恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出LPC1100LV系列，這是全球首款支持1.65V至1.95V VDD和1.65V至3.6V VIO雙電源電壓的ARM Cortex-M0微控制器。LPC1100LV系列采用2mm x 2mm微型封裝，性能達(dá)到50 MIPS，功耗比同類3.3V VDD器件低三倍以上。LPC1100LV平臺(tái)專門針對(duì)電池供電型終端應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括手機(jī)、平板電腦、超級(jí)本（Ultrabooks）以及有源電纜、相機(jī)和便攜式醫(yī)療電子設(shè)備的移動(dòng)配件。

　　恩智浦半導(dǎo)體微控制器業(yè)務(wù)部市場(chǎng)總監(jiān)Jan Jaap Bezemer表示：“通常，在單個(gè)微型封裝中目前還無法實(shí)現(xiàn)高性能雙電源電壓的產(chǎn)品。LPC1100LV系列在同一器件中將電池供電應(yīng)用的這些關(guān)鍵要求獨(dú)特地結(jié)合起來，使客戶可以打造前所未有的低功耗解決方案?！?/p>

　　針對(duì)低功耗、快速喚醒而設(shè)計(jì)

　　得益于恩智浦最新256字節(jié)擦除扇區(qū)和低漏電流的嵌入式專有閃存，LPC1100LV可以在低時(shí)鐘頻率下出色地處理線性電流消耗，同時(shí)還能降低系統(tǒng)功耗。例如，在智能手機(jī)等移動(dòng)系統(tǒng)中，多數(shù)系統(tǒng)元件需要在大多數(shù)時(shí)候保持功耗極低的睡眠模式。在需要使用器件時(shí)，必須在極短的時(shí)間內(nèi)快速喚醒并達(dá)到峰值性能。而LPC1100LV的喚醒時(shí)間為5μs，完全符合這一要求。

　　更高效地執(zhí)行要求更高的任務(wù)

　　恩智浦的LPC1100LV器件可實(shí)現(xiàn)50 MIPS的性能，而8/16位MCU的典型性能僅為1至5 MIPS。其出色的表現(xiàn)使LPC1100LV可以更快地完成要求極高的任務(wù)，并減少保持活動(dòng)模式的時(shí)間，從而進(jìn)一步降低器件的平均功耗。對(duì)于相同的任務(wù)，LPC1100LV借助特有的1.65V-1.95V VDD低電壓輸入，功耗比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手采用3.3V VDD輸入的Cortex-M0器件低三倍以上，比典型8/16位MCU低十倍以上?？梢猿浞职l(fā)揮LPC1100LV的MIPS性能優(yōu)勢(shì)的子系統(tǒng)包括：系統(tǒng)安全和驗(yàn)證 （包括處理AES-256加密）、系統(tǒng)接口和控制 （如鍵盤和觸摸屏）、系統(tǒng)外設(shè)控制 （音頻和照明） 以及軟件堆棧的運(yùn)行 （如藍(lán)牙低功耗無線電）。

　　小尺寸和獨(dú)特的電平轉(zhuǎn)換功能

　　LPC1100LV采用恩智浦2-mm x 2-mm微型芯片級(jí)封裝 （WLCSP） —— 是全球最小體積的32位MCU。該款器件同時(shí)提供5-mm x 5-mm HVQFN封裝選擇，為CPU和I/O提供1.8V VDD和3.3V VIO雙電壓輸入，并具有獨(dú)特的SSP/SPI （3.3V） 和I2C （1.8V） 間電平轉(zhuǎn)換能力。恩智浦還為大客戶提供SRAM、閃存和封裝的定制組合。

　　LPC1100LV器件的其他關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)包括：

　　●高達(dá)50MHz的Cortex-M0 CPU

　　●1.6uA深度睡眠電流和5μs喚醒時(shí)間

　　●最高8 KB SRAM和32 KB閃存

　　●SPI、UART和I2C

　　●最高10位、8通道ADC，采樣率為400 ksps

　　●32位和16位定時(shí)器各2個(gè)

　　●精度為1%的12 MHz振蕩器，

　　●WL-CSP25、HVQFN24和HVQFN33三種封裝選擇 （提供BGA封裝）

　　上市時(shí)間

　　目前已開始為主要客戶提供樣片。