn)證過(guò)程中采用了SK海力士的標(biāo)準(zhǔn)。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異,導(dǎo)致三星產(chǎn)品未能順利通過(guò)驗(yàn)證。
2024-05-16 17:56:201863

傳三星HBM3E尚無(wú)法通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證

三星電子近期正積極投入驗(yàn)證工作,以確保其HBM3E產(chǎn)品能夠順利供應(yīng)給英偉達(dá)。然而,業(yè)界傳出消息,因臺(tái)積電在采用標(biāo)準(zhǔn)上存在的某些問(wèn)題,導(dǎo)致8層HBM3E產(chǎn)品目前仍需要進(jìn)一步的檢驗(yàn)。
2024-05-17 11:10:13918

調(diào)整2024年資本支出預(yù)測(cè),加強(qiáng)AI產(chǎn)業(yè)HBM投資力度

,這家位于美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州波伊西(Boise)的企業(yè),是HBM芯片的三大供應(yīng)商之一,也是AI服務(wù)器所需硬件的關(guān)鍵部件。他們生產(chǎn)的最新一代高頻寬存儲(chǔ)器3EHBM3E)被AI芯片巨頭英偉達(dá)(NVDA-US)的H200采用。
2024-05-22 10:08:20877

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%

早在今年3月份,韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出,全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來(lái)看,SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:301079

SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

中國(guó)AI芯片和HBM市場(chǎng)的未來(lái)

 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動(dòng)HBM3E量產(chǎn)
2024-05-28 09:40:311726

HBM3E解決方案,高帶寬內(nèi)存助力AI未來(lái)發(fā)展

近期發(fā)布的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合創(chuàng)新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發(fā)展。 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業(yè)界前沿性能,功耗比競(jìng)品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659

志在HBM市場(chǎng):計(jì)劃未來(lái)兩年大幅提升市占率

在全球高帶寬內(nèi)存(HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下,(Micron)近日宣布了其雄心勃勃的市場(chǎng)拓展計(jì)劃。該公司預(yù)計(jì),在2024會(huì)計(jì)年度,將搶下HBM市場(chǎng)超過(guò)20%的份額,而到2025會(huì)計(jì)年度末,市占率更是計(jì)劃挑戰(zhàn)25%的高位。
2024-06-07 09:58:221115

SK海力士擴(kuò)大1b nm DRAM產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)HBM3E需求

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)高性能HBM3E(高帶寬內(nèi)存第三代增強(qiáng)版)內(nèi)存的激增需求,全球知名半導(dǎo)體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。這一戰(zhàn)略決策旨在確保公司能夠穩(wěn)定供應(yīng)高質(zhì)量?jī)?nèi)存產(chǎn)品,同時(shí)進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
2024-06-18 16:25:571084

英偉達(dá)巨資預(yù)訂HBM3E,力拼上半年算力市場(chǎng)

在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力,始終保持著領(lǐng)先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨(dú)特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金實(shí)力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達(dá)13億美元的預(yù)算,向光和SK海力士預(yù)訂了部分高帶寬存儲(chǔ)HBM3e的產(chǎn)能。
2024-06-22 16:46:581465

HBM市場(chǎng)雄心勃勃,SK海力士加速應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)

在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,美國(guó)巨頭(Micron)近日釋放了強(qiáng)烈的市場(chǎng)擴(kuò)張信號(hào),宣布其目標(biāo)是在2025年自然年將高帶寬內(nèi)存(HBM市場(chǎng)占有率提升至與DRAM市占率相當(dāng)?shù)乃?,即約20%至25%。這一
2024-07-03 09:28:591061

三星電子HBM3E測(cè)試傳聞引發(fā)熱議,緊急澄清市場(chǎng)誤解

在科技界與金融市場(chǎng)的交匯點(diǎn),一則關(guān)于三星電子HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)芯片通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格質(zhì)量測(cè)試的消息于7月4日悄然傳開,瞬間點(diǎn)燃了業(yè)界內(nèi)外對(duì)于高性能存儲(chǔ)技術(shù)未來(lái)
2024-07-04 16:22:511195

三星HBM3E質(zhì)量認(rèn)證進(jìn)展:官方否認(rèn),測(cè)試仍在進(jìn)行

近日,韓國(guó)媒體的一則報(bào)道引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注,稱三星電子的新一代高帶寬內(nèi)存HBM3E已經(jīng)順利通過(guò)了GPU巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的質(zhì)量認(rèn)證,即Qualtest PRA(產(chǎn)品準(zhǔn)備批準(zhǔn)),并預(yù)示著該產(chǎn)品
2024-07-05 10:37:031118

三星否認(rèn)HBM3E通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試傳聞

近期,有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測(cè)試,并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程,以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
2024-07-05 15:08:181268

三星電子否認(rèn)HBM3e芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

韓國(guó)新聞源NewDaily近日發(fā)布了一則報(bào)道,聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過(guò)英偉達(dá)的產(chǎn)品測(cè)試,預(yù)示著即將開啟大規(guī)模生產(chǎn)并向英偉達(dá)供貨的序幕。然而,三星電子方面迅速對(duì)此消息進(jìn)行了否認(rèn),表示并未收到官方確認(rèn)。
2024-07-05 16:09:581392

