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Vishay發(fā)布應用于國防和航天的新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻

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高性能厚膜片式電阻技術解析:Vishay CRCW-HP系列深度剖析

Vishay/Dale CRCW-HP高功率厚膜片式電阻兼具大功率額定值和小外殼尺寸,可節(jié)省PCB板上的空間。該系列電阻器的雙面電阻元件非常適合需要大功率和增強耐脈沖功能的應用。這些含鉛 (Pb
2025-11-10 13:56:36366

Vishay PTCES SMD PTC熱敏電阻技術解析與應用指南

Vishay/BC Components PTCES SMD PTC熱敏電阻具有正溫度系數,主要用于限制浪涌電流和過載保護。PTEC PTC熱敏電阻是直接加熱的陶瓷基摻雜鈦酸鋇熱敏電阻。這些
2025-11-10 10:38:57361

?Vishay Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器技術解析

采用徑向安裝。規(guī)格包括1μF至140μF電容范圍 、高達±10%電容公差和THB III級結構,確保高濕度下的堅固性。Vishay / Roederstein MKP1848e DC-Link薄膜電容器適用于汽車電子設備、充電系統和工業(yè)電源轉換。
2025-11-10 10:37:17416

Vishay RNC55系列金屬膜電阻器技術解析與應用指南

Vishay RNC55金屬膜電阻器符合MIL-PRF-55182標準,具有-40dB低額定噪聲。環(huán)氧樹脂涂層為這些電阻器提供了卓越的防潮性能,其他特點包括經過驗證的故障率、受控的溫度系數、月度
2025-11-10 09:23:43395

Vishay CRCW0201-AT e3 汽車級厚膜片式電阻技術分析

Vishay 汽車0201厚膜片式電阻是e3標準厚膜電阻器,符合汽車環(huán)境AEC-Q200要求。規(guī)格包括0201尺寸、10Ω 至1MΩ 電阻范圍、0.05W額定耗散功率、30V工作電壓額定值以及-55°至+155°的工作溫度范圍。Vishay汽車0201厚膜片式電阻用于汽車、電信和工業(yè)應用。
2025-11-09 17:32:45982

Vishay Sfernice S3F快速熔斷薄膜芯片保險絲技術解析

Vishay / Sfernice S3F快速熔斷薄膜芯片保險絲符合UL 248-14標準,有三種尺寸:0402、0603和1206。這些保險絲設計用于在過載條件下保持電路連續(xù)性,電阻最小,且具有
2025-11-09 17:10:01635

Vishay Sfernice S2F 快速熔斷薄膜芯片保險絲技術解析

Vishay/Sfernice S2F快速熔斷薄膜芯片保險絲在過載條件下保持電路連續(xù)性,電阻最小,且具有可靠的斷路功能。此系列保險絲提供0.315A至7A的電流范圍、32V~DC~ 至63V~DC
2025-11-09 16:58:18644

TE Connectivity RA73系列氮化薄膜精密電阻器技術分析

TE Connectivity/Holsworthy RA73氮化鋁 (Al2N3) 薄膜精密電阻器是一款高穩(wěn)定性片式電阻器,具有非常高的功率尺寸比(0805尺寸高達1W)。RA73電阻器的電阻溫度
2025-11-09 11:50:24721

?TE Connectivity CGS 3430系列汽車級寬端子片式電阻器技術解析

TE Connectivity (TE) /CGS 3430寬終端片式電阻器是汽車級電阻器,功率高達3W。該系列TE/CGS電阻器 高度可靠,通過多層電極構造降低故障風險,符合AEC-Q200標準
2025-11-06 15:29:45283

風華高科TR1210G系列高精度薄膜電阻應用體驗

近期南山電子接到一家工廠的咨詢,他們要趕制一批工業(yè)控制器,急需精度高、穩(wěn)定性強的電阻。了解到他們試了幾款產品都不太理想后,我們結合其需求,推薦了風華高科TR1210G系列高精度薄膜電阻。風華高科
2025-11-05 17:04:32528

薄膜電阻與陶瓷電容性能對比

薄膜電阻與陶瓷電容在性能上各有優(yōu)勢,薄膜電阻以高精度、低溫漂、低噪聲見長,適用于精密測量與高頻電路;陶瓷電容則以高頻特性、微型化與高可靠性為核心優(yōu)勢,廣泛應用于電源管理與射頻電路。以下是對兩者的詳細
2025-11-04 16:33:30502

國巨RT0805系列薄膜精密電阻在哪些電子設備中廣泛使用?