三星HBM3E批量出貨在即,DDR5市場(chǎng)或迎供應(yīng)緊張與價(jià)格上漲

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域,三星電子的每一次技術(shù)突破與產(chǎn)能調(diào)整都牽動(dòng)著市場(chǎng)的神經(jīng)。近期,業(yè)內(nèi)傳出消息,三星電子的HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)存儲(chǔ)器即將完成批量出貨驗(yàn)證,這一
2024-07-17 15:19:411221

三星HBM3e獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)型

近日,三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域再傳捷報(bào),其高頻寬內(nèi)存(HBM)產(chǎn)品HBM3e已成功通過(guò)全球圖形處理與AI計(jì)算巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的嚴(yán)格認(rèn)證,標(biāo)志著該產(chǎn)品即將進(jìn)入規(guī)?;a(chǎn)階段,預(yù)計(jì)在本季度內(nèi)正式向
2024-07-18 09:36:591401

今日看點(diǎn)丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進(jìn)芯片今年量產(chǎn)

最先進(jìn)的HBM3e芯片占總HBM的銷售額比例將從本季度略高于10%增長(zhǎng)到今年最后一個(gè)季度的60%。三星存儲(chǔ)銷售和營(yíng)銷負(fù)責(zé)人Kim Jaejune表示,該公司將為幾家客戶供貨,但未透露客戶姓名。 ? 英偉達(dá)是三星和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在爭(zhēng)取的最重要的客戶,三星預(yù)測(cè)的快速增長(zhǎng)表明,
2024-08-01 11:08:111376

量產(chǎn)第九代NAND閃存技術(shù)產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案提供商科技今日宣布了一項(xiàng)重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)已正式進(jìn)入量產(chǎn)出貨階段,標(biāo)志著成為業(yè)界首家達(dá)成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,不僅彰顯了光在制程技術(shù)和設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實(shí)力,更為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)樹立了新的性能標(biāo)桿。
2024-08-01 16:38:461251

三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即,營(yíng)收貢獻(xiàn)將飆升

三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)芯片HBM3e量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營(yíng)收貢獻(xiàn)。據(jù)三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053

三星電子HBM3E芯片測(cè)試進(jìn)展引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注

8月7日,市場(chǎng)上關(guān)于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)(Nvidia)測(cè)試的消息引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子對(duì)此事態(tài)的反應(yīng)卻顯得較為謹(jǐn)慎。三星電子官方表示:“我們無(wú)法證實(shí)與我
2024-08-07 15:23:26968

三星否認(rèn)HBM3E芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
2024-08-08 10:06:021161

三星HBM3E內(nèi)存挑戰(zhàn)英偉達(dá)訂單,SK海力士霸主地位受撼動(dòng)

進(jìn)入八月,市場(chǎng)傳言四起,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡(jiǎn)稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)格測(cè)試。然而,三星迅速澄清,表示這一報(bào)道與事實(shí)相去甚遠(yuǎn),強(qiáng)調(diào)目前質(zhì)量測(cè)試
2024-08-23 15:02:561635

TrendForce:三星HBM3E內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,8Hi版本正式出貨

9月4日最新資訊,據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報(bào)告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品的驗(yàn)證流程,并正式啟動(dòng)了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產(chǎn)品主要面向英偉達(dá)H200系列應(yīng)用。同時(shí),三星電子還積極推進(jìn)Blackwell系列的驗(yàn)證工作,預(yù)示著更先進(jìn)技術(shù)的穩(wěn)步前行。
2024-09-04 15:57:091772

SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存

自豪地宣布,SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位,而更進(jìn)一步的是,公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑,正式啟動(dòng)12層HBM3E量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645

三星電子HBM3E內(nèi)存獲英偉達(dá)認(rèn)證,加速AI GPU市場(chǎng)布局

近日,知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過(guò)英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星的HBM3E 8Hi版本已被確認(rèn)
2024-09-05 17:15:281404

12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動(dòng)交付

科技近期宣布,其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動(dòng)交付,標(biāo)志著AI計(jì)算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗(yàn)證其在整個(gè)AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553

SK海力士引領(lǐng)未來(lái):全球首發(fā)12層HBM3E芯片,重塑AI存儲(chǔ)技術(shù)格局

今日,半導(dǎo)體巨頭SK海力士震撼宣布了一項(xiàng)業(yè)界矚目的技術(shù)里程碑,該公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層HBM3E芯片的規(guī)?;a(chǎn),此舉不僅將HBM存儲(chǔ)器的最大容量推升至史無(wú)前例的36GB新高度,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士在AI應(yīng)用存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)軍地位。
2024-09-26 16:30:311987

SK海力士12層堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E量產(chǎn),這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB,更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176