在電子元件領域,薄膜精密電阻因其高精度、高穩(wěn)定性而備受青睞。國巨(YAGEO)作為全球知名的被動元件制造商,其推出的薄膜精密電阻RT0805系列更是憑借卓越的性能,廣泛應用于各類高精度電路中,其具體
2025-11-04 15:58:57228

風華高科ABH10K系列車規(guī)電阻器中文資料/樣品申請/最新價格

風華高科ABH10K系列車規(guī)電阻器是專為汽車電子領域設計的厚膜片式固定電阻器,屬于AB車規(guī)系列的重要分支。該系列嚴格符合AEC-Q200汽車電子元件可靠性標準,憑借高穩(wěn)定性、強環(huán)境適應性及抗硫化能力
2025-11-03 13:28:49224

TE Connectivity SMA-Q系列金屬薄膜精密MELF電阻器技術解析與應用指南

TE Connectivity (TE) 的Holsworthy金屬薄膜精密MELF SMA-Q電阻器符合AEC-Q200要求,并具有改進的涂層,可更好地防潮。TE MELF SMA-Q電阻
2025-11-02 10:25:01427

為汽車和工業(yè)應用選擇薄膜電阻

得成功的基礎,需要不斷創(chuàng)新才能確保性能可靠。 例如,必須對片式金屬膜電阻器進行設計和測試,以確保其在苛刻環(huán)境下的精確性、穩(wěn)定性和可靠性。能否在含硫化合物環(huán)境中保持長期可靠,是影響汽車、工業(yè)市場中片式電阻器設計的一個重要問題。在這些環(huán)境中,機油、潤滑油、
2025-10-01 15:14:461528

消除接觸電阻的四探針改進方法:精確測量傳感器薄膜方塊電阻電阻

方塊電阻薄膜材料的核心特性之一,尤其在傳感器設計中,不同條件下的方塊電阻變化是感知測量的基礎。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會顯著影響測量精度,甚至導致非線性肖特基勢壘的形成,進一步降低傳感器
2025-09-29 13:44:52794

NiCr薄膜電阻優(yōu)化:利用鋁夾層實現高方塊電阻和低溫度電阻系數

隨著系統集成封裝(SIP)技術發(fā)展,嵌入式薄膜電阻需同時滿足高方塊電阻(>100Ω/sq)和近零電阻溫度系數(│TCR│當tAl>7.5nm時,Al層成為主要導電通道,導致Rs下降。電阻
2025-09-29 13:44:10600

4H-SiC薄膜電阻在高溫MEMS芯片中的應用?|?電阻率溫度轉折機制分析

微機電系統(MEMS)傳感器技術已廣泛應用于汽車、醫(yī)療等領域,但在航空發(fā)動機等極端高溫環(huán)境(>500℃)中,傳統硅基傳感器因材料限制無法使用。碳化硅(SiC)因其高溫穩(wěn)定性、高集成性成為理想
2025-09-29 13:43:47463

四探針法 | 測量射頻(RF)技術制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

SnO?:F薄膜作為重要透明導電氧化物材料,廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件,其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻(RF)濺射技術制備的SnO?:F薄膜為研究對象,通過鋁PAD法與四探針
2025-09-29 13:43:26654

臺階儀精準測量薄膜工藝中的膜厚:制備薄膜理想臺階提高膜厚測量的準確性

固態(tài)薄膜因獨特的物理化學性質與功能在諸多領域受重視,其厚度作為關鍵工藝參數,準確測量對真空鍍膜工藝控制意義重大,臺階儀法因其能同時測量膜厚與表面粗糙度而被廣泛應用于航空航天、半導體等領域。費曼儀器
2025-09-05 18:03:23631

貼片薄膜電阻如何實現優(yōu)秀的耐濕性能

在高濕度環(huán)境下,貼片薄膜電阻可能因“電化學腐蝕”導致電阻膜層損傷,進而引發(fā)失效。為提升電阻器的抗?jié)裥阅?,制造商通常采用兩種方法:一是在電阻膜層表面制造保護膜以隔絕濕氣;二是采用本身不易發(fā)生電化學腐蝕的材料制備電阻膜層。
2025-09-04 15:34:41618

RES11A精密匹配薄膜電阻分壓器技術解析與應用指南

Texas Instruments RES11A匹配薄膜電阻分壓器是一款匹配電阻分壓器對,用于薄膜SiCr電阻,搭載Texas Instruments的現代化、高性能模擬CMOS工藝。該器件具有1k
2025-09-04 11:35:12638

鍵盤薄膜高彈UV膠則是一種特殊改性的UV固化膠,用于薄膜鍵盤按鍵彈性體的部分或高彈性密封

薄膜鍵盤是一種常見的鍵盤類型,它使用薄膜作為按鍵的觸發(fā)器。而鍵盤薄膜高彈UV膠則是一種特殊改性的UV固化膠,用于薄膜鍵盤按鍵彈性體的部分或高彈性密封。薄膜鍵盤的優(yōu)點如下:1.薄膜鍵盤相對于傳統機械
2025-08-26 10:03:54792

四探針法精準表征電阻率與接觸電阻 | 實現Mo/NbN低溫超導薄膜電阻

低溫薄膜電阻器作為超導集成電路的核心元件,其核心挑戰(zhàn)在于實現超導材料NbN與金屬電阻層Mo間的低接觸電阻(R?)。本文使用四探針法研究鉬(Mo)為電阻材料,利用其低電阻率和優(yōu)異工藝重復性,通過NbN
2025-07-22 09:52:42502

四探針法丨導電薄膜薄層電阻的精確測量、性能驗證與創(chuàng)新應用

薄層電阻(SheetResistance,Rs)是表征導電薄膜性能的關鍵參數,直接影響柔性電子、透明電極及半導體器件的性能。四探針法以其高精度和可靠性成為標準測量技術,尤其適用于納米級薄膜表征。本文
2025-07-22 09:52:041006

氧化硅薄膜氮化薄膜工藝詳解

氧化硅薄膜氮化薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231746

虹科白皮書 | 航空航天國防革新:TSN和RTOS融合技術

需求。通過統一協議和優(yōu)化架構,TSN提高了性能,降低了復雜性,并確保了安全關鍵通信。其在航空電子、航天國防系統中的應用簡化了網絡,削減了成本,并支持混合關鍵性流量。
2025-06-04 17:02:551066

詳解原子層沉積薄膜制備技術

CVD 技術是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學反應來進行薄膜生長的過程,較短的工藝時間以及所制備薄膜的高致密性,使 CVD 技術被越來越多地應用于薄膜封裝工藝中無機阻擋層的制備。
2025-05-14 10:18:571204

貼片電阻的厚膜與薄膜工藝之別

在電子元件領域,貼片電阻憑借其小型化、高精度等優(yōu)勢,廣泛應用于各類電子設備中。其中,厚膜工藝與薄膜工藝是制造貼片電阻的兩種主要技術,二者在多個方面存在顯著差異。 從制造工藝來看,厚膜電阻一般采用絲網
2025-04-07 15:08:001059

光頡高精度薄膜片式電阻器ARG02DTC1402:精密電路設計的核心元件

頓科技(Viking Tech)推出的ARG系列薄膜片式電阻器,憑借其先進的薄膜工藝、嚴格的制程標準以及廣泛的電阻范圍(1Ω~2.49MΩ),成為工業(yè)級電路設計的首選元件。 作為該系列的代表型號,ARG02DTC1402(0402封裝,14KΩ,±0.5%公差)集高
2025-04-03 16:15:261007

常見的幾種薄膜外延技術介紹

薄膜外延生長是一種關鍵的材料制備方法,其廣泛應用于半導體器件、光電子學和納米技術領域。
2025-03-19 11:12:232317

氮化鋁陶瓷基板:高性能電子封裝材料解析

氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁(AIN)為主要成分的陶瓷材料,具有高熱導率、低熱膨脹系數、優(yōu)良電性能和機械性能等特點。它廣泛應用于高效散熱(如高功率LED和IGBT模塊)、高頻信號傳輸(如5G通信和雷達
2025-03-04 18:06:321703

氮化鎵晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

氮化鎵晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化鎵晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關管廣泛應用于大功率場合,如牽引逆變器、可回收能源系統等
2025-02-27 18:26:311103

LPCVD氮化薄膜生長的機理

可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高,氫原子往往從氮化薄膜中去除,因此反應物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應
2025-02-07 09:44:141232

是否有專門應用于energy monitoring的高速ADC?

TI是否有專門應用于energy monitoring的高速ADC(sensing up to 30 MHz for power quality analysis), 或者可以用于這個方案的ADC也可以?
2025-01-23 06:23:16

氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

相信最近關心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵(GaN)”,這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后,“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14

在高速動態(tài)稱重需要高數據輸出速率,高精度的ADC來轉換電阻應變片式的傳感器信號,哪個ADC適合?

在高速動態(tài)稱重需要高數據輸出速率,高精度的ADC來轉換電阻應變片式的傳感器信號,不知道哪個ADC適合,求推薦一下。
2025-01-15 07:28:42

KOA長邊電極矩形金屬膜片式電阻器WN73系列概述

KOA長邊電極矩形金屬膜片式電阻器——WN73系列,是一款極高精度的片式電阻器,初始電阻阻值允許差比通用厚膜片式電阻器更小,且由于溫度變化而導致的電阻值變化也更小。長邊電極使我們能夠在高精度和高可靠性范圍內實現高額定功率,為客戶電路的小型化做出貢獻。
2025-01-13 09:57:041346

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