GPU需求高漲,原廠競(jìng)相把握HBM3e市場(chǎng)機(jī)遇

AI芯片需求在人工智能浪潮中持續(xù)攀升,近期消息顯示,不僅HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)出現(xiàn)供不應(yīng)求、原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的情況,英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)的GPU也面臨市場(chǎng)需求遠(yuǎn)超供應(yīng)的局面。
2024-10-15 14:25:351451

三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路

近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉達(dá)提供HBM3E量產(chǎn)供應(yīng)的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品

和卓越的研發(fā)能力,已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實(shí)力,更凸顯了其對(duì)市場(chǎng)
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片

在近日舉行的SK AI峰會(huì)上,韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189

SK海力士發(fā)布HBM3e 16hi產(chǎn)品

在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動(dòng)中,SK hynix(SK海力士)透露了一項(xiàng)令人矚目的新產(chǎn)品計(jì)劃。據(jù)悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品,這款產(chǎn)品的每顆HBM芯片容量高達(dá)48GB,將為用戶帶來(lái)前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
2024-11-14 18:20:201364

發(fā)布HBM4與HBM4E項(xiàng)目新進(jìn)展

2048位接口,這一技術(shù)革新將大幅提升數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲(chǔ)效率。計(jì)劃于2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4,以滿足日益增長(zhǎng)的高性能計(jì)算需求。 除了HBM4,還透露了HBM4E的研發(fā)計(jì)劃。HBM4E作為HBM4的升級(jí)版,不僅將提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度,還將具備根據(jù)需求定制基礎(chǔ)芯片的能力。這一創(chuàng)新將為
2024-12-23 14:20:391377

SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準(zhǔn)備

堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 SK海力士的這一舉措,無(wú)疑將在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)掀起波瀾。16Hi HBM3E內(nèi)存作為業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)產(chǎn)品,其量產(chǎn)將有望推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。通過(guò)加速量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,SK海力士不僅展現(xiàn)了其在技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)力,也彰顯了其對(duì)于市場(chǎng)需求變化
2024-12-26 14:46:241050

新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

光在亞洲地區(qū)的進(jìn)一步布局和擴(kuò)張。 據(jù)方面介紹,該工廠將采用最先進(jìn)的封裝技術(shù),致力于提升HBM內(nèi)存的產(chǎn)能和質(zhì)量。隨著AI芯片行業(yè)的迅猛發(fā)展,HBM內(nèi)存的需求也在不斷增長(zhǎng)。為了滿足這一市場(chǎng)需求,決定在新加坡建設(shè)這座先進(jìn)的封裝工
2025-01-09 16:02:581155

加入16-Hi HBM3E內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)

近日,全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的科技公司宣布,將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場(chǎng)。目前,正在對(duì)最終設(shè)備進(jìn)行評(píng)估,并計(jì)劃在今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 這一消息標(biāo)志著光在高性能內(nèi)存
2025-01-17 14:14:12914

三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片

三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)議中,透露了其高帶寬內(nèi)存(HBM)的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉,該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)。
2025-02-06 17:59:001106

三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤,商討HBM3E供應(yīng)

其高帶寬存儲(chǔ)器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問(wèn)題,并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。 此次高層會(huì)晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測(cè),三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲,這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對(duì)于三星而言
2025-02-18 11:00:38979

量產(chǎn)12層堆棧HBM,獲英偉達(dá)供應(yīng)合同

近日,科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存(HBM),并將這一高性能產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI半導(dǎo)體公司英偉達(dá)。這一消息的發(fā)布,標(biāo)志著光在HBM技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2025-02-18 14:51:191269

確認(rèn)HBM4將在2026年Q2量產(chǎn)

2025年9月24日,光在2025財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中確認(rèn),第四代高帶寬內(nèi)存(HBM4)將于2026年第二季度量產(chǎn)出貨,2026年下半年進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產(chǎn)品傳輸速率突破
2025-09-26 16:42:311181

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購(gòu)SK海力士HBM芯片,這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3EHBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695

HBM格局生變!傳三星HBM3量產(chǎn)供貨英偉達(dá),國(guó)內(nèi)廠商積極布局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)根據(jù)韓媒sedaily 的最新報(bào)道,三星華城17號(hào)產(chǎn)線已開始量產(chǎn)并向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3內(nèi)存。同時(shí),已經(jīng)為英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E。至此,高端HBM內(nèi)存的供應(yīng)由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534

HBM3E量產(chǎn)后,第六代HBM4要來(lái)了!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)眼下各家存儲(chǔ)芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn),HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā),從規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)到工藝制程、封裝技術(shù)等都有所進(jìn)展,原本SK海力士計(jì)劃2026年量產(chǎn)HBM4,不過(guò)最近
2024-07-28 00:58:136874

風(fēng)景獨(dú)好?12層HBM3E量產(chǎn),16層HBM3E在研,產(chǎn)業(yè)鏈涌動(dòng)

海力士宣布公司已開始量產(chǎn)12H HBM3E芯片,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量。該產(chǎn)品堆疊12顆3GB DRAM芯片,實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度,同時(shí)容量提升50%。運(yùn)行速度提高至
2024-10-06 01:03:005496

已全部加載完